标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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光学半导体装置及其制造方法 | 2024-01-10 | 114 |
一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法 | 2024-01-09 | 948 |
一种碳化硅沟槽MOS结势垒肖特基二极管及其制备方法 | 2024-01-18 | 200 |
半导体器件及其制造方法 | 2024-01-20 | 363 |
纳米线场效应晶体管器件 | 2024-01-13 | 324 |
LED外延层及其生长方法和LED芯片 | 2024-01-17 | 312 |
制造GaN混合P-I-N肖特基(MPS)二极管的方法 | 2024-01-11 | 422 |
LED芯片及其倒封装制作方法 | 2024-01-09 | 722 |
4H-SiC金属半导体场效应晶体管 | 2024-01-10 | 226 |
一种背栅调制全耗尽MOS器件及其制备方法 | 2024-01-11 | 726 |
具有间隙空位的聚结纳米线结构及其制造方法 | 2024-01-16 | 105 |
横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法 | 2024-01-12 | 375 |
Semiconductor substrate for growth of an epitaxial semiconductor device | 2024-01-09 | 181 |
SURFACE SHAPE MEASURING APPARATUS | 2024-01-12 | 793 |
서셉터 지지부를 구비하는 웨이퍼 에피택셜 성장 장치 | 2024-01-19 | 167 |
一种平面沟道的半导体器件及其制造方法 | 2024-01-15 | 58 |
一种发光二极管及其制造方法 | 2024-01-10 | 323 |
금속 산화물 반도체 소자 구조용 핀의 형성 방법 | 2024-01-12 | 547 |
LED WITH SHAPED GROWTH SUBSTRATE FOR SIDE EMISSION | 2024-01-11 | 236 |
氮化物发光二极管及其制作方法 | 2024-01-14 | 426 |
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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一种嵌入式电极结构LED退火的方法 | 2020-05-08 | 563 |
一种提高LED光效的方法 | 2020-05-08 | 853 |
Micro LED外延片的生长方法及MicroLED外延片 | 2020-05-08 | 135 |
一种暗纹东方鲀、南美白对虾、空心菜立体种养的方法 | 2020-05-11 | 271 |
LED外延片衬底结构及制作方法 | 2020-05-11 | 368 |
一种LED芯片及其制备方法 | 2020-05-08 | 960 |
一种生长在GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用 | 2020-05-08 | 15 |
一种背照射紫外红外双色光电探测器及其制备方法 | 2020-05-08 | 606 |
一种检测TSV中Cu扩散的器件结构及其制造方法 | 2020-05-08 | 603 |
方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺 | 2020-05-08 | 263 |
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