标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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FinFET器件及其制造方法 | 2024-01-23 | 41 |
采用金属发射极的碳化硅双极型晶体管器件及其制作方法 | 2024-01-25 | 620 |
一种缓冲型衬底结构及其上的侧向外延生长方法 | 2024-01-21 | 282 |
互连结构的制作方法 | 2024-01-27 | 573 |
一种浅沟槽隔离结构的制造方法 | 2024-01-30 | 650 |
一种基于N型纳米薄层来提高N型DiMOSFET沟道迁移率方法 | 2024-02-01 | 877 |
半导体器件及其制造方法 | 2024-02-02 | 627 |
超级结器件边缘外延平坦化方法 | 2024-02-05 | 422 |
降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 | 2024-02-07 | 582 |
碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法 | 2024-02-09 | 225 |
带有N型漂移层台面的碳化硅UMOSFET器件及制作方法 | 2024-01-29 | 864 |
离子注入形成N型重掺杂漂移层台面的碳化硅UMOSFET器件制备方法 | 2024-01-31 | 296 |
一种PMOS晶体管及其制备方法 | 2024-02-03 | 913 |
场效应晶体管液体传感器及其制备方法 | 2024-02-04 | 382 |
背照式图像传感器及其形成方法 | 2024-01-22 | 791 |
含应变硅层的半导体器件的形成方法 | 2024-01-26 | 575 |
浅沟槽隔离结构及其制备方法 | 2024-02-06 | 105 |
外延生长形成N型重掺杂漂移层台面的UMOSFET器件制备方法 | 2024-01-28 | 263 |
半导体器件及其制造方法 | 2024-02-08 | 909 |
一种CMOS纳米线晶体管结构及制备方法 | 2024-01-24 | 676 |
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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一种嵌入式电极结构LED退火的方法 | 2020-05-08 | 563 |
一种提高LED光效的方法 | 2020-05-08 | 853 |
Micro LED外延片的生长方法及MicroLED外延片 | 2020-05-08 | 135 |
一种暗纹东方鲀、南美白对虾、空心菜立体种养的方法 | 2020-05-11 | 271 |
LED外延片衬底结构及制作方法 | 2020-05-11 | 368 |
一种LED芯片及其制备方法 | 2020-05-08 | 960 |
一种生长在GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用 | 2020-05-08 | 15 |
一种背照射紫外红外双色光电探测器及其制备方法 | 2020-05-08 | 606 |
一种检测TSV中Cu扩散的器件结构及其制造方法 | 2020-05-08 | 603 |
方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺 | 2020-05-08 | 263 |
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