首页 / 国际专利分类库 / 化学;冶金 / 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆(通过金属化纺织品的入D06M11/83;通过局部金属化来装饰纺织品的入D06Q1/04);表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆(对于特定用途,见相关位置,例如用于制造电阻器的入H01C17/06);金属材料腐蚀或积垢的一般抑制(通过电解或电泳对金属的金属表面或涂层进行处理的入C25D,C25F)
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序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 一种电子元件复合电极的制备装置 CN201720781539.4 2017-06-30 CN207699655U 2018-08-07 常方圆; 刘军锋; 李其荣; 杨文
本实用新型公开了一种电子元件复合电极的制备装置,包括传送装置、所述传送装置带动的电子元件基体装载板、用于感应所述电子元件基体装载板移动位置的感应装置和用于向电子元件基体上喷涂金属材料的至少一组可移动喷枪。本实用新型采用双面同时喷涂的方法,可将电极制备时间缩短约50%;自动连续式喷涂装置及多组喷枪设置形成流线,可同时在两面连续喷涂多种金属电极;一次性完成双面喷涂,也省去了单面喷涂时半成品周转的空间和时间。
2 气相容等离子体 CN201721184716.7 2017-09-15 CN207690763U 2018-08-03 D·卢博米尔斯基
公开了一种气相容等离子体源。描述的处理腔室可以包括腔室外壳,所述腔室外壳至少部分地界定半导体处理腔室的内部区域。腔室外壳可以包括盖。腔室可以包括被配置成在腔室的处理区域内支撑基板的台座。腔室也可以包括与电源耦接的第一喷淋头。第一喷淋头可以定位于盖与处理区域之间的半导体处理腔室内。腔室也可包括第一电介质面板,所述第一电介质面板定位于第一喷淋头与处理区域之间的半导体处理腔室内。腔室可以包括第二喷淋头,所述第二喷淋头与电气接地耦接并且定位于第一电介质面板与处理区域之间的半导体处理腔室内。腔室可以进一步包括第二电介质面板,所述第二电介质面板定位于第一电介质面板与第二喷淋头之间的半导体处理腔室内。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
3 掩模包装 CN201721275648.5 2017-09-29 CN207536458U 2018-06-26 池永知加雄; 大池卓己; 向田司; 渡部武
本实用新型提供蒸掩模包装体,该蒸镀掩模包装体具备:承接部;与承接部对置的盖部;以及蒸镀掩模,其被配置于承接部与盖部之间,具有形成有多个贯通孔的有效区域。承接部具有:与盖部对置的第1对置面;和设置于第1对置面的凹部。凹部被第1挠性膜覆盖。蒸镀掩模的有效区域隔着第1挠性膜被配置于凹部上。
4 中间产品和蒸掩模 CN201721264151.3 2017-09-28 CN207313683U 2018-05-04 池永知加雄; 丸冈敬典; 松浦幸代
中间产品和蒸掩模。提供可抑制长边变形的蒸镀掩模。一种金属制的板状的中间产品,其布置有蒸镀掩模,所述蒸镀掩模包括一对长边和一对短边,并且形成有多个贯通孔,其中,所述中间产品具备:蒸镀掩模部分,其包括一对长边和一对短边,并且形成有多个贯通孔;和支承部分,其围绕蒸镀掩模部分,并且被局部地连接于蒸镀掩模部分的短边。蒸镀掩模部分的长边未与支承部分连接。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
5 一种高硬度软膜结构 CN201720678486.3 2017-06-12 CN207148347U 2018-03-27 吕政锜
本实用新型提供一种高硬度软膜结构,其包括一中间基材层、一上预涂层、至少一上硬涂层或至少一上抗污层、一第一下预涂层以及至少一下硬涂层或一第二下预涂层及至少一导电金属网格层;本实用新型是将高透光性的中间基材层的上下两侧面涂布预涂层及多个硬涂层的高硬度材料,以提升整体外刮磨抵抗能力,或再在最外上硬涂层的一侧涂布上抗污层低表面能材料及第二下预涂层及导电金属网格层导电材料,据以达成光学用高硬度、抗污及导电的软膜结构。
6 外延衬底 CN201690000223.0 2016-07-04 CN207091557U 2018-03-13 堀勉; 伊东洋典
本实用新型涉及外延衬底。一种碳化硅外延衬底,其具有碳化硅单晶衬底和碳化硅层。碳化硅层具有与其接触碳化硅单晶衬底的表面相反的第二主表面。第二主表面具有距离其外边缘5mm以内的周边区和被周边区包围的中心区。碳化硅层具有中心表面层。中心表面层中的载流子浓度的平均值不小于1×1014cm-3且不大于5×1016cm-3。载流子浓度的周向均匀度不大于2%并且载流子浓度的面内均匀度不大于10%。夹在中心区和碳化硅单晶衬底之间的碳化硅层的部分的厚度的平均值不小于5μm。厚度的周向均匀度不大于1%,并且厚度的面内均匀度不大于4%。结果,可以提高碳化硅层中的载流子浓度的面内均匀度和碳化硅层的厚度的面内均匀度。
7 用于在真空处理腔室中支撑基板的载体和用于在基板上沉积层的设备 CN201490001478.X 2014-05-30 CN206927946U 2018-01-26 R·林德伯格; W·克莱恩; S·劳; T·伯格
本实用新型提供了用于在真空处理腔室中支撑基板的载体和用于在基板上沉积层的设备。所述载体(100)包括:载体主体(110),所述载体主体被配置成用于沿所述线性传送路径(133)来进行传送;以及至少一个基板支撑布置(120),所述至少一个基板支撑布置(120)提供在所述载体主体(110)处并配置成用于支撑所述基板(101),其中所述基板支撑布置(120)被配置成限定所述基板(101)的至少一个弯曲轴(130),其中所述至少一个弯曲轴(130)具有基本上竖直的取向。
8 用于在基板上沉积材料的设备 CN201490001446.X 2014-05-20 CN206858652U 2018-01-09 T·W·齐尔鲍尔; A·赫尔米希; R·欣特舒斯特; U·慕尔菲德; B·斯托克; H·G·沃尔夫; M·班德尔
提供一种用于在基板上沉积材料的沉积设备(300)。沉积设备(300)包括:两个或更多的处理腔室,包括第一处理腔室(310)及第二处理腔室(320);基板支撑件(330),至少延伸通过第一处理腔室(310)及第二处理腔室(320);及两个或更多的沉积源组件,包括第一处理腔室(310)中的第一沉积源组件(350)及第二处理腔室(320)中的第二沉积源组件(360)。该两个或更多的沉积源组件的每一个包括配置成支撑至少一个第一沉积源与至少一个工艺装置的至少一沉积源支撑件(351,361)。该至少一个沉积源支撑件(351,361)配置成至少在第一位置与第二位置之间是可移动的。在第一位置中,至少一个第一沉积源取向朝向基板支撑件(330),在第二位置中,至少一个工艺装置取向朝向基板支撑件(330)。
9 靶材布置和处理设备 CN201490001521.2 2014-07-22 CN206858649U 2018-01-09 F·施纳朋伯格
本实用新型公开了一种靶材布置和处理设备。描述了一种用于处理设备(105;107)的靶材布置(100;101;102;103;104;106)。所述靶材布置包括靶材支座(110),所述靶材支座配置成用于支撑非平面靶材材料(120),其中靶材支座(110)包括真空侧(130)和大气侧(140)。此外,描述了一种适用于靶材布置的处理设备。
10 用于半导体处理腔室的双通道喷头 CN201720076104.X 2016-04-22 CN206727059U 2017-12-08 K·阿拉亚瓦里; 韩新海; P·P·贾; M·绪方; Z·蒋; A·柯; N·O·木库提; T·布里彻; A·K·班塞尔; G·巴拉苏布拉马尼恩; J·C·罗查-阿尔瓦内兹; 金柏涵
本公开提供了一种用于半导体处理腔室的双通道喷头。在一个实施例中,该喷头包括主体,该主体包括导电材料,该导电材料具有多个第一开口和多个第二开口,该多个第一开口和多个第二开口形成为穿过该导电材料,该多个第一开口包括第一气体通道,该多个第二开口包括第二气体通道,该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离,其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
11 透明导电性薄膜 CN201621393127.5 2016-12-19 CN206489884U 2017-09-12 杜双; 王培红; 候晓伟
本实用新型涉及一种透明导电性薄膜,包括基材,所述基材包括第一表面和第二表面,和所述第一表面上依次形成第一硬涂层、第一光学调整层和第一透明导体层,和所述第二表面上依次形成第二硬涂层、第二光学调整层和第二透明导体层,所述第一硬涂层中含有粘结剂树脂和第一颗粒且所述第一光学调整层中粘结剂树脂和含有第二颗粒,和/或所述第二硬涂层中含有粘结剂树脂和第一颗粒且所述第二光学调整层中含有粘结剂树脂和第二颗粒。通过在第一硬涂层和第二硬涂层中添加第一颗粒,在第一光学调整层和第二光学调整层中添加第二颗粒不仅可以起到防止导电薄膜卷绕时的压接,而且可以降低透明导电薄膜的雾度值,提高其光透过率,降低导电薄膜的粗糙度,提高产品的表面外观和用户体验。
12 准直器、准直器组件和基板处理腔室 CN201621180242.4 2016-10-27 CN206418192U 2017-08-18 马丁·李·里克; 张富宏; 安东尼·因凡特; 王征
本公开内容提供了一种准直器、一种准直器组件以及一种基板处理腔室。在本文描述的一些实施方式中,提供一种可偏压准直器。使所述准直器偏压的能允许控制溅射物质所穿过的电场。在本公开内容的一些实施方式中,提供了一种具有高有效深宽比,同时维持沿所述准直器的六边形阵列的所述准直器周边的低深宽比的准直器。在一些实施方式中,提供了在六边形阵列中带有陡峭入口边缘的准直器。已经发现,在所述准直器中使用陡峭入口边缘减少了所述六边形阵列的单元的沉积突悬和沉积堵塞。这些各种特征使得膜均匀性得到改善并且延长了所述准直器和工艺配件的寿命。
13 用于涂覆可移动基板的沉积源和沉积设备 CN201620739121.2 2016-07-14 CN206188878U 2017-05-24 F·里斯; T·高尔
本实用新型描述了用于涂覆可移动基板(20)的沉积源(100、200、300、400)和沉积设备(500)。所述沉积源包括:源外壳(120),通过可以在沉积期间移动基板(20)经过工艺腔室的敞开的前侧的方式而固定到所述工艺腔室;气体入口(130),用于将工艺气体引入到所述源外壳的涂覆处理区域(125)中;以及抽空出口(140),用于将所述工艺气体从所述源外壳的送区域去除。抽空分割单元(150)布置在所述涂覆处理区域(125)与所述泵送区域(126)之间,所述抽空分割单元具有至少一个开口或具有多个开口(152),所述至少一个开口或多个开口界定从所述涂覆处理区域(125)到所述泵送区域(126)中的工艺气流路径(155)。
14 一种掩膜板框架及掩膜板组件 CN201621301738.2 2016-11-30 CN206188877U 2017-05-24 高静
本实用新型涉及一种掩膜板框架及其组件,所述掩膜板框架包括:第一框架本体,所述第一框架本体上设置有第一支撑部和第二支撑部,所述第一支撑部的支撑面与所述第一框架本体底面之间的第一距离大于所述第二支撑部的支撑面与所述第一框架本体底面之间的第二距离;所述第二支撑部在平行于第一框架本体底面的平面上的正投影完全落入所述第一支撑部在平行于第一框架本体底面的平面的正投影内;放置于所述第一支撑部的支撑面上的第二框架本体。掩膜板组件中,掩膜固定在第二框架上,避免掩膜边的悬空,减小掩膜的翘边和褶皱不良;同时,对掩膜进行重置时,可直接将第二框架从第一框架上取下,替换新的第二框架,提高了第一框架的利用率,降低成本。
15 用于化学气相沉积反应器的自定心晶片载体系统和单晶片基板载体 CN201620622524.9 2016-06-22 CN206127420U 2017-04-26 S·克里士南; A·I·古拉雷; 张正宏; E·马塞罗
一种用于化学气相沉积(CVD)反应器的自定心晶片载体系统,其包括晶片载体,晶片载体包括边缘。晶片载体至少部分地支承晶片以便进行CVD处理。旋转管包括边缘,边缘在处理期间支承晶片载体。晶片载体的边缘几何结构和旋转管的边缘几何结构经选择在过程期间在所期望的过程温度提供晶片载体的中心轴线与旋转管的旋转轴线的重合对准。
16 一种张网机 CN201621081719.3 2016-09-26 CN205999471U 2017-03-08 张新建; 刘德健
本实用新型实施例提供一种张网机,涉及显示器件的制备技术领域,能够减小金属框架与张网机的载台之间的摩擦。本实用新型实施例提供的一种张网机,包括用于承载金属框架的载台,还包括设置于载台上的减阻部,减阻部用于当对金属框架的相对两侧向内进行推挤时,减小金属框架与载台之间相对移动时的摩擦阻力。
17 用于承载半导体晶片的装置及包含其的喷头装置和处理工具 CN201620533878.6 2016-06-02 CN205984907U 2017-02-22 埃里克·拉塞尔·马德森; 纳鲁德·泰·本-裕岷; 迈克尔·克里斯滕森; 克里斯·埃里克·卡尔斯吕; 约瑟夫·亨-希·威; 灵·霍安格; 阿拉斯代尔·登特
本实用新型涉及混合型200毫米/300毫米的半导体处理装置。在一个方面,公开了一些装置,其使得被设计用于在300毫米的晶片上进行等离子体增强化学气相沉积处理室能在200毫米的晶片上执行。更具体地,公开了已被设计用于200毫米的晶片的并且其能与300毫米的晶片处理室相兼容的经修饰的基座、承载板和喷头。还已经观察到,使用经修饰的200毫米的装置所沉积的膜与使用它们所替换的300毫米的设备所沉积的膜在质量上是相当的。
18 用于半导体处理腔室的双通道喷头 CN201620346066.0 2016-04-22 CN205900504U 2017-01-18 K·阿拉亚瓦里; 韩新海; P·P·贾; M·绪方; Z·蒋; A·柯; N·O·木库提; T·布里彻; A·K·班塞尔; G·巴拉苏布拉马尼恩; J·C·罗查-阿尔瓦内兹; 金柏涵
本公开提供了一种用于半导体处理腔室的双通道喷头。在一个实施例中,该喷头包括主体,该主体包括导电材料,该导电材料具有多个第一开口和多个第二开口,该多个第一开口和多个第二开口形成为穿过该导电材料,该多个第一开口包括第一气体通道,该多个第二开口包括第二气体通道,该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离,其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
19 透明阻气层叠膜及使用了其的电子 CN201620310824.3 2016-04-14 CN205871389U 2017-01-11 时野谷修
本实用新型提供一种透明阻气层叠膜及使用了其的电子纸,所述透明阻气层叠膜中,介由第1粘接层将在至少1个面上形成有含无机薄膜层的阻气层的第1透明塑料膜基材的形成有上述阻气层的面与第2透明塑料膜基材的一个面贴合,在上述第1透明塑料膜基材或上述第2透明塑料膜基材的另一个面上形成有密封层。
20 用于支撑基板外延生长装置内的基座 CN201620240735.6 2016-03-25 CN205741209U 2016-11-30 大木慎一; 森義信
公开了用于外延生长装置的腔室部件。反应腔室由顶板来界定和形成。反应气体在侧壁中所设置的反应气体供应路径中整流,使得在所述反应腔室中的所述反应气体的流动方向上的平分量对应于从所述反应气体供应路径的开口的中心延伸的方向上的水平分量。对所述外延生长装置的上侧壁、基座和整流板的改进已使得提高了基板上形成的外延层的均匀性和形成速度,从而使得产量更高并且缺陷更少。
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