首页 / 国际专利分类库 / 化学;冶金 / 晶体生长(通过结晶的分离一般入B01D9/00)
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 13族元素氮化物结晶的培养方法及装置 CN201580067845.5 2015-12-15 CN107002287B 2019-08-16 野口卓; 东原周平; 平尾崇行; 内川哲哉
通过将13族元素源、包含金属和碱土金属中的至少一方的助熔剂、及在常温下为液体的添加剂5收纳于结晶培养容器10,在含有氮原子的气体气氛下对结晶培养容器10进行加热、加压,由此生成包含13族元素源、助熔剂及添加剂的熔液14。此时,防止添加剂5蒸发直至助熔剂熔融,使13族元素氮化物结晶在熔液中生长。
2 晶片的生成方法 CN201610192785.6 2016-03-30 CN106041329B 2019-08-16 平田和也; 西野曜子
提供晶片的生成方法,能够从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法包含改质层形成步骤,将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长激光束的聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度,并且使聚光点与六方晶单晶锭相对地移动而对正面照射激光束,形成与正面平行的改质层和从改质层起伸长的裂痕。在改质层形成步骤中,以激光束的聚光点从锭的内周朝向外周相对地移动的方式照射激光束。
3 产生薄无机膜的方法 CN201580040271.2 2015-07-22 CN107278235B 2019-08-13 J·斯特劳特曼; R·帕切洛; T·绍布; F·艾克迈尔; D·勒夫勒; H·威尔默; U·雷迪厄斯; J·伯塞尔; F·赫琳
发明属于产生基材上的薄无机膜的方法,特别是原子层沉积方法的领域。本发明详细涉及如下方法,包括使通式(I)的化合物变为气态或气溶胶状态并将通式(I)的化合物由气态或气溶胶状态沉积至固体基材上,其中R1和R4彼此独立地为烷基、芳基或三烷基甲烷基,R2、R3、R5和R6彼此独立地为氢、烷基、芳基或三烷基甲硅烷基,n为1至3的整数,M为Ni或Co,X为与M配位的配体,且m为0至4的整数。
4 半导体单晶的再熔融方法 CN201580049307.3 2015-09-09 CN107075718B 2019-08-13 增田直树; 浦野雅彦
发明提供一种半导体单晶提拉装置,其具备:对收容熔融液的坩埚进行加热保温的加热器、及一边从所述熔融液提拉一边培育半导体单晶的绳线,所述半导体单晶提拉装置的特征在于,单晶提拉装置具备:再熔融检出装置,其在用绳线使半导体单晶的下端部浸没在熔融液中并再熔融时,根据半导体单晶的重量变化,来检出半导体单晶的下端部的再熔融已经完成;以及,最下端检出装置,其通过在坩埚与绳线之间施加电压,来一边在半导体单晶与熔融液之间施加电压一边用绳线卷绕提起半导体单晶时,根据半导体单晶与熔融液之间变得无电流流动的位置,来检出半导体单晶的最下端。由此,在半导体单晶的再熔融中,为了判断浸没的结晶的熔融的完成,不需要通过目视来确认,能够进行有效的再熔融。
5 成膜装置 CN201710666073.8 2017-08-07 CN107723668B 2019-08-06 松田祥太; 中田博道; 佐藤贵康; 佐藤羊治; 橘和孝; 坪井大树
发明提供成膜装置。该成膜装置具有蒸发源、电极及气体通路。蒸发源是具有收容工件的内部空间的金属的筒状。电极配置于蒸发源的内部空间。气体通路从蒸发源的外部空间向蒸发源的内部空间供给气体。气体通路具有位于内部空间的端部。气体通路的端部具有由第一材料构成的第一部位和由第二材料构成的第二部位。第一材料及第二材料具有彼此不同的热膨胀系数。
6 去除稀土矿物中放射性钍元素的方法 CN201710456615.9 2017-06-16 CN107311118B 2019-08-06 王殳凹; 陆黄杰; 王亚星
发明涉及一种去除稀土矿物中放射性钍元素的方法,包括以下步骤:将稀土矿物与二化硒在中混合,通过水热法,放射性钍元素与二氧化硒反应,冷却后形成晶体,分离出晶体,以去除放射性钍元素。本发明以二氧化硒作为无机配体,在水热环境中选择性结合四价钍元素形成晶体,实现放射性钍元素的去除。该法结晶率高、去污效率高,在均一反应条件下利用结晶固化的方式从三价镧系元素中固化去除钍,与传统工业分离钍的方法相比,能耗低、分离比高、能进行一步固化分离,有效避免传统方法中分离操作冗余、有机及放射性废液量大的缺点。
7 半导体制造装置以及半导体制造方法 CN201580047423.1 2015-07-08 CN106796872B 2019-07-16 藤仓序章
半导体制造装置向设置于反应炉内的基板供给原料气体而进行对基板的成膜处理,其具备:收纳容器,其配置于反应炉内,且收容成为原料气体的来源的金属原料;辅助容器,其在反应炉内配置于收纳容器的上方侧,是具有金属原料的放入口的有底容器;连接管,其使形成于辅助容器的流出口与收纳容器内相连通;封堵栓,其以能够对流出口进行开闭的方式封堵该流出口;以及加热部,其将反应炉内加热至使辅助容器内的金属原料以及收纳容器内的金属原料熔融且对基板进行的成膜处理所需的规定温度
8 外延晶片和其制造方法 CN201580036994.5 2015-04-21 CN106663628B 2019-07-16 藤濑淳; 小野敏昭
外延晶片的制造方法,其包括:预热处理步骤,对浓度处于9×1017原子/cm3~16×1017原子/cm3的范围、且包含氧析出抑制区域而不含位错簇和COP的硅晶片,实施用于提高氧析出物密度的热处理;以及,外延层形成步骤,在预热处理步骤之后,在硅晶片的表面上形成外延层。该制造方法还包括:热处理条件确定步骤,基于实施预热处理步骤之前的硅晶片中的氧析出抑制区域的比例,确定预热处理步骤中的热处理条件。通过该制造方法,能够制造外延缺陷的密度少、且遍及晶片的径向的整个区域的吸杂优异的外延硅晶片。
9 半导体装置的制造方法及半导体装置 CN201580038164.6 2015-04-10 CN106537568B 2019-07-12 滨田宪治; 三浦成久; 中西洋介
发明涉及半导体装置的制造方法及半导体装置。所述半导体装置的制造方法具备:准备在SiC支承衬底上配设了与上述SiC支承衬底相比杂质浓度为1万分之1以下、并且厚度为50μm以上的SiC外延生长层的SiC外延衬底的工序(a);选择性地将杂质离子注入上述SiC外延衬底的第1主面而形成构成半导体元件的杂质区域的工序(b);将规定的离子注入上述SiC外延衬底的第2主面而形成控制上述SiC外延衬底的翘曲的离子注入区域的工序(c);和在上述工序(b)及工序(c)之后将上述SiC外延衬底加热的工序(d)。
10 半导体晶片和制造方法 CN201610188505.4 2016-03-29 CN106024855B 2019-07-12 H-J·舒尔策; H·奥弗纳
公开了半导体晶片和制造方法。半导体晶片包括:第一主表面和第二主表面,沿着竖直方向彼此相反;以及侧表面,环绕半导体晶片。在侧表面和半导体晶片的中心之间的垂直于竖直方向的横向距离包括第一部分和第二部分。第一部分从侧表面延伸到第二部分,并且第二部分从第一部分延伸到中心。第一部分中的氮和中的至少之一的平均浓度大于5x 1014cm‑3并且超过第二部分中的氮和氧中的至少之一的平均浓度(第二部分中的氮和氧中的至少之一的平均浓度的)多于20%。
11 石英玻璃坩埚的破坏检查方法及是否良好的判定方法 CN201580049436.2 2015-09-24 CN107075720B 2019-07-09 须藤俊明; 北原贤; 佐藤忠广; 北原江梨子; 渡边贵
提供一种可以在与实际使用状况尽可能接近的状态下进行检查的石英玻璃坩埚的破坏检查方法和是否良好的判定方法。根据本发明的石英玻璃坩埚的破坏检查方法,自动中心冲头10的前端部碰撞石墨基座2上支撑的单晶提拉用的石英玻璃坩埚1的内表面,并且评价通过所述自动中心冲头10在内表面的一点上瞬间施加负荷时的内表面的裂痕的状态。
12 锂二次电池用正极、其制造方法以及锂二次电池 CN201611001262.5 2012-09-07 CN106571459B 2019-06-28 三轮讬也; 井上信洋; 野元邦治; 桃纯平
发明涉及锂二次电池用正极、其制造方法以及锂二次电池。在橄榄石型结构的含锂复合化物中,锂离子的储藏和释放容易在晶体的b轴方向以一维方式发生。因此,本发明提供一种含锂复合氧化物的单晶的b轴垂直于正极集电体表面进行取向的正极。对含锂复合氧化物粒子混合氧化石墨烯并施加压。通过施加压力,长方体或大致长方体的粒子容易滑移。此外,通过使用b轴方向的长度短于a轴及c轴方向的长度的长方体或大致长方体的粒子,利用朝一个方向的压力可以使b轴在施加压力的方向上取向。
13 GaN基板、GaN基板的制造方法、GaN结晶的制造方法和半导体器件的制造方法 CN201480073300.0 2014-12-11 CN105917035B 2019-06-18 塚田悠介; 长尾哲; 镰田和典; 田代雅之; 藤户健史; 藤泽英夫; 三川丰; 梶本哲治; 深田崇
发明提供一种用于在圆盘形GaN基板中将构成该基板的结晶区域的个数削减为4个以下的技术,该圆盘形GaN基板是利用覆瓦法制造的,主表面的法线与m轴之间的度为0°以上20°以下,直径为45mm~55mm。根据优选实施方式,提供一种GaN基板,该GaN基板具有第1主表面和其相反侧的第2主表面,上述第1主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下,该GaN基板是直径为45mm以上的圆盘形GaN基板,该GaN基板由各自在上述第1主表面和第2主表面两者露出的4个以下的结晶区域构成,该4个以下的结晶区域沿着上述第1主表面上的c轴的正投影的方向排成一列。
14 半导体制造装置以及半导体制造方法 CN201580047087.0 2015-06-24 CN106688079B 2019-06-14 藤仓序章
半导体制造装置具有:处理容器;隔壁,其将处理容器内的空间的至少一部分划分为生长部和清洁部;基板保持构件,其配置于生长部内;原料气体供给系统,其向生长部内供给原料气体;清洁气体供给系统,其向清洁部内供给清洁气体;以及加热器,其对生长部以及所述清洁部进行加热。
15 装备有具有温度管理的灯头基板处理系统 CN201380021316.2 2013-04-22 CN104246969B 2019-06-11 约瑟夫·M·拉内什; 保罗·布里尔哈特; 萨瑟施·库珀奥; 东明·尤
在此提供处理基板的设备。在一些实施方式中,在基板处理中所使用的灯头包括具有轮廓表面的单构件;位于轮廓表面中的多个反射腔,其中每一个反射腔都具有作为反射镜或接收灯的可替换反射镜的形状;和多个灯通道,其中每一个灯通道都从多个反射腔之一延伸至单块构件中。
16 外延晶圆的制造方法及外延生长基板 CN201580011736.1 2015-02-10 CN106068547B 2019-06-04 萩本和德; 篠宫胜; 土屋庆太郎; 后藤博一; 佐藤宪; 鹿内洋志; 小林昇一; 栗本宏高
发明为一种外延晶圆的制造方法,该外延晶圆在基板上具有外延层,该外延晶圆的制造方法的特征在于,在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后,使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此,提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法,该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。
17 利用轻石合成沸石的制备方法 CN201610922131.4 2016-10-21 CN106892437B 2019-05-28 李炅祐; 郑有植; 申熙镛
发明涉及利用轻石合成沸石的制备方法,更详细地涉及如下合成沸石的制备方法:以粉末状混合粉碎的轻石和性物质之后,进行加热来均匀地融合,使已融合的粉末状的融合物与含物质及沸石晶种一同在中进行混合,并通过熟成、结晶化及干燥过程来生产沸石,作为上述粉碎的轻石,将作为结晶化妨碍物质的CaO含量减少到规定水平以下后,与碱性物质进行混合,从而进行结晶化,由此提高结晶化度来可进行批量生产,并且能够以规定的水平维持沸石的品质。
18 半导体存储装置的外延接触结构的制作方法 CN201711103867.X 2017-11-10 CN109786380A 2019-05-21 吴婉绮; 庄慧伶; 郑志琦; 叶秋显; 蔡建成; 颜宏戎
发明公开一种半导体存储装置的外延接触结构的制作方法包括下列步骤。以蚀刻制作工艺于半导体基底中形成凹陷,且蚀刻制作工艺于凹陷中形成蚀刻缺陷。在蚀刻制作工艺之后,进行化制作工艺。氧化制作工艺于凹陷中形成氧化物层,且蚀刻缺陷被氧化物层包围。在氧化制作工艺之后,进行清洗制作工艺。氧化物层以及被氧化物层包围的蚀刻缺陷被清洗制作工艺移除。在清洗制作工艺之后,进行外延成长制作工艺,用以于凹陷中形成外延接触结构。
19 单晶的制造装置以及制造方法 CN201811346532.5 2018-11-13 CN109778313A 2019-05-21 佐川泰之
发明涉及的单晶的制造装置(1)具备:感应加热线圈(41),其具有使加热硅原料材料(SL)而获得的熔融带区域(M)凝固而进行硅单晶(SM)的生长的功能,形成为大致圆环状的、下表面的外缘位于比该下表面的内缘靠下侧的位置的形状;向熔融带区域(M)吹送掺杂气体的掺杂气体吹送机构(6);以及向熔融带区域(M)中的比掺杂气体的供给位置靠下方的外周部吹送冷却气体的冷却气体吹送机构(7)。
20 一种外延片的制造方法 CN201611221262.6 2016-12-26 CN106757324B 2019-05-21 刘勇; 金龙; 谭卫东
发明涉及一种外延片的制造方法,其技术工艺在于:采用单片常压外延设备,首先要选择合适的H2流量、温度和时间来对衬底硅片进行烘烤处理,去除表面的自然化层,保证外延前表面质量。第一层外延生长:在高浓度掺杂的衬底表面生长一层不掺杂的本征层,对衬底表面进行包封;控制本征层的生长温度、生长速率和生长时间,以达到理想的包封效果。第二层外延生长:采用SiHCl3作为硅源,加大主H2流量,通入合适流量HCl,以降低生长速率,生长较薄厚度符合器件要求的外延层。
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