首页 / 国际专利分类库 / 化学;冶金 / 玻璃;矿棉或渣棉 / 制造、成型或辅助工艺 / 生产石英或熔凝硅石制品的专用 方法{其他类目不包含的,(C03B19/01, C03B19/066, C03B19/106, C03B19/12, C03B19/14, C03B37/00 优先)}
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
81 石英玻璃坩埚及其制造方法、以及单晶的制造方法 CN201180053097.7 2011-09-26 CN103201226B 2015-08-05 木村明浩; 松本克; 布施川泉; 三木克彦
发明涉及一种石英玻璃坩埚的制造方法,其包含:工序a,准备由石英玻璃构成且具有坩埚形状的坩埚基材;工序b,利用直接法或火焰解法制作合成石英玻璃材料;工序c,将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状;及,工序d,将加工成前述坩埚形状的合成石英玻璃材料,熔合于前述坩埚基材的内面。由此,提供一种避免制造单晶之际因坩埚自身导致单晶硅位错且具有高耐热性的石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法。
82 一种石英砂分料漏斗的螺母丝杠式运动装置 CN201310638060.1 2013-11-30 CN104671647A 2015-06-03 蒲维新
发明公开了一种石英砂分料漏斗的螺母丝杠式运动装置,包括纵向运动机构、横向运动机构,以及分料漏斗;纵向运动机构包括第一安装架,第一安装架上开设第一滑槽,第一滑槽内设置第一滑动螺母,第一安装架的底部安装底座,第一安装架顶部安装第一驱动电机,底座和第一驱动电机之间设置第一丝杠,第一丝杠的上端与第一驱动电机的输出轴相连接,第一丝杠与第一滑动螺母呈螺纹配合;横向运动机构包括第二安装架,第二安装架上开设第二滑槽,第二滑槽内设置第二滑动螺母,第二滑槽内设置第二丝杠,第二安装架上设置有第二驱动电机,第二丝杠与第二滑动螺母呈螺纹配合。该螺母丝杠式运动装置结构简单、使用方便、具有自功能。
83 一种石英砂分料漏斗装置 CN201310638033.4 2013-11-30 CN104671645A 2015-06-03 蒲维新
发明公开了一种石英砂分料漏斗装置,包括漏斗本体和螺旋输料器,漏斗本体下端连接漏斗输料管,漏斗输料管下端安装漏斗嘴,漏斗输料管上安装机械式流量控制,漏斗本体侧壁设置挂架,漏斗本体上部设置驱动电机,螺旋输料器一端与驱动电机输出轴连接,螺旋输料器另一端伸入漏斗输料管内,漏斗输料管内设置有滤网;还包括输料控制系统,输料控制系统包括用于检测漏斗本体内石英砂容量的料位传感器和用于接收所述料位传感器输出信号并控制驱动电机的输料控制器,料位传感器与输料控制器的输入端相接,输料控制器的输出端接有电机驱动电路,电机驱动电路与驱动电机相接。该石英砂分料漏斗装置结构简单、使用方便、加料效率高。
84 一种激光修补石英坩埚的装置 CN201510083253.4 2015-02-15 CN104609706A 2015-05-13 司继成
申请公开了一种激光修补石英坩埚的装置,包括激光装置和送料装置,激光装置包括壳体和设于壳体内的CO2激光发生器,壳体设有激光出口;送料装置包括料斗和连通料斗出口的送料管,料斗设于壳体;由此,利用激光熔融石英坩埚的污点,使其气化,再填充石英砂,利用激光熔融修补,来达到修补石英坩埚的污点,使其达到合格的要求,成本低,使用方便。
85 一种制备石英坩埚石膏模具旋转喷装置 CN201310469700.0 2013-09-28 CN104511966A 2015-04-15 胡潇勇
一种制备石英坩埚石膏模具旋转喷装置,由机架(1)、电机(2)、水管(3)、喷头(4)、臂(5)所组成,电机(2)位于机架(1)内,与机架(1)相连接,铁臂(5)与机架(1)相连接,水管(3)依附铁臂、一头与水源相连接,穿过电机(2),另一头与喷头(4)相连接。它是设计科学合理、结构简单、安装方便快捷、省工省时的一种制备石英坩埚的石膏模具旋转喷水装置,广泛适用于生产石英坩埚作业,是生产石英坩埚企业石膏模具喷水装置的首选产品。
86 合成非晶态粉末及其制造方法 CN201280004018.8 2012-02-29 CN103249674B 2015-03-11 植田稔晃
发明的合成非晶态粉末是对造粒二氧化硅粉末实施球化处理后,清洗并干燥而得到的平均粒径D50为10~2000μm的合成非晶态二氧化硅粉末,其特征在于,BET比表面积除以由平均粒径计算出的理论比表面积得到的值超过1.35且1.75以下,真密度为2.10~2.20g/cm3,粒子内孔隙率为0~0.05,圆形度为0.50以上0.75以下以及未熔解率大于0.25且0.60以下。该合成非晶态二氧化硅粉末由于表面所吸附的气体成分、粉末内部的气体成分少,因此使用该粉末制造的合成二氧化硅玻璃产品在高温和减压的环境下的使用中,气泡的产生或膨胀会显著地降低。
87 用于由电熔化的合成的石英玻璃制造成形体的方法 CN201380017833.2 2013-03-26 CN104185613A 2014-12-03 W.莱曼; T.凯泽尔; M.阿尔恩特; A.霍夫曼
在用于由合成石英玻璃制造成型体的已知的方法中,在电加热的熔化容器(31)中在形成软化的石英玻璃(57)的情况下加热石英玻璃晶粒(15)并且将软化的石英玻璃块(57)成形为成型体。为了即使在连续的熔化过程中也实现有利的熔化特性,按本发明提出,使用由晶粒微粒构成的合成产生的石英玻璃晶粒(15),其中夹杂氦气,其中所述石英玻璃晶粒(15)在形成SiO2颗粒(9)的情况下通过热解制造的酸的粒化来产生,并且随后在具有至少部分地由陶瓷材料制成的转筒(6)的转筒烘箱(1)中并且在包含至少30%体积百分比的氦气的处理气体中被玻化SiO2颗粒。
88 根据灰料法制造合成石英玻璃的方法 CN201280057970.4 2012-11-22 CN103946170A 2014-07-23 H.法比安; J.勒佩尔
制造合成石英玻璃的已知方法包括方法步骤:形成含有八甲基环四烷(D4)作为主要组分(其具有属于其的基准分子量)的SiO2原料流,将所述流送入反应区,在此原料通过热解或解在非晶SiO2颗粒形成下转化成SiO2,使所述非晶SiO2颗粒沉积在沉积面上,形成多孔SiO2灰料体,和使所述SiO2灰料体玻璃化,形成合成石英玻璃。由此开始,为了能制造具有改进的材料均匀性的外径大于300毫米的大体积圆柱形灰料体,根据本发明建议,该原料含有附加聚烷基硅氧烷形式的附加组分,其中以至少50ppm的重量比例包含相对分子量小于基准分子量的轻质聚烷基硅氧烷,并以至少30ppm的重量比例包含相对分子量大于基准分子量的重质聚烷基硅氧烷。
89 石英玻璃坩埚及其制造方法、以及单晶的制造方法 CN201280017986.2 2012-02-15 CN103459336A 2013-12-18 木村明浩; 星亮二; 三田村伸晃; 镰田洋之
发明是一种石英玻璃坩埚的制造方法,其特征在于,其包含:步骤a,该步骤准备由石英玻璃所构成,且具有坩埚形状的坩埚基材;步骤b,该步骤利用直接法或火焰解法(SOOT)制作合成石英玻璃材料;步骤c,该步骤将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状;及,步骤d,该步骤进行热处理,通过石粉末来粘结前述坩埚基材的内壁与前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料的外壁。由此,提供一种石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法,所述石英玻璃坩埚可以防止制造单晶硅时单晶硅产生位错,并且,具有高耐热性,可以抑制生产性、成品率的降低。
90 作为用于感应加热器的具有改进的颜色显示能和挡热能力的灶面的玻璃陶瓷,这种灶面的制备方法及其用途 CN201180036005.4 2011-07-15 CN103025674A 2013-04-03 弗里德里希·西贝斯; 艾维林·魏斯; 法尔克·加贝尔
作为用于感应加热器的具有改进的颜色显示能和挡热能力的灶面的玻璃陶瓷,所述灶面由透明的、着色的玻璃陶瓷板组成,所述透明的、着色的玻璃陶瓷板具有作为主晶相的高温石英混晶,其中,所述玻璃陶瓷不包含化学澄清剂化砷和/或氧化锑,所述灶面在380和500nm之间的至少一个蓝色波长下的透射率大于0.4%,在630nm下的透射率>2%,在1600nm下的透射率小于45%,以及在可见光范围内的透光率小于2.5%。
91 熔融石英玻璃及其制造方法 CN200780033716.X 2007-09-11 CN101511744B 2012-11-14 新井一喜; 高畑努; 桥本真吉; 内田雅人; 山田修辅; 原田美德; 堀越秀春
一种熔融石英玻璃,其对于波长245nm的紫外光,在10mm厚度内的内透过率为95%以上,OH含量为5ppm以下,Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为不足0.1ppm。优选该熔融石英玻璃在1215℃下的粘度系数为1011.5Pa·s以上,另外,1050℃下在大气中放置24小时的、在距表面的深度超过20μm起至100μm的区域中的Cu离子的扩散系数为1×10-10cm2/秒以下。该熔融石英玻璃通过将原料石粉末方英石化后在非还原性气氛中熔融而制造。该熔融石英玻璃具有紫外线、可见光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高以及金属杂质的扩散速度小的特性,适合作为各种光学材料、半导体制造用部件、液晶制造用部件等。
92 从不透明石英玻璃和致密封闭层的基体生产复合体的方法 CN200880022925.9 2008-06-18 CN101687680B 2012-09-19 W·沃德克; J·莱斯纳
发明涉及为了优化从不透明石英玻璃和致密封闭层的基体生产复合体的已知方法,其方式是该基体能够提供有致密封闭层但无需担心不透明材料的任何显著的变化和变形。根据本发明,建议一种方法,该方法包括下面步骤:(a)通过使用含有较大无定形SiO2颗粒的第一种滑移剂生产基体;(b)制备第二种滑移剂,它含有较小无定形SiO2颗粒并且它的组成与第一种滑移剂的组成的区别至少在于它含有在0.2wt%到15wt%之间的SiO2纳米颗粒并且它通过较低玻璃化温度来表征;(d)在基体的表面上从第二种滑移剂生产滑移剂层,干燥该滑移剂层,和(e)随后使滑移剂层发生玻璃化,从而形成致密封闭层。
93 玻璃颗粒 CN200880023592.1 2008-06-04 CN101687681B 2012-07-25 K·舒马赫; C·舒尔策-伊斯福特; P·布兰德尔; M·奥基亚尔
玻璃颗粒,其具有下列特征:面积:100-5000μm2,ECD:5-100μm,周长:20-400μm,最大直径:10-140μm,最小直径:5-80μm,其中所有值为中值,BET比表面积:<1m2/g杂质:<50ppm。所述二氧化硅玻璃颗粒通过下列步骤制备:a)将具有15-190g/l的夯实密度热解二氧化硅粉末压紧成,b)然后将所述块粉碎并除去直径<100μm的块碎片及直径>800μm的块碎片,c)所剩的块碎片具有300-600g/l的夯实密度,及d)随后将其在600-1100℃下在包含一种或多种适用于除去羟基的化合物的环境中进行处理,及e)然后将其在1200℃-1400℃下烧结
94 一种节能石英连熔炉及节能方法与调整拉管规格方法 CN200710020784.4 2007-03-28 CN101054257B 2010-05-19 徐胜利
一种节能石英连熔炉,包括炉体、炉盖和芯杆,芯杆的底部设有成型器,其特点是,在与炉盖连接处的芯杆上设有升降调整螺母;炉体内设有固定连接在炉盖盖体上的钨钼坩锅;所述的炉盖包括盖体、顶盖、上盖、下盖和底盖,上盖与下盖均为圆环形板状结构,上盖固定设在盖体的上部,顶盖与上盖之间通过固件连接,底盖和盖体之间呈分体式设置,底盖和盖体之间设有密封圈,下盖设在密封圈上并通过紧固件与底盖连接;所述的底盖上设有上部穿出上盖的调节螺栓,上盖下侧的调节螺栓上设有与之配套的调节螺母。本发明还公开了应该节能石英连熔炉的节能方法与调整拉管规格方法。本发明石英连熔炉使用方便快捷、节能、拉管规格调整幅度较大。
95 玻璃颗粒 CN200880023592.1 2008-06-04 CN101687681A 2010-03-31 K·舒马赫; C·舒尔策-伊斯福特; P·布兰德尔; M·奥基亚尔
玻璃颗粒,其具有下列特征:面积:100-5000μm<sup>2</sup>,ECD:5-100μm,周长:20-400μm,最大直径:10-140μm,最小直径:5-80μm,其中所有值为中值,BET比表面积:<1m<sup>2</sup>/g杂质:<50ppm。所述二氧化硅玻璃颗粒通过下列步骤制备:a)将具有15-190g/l的夯实密度热解二氧化硅粉末压紧成,b)然后将所述块粉碎并除去直径<100μm的块碎片及直径>800μm的块碎片,c)所剩的块碎片具有300-600g/l的夯实密度,及d)随后将其在600-1100℃下在包含一种或多种适用于除去羟基的化合物的环境中进行处理,及e)然后将其在1200℃-1400℃下烧结
96 一种透明石英扩散反应炉管的制造方法 CN200710020024.3 2007-02-07 CN100546929C 2009-10-07 成士林; 谭锦和
一种透明石英扩散反应炉管的制造方法,将原料投入到连熔炉的钨钳锅内进行熔炼,炉内工作温度为2400℃~2500℃,钨钳锅底部挡料台向上的高温区的高度为750mm~850mm,采用自动下料,保证炉内料层高度1200mm,作业保护气体为氮气和氩气的混合气体,氮气和氩气比例为1∶3,采用拉管机连续拉制,并采用量程为0~320mm、精度为0.001mm的激光测径仪进行管径和管壁测量。挡料台的底平面至炉体底部锆套上平面之间的距离为石英管的成型距离,成型距离为40mm<h<60mm。使用该工艺技术方法生产Φ100mm~Φ260mm口径的透明石英扩散反应炉管可满足电子工业半导体器件用石英材料的要求。产品尺寸、公差及理化性能指标均达到国际行业执行标准,部分指标如尺寸公差可超过美国GE同类产品标准。
97 熔融石英玻璃及其制造方法 CN200780033716.X 2007-09-11 CN101511744A 2009-08-19 新井一喜; 高畑努; 桥本真吉; 内田雅人; 山田修辅; 原田美德; 堀越秀春
一种熔融石英玻璃,其对于波长245nm的紫外光,在10mm厚度内的内透过率为95%以上,OH含量为5ppm以下,Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为不足0.1ppm。优选该熔融石英玻璃在1215℃下的粘度系数为1011.5Pa·s以上,另外,1050℃下在大气中放置24小时的、在距表面的深度超过20μm起至100μm的区域中的Cu离子的扩散系数为1×10-10cm2/秒以下。该熔融石英玻璃通过将原料石粉末方英石化后在非还原性气氛中熔融而制造。该熔融石英玻璃具有紫外线、可见光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高以及金属杂质的扩散速度小的特性,适合作为各种光学材料、半导体制造用部件、液晶制造用部件等。
98 脱模用垫板 CN200780027632.5 2007-07-26 CN101489943A 2009-07-22 幸哲也; 广濑芳明
一种采用膨胀石墨作为原材料的脱模用垫板,在加压压缩和氮化等制造时,能够保证高制品品质,而且能够飞跃性提高作业效率和有效利用率等。这种配置在模具的外侧构件(1b)的内面和化硅粉末(M)之间、由膨胀石墨组成的脱模用垫板(4),其特征在于,下述(1)式所示的透气率为1.0×10-4cm2/s以下。透气率=Q·L/(ΔP·A)…(1)。其中,上述(1)式中,Q为气体流量(Pa·cm3/s),ΔP是两室间的压差(Pa),A是脱模用垫板的透气面积、也就是连通两室的通路的面积(cm2),L是脱模用垫板的厚度(cm)。
99 用于半导体制造的石英玻璃元件及其生产方法 CN200780013293.5 2007-09-04 CN101426744A 2009-05-06 J·韦伯; T·萨托; R·施奈德; A·霍夫曼; C·格鲍尔
发明始于用于半导体制造的已知石英玻璃元件,该元件至少在近表面区具有第一掺杂剂和第二化掺杂剂的共掺杂,所述第二掺杂剂含一种或多种浓度各为0.1~3wt%的稀土金属(以SiO2和掺杂剂的总质量为基准计算)。由此开始,为了提供用于在腐蚀作用环境中半导体制造的以高纯度和高耐干腐蚀著称并避免了由用氧化共掺杂所造成的已知缺点的石英玻璃元件,按照本发明建议:第一掺杂剂应是氮以及石英玻璃内亚稳定羟基的平均含量应小于30wtppm。
100 一种连熔法生产石英玻璃棒工艺 CN200710020817.5 2007-04-05 CN101058473A 2007-10-24 单军成
发明是一种连熔法生产石英玻璃棒工艺,其特征在于,其步骤如下:将原料高纯石英粉通过自动加料装置连续投入连熔炉的钨钼坩埚内,送电加热进行熔融;加热20-28小时将炉温升至2100-2300℃后,开始进行人工引料;启动牵引机,将引料引到牵引机上进行自动牵引成形;启动下料口所设的双向激光测径仪连续检测石英棒外径的变化情况,并在控制仪上定石英棒生产直径误差,连续拉制并切割为任意长度,得成品。本发明的加热熔融时间及强度设计合理,加热过程中可使原料内部所含的杂质充分地排出,降低了熔化后原料中的杂质含量,使拉制的石英玻璃棒产品没有气泡、气线和黑芯现象产生,产品质量较好。
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