| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 一种高活性纳米氧化锌的制备方法 | CN201610388356.6 | 2016-05-30 | CN105819495A | 2016-08-03 | 庆玉荣 |
| 本发明公开了一种高活性纳米氧化锌的制备方法，所述高活性纳米氧化锌以锌浮渣为原料，经过铬酸钾碱浸提取后，过滤除杂，再加入锌粉对其他金属杂质进行二次除杂，然后向其中加入表面活性剂和硅烷偶联剂等辅料反应混合，整体沉淀过滤，取滤渣干燥得氧化锌，最后煅烧活化得高活性纳米氧化锌成品。本发明的有益效果是：采用锌浮渣为原料可进行工艺间的循环利用，节约成本；铬酸钾为氧化性碱，在碱浸的同时可对铁元素氧化并生成氢氧化铁沉淀，简化了氧化除铁的步骤；加入表面活性剂和硅烷偶联剂可对氧化锌产品进行一定的改性，提高性能；本法煅烧所得的高活性纳米氧化锌BET比表面积≥48m2/g，活性显著提高。 | ||||||
| 82 | 一种粒径可控硅溶胶的制备方法 | CN201610157738.8 | 2016-03-17 | CN105731468A | 2016-07-06 | 李薇薇; 李家荣 |
| 本发明提供了一种粒径可控硅溶胶的制备方法，包括以下步骤：1）制备晶种：以硅粉为原料，在碱性催化剂作用下，分批加入硅粉，制成小粒径二氧化硅溶胶晶种；2）制备粒径增长的大粒径二氧化硅溶胶：以硅粉和步骤1）的晶种为原料，在碱性催化剂作用下，分批加入硅粉，硅粉水解后在晶种上二次生长，制备粒径增长的大粒径二氧化硅溶胶；所述的步骤1）中，反应温度为50~95℃，反应时间为3~10h；所述的步骤2）中，反应温度为50~95℃，反应时间为3~20h；所述的步骤1）和步骤2）的反应过程中，维持反应体系的pH为8?12。本发明的制备方法与一般制备硅溶胶方法相比，具有成本低、粒径可控以及粒径分布均匀的优点。 | ||||||
| 83 | 去污剂、碳/聚合物复合体、去污片构件以及过滤介质 | CN201280007613.7 | 2012-02-09 | CN103347604B | 2016-06-29 | 山井俊; 饭田广范; 凑屋街子; 田畑诚一郎; 山田心一郎 |
| 本发明的目的在于提供了一种即使在大过滤流量下能够完全发挥净水功能的过滤介质，并且该过滤介质难以引起如与经净化的水一起从净水器泄漏的问题。本发明的过滤介质包括如下多孔碳材料，该多孔碳材料具有：基于氮BET法的1×102m2/g或更高的比表面积值，基于BJH法的0.3cm3/g或更高的微孔体积，以及75μm或更大的粒度，或者包括如下多孔碳材料，该多孔碳材料具有：基于氮BET法的1×102m2/g或更高的比表面积值，由非定域密度函数理论法得到的1×10-9m～5×10-7m直径的微孔为1.0cm3/g或更高的总体积，以及75μm或更大的粒度。 | ||||||
| 84 | 硒碲合金半导体微米线的制备方法 | CN201510971520.1 | 2015-12-20 | CN105565282A | 2016-05-11 | 杨中民; 唐国武; 钱奇 |
| 本发明公开硒碲合金半导体微米线的制备方法。该方法首先是选择一种玻璃材料，使此玻璃的加热拉丝温度在硒碲合金半导体液态温度范围内；其次将玻璃冷加工成玻璃管，并将混合均匀的硒粉和碲粉填充到玻璃管中，而后封闭玻璃管两端；第三步是将组装好的玻璃管在光纤拉丝塔上进行加热、拉丝，通过调节拉丝参数，使丝径达到纳米和微米量级；第四步是将拉制好的硒碲合金芯/玻璃包层的细丝浸泡在一种酸性溶液中，使玻璃包层被酸溶液腐蚀掉，腐蚀完成后即得到硒碲合金半导体微米线。本发明的制备硒碲合金半导体微米线工艺简单，微米线长度大且直径均匀。硒碲合金半导体微米线的组分（硒和碲比例）、直径和长度可通过控制拉丝参数来调节。 | ||||||
| 85 | 一种熔盐辅助镁热还原合成碳化钽超细粉体的方法 | CN201610114041.2 | 2016-03-01 | CN105502398A | 2016-04-20 | 贾全利; 闫帅; 张仕鸣; 张举; 刘新红 |
| 本发明公开一种熔盐辅助镁热还原合成碳化钽超细粉体的方法。本发明以氧化钽、炭黑为原料，以NaCl、KCl、KF为熔盐，以镁粉为还原剂，将原料按配比称量，混合均匀后装入石墨坩埚内，在流动氩气气氛下低温碳热还原制备碳化钽超细粉体。本发明方法工艺简单，制备条件容易控制，成本低。本发明制备的碳化钽超细粉体可应于生产超高温碳化钽陶瓷和硬质合金的改性剂。 | ||||||
| 86 | 一种小尺寸石墨烯的制备方法 | CN201610067846.6 | 2016-01-30 | CN105502374A | 2016-04-20 | 马灿良; 赵云; 李思殿 |
| 本发明属于氧化石墨烯技术领域，尤其涉及由隐晶质石墨制备小尺寸石墨烯的方法。本发明主要解决现有的氧化石墨烯的制备方法存在纯度低、毒性大、工艺复杂和成本高的问题。本发明一种小尺寸石墨烯的制备方法，将纯化的隐晶质石墨、浓酸和强氧化剂混合均匀，在80～120℃的密闭环境中进行反应，将反应混合物缓慢倒入过量去离子水中，搅拌均匀后加入过氧化氢水溶液至悬浊液为棕黄色或亮黄色，经过酸洗、水洗至pH值为6～7，再离心分离，得到小尺寸氧化石墨烯，再按照L-抗坏血酸与小尺寸氧化石墨烯的质量比为1:0.1～100的比例取L-抗坏血酸水溶液，在温度为40℃～100℃反应1min～5h，制成石墨烯。 | ||||||
| 87 | 用于制备碱金属碳酸氢盐颗粒的方法 | CN201480047406.3 | 2014-06-26 | CN105492392A | 2016-04-13 | D.J.L.萨瓦里 |
| 本发明涉及通过结晶碱金属碳酸盐和/或碳酸氢盐溶液，在该溶液中存在添加剂下制备碱金属碳酸氢盐颗粒的方法，该添加剂选自以下项：硫酸盐，磺酸盐，聚磺酸盐，胺，羟基磺基甜菜碱，聚羧酸盐，多糖，聚醚和醚-酚，碱金属六偏磷酸盐，磷酸盐，磺基琥珀酸盐，酰胺基磺酸盐，氨基磺酸盐，优选地选自具有低于8000g/mol的平均分子量的聚羧酸盐，并且这样使得该添加剂以至少1ppm并且优选地最多200ppm的浓度存在于该溶液中。 | ||||||
| 88 | 用于制备碱金属碳酸氢盐颗粒的方法 | CN201480047400.6 | 2014-06-26 | CN105492390A | 2016-04-13 | D.J.L.萨瓦里 |
| 本发明涉及通过结晶碱金属碳酸盐和/或碳酸氢盐溶液,在该溶液中存在添加剂下制备碱金属碳酸氢盐颗粒的方法，该添加剂选自以下项之中：硫酸盐，磺酸盐，聚磺酸盐，胺，羟基磺基甜菜碱，聚羧酸盐，多糖，聚醚和醚-酚，碱金属六偏磷酸盐，磷酸盐，磺基琥珀酸盐，酰胺基磺酸盐，胺磺酸盐，优选地选自多糖之中，并且这样使得该添加剂以至少1ppm并且优选地最多200ppm的浓度存在于该溶液中。 | ||||||
| 89 | 一种抗结块高纯度电子级硝酸锶的制备方法 | CN201610063173.7 | 2016-01-30 | CN105460965A | 2016-04-06 | 裴俊; 张帆 |
| 本发明公开了一种抗结块高纯度电子级硝酸锶的制备方法，属于硝酸锶制备技术领域。本发明将菱锶矿、毒重石粉碎制浆后加入硝酸反应，生成硝酸溶液，随后再在硝酸溶液中加入氢氧化钠溶液，反应生成氢氧化钙沉淀，之后通过离心分离，收集上清液加入硝酸，经反应、熟化，过滤得滤液，最后将得到的滤液冷却结晶、除杂过滤后再蒸发结晶、干燥，从而得到抗结块高纯度电子级硝酸锶的制备方法。实例证明，本发明操作简便，不仅在制备过程中不会产生同晶取代现象，而且制得的硝酸锶纯度高、杂质含量低，不易结块，减少了客户的生产使用成本，值得大规模生产应用。 | ||||||
| 90 | 两段连续结晶生产大颗粒食品级氯化钾的方法 | CN201510812085.8 | 2015-11-20 | CN105460960A | 2016-04-06 | 刘立平; 王朝乾; 韩丰; 周晨 |
| 本发明公开一种两段连续结晶生产大颗粒食品级氯化钾的方法，包括溶解、过滤、冷却结晶、脱水分离、干燥等工序，特点在于采用了两段连续结晶工艺进行食品级氯化钾的生产，降低了传热温差，减少了热料液迅速闪发大量成核几率，促进晶体颗粒的生长；一段溢流液流经消晶器进行换热升温，溶液升温后，起到了细晶体消除的作用，降低了进入二段结晶器的晶核数量，促进了二段结晶颗粒的生长。产品平均晶体粒度在0.5mm左右，最小粒度控制在0.25mm以上，粒度均一化高，产品主含量高，长久放置不易板结。 | ||||||
| 91 | 一种粗大晶粒氟化锶及其制备方法 | CN201510872562.X | 2015-12-02 | CN105366704A | 2016-03-02 | 沈连芳; 李永富 |
| 本发明涉及化工领域，尤其是一种粗大晶粒氟化锶及其制备方法。采用氯化锶溶液与氢氟酸溶液进行反应得到氟化锶，再利用氨气作为沉淀剂将氟化锶缓慢沉淀出来，利用在合成氟化锶的初始阶段利用氟化锶溶于盐酸的性质，让其溶于盐酸中而不马上出现沉淀，而后再用稀释的氨逐步中和其中的酸而使氟化锶逐步均匀地沉出来，从而使晶粒得以生长而得到大颗粒晶体的产品，制取的氟化锶颗粒70%以上可达到50～150μm。制取方法简单、易于操作，生产周期短，生产效率高。 | ||||||
| 92 | 一种硅微纳米结构的制备方法 | CN201510901448.5 | 2015-12-10 | CN105347345A | 2016-02-24 | 彭奎庆; 胡雅 |
| 本发明涉及一种硅微纳米结构的制备方法，属于新材料与纳米材料技术领域。本发明利用碳与硅在氢氟酸溶液中构成腐蚀原电池，发明了一种新颖的硅微纳米结构制备方法。所述方法将表面沉积有石墨粉等碳材料的硅样品浸入含有氧化剂的氢氟酸溶液或蒸汽中进行腐蚀处理，可以实现多种形貌硅微纳米结构的制备。本制备方法简单，不涉及复杂设备，也不需要金或银等贵金属催化剂就能制备出硅微纳米结构，宜于规模化工业生产。本发明制备的硅微纳米结构在光伏电池、光催化、锂离子电池、传感等领域具有广泛的应用前景。 | ||||||
| 93 | 碳化硅粉末和碳化硅单晶的制造方法 | CN201380076003.7 | 2013-11-27 | CN105246826A | 2016-01-13 | 增田贤太; 一坪幸辉; 铃木将和; 野中洁; 加藤智久; 田中秀秋 |
| 提供一种碳化硅粉末，其用作升华再结晶法的原料的情况下，升华速度快且未升华而残存的碳化硅的量少，因此能够提高碳化硅单晶的生产率，并且碳化硅单晶(例如单晶晶片)能够大型化。碳化硅粉末是勃氏比表面积为250～1,000cm2/g的碳化硅粉末，该碳化硅粉末的总量中，粒度超过0.70mm且为3.00mm以下的碳化硅粉末的比例为50体积％以上。通过将碳化硅粉末5收容至坩埚1内并加热使其升华，能够使碳化硅的单晶6形成于设置于上盖3的底面部分的籽晶4上。 | ||||||
| 94 | 用于热喷涂的高纯粉末 | CN201380071798.2 | 2013-11-29 | CN104981431A | 2015-10-14 | 多米尼克·比利埃; 阿兰·阿利芒; 霍华德·瓦拉尔 |
| 一种由按数量计超过95％具有大于或等于0.85的圆形度的颗粒形成的粉末，以基于氧化物的重量百分比计，所述粉末包括超过99.8％的稀土金属氧化物和/或氧化铪和/或氧化钇铝，且具有：-在10微米和40微米之间的中值粒径D50以及小于3的尺寸分散指数(D90–D10)/D50；-尺寸小于或等于5μm的颗粒的数量百分比小于5％；-小于0.2的表观密度分散指数(P<50–P)/P；半径小于1μm的孔的累积比容小于所述粉末的表观体积的10％，其中，所述粉末的Dn百分位为在所述粉末的颗粒的尺寸的累积分布曲线上对应于所述数量百分比为n％的粒径，所述粒径以递增次序分类，密度P<50为尺寸小于或等于D50的颗粒的部分的表观密度，且密度P为所述粉末的表观密度。 | ||||||
| 95 | 负载型催化剂、碳纳米管组件及其制备方法 | CN201480003123.9 | 2014-07-10 | CN104812484A | 2015-07-29 | 姜京延; 李东哲; 金成真; 尹载根; 李丞镛; 车振名 |
| 本发明涉及一种浸渍负载型催化剂，一种碳纳米管聚集体及其制备方法。根据本发明的碳纳米管组件包含其中催化组分和活性组分负载在粒状载体上的四元催化剂；和在所述催化剂上生长的束型碳纳米管，其中，所述碳纳米管组件具有100-800μm的平均粒径，以及80-250kg/m3的堆积密度，并且为球形或马铃薯形。 | ||||||
| 96 | 一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法 | CN201510113184.7 | 2015-03-16 | CN104709941A | 2015-06-17 | 邓萌; 陈飞; 雷引林; 罗云杰; 陈珏 |
| 本发明公开了一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法，包括以下步骤：步骤一、将含铜前驱体、含铋前驱体、含硫前驱体以及螯合剂溶于水中制得溶液；所述的含铜前驱体为硝酸铜、硫酸铜或乙酸铜；所述的含铋前驱体为硝酸铋或乙酸铋；所述的含硫前驱体为硫脲、硫代乙酰胺、升华硫或硫化纳；所述的螯合剂为还原型谷胱甘肽；步骤二、将步骤一中制得的溶液加热，反应完全后，冷却至室温并进行离心处理，将离心所得沉淀用水和乙醇进行洗涤，干燥，制得Cu3BiS3微/纳片。本发明工艺简单，采用廉价的铜源、铋源、硫源作为前驱体，并用固态无毒性的还原型谷胱甘肽作为螯合剂，且用水作为溶剂，工艺简单，成本低廉，有利于进行推广应用。 | ||||||
| 97 | 用作例如碱化剂(碱水替代品)，用于地基加固或者用作填料/颜料的碱性产品的生产方法 | CN201380050111.7 | 2013-09-25 | CN104662103A | 2015-05-27 | H·希尔伯特; M·赫伯利; H·克洛伊斯; K·穆勒-高莫特; F·奥萨; J·奥本多佛; M·文托拉 |
| 本发明描述了一种由灰、矿物质、有机固体和其它固体生产碱性产品的方法，所述方法包括提供颗粒形式的原料，将该原料与用于合成的添加剂混合，将原料颗粒压碎，通过在压碎过程中提供用于合成的添加剂来直接对所述原料颗粒进行改性。根据本发明的方法，可以节能地生产具有规定粒度和高反应性的碱性产品。这样产生的碱性产品可直接用于进一步产品生产，例如作为碱化剂，用于地基加固或用作填料/颜料。 | ||||||
| 98 | 开始硫酸铵结晶过程的方法 | CN201380046868.9 | 2013-08-28 | CN104619642A | 2015-05-13 | 格特·艾克勒卡普; 约翰·托马斯·廷格; 彼得·沃恩克 |
| 本发明涉及生产结晶的硫酸铵的连续方法，所述方法包括启动操作，然后是稳态操作，其中所述启动操作包括：i)在结晶器中，从大约饱和的硫酸铵溶液中蒸发溶剂；ii)用其他大约饱和的硫酸铵溶液替代所蒸发的溶剂；iii)向所述结晶器中引入硫酸铵的籽晶；iv)继续蒸发溶剂，直至达到期望的过饱和度；并v)在回收单元中从硫酸铵溶液中回收结晶的硫酸铵，并且所述稳态操作包括：vi)向所述结晶器中连续地进料大约饱和的硫酸铵溶液，并从所述结晶器连续地取出硫酸铵晶体，以使硫酸铵溶液和硫酸铵晶体的合并的总体积在所述结晶器内保持不变；并vii)在回收单元中从硫酸铵溶液中回收结晶的硫酸铵，其特征在于在所述启动操作中在所述结晶器中的过饱和度被维持在1.2％和发生初级成核的点之间；本发明还涉及适用于实施所述方法的装置。 | ||||||
| 99 | 二维碲化镓材料的制备方法 | CN201410819701.8 | 2014-12-25 | CN104528664A | 2015-04-22 | 王涛; 赵清华; 何杰; 介万奇 |
| 本发明公开了一种二维碲化镓材料的制备方法，用于解决现有制备方法制备的碲化镓材料面积小的技术问题。技术方案是以现有的微机械剥离法为基础，在转移过程中，引进温度和压力等参数，提高了二维GaTe材料的尺寸。在原有微机械剥离法剥离-转移步骤的基础上，设计了剥离-转移-再剥离三步微机械剥离法。转移时，在105pa的外加压力和90-110℃条件下进行退火处理。最后使用思高胶带进行再剥离操作，实现GaTe薄片的进一步减薄。由于在转移阶段引入了外加压力下的退火工艺过程以及后续的再剥离减薄过程，稳定得到了大面积的二维GaTe材料。二维GaTe材料尺寸由背景技术的5-60μm提高到200-600μm。 | ||||||
| 100 | 耐候性珠光颜料，其制备方法和用途 | CN201280015384.3 | 2012-03-28 | CN103459516B | 2015-04-08 | M·格吕纳; T·施奈德; G·考普 |
| 本发明涉及由涂有一种或多种高折射性金属氧化物的片状基底和外层组成的耐候性珠光颜料，所述片状基底选自合成云母片、玻璃片、SiO2片、Al2O3片、合成勃姆石片、BiOCI片以及它们的混合物，其中外层由如下层组成：a)含铈层，其由二氧化铈和/或氢氧化铈和/或水合二氧化铈组成，且含铈层直接施涂于高折射性金属氧化物层上，b)有机-化学相容层，其含有低聚硅烷的反应产物或由低聚硅烷的反应产物组成，其中低聚硅烷具有一个或多个氨基，且有机-化学相容层直接施涂于含铈层a)上，本发明还涉及所述耐候性珠光颜料的制备方法及其用途。 | ||||||
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