子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 181 | 一种单侧不等高梳齿驱动的微扭转镜 | CN201510968367.7 | 2015-12-21 | CN105607249A | 2016-05-25 | 孙明; 宋秀敏 |
| 本发明公开了一种单侧不等高梳齿驱动微扭转镜，其器件层用于制作微扭转镜的可动镜面结构及其上的反射层、扭转支承梁及其固定锚点、动静梳齿对、静梳齿锚点及焊盘等结构；基底层用于制作背腔；埋氧层用于器件层和基底层的电隔离。为了克服其于SOI制作的等高梳齿驱动微扭转镜起振方向不可控，且通过电容检测无法识别方向的问题，本发明提出了通过改变梳齿的厚度，把扭转支承梁一侧的动梳齿和静梳齿制作成不等高梳齿对，另一侧保持为等高梳齿对，使扭转支承梁两侧梳齿对电容最大值位置偏离扫描镜的结构平衡位置，以实现制作出的微扭转镜起振方向确定，并且给通过电容检测提供方向信息，从而实现闭环控制。 | ||||||
| 182 | 一种基于二级微杠杆的双质量块高灵敏度硅微谐振式加速度计结构 | CN201510982811.0 | 2015-12-23 | CN105606845A | 2016-05-25 | 李成; 王岩; 温悦; 王超; 樊尚春 |
| 一种基于二级微杠杆的双质量块高灵敏度硅微谐振式加速度计结构，包括质量块、二级微杠杆放大机构、音叉谐振器；加速度计采用两个质量块敏感加速度，并通过连接衬底的支撑梁和被测物体与这两个质量块相连接；两个完全相同的谐振器的一端通过锚点固定在基底上，另一端通过微杠杆机构与质量块相连；在每个质量块上，各连接有两个相同的二级微杠杆。当加速度计工作时，质量块产生的惯性力经二级微杠杆机构进行力放大后，作用于音叉谐振器，改变其固有振动频率，通过检测音叉谐振器固有频率的变化，即可解算出被测加速度值。本发明具有灵敏度高、量程大、差动检测、稳定性好、体积小、结构简单以及可实现音叉振动耦合抑制等优点，可用于航空航天、汽车工业、地震监测领域。 | ||||||
| 183 | 电子装置、物理量传感器、压力传感器以及高度计 | CN201510784746.0 | 2015-11-16 | CN105600735A | 2016-05-25 | 田中信幸 |
| 本发明提供电子装置、物理量传感器、压力传感器以及高度计。电子装置以及物理量传感器具有优异的可靠性，此外，压力传感器、高度计、电子设备以及移动体具备所涉及的电子装置。本发明的物理量传感器(1)具备：基板(2)；压敏电阻元件(5)，其被配置于基板(2)的一面侧；壁部，其以在俯视观察基板(2)时包围压敏电阻元件(5)的方式而被配置在基板(2)的一面侧；顶部，其相对于壁部而被配置于与基板相反的一侧，并同壁部一起构成空洞部(S)，在以横切壁部的剖面进行观察时，所述壁部具有绝缘层(631)和配线层(62、64)，配线层(62、64)以相互协同的方式包围绝缘层(631)，并且与绝缘层(631)相比，相对于能够对绝缘层(631)进行蚀刻的蚀刻液的耐性较高。 | ||||||
| 184 | 电子装置、物理量传感器、压力传感器以及高度计 | CN201510781748.4 | 2015-11-13 | CN105600734A | 2016-05-25 | 田中信幸 |
| 本发明提供电子装置、物理量传感器、压力传感器以及高度计。电子装置以及物理量传感器具有优异的可靠性，压力传感器、高度计、电子设备以及移动体具备该电子装置。本发明的物理量传感器(1)具备：基板(2)；压敏电阻元件(5)，其被配置在基板(2)的一面侧；壁部，其以在俯视观察基板(2)时包围压敏电阻元件(5)的方式而被配置在基板(2)的一面侧；覆盖层(641)，其相对于壁部而被配置在与基板(2)相反的一侧，并同壁部一起构成空洞部(S)，覆盖层(641)具有：角部，其被构成为，在俯视观察时包含彼此相邻的两条边；加固部(644、651)，其被配置为连结该两条边。 | ||||||
| 185 | 用悬置石墨烯膜形成的纳米器件 | CN201310030301.4 | 2013-01-25 | CN103227203B | 2016-05-18 | 朱文娟 |
| 本发明涉及用悬置石墨烯膜形成的纳米器件。使用在半导体结构的开放腔之间悬置的石墨烯膜构造诸如纳米探针和纳米刀器件的半导体纳米器件。所述悬置的石墨烯膜用作机电膜，所述机电膜可被制造为非常薄，厚度为一个原子或数个原子的厚度，从而极大地提高了半导体纳米探针和纳米刀器件的灵敏度和可靠度。 | ||||||
| 186 | 使用侧壁横梁制造技术的微机械柔性设计 | CN201480052007.6 | 2014-09-05 | CN105579882A | 2016-05-11 | T·杜恩; M·安德森; A·W·斯帕克斯; J·吴; 中川英树 |
| 本发明提供利用显示器中的挠曲部的系统、方法和设备。在一些实施方案中，机电系统EMS装置可包含沿光调制器的运动轴具有低硬度且在其它方向上具有高硬度的挠曲部。所述挠曲部可包含机械地将MEMS结构耦接至锚的一或多个横梁。所述横梁可耦接至铰链部分，所述铰链部分经配置以通过所述MEMS结构和所述挠曲部抑制平面外运动。所述挠曲部还可使用加强部分抑制平面外运动。所述加强部分可机械地耦接至所述铰链部分或所述挠曲部的至少一个横梁。通过改变所述加强部分的横截面几何形状，所述加强部分的所述硬度可经控制以增大在平面外方向上移动所述挠曲部所需的力。 | ||||||
| 187 | 带腔体器件的气密封装结构和制造方法 | CN201610098811.9 | 2016-02-23 | CN105565248A | 2016-05-11 | 饶杰; 文彪 |
| 本发明公开一种带腔体的气密封装结构及其制造方法。所述气密封装结构包括：键合层，其包括黏合剂密封结构和金属密封结构；第一基板，其包括第一表面、与第一表面相对的第二表面；第二基板，其包括第一表面、与第一表面相对的第二表面，第一基板的第一表面与第二基板的第一表面通过所述键合层键合在一起；和腔体，其位于第一基板和第二基板之间且被所述黏合剂密封结构和所述金属密封结构分别围绕密封。与现有技术相比，本发明中的带腔体器件的气密封装结构和制造方法，在获得较高的腔体气体压力的同时，可以实现良好的气密性能，且适用范围广。 | ||||||
| 188 | 微压电加速度传感器芯片及其制作方法 | CN201510919806.5 | 2015-12-10 | CN105540527A | 2016-05-04 | 田边; 刘汉月; 杨宁 |
| 本发明公开了一种微压电加速度传感器芯片及其制作方法，芯片由一对敏感梁与一对补充梁共同支撑悬空质量块并使其悬空，质量块与敏感梁、补充梁及边框间有一定距离，使其保证质量块振动时不影响敏感梁及补充梁的运动，充分利用空间，增加质量块质量，从而增加了结构的灵敏度，敏感梁上布置了压电薄膜，压电薄膜的上下表面都布置有上下电极，其中芯片的制作方法是通过干法刻蚀以及光刻得到硅基底中的由悬空质量块、敏感梁和补充梁组成的可动结构，正面光刻并溅射形成芯片的上下电极，在硅质基底的背面粘结硼玻璃，硼玻璃与悬空质量块预留有一工作间隙，最后得到芯片，该芯片能够满足高灵敏度、低侧向效应的要求。 | ||||||
| 189 | 一体式电成型金属部件 | CN201510673937.X | 2015-10-16 | CN105527820A | 2016-04-27 | P·杜博瓦; C·沙邦 |
| 本发明涉及一种一体式金属部件，其包括电成型金属本体，该本体的外表面仅在预定深度上或者直至预定深度包括比电成型金属本体的其余部分更少的被捕获氢，导致相对于本体的其余部分发生硬化，以提高该一体式部件的耐磨性，同时保持小于10的相对导磁率和被紧配合或压配合的能力。 | ||||||
| 190 | MEMS开关 | CN201180073883.3 | 2011-10-06 | CN103843100B | 2016-04-27 | 豊田治; 岛内岳明 |
| 提供一种容易制造并且能够有效抑制粘连的MEMS开关。MEMS开关具有：固定支撑部；板状挠性梁，至少一端被固定支撑在固定支撑部上，具有延伸的活动表面；活动电气触点，配置在挠性梁的活动表面上；固定电气触点，位置相对于固定支撑部固定，与活动电气触点相对置；第一压电驱动元件，从固定支撑部朝向活动电气触点而在挠性梁的活动表面的上方延伸，能够通过电压驱动使活动电气触点向固定电气触点发生位移；以及第二压电驱动元件，至少配置在挠性梁的活动表面上，通过电压驱动，向活动电气触点远离固定电气触点的方向驱动挠性梁的活动部。 | ||||||
| 191 | 一种微型气相色谱柱芯片及其制备方法 | CN201510888973.8 | 2015-12-05 | CN105510490A | 2016-04-20 | 汪小知; 王涛; 张润州 |
| 本发明公开了一种微型气相色谱柱芯片，该芯片包括硅基底，在硅基底上具有依次连通的平行沟道，在沟道内具有规则排列的硅基圆柱体，圆柱体高度与沟道深度一致，在硅基底上还开有进气口和出气口，硅基底上设有密封层，二者通过密封胶密封，使得进气口、沟道和出气口形成一条密闭的气流通道，在气体通道内沟道与圆柱体表面上具有双层固定相结构。本发明的芯片通过圆柱体结构可以增加固定相的接触面积，同时采用双层固定相结构，不仅能够增强色谱柱芯片的分离能力，同时还能够增加芯片对样品的分离种类。 | ||||||
| 192 | MEMS器件的形成方法 | CN201410491246.3 | 2014-09-24 | CN105502280A | 2016-04-20 | 徐伟 |
| 一种MEMS器件的形成方法。采用第一支撑板的支撑，对第一晶圆与第二晶圆中的一个进行减薄，并在减薄面上做对准标记，后在减薄面上粘合第二支撑板；去除第一支撑板，利用对准标记将第三晶圆与未减薄的另一个晶圆形成的双层堆叠结构与该减薄后的晶圆键合形成三层堆叠结构，第二支撑板能提高上述键合过程中已减薄的晶圆的支撑力；去除第二支撑板，对具有对准标记的该个已减薄晶圆进行切割，后在减薄面上粘合第三支撑板，以提高已切割晶圆的支撑力，使得对三层堆叠结构中未减薄的该个晶圆进行减薄过程中，三层堆叠晶圆不易发生破碎；最后切割三层堆叠结构形成各个MEMS器件。采用了第一至第三支撑板，获得了完整且体积小的MEMS器件。 | ||||||
| 193 | 空腔薄膜及其制造方法 | CN201510990451.9 | 2015-12-24 | CN105502278A | 2016-04-20 | 季锋; 闻永祥; 刘琛; 孙伟 |
| 本发明提供了一种空腔薄膜及其制造方法，其中，所述空腔薄膜的制造方法包括：提供第一掺杂浓度的P型硅片；在所述第一掺杂浓度的P型硅片表面形成第二掺杂浓度的第一P型层，所述第二掺杂浓度高于所述第一掺杂浓度；通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第一P型层变成中孔硅层，在第一掺杂浓度的P型硅片中形成纳米孔硅层；通过退火工艺使纳米孔硅层迁移形成空腔，中孔硅层在纳米孔硅层的迁移下变成种子层。本发明提供的空腔薄膜及其制造方法，与CMOS工艺兼容，可实现SON(silicon on nothing)器件与薄膜传感器的集成；制造工艺相对简单，对设备要求低。 | ||||||
| 194 | 一种微颗粒上制备测试电极的方法 | CN201610008779.0 | 2016-01-06 | CN105502276A | 2016-04-20 | 顾长志; 李无瑕; 金爱子; 李俊杰 |
| 本发明提供了一种微颗粒上制备测试电极的方法，涉及新型材料与器件的加工制备领域。本发明通过聚焦离子束/电子束双束系统在微颗粒的表面制备测试电极，具体步骤包括：选取支撑衬底在所述支撑衬底上分散排布所述微颗粒；将分散排布后的微颗粒固定在所述支撑衬底上；在固定的微颗粒的表面加工电极条并将所述电极条延伸到所述支撑衬底上，在所述支撑衬底上沉积加工电极接触块，以实现所述测试电极的制备。本发明的微颗粒上制备测试电极的方法，通过聚焦离子束/电子束双束系统在微颗粒的表面制备测试电极，工艺步骤简单、难度低、耗时少、且具有较高的灵活性。本发明的方法，适用于一些非常规微尺寸器件。 | ||||||
| 195 | MEMS中的弹簧结构、麦克风器件及加速度传感器 | CN201510824510.5 | 2015-11-24 | CN105502274A | 2016-04-20 | 宋月琴 |
| 本发明提供了一种MEMS中的弹簧结构，包括：从同一中心点在一个平面内旋出的第一臂和第二臂，第一臂和第二臂螺旋、间隔排列，且由间隙分隔开；第一臂和第二臂的旋出端具有连接端，分别接固定部件和活动部件。该结构采用了螺旋结构，使得弹簧在牵引方向外的其他各方向也具有较好的弹性，使得弹簧结构具有更好的力学特性，避免弹簧断裂而造成的器件失效的发生。 | ||||||
| 196 | 用于操纵带电分子的纳米线设备 | CN201280016657.6 | 2012-02-01 | CN103443023B | 2016-04-20 | L.萨米尔森; J.蒂根菲尔德特 |
| 本发明涉及一种用于操纵带电分子的纳米线设备，包括：管状纳米线，具有贯穿通道；多个可个别寻址的围栅电极，布置于所述管状纳米线周围，并且在每两个相邻围栅电极之间具有间距；以及，用于将围栅电极连接到电压源的装置。本发明还涉及一种包括至少一个纳米线设备的纳米线系统，以及一种用于操纵在管状纳米线的贯穿通道内的带电分子的方法。 | ||||||
| 197 | 芯片封装体及其形成方法 | CN201310190282.1 | 2013-05-21 | CN103426832B | 2016-04-20 | 林柏伸; 刘沧宇; 何彦仕; 何志伟; 梁裕民 |
| 本发明提供一种芯片封装体及其形成方法，该芯片封装体包括：一芯片，包括：一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件区，形成于该半导体基底之中；一介电层，设置于该第一表面上；以及一导电垫结构，设置于该介电层之中，且电性连接该元件区；一覆盖基板，设置于该芯片上；以及一间隔层，设置于该芯片与该覆盖基板之间，其中该间隔层、该芯片、及该覆盖基板共同于该元件区上围出一空腔，且该间隔层直接接触该芯片，而无任何粘着胶设置于该芯片与该间隔层之间。本发明所提供的芯片封装技术可缩减芯片封装体的尺寸、可大量生产芯片封装体、可确保芯片封装体的品质、及/或可降低制程成本与时间。 | ||||||
| 198 | 形成凸出结构的方法 | CN201110340066.1 | 2011-11-01 | CN102779841B | 2016-04-20 | 郭锦德; 陈逸男; 刘献文 |
| 本发明公开了一种形成凸出结构的方法，其特征包含提供一基材与位于基材上的多个具有一第一材料与一预定底角的倾斜结构，其中倾斜结构具有一倒梯形的形状，之后于倾斜结构之间形成具有一第二材料的目标层以覆盖基材，其中第一材料与第二材料各不相同，接下来完全移除倾斜结构，并进行一修整步骤以部分移除目标层，而形成位于基材上的多个具有一顶面、一底面与一倾斜侧壁的凸出物。 | ||||||
| 199 | 制造带波纹的挠曲隔膜的方法 | CN201480036535.2 | 2014-06-27 | CN105492372A | 2016-04-13 | C·庞; J·什; F·蒋; C·刘; S·卡菲; A·乌拉扎基 |
| 一种可移除的材料用对应于在膜例如挠曲隔膜中的期望波纹的图案被沉积或以其它方式被施加至平坦的基底表面。所施加的材料充当施加在其上并且随后固化或硬化的聚合物材料的座，该聚合物材料被移除以形成成品波纹膜。 | ||||||
| 200 | 基于相移量机电耦合的分布式MEMS移相器工作电压的调整方法 | CN201610041328.7 | 2016-01-21 | CN105489978A | 2016-04-13 | 王从思; 殷蕾; 王艳; 王伟; 李申; 米建伟; 保宏; 肖岚; 项斌斌; 许谦; 庞毅; 蒋力 |
| 本发明公开了一种基于相移量机电耦合的分布式MEMS移相器工作电压的调整方法，包括确定分布式MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数；确定工作电压标准值V0和相移量标准值Δφ0；施加2V0的工作电压，测量M个MEMS桥中相移量Δφi；比较相移量测量值Δφi与标准值Δφ0；当相移量测量值Δφi>标准值Δφ0，得MEMS桥有向上的高度误差，计算等效电路参数和工作电压调整量；当相移量测量值Δφi≤标准值Δφ0，得MEMS桥向下高度误差或无误差，计算等效电路参数和高度误差值，计算工作电压的调整量；判断是否已对全部计算工作电压调整量；重新施加到相应的MEMS桥上，测量分布式MEMS移相器的整体相移量；判断调整工作电压后的分布式MEMS移相器电性能是否满足指标要求。本方法为实际工作的可靠性提供了理论指导。 | ||||||
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