子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 制造微机电系统封装的方法 | CN201610817614.8 | 2016-09-12 | CN106976838A | 2017-07-25 | 程世伟; 许希丞; 陈信宇; 蒋季宏; 翁睿均; 吴威鼎; 吴毓瑞; 胡景翔; 陈明聪 |
| 本揭露是关于一种制造微机电系统封装的方法，通过将排气元件引入空腔中，透过排气以调整空腔内的压力。于部分实施例中，形成排气元件于互补式金属氧化物半导体基板的钝化层内。形成排气阻层以覆盖排气元件。移除覆盖在排气元件上方的排气阻层。连接微机电系统基板至互补式金属氧化物半导体基板的前侧，以将第一微机电系统元件封闭至第一空腔中，并将第二微机电系统元件封闭至第二空腔中，其中在移除排气阻层后，排气元件释放气体至第二空腔内以增加第二空腔内的第二压力，使第二压力大于第一空腔内的第一压力。 | ||||||
| 42 | 微电子机械系统压力传感器及其制造方法 | CN201610919302.8 | 2016-10-21 | CN106966355A | 2017-07-21 | 陈东村; 朱家骅 |
| 微电子机械系统(MEMS)压力传感器包括第一衬底、第二衬底和感测结构。第二衬底基本平行于第一衬底。感测结构位于第一衬底和第二衬底之间，并且接合至第一衬底的部分和第二衬底的部分，其中，第一衬底和第二衬底之间的第一间隔与外侧连通，并且第二衬底和感测结构之间的第二间隔与外侧连通或隔离。本发明的实施例还涉及微电子机械系统压力传感器的制造方法。 | ||||||
| 43 | 电子器件及其制造方法、以及电子设备 | CN201310050795.2 | 2013-02-08 | CN103241703B | 2017-07-21 | 高木成和 |
| 本发明提供电子器件及其制造方法、以及电子设备，它们具有稳定的特性。电子器件（100）包含：第1部件（10），其具有基准电位端子；第2部件（50），其被载置到所述第1部件的第1面（11）上，具有导电性；以及功能元件（80），其被收纳在由第1部件（10）和第2部件（50）围起的腔室（56）内，第2部件（50）与基准电位端子经由接触部（60）电连接。 | ||||||
| 44 | 带盖板的引线键合型芯片封装结构及其制作方法 | CN201710239315.5 | 2017-04-13 | CN106946215A | 2017-07-14 | 王晔晔; 赵韦 |
| 本发明公开了一种带盖板的引线键合型芯片封装结构及其制作方法，该封装结构带包括一芯片、一盖板和一基板，芯片具有第一表面和与其相对的第二表面，第一表面具有功能区和围绕功能区周边的导电垫；盖板正面具有环形凸起，环形凸起封接于芯片第一表面上功能区与导电垫之间，形成一将芯片的功能区收容在内的密封空腔；芯片第二表面贴合于基板上表面中部，基板上表面芯片外围设置有预与芯片的导电垫连接的焊点，焊点与其对应的导电垫之间通过键合线电连接。本发明可以降低整体封装体的厚度，避免使用昂贵的陶瓷盖帽，且可以避免繁琐的TSV或TGV流程，减少制程步骤，降低成本，增强产品的可靠性，并降低封装厚度。 | ||||||
| 45 | 一种梁膜机构的微机电系统压力传感器芯片及其制备方法 | CN201710290496.4 | 2017-04-28 | CN106946211A | 2017-07-14 | 张宪民; 陈英皇; 朱本亮 |
| 本发明公开了一种梁膜机构的微机电系统压力传感器芯片及其制备方法。包括玻璃衬底、n型单晶硅元件主体、隔离层、保护层；n型单晶硅元件主体的外缘支撑在玻璃衬底的上方，n型单晶硅元件主体的中部为镂空结构，使二者之间形成密闭空腔；密闭空腔的顶壁面设有膜片感压结构；膜片感压结构分成平模层和梁膜机构层；梁膜机构层由田字形谐振梁和半岛谐振梁构成，梁膜机构具有线性度好、灵敏度高等优点。压敏电阻采用单晶硅材料，同时感压膜与压敏电阻之间设有隔离层，进一步提高了灵敏度和温度特性，克服了现有技术中由于温度过高，而导致传感器失效等缺陷。本传感器制备工艺简便易行、成本低廉，易于集成化和小型化。 | ||||||
| 46 | 流体装置和其制造方法、以及流体装置制造用的热转印介质 | CN201480011245.2 | 2014-02-28 | CN105008932B | 2017-07-14 | 小林理惠 |
| 提供包括以下的流体装置：基底部件；设置在所述基底部件上方的多孔层；设置在所述多孔层中的流动路径壁；和由所述流动路径壁和所述基底部件界定的流动路径。所述流体装置的线性度在30％以下，其中所述线性度通过下式得到：线性度(％)＝{[A(mm)－B(mm)]/B(mm)}×100，其中长度B是在所述流动路径壁的内表面的轮廓上任意两点之间的直线的长度，而长度A是在所述两点之间的连续线的长度。 | ||||||
| 47 | 具有弯曲接触表面的质量块定位结构 | CN201280060813.9 | 2012-11-09 | CN104145185B | 2017-07-11 | G·奥布赖恩 |
| 微机电系统(MEMS)包括衬底、位于衬底表面上方位置的第一曲面和沿着平行于衬底的表面的第一轴线与第一曲面大致相对的第二曲面，其中所述第一曲面能够沿着第一轴线在朝向第二曲面的方向上移动。 | ||||||
| 48 | 微机电的元件以及用于制造这样的微机电的元件的方法 | CN201110426205.2 | 2011-12-19 | CN102538773B | 2017-07-04 | M.哈塔斯; D.C.梅塞尔; M.凯克 |
| 本发明涉及一种微机电的元件，该微机电的元件包括一个基片和至少两个微机电的传感器，其中所述基片和所述至少两个微机电的传感器以彼此上下堆放的方式来布置并且其中至少两个微机电的传感器布置在所述基片的同一面上。本发明同样涉及一种用于制造微机电的元件的方法以及微机电的元件的使用。 | ||||||
| 49 | 具有掩埋的导电区域的微机电器件及其制造工艺 | CN201280053446.X | 2012-10-30 | CN103917482B | 2017-06-23 | R·坎佩代利; R·佩祖托; S·洛萨; M·曼托瓦尼; M·阿兹佩提亚乌尔奎亚 |
| 一种由下列各项形成的MEMS器件(17)：本体(2)；空腔(25)，在本体上方延伸；移动和固定结构(18、19)，在空腔上方延伸，并且经由锚固区域(16)物理连接到本体；以及电连接区域(10a、10b、10c)，在本体(2)与锚固区域(16)之间延伸，并且电连接到移动和固定结构。电连接区域(10a、10b、10c)由导电多重层形成，该导电多重层包括第一半导体材料层(5)、由半导体材料和过渡金属制成的二元化合物的复合层(6)、和第二半导体材料层(7)。 | ||||||
| 50 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | CN201710065876.8 | 2017-02-06 | CN106865484A | 2017-06-20 | 杨照坤; 刘莎; 冯翔; 张强; 胡伟频; 杨瑞智 |
| 本发明提供一种阵列基板，包括：基底、绝缘层、微电子机械系统开关和像素电极；所述微电子机械系统开关包括：栅极、源极和漏极；所述栅极设置在所述基底的第一表面上；所述绝缘层设置在所述基底的第一表面上，并覆盖所述栅极；所述源极、所述漏极和所述像素电极均设置在所述绝缘层的第一表面上；所述漏极和所述像素电极连接；其中，在所述栅极未加载电压的状态下，所述源极和所述漏极之间具有间隙；在所述栅极加载电压的状态下，所述源极和所述漏极接触。本发明还提供一种阵列基板的制作方法和显示装置。本发明的阵列基板在栅极未加载电压的状态下，源极和漏极之间具有间隙，不会产生漏电流。 | ||||||
| 51 | 用于微流体系统的一次性盒 | CN201480000803.5 | 2014-01-06 | CN104321143B | 2017-06-20 | D·霍夫梅耶; T·雷; T·李; M·N·费格林; W·豪格; A·R·克普夫-西尔 |
| 一种用于数字微流体系统(1)的一次性盒(2)，所述一次性盒(2)包括：带有第一疏水性表面(17’)的底层(3)，带有第二疏水性表面(17”)的刚性盖板(12)，以及两者之间的间隙(6)。底层(3)是柔性膜，该柔性膜平铺在数字微流体系统(1)的盒容纳站(8)的最上表面(52)上，并被抽空空间(46)内的欠压吸引到所述最上的表面(52)和铺展在该表面上。一次性盒(2)可在盒容纳站(8)处进行组装，然后，通过互相接触，刚性盖板(12)的下表面(48’)和柔性底层(3)彼此密封地附连。组装好的一次性盒(2)以单件形式从盒容纳站(8)中移去，该单件包括底层(3)、平面的刚性盖板(12)和可能包括试样和处理流体的间隙(6)。数字微流体系统(1)包括基座单元(7)和带有电极阵列(9)的盒容纳站(8)，电极阵列(9)包括多个个别的电极(10)。数字微流体系统(1)包括中央控制单元(14)，用于控制对单个电极(10)的选择，以及用于对这些电极(10)提供个别的电压脉冲，以通过电润湿来操纵盒子(2)的间隙(6)内的液体液滴。 | ||||||
| 52 | 具有至少一个MEMS组件的部件及其制造方法 | CN201110439985.4 | 2011-12-23 | CN102659069B | 2017-06-13 | R·艾伦普福特; U·肖尔茨 |
| 本发明提出一些措施，这些措施能够成本有利地且节约空间地实现具有MEMS组件和通向MEMS组件的膜片结构的进入通道的部件。所述部件包括MEMS组件，其膜片结构构造在组件上侧中。MEMS组件以组件背面安装在支承件上并至少部分地嵌入到模塑物质中。在模塑物质中构造有进入开口。根据本发明，部件还包括具有至少一个通孔的至少一个另外的半导体组件，其在MEMS组件上方并且与膜片结构间隔开地容纳到模塑物质中，从而在半导体组件与膜片结构之间形成空腔。模塑物质中的进入开口通到半导体组件的通孔中并且与通孔以及半导体组件与膜片结构之间的空腔一起形成通向膜片结构的进入通道。 | ||||||
| 53 | 加速度传感器及其制造方法 | CN201510849497.9 | 2015-11-27 | CN106809799A | 2017-06-09 | 缪建民; 郭帅 |
| 本发明提供一种加速度传感器及其制造方法。所述制造方法包括：在单晶硅基底上刻蚀包括为z轴向加速度敏感电容提供空间的第一腔体；在刻蚀了各所述腔体的单晶硅基底上生成氧化硅层；在生成氧化硅层后的所述单晶硅基底上采用硅硅键合方式覆盖单晶硅基板，并予以减薄，以形成敏感器件层；所述敏感器件层用于形成包含z轴向加速度敏感电容的敏感电容；在所述敏感器件层上生成氧化硅薄膜，并将除所述z轴向加速度敏感电容结构中悬臂梁处以外的氧化硅薄膜腐蚀掉；在敏感器件层上沉淀与各敏感电容相连的金属电极；按照预设的包含竖直轴向加速度敏感电容的结构图案，将位于相应腔体上的敏感器件层进行刻蚀。本发明解决了z轴加速度传感器灵敏度低的问题。 | ||||||
| 54 | 具有可调节通风开口的MEMS结构及MEMS装置 | CN201310251221.1 | 2013-06-21 | CN103517169B | 2017-06-09 | 阿尔方斯·德赫; 沃尔夫冈·弗里扎; 斯特凡·巴泽恩; 马蒂亚斯·弗里德里克·赫尔曼; 沃尔夫冈·克莱因; 乌尔里希·克鲁姆贝因; 马丁·乌策 |
| 本发明涉及具有可调节通风开口的MEMS结构，该MEMS结构包括后板、膜和可调节通风开口，该可调节通风开口被配置为减少接触膜的第一空间与接触膜的相对侧的第二空间之间的压力差。该可调节通风开口根据第一空间与第二空间之间的压力差而被被动地致动。 | ||||||
| 55 | 传感器、包括传感器的过滤元件和这样的过滤元件的应用 | CN201580045566.9 | 2015-07-23 | CN106796151A | 2017-05-31 | T·凯撒; R·塔珀; S·海因茨; M·纽伯特 |
| 本发明涉及一种传感器(2、2'、2")，其具有设置在功能体积(3)内的电子芯片(4、4'、4")和传感器芯片(5、5'、5")，所述功能体积最多4mm至5mm长、最多2mm至3mm宽并且最多0.5mm至0.8mm高，其解决如下任务，即，给出一种具有紧凑的传感器的成本低的过滤元件。 | ||||||
| 56 | 微电容式加速度传感器中梁的加工方法 | CN201611138872.X | 2016-12-12 | CN106744658A | 2017-05-31 | 张淑芬 |
| 本发明微电容式加速度传感器中梁的加工方法涉及传感器领域，具体涉及微电容式加速度传感器中梁的加工方法，包括以下步骤：选取P型单晶硅片生长二氧化硅掩模，硅晶片主要是为了制作重掺杂的硼硅膜，用做电容的一个电极，先在硅片的两面氧化出5～6um的氧化层，光刻相应的沟槽形状，然后用四甲基氢氧化氨水溶液腐蚀得到2um的真空腔；选用固态硼源硼扩，然后用BHF液除去硅片另一面用作保护的氧化层，浓硼扩散其实首先是在上步骤所刻出的槽中采用套刻出二氧化硅的掩模来；玻璃是传感器的衬底，也是电容的另一个电极，本发明操作简单，方便加工，且能保证加工质量，满足工况要求。 | ||||||
| 57 | MEMS芯片封装结构以及封装方法 | CN201611184472.2 | 2016-12-20 | CN106744646A | 2017-05-31 | 王之奇; 王宥军; 沈志杰 |
| 本发明提供一种MEMS芯片封装结构以及封装方法，包括：基板，所述基板上设置有通孔以及互连线路；MEMS芯片，所述MEMS芯片的正面具有功能区和位于功能区周边的多个焊垫，所述焊垫与所述功能区电连接，所述MEMS芯片设置于所述基板的正面且位于所述通孔中，所述焊垫与所述互连线路电连接；ASIC芯片，覆盖于所述通孔上且位于所述基板的背面，所述ASIC芯片与所述互连线路电连接。降低了MEMS芯片封装结构尺寸，提高MEMS芯片封装的集成度且便于MEMS芯片与其他尺度的电路电连接。 | ||||||
| 58 | 收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头及制备方法 | CN201710009218.7 | 2017-01-06 | CN106744642A | 2017-05-31 | 何常德; 薛晨阳; 张文栋; 张斌珍; 贾利成 |
| 本发明公开了一种收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头，包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）的上表面为氧化层（2），所述氧化层（2）的上表面开设有若干空腔（3），若干空腔（3）成排、列布置，所述氧化层（2）的上表面键合振动薄膜（4），所述振动薄膜（4）的上表面设隔离层（5），围绕隔离层（5）的四周边缘处及其内部开设有下沉的隔离槽（6），所述隔离槽（6）贯穿隔离层（5）和振动薄膜（4）后，其槽底开设于氧化层（2）上；所述隔离层（5）的上表面上正对每个空腔（3）的中心位置处设有上电极（7）。本发明超声探头结构新颖、体积小、频带宽、灵敏度高，噪声低，稳定性好，收发性能平衡。 | ||||||
| 59 | 用于其中一部分暴露在环境下的密封MEMS设备的工艺 | CN201280038081.3 | 2012-06-29 | CN104303262B | 2017-05-31 | 迈克尔·J·达内曼; 马丁·利姆; 约瑟夫·西格; 伊戈尔·切尔科夫; 史蒂文·S·纳西里 |
| 在此披露了一种用于提供其中一部分暴露在外部环境下的MEMS设备的方法和系统。该方法包括将一个操作晶片粘合到一个设备晶片上以形成一个其中介电层被布置在这些操作晶片和设备晶片之间的MEMS衬底。该方法包括平版印刷地在该设备晶片上限定至少一个压铆螺母柱并将该至少一个压铆螺母柱粘合到一个集成电路衬底上以在该MEMS衬底和该集成电路衬底之间形成一个密封腔。该方法包括在该操作晶片、压铆螺母柱或集成电路衬底中限定至少一个开口以使该设备晶片的一部分暴露在外部环境下。 | ||||||
| 60 | 基于硅基悬臂梁T型结直接加热式毫米波信号检测仪器 | CN201710052634.5 | 2017-01-24 | CN106698324A | 2017-05-24 | 廖小平; 严嘉彬 |
| 本发明的基于硅基悬臂梁耦合T型结直接加热式毫米波信号检测仪器是由传感器、模数转换和液晶显示三大模块组成，传感器模块是由悬臂梁耦合结构、T型结直接加热式微波功率传感器和开关构成，衬底材料为高阻Si，功率通过输入端口对应的CPW信号线终端的直接加热式微波功率传感器进行检测；频率检测通过利用直接加热式微波功率传感器测量两路在中心频率处相位差为90度的耦合信号的合成功率实现；相位检测通过将两路在中心频率处相位差为90度的耦合信号，分别同两路等分后的参考信号合成，同样利用直接加热式微波功率传感器检测合成功率，从而获得待测信号的相位。模数转换由MCS51单片机实现，液晶显示部分由三块液晶显示屏构成。 | ||||||
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