专利汇可以提供方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种方便CSP 焊接 的 侧壁 电极 增大制作工艺,包括:将芯片排列成矩阵结构,所述芯片的电极朝上;将白墙膜与芯片进行 热压 ,定高后放置到氮气 烤箱 中进行 烘烤 ;对芯片的电极表面的白墙膜进行钻孔,对钻孔后的电极表面进行金属沉积 外延 生长 处理,生长方式为 磁控溅射 、电 镀 , 电铸 或者 化学镀 中的一种或多种;将 荧光 膜热压到芯片的出光面上并在控制厚度后,将带有荧光膜的 工件 放置到氮气烤箱中进行烘烤;使用钻石切割刀或者 树脂 切割刀切割上述工件得到CSP灯珠。本发明采用金属沉积外延生长的方式对芯片的电极进行延伸扩大,有效解决了的 倒装芯片 中因电极尺寸小而导致的不易贴片和焊接的问题。,下面是方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺专利的具体信息内容。
1.一种方便CSP焊接的侧壁电机增大制作工艺,其特征在于,包括:
将芯片排列成矩阵结构,所述芯片的电极朝上,芯片的出光面通过固晶膜贴合于定位玻璃上;
将预制好的白墙膜与排列好的芯片进行热压,使用定高片对白墙膜定高后,将带有白墙膜和芯片的光罩玻璃放置到氮气烤箱中进行烘烤;
对芯片的电极表面的白墙膜进行钻孔,其中,电极表面处的钻孔的孔径为电极表面积的1.1 1.5倍,钻孔至完全漏出电极后再继续向下钻孔1-2μm;
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对钻孔后的电极表面进行金属沉积外延生长处理,外延生长方式为磁控溅射、电镀,电铸或者化学镀中的一种或多种;
将荧光膜热压到芯片的出光面上并在控制厚度后,将带有荧光膜的工件放置到氮气烤箱中进行烘烤;
使用钻石切割刀或者树脂切割刀切割上述工件得到CSP灯珠。
2.如权利要求1所述的方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺,其特征在于,在对芯片表面和相邻两芯片之间的白墙膜进行钻孔之前,还包括:将定位玻璃置于真空吸盘上,并使用塑料板插入固晶膜与定位玻璃之间,从而将固晶膜与定位玻璃分离,接着,将真空吸盘吸附在所述白墙膜上,并将固晶膜与带芯片的白墙膜分离。
3.如权利要求2所述的方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺,其特征在于,所述真空吸盘的材质为多空隙陶瓷,并且所述真空吸盘的真空度在100Pa以下。
4.如权利要求1或2所述的方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺,其特征在于,还包括:使用滚轮推动白墙膜,使所述白墙膜紧密贴附于排片膜上。
5.如权利要求1所述的方便CSP焊接的侧壁电机增大制作工艺,其特征在于,排列芯片时,所述芯片的排列精度为±5μm,角度偏转小于1°,芯片与芯片之间的间距为0.376~
0.466mm或0.5 0.52mm。
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6.如权利要求1所述的方便CSP焊接的侧壁电机增大制作工艺,其特征在于,所述固晶膜为两面均涂刷有热解胶的PET膜,所述白墙胶采用有机硅、环氧树脂和二氧化钛中的一种或两种。
7.如权利要求1所述的方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺,其特征在于,两次烘烤的温度均为150°,烘烤时间为3h。
8.如权利要求1所述的方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺,其特征在于,进行金属沉积外延生长处理时,采用的沉积材料为Cu、Ni、Pt和Au中的一种或多种,沉积的厚度为5~
20μm。
9.如权利要求1所述的方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺,其特征在于,进行金属沉积外延生长处理时,在芯片的两个电极之间白墙膜进行贴膜或喷涂化学试剂,使白墙膜表面无金属沉积。
10.如权利要求1所述的方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺,其特征在于,切割时,采用的切割机为钻石砂轮切割机,转速为10000r/min,切割速度为100mm/s。
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