1 |
蒸镀掩模 |
CN201721538587.7 |
2017-11-16 |
CN207498456U |
2018-06-15 |
池永知加雄 |
本实用新型提供蒸镀掩模,在使蒸镀掩模紧密贴合于被蒸镀基板时,能够抑制在该蒸镀掩模上产生皱褶。蒸镀掩模(20)具备:构成面对被蒸镀基板的一侧的面的第1面(20a);和构成第1面(20a)的相反侧的面的第2面(20b),蒸镀掩模具有形成有多个贯通孔(25)的有效区域(22),具有长度方向(dL),并沿长度方向(dL)排列有1个以上的有效区域(22),且翘曲成至少在长度方向(dL)的中央部的与长度方向(dL)垂直的截面中凸向第1面(20a)侧。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 |
2 |
阴极电弧等离子体沉积系统中使用的电弧离子蒸发器的过滤装置 |
CN201490001531.6 |
2014-12-08 |
CN207489804U |
2018-06-12 |
苏拉萨克·苏仁峰 |
用于通过使用彼此平行设置的多管来从等离子体束中过滤掉大颗粒来改善来自电弧离子蒸发器或阴极电弧源的等离子束的质量的装置。 |
3 |
具有耐腐蚀内部的阀体和其制造装置 |
CN201720517031.3 |
2017-05-10 |
CN207447352U |
2018-06-05 |
T·K·赖; C·S·祥 |
本实用新型提供了一种具有耐腐蚀内部的阀体和其制造装置。该具有耐腐蚀内部的阀体,包括:使用铸造过程由第一材料形成的主体部分;以及第二材料层,所述第二材料层在所述铸造过程期间形成在所述主体部分的一个或多个内表面上,所述第二材料具有比所述第一材料更高的耐腐蚀性。通过实施本实用新型的技术方案,能够使控制阀部件的腐蚀最小化,降低了维修或更换的成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 |
4 |
气体分配组件 |
CN201720975030.3 |
2015-04-17 |
CN207376114U |
2018-05-18 |
J·约德伏斯基; K·格里芬 |
本实用新型公开了一种气体分配组件。气体分配组件可以包括输出面和至少一个传感器,所述输出面具有用于引导气流的多个细长的气体端口,所述至少一个传感器经定位以在测量期间接触基座组件。 |
5 |
用于测量沉积在大面积基板上的材料层的性质的装置 |
CN201490001491.5 |
2014-06-16 |
CN207347653U |
2018-05-11 |
A·克洛佩尔 |
描述一种用于测量沉积在大面积基板上的材料层的性质的装置。所述装置包括:控制器;基板运输布置,所述基板运输布置与控制器通信以确定基板的位置和/或速度;至少三个源的阵列,所述至少三个源的阵列被配置成用于在基板的表面上沉积第一材料层,其中至少三个源的阵列与控制器通信,其中控制器被配置成用于控制第一材料层的沉积;以及测量单元,所述测量单元被配置成与控制器通信,以便当基板由基板运输布置沿测量单元移动时,允许对基板上方的第一材料层的性质的测量;其中控制器被配置成用于使第一材料层的性质的测量与指示沿基板运输布置的基板的位置和/或速度的信号相关。 |
6 |
掩膜板 |
CN201720932459.4 |
2017-07-28 |
CN207009484U |
2018-02-13 |
安乐平; 李高敏; 郝力强; 刘宏俊 |
一种掩膜板,用于基板上OLED器件的制备,所述基板上设置有器件区和设置于所述器件区至少一侧的电极引线区,所述器件区用于设置所述OLED器件,所述电极引线区用于设置与所述OLED器件的电极电连接的电极引线层,所述掩膜板沿其厚度方向设置有相互连接的第一开口和第二开口,所述第一开口与所述器件区相对应,所述第二开口大于所述第一开口,且与所述第一开口共同形成台阶面,所述台阶面能够覆盖所述电极引线区,所述第二开口的深度大于所述电极引线层的厚度。本实用新型提供的掩膜板,不会蹭伤电极引线层,大大提高了OLED制备的良率。 |
7 |
多室化学气相沉积系统 |
CN201720363485.X |
2016-08-31 |
CN206646165U |
2017-11-17 |
乔治·帕帕索利奥蒂斯; 米格尔·索尔达娜; 布雷特·斯诺登; 尤利·拉什科夫斯基; 迈克尔·佩奇 |
本实用新型公开了一种化学气相沉积系统。所述化学气相沉积系统具有多个反应室以在各个所述反应室内的晶片上外延层生长中进行独立地操作,以减少加工时间且同时保持制造高性能半导体装置所必需的质量。 |
8 |
基板处理腔室 |
CN201590000446.2 |
2015-04-17 |
CN206516610U |
2017-09-22 |
J·约德伏斯基; K·格里芬 |
本实用新型描述了基板处理腔室。本文描述了用于处理半导体晶片的装置,其中传感器(例如,接触式热电偶)定位在气体分配组件中,在沉积之前、期间和/或之后测量温度和/或膜参数。 |
9 |
涂覆制品的装置和旋转装置 |
CN201620754479.2 |
2016-06-17 |
CN206512270U |
2017-09-22 |
王英男; 缪卓南; 江争 |
涂覆制品的装置和旋转装置。一种涂覆至少第一多个制品的装置,其中每个制品具有至少第一待涂覆表面,所述装置包括:发射源,其用于将发射元素引向多个制品的第一表面;至少一个支撑构件,其用于支撑第一多个制品,其中支撑构件支撑第一多个制品以使第一表面暴露于所述发射源的发射路径;和驱动组件,其用于移动支撑构件,以使第一多个制品相对于发射源的发射路径移动。 |
10 |
用层堆叠涂布柔性基板的沉积设备 |
CN201620800779.X |
2016-07-27 |
CN206204411U |
2017-05-31 |
T·德皮施; S·海因; N·莫里森; R·库克拉; C·克森; S·施拉弗; S·劳伦斯; D·瓦格纳; V·迈特; V·哈克; U·赫尔曼斯; B·斯狄克赛尔-维斯; W·温丹姆斯; J·乌尔里奇 |
描述一种用层堆叠涂布柔性基板(10)的沉积设备(100)。所述沉积设备包含:第一卷筒腔室(110),配置用于容纳存储卷筒,所述存储卷筒用于提供柔性基板;第一沉积腔室(120),布置在第一卷筒腔室下游且包含第一涂布滚筒(122),所述第一涂布滚筒被配置用于引导柔性基板经过第一组多个沉积单元(121);第二沉积腔室(140),布置在第一沉积腔室(120)下游且包含第二涂布滚筒(142),所述第二涂布滚筒被配置用于引导柔性基板经过第二组多个沉积单元(141);第二卷筒腔室,布置在第二沉积腔室(140)下游且被配置用于容纳缠绕卷筒,所述缠绕卷筒用于在沉积后在此缠绕卷筒上缠绕柔性基板;以及辊组件,配置成将柔性基板(10)沿部分凸形和部分凹形的基板传送路径从第一卷筒腔室传送到第二卷筒腔室。 |
11 |
多室化学气相沉积系统 |
CN201621025123.1 |
2016-08-31 |
CN206127419U |
2017-04-26 |
乔治·帕帕索利奥蒂斯; 米格尔·索尔达娜; 布雷特·斯诺登; 尤利·拉什科夫斯基; 迈克尔·佩奇 |
本实用新型公开了一种化学气相沉积系统。所述化学气相沉积系统具有多个反应室以在各个所述反应室内的晶片上外延层生长中进行独立地操作,以减少加工时间且同时保持制造高性能半导体装置所必需的质量。 |
12 |
一种用于PECVD设备内的石墨舟传送机构 |
CN201620938505.7 |
2016-08-25 |
CN206052147U |
2017-03-29 |
肖岳南; 张勇 |
本实用新型公开了一种用于PECVD设备内的石墨舟传送机构,包括固定于PECVD设备内一侧的竖直向上的立柱,固定于PECVD设备内另一侧的推舟机构以及固定于PECVD设备底部的侧向出舟机构,立柱上由上至下固定有多个间隔开的暂存区,该暂存区具有竖直方向的暂存区中心线,推舟机构上水平伸出一SIC桨,SIC桨与暂存区之间设有升降通道区,立柱上还设有一沿该立柱上下运动的机械手,手抓取SIC桨上的石墨舟后传输到升降通道区内,侧向出舟机构固定于PECVD设备底部的位置位于暂存区的正下方。该石墨舟传送机构,在SIC桨的取放舟位置较低时,机械手在抓取SIC桨上的石墨舟后传输到升降通道区时不会与侧向出舟机构上传输的石墨舟发生碰撞。 |
13 |
氧化物蚀刻选择性系统 |
CN201620844868.4 |
2016-08-05 |
CN205984911U |
2017-02-22 |
L·徐; Z·陈; A·王; S·T·恩古耶 |
公开了氧化物蚀刻选择性系统。揭示了一种基板处理系统,所述系统包括:第一气体入口;基座,配置成支撑基板;喷淋头,定位在所述第一气体入口与所述基座之间,所述喷淋头包括限定有第一多个开口的导电板;隔板,定位在所述基座与所述喷淋头之间,所述隔板限定第二多个开口;第二气体入口,定位在所述喷淋头处,或定位在所述喷淋头与所述隔板之间;等离子体区域,限定在所述第一气体入口与所述喷淋头之间;基本无等离子体的区域,限定在所述喷淋头与所述隔板之间;基板处理区域,限定在所述隔板与所述基座之间;以及电源,配置成引燃所述等离子体区域中的等离子体放电。 |
14 |
滑动发动机部件 |
CN201490000940.4 |
2014-08-18 |
CN205917333U |
2017-02-01 |
乔恩·福德 |
一种具有在金属基体的表面上的塑料聚合物基层的滑动发动机部件,聚合物基层包括:塑料复合物基基质;以及基体的表面的不同颜色的颜料,所述基体的表面上设置有聚合物基层。 |
15 |
掩膜板和蒸镀装置 |
CN201620851904.X |
2016-08-08 |
CN205856592U |
2017-01-04 |
徐鹏; 乔永康; 潘晟恺; 刘杰 |
一种掩膜板和蒸镀装置,该掩膜板包括框架和设置在所述框架内侧的第一掩膜条,其中,所述框架包括外框和内框,所述外框位于外侧且具有第一平面,所述内框位于内侧且具有第二平面,所述第一平面高于所述第二平面由此形成台阶;所述第一掩膜条通过两端固定在所述外框上且在所述外框内沿所述框架的一侧边延伸,所述第一掩膜条在所述第二平面上的正投影与所述内框在所述侧边至少部分交叠。该掩膜板通过改变框架和固定在其上的掩膜条的设计,有效解决了玻璃基板被刮伤的问题,有效提升了后续产品的良率和寿命。 |
16 |
一种掩膜板 |
CN201620661367.2 |
2016-06-29 |
CN205688000U |
2016-11-16 |
白珊珊 |
本实用新型提供一种掩膜板,包括叠层设置的第一掩膜板和第二掩膜板,所述第一掩膜板上设置有第一开口,所述第一开口与目标显示面板相对应;所述第二掩膜板上设置有第二开口区域,所述第二开口区域包括多个第二开口,且第二开口区域覆盖所述至少一个第一开口;由于制造第一掩膜板只需保证第一开口的形状和大小与目标显示面板的大小和形状相同即可,无需进一步制造用于形成像素图形的开口,因此,相对于现有的掩膜板来说,制造工艺简单且制造成本低。 |
17 |
用于盐酸再生的设备 |
CN201490001076.X |
2014-09-15 |
CN205653510U |
2016-10-19 |
弗兰克·贝尔霍尔德 |
本实用新型涉及一种用于盐酸再生的设备,该设备从含金属的盐酸溶液提取或回收盐酸,所述设备包括供给管(3),所述供给管(3)用于将所述含金属的溶液引导到酸回收装置(2),其中,所述酸回收装置(2)具有:高温水解反应器,所述高温水解反应器用于对含金属的溶液进行高温水解处理;和至少一个吸收塔,所述吸收塔用于对来自所述高温水解反应器的气体进行吸收和/或浓缩,所述供给管(3)或通向所述高温水解反应器的供给管具有分支部件(4),使得仅所述含金属的盐酸溶液的分流(5)能够被供给到所述高温水解反应器,并且其中,所述含金属的盐酸溶液的另一个分流(6)能够被供给到所述吸收塔。 |
18 |
一种掩膜板 |
CN201620413388.2 |
2016-05-09 |
CN205576262U |
2016-09-14 |
吕守华; 孙朴 |
本实用新型提供了一种掩膜板,包括多个掩膜条和安装框架,多个掩膜条经过拉伸后安装于安装框架上,每个掩膜条的掩膜单元包括有效开口区和两个空置区,有效开口区内设置有掩膜开口,两个空置区分别设置在有效开口区的沿垂直于拉伸方向的两侧且靠近有效开区,空置区内设置有空置开口,掩膜开口的轮廓形状与空置开口的轮廓形状不同,且二者在拉伸过程中产生的应力能够相互补偿。本实用新型提供的掩膜板,可改善掩膜条在拉伸过程中的卷曲现象,从而可改善掩膜单元边缘shadow效应,进而改善显示面板在蒸镀时出现边缘混色不良的情况,从而增加产品良率。 |
19 |
真空室 |
CN201520369420.7 |
2015-06-01 |
CN204939605U |
2016-01-06 |
马尔科·肯内; 克里斯托夫·豪斯勒 |
根据不同的实施方式,真空室(100)可具有:带有室底部(102b)和室侧壁(102s)的室壳体(102),其中,室底部(102b)向下限制室壳体(102)内的运输区域(111),且其中,室侧壁(102s)侧向限制室壳体(102)内的运输区域(111);运输系统(110),用于在运输区域(111)中运输基体;室侧壁(102s)中的至少一个连接开口(104),用于将高真空泵连接到室壳体(102),其中,该至少一个连接开口(104)部分地被设置在运输区域(111)之下;室底部(102b)中的至少一个槽(102a)和/或凹部(102a),其中,该至少一个槽(102a)和/或凹部(102a)露出至少一个连接开口(104)。 |
20 |
基板载体 |
CN201520320644.9 |
2015-05-18 |
CN204834654U |
2015-12-02 |
盛殊然; 张林; S·H·赵 |
提供了一种基板载体,该基板载体上设置有类金刚石碳涂层。所述类金刚石碳涂层可具有实质上耐在光伏电池的制造期间执行的常用清洁工艺(诸如,使用NF3等离子体的清洁工艺)的性质。 |