子分类：
- G03F9/7003： ..{对准类型或策略,例如调平,球形对准}
- G03F9/7049： ..{技术,例如干涉}
- G03F9/7065： ..{对准光源的产生,例如光源,一致性控制,偏振,脉冲长度,波长}
- G03F9/7069： ..{调整标记照明,例如:暗场,双焦点}
- G03F9/7073： ..{对准标记和他们的环境(特别适用于掩模的标记入G03F1/42;特别适用于模具或压印的标记入G03F7/0002;覆盖标记入G03F7/20T22;应用于半导体器件的标记入H01L23/544)}
- G03F9/7088： ..{对准标记的检测,例如TTR,TTL,离轴检测,阵列检测器,视频检测}
- G03F9/7092： ..{信号处理}
- G03F9/7096： ..{布置,安装,构架,环境,设备的清洗或维护}
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 曝光装置、曝光方法、以及组件制造方法 | CN201080037585.4 | 2010-08-24 | CN102549501B | 2015-04-08 | 柴崎祐一 |
| 本发明的曝光装置，具备在涵盖除了投影光学系统(PL)正下方区域外的晶圆载台(WST1)移动范围的标尺板(21)上，使用晶圆载台(WST1)上搭载的四个读头(601～604)照射测量光束据以测量晶圆载台(WST1)的位置信息的编码器系统。此处，读头(601～604)的配置间隔(A、B)系设定为分别大于标尺板(21)的开口的宽度(ai、bi)。如此，视晶圆载台的位置从四个读头中切换并使用与标尺板对向的三个读头，即能测量晶圆载台的位置信息。 | ||||||
| 2 | 位置传感器和光刻设备 | CN201110147873.1 | 2011-05-25 | CN102314092B | 2014-10-08 | R·A·C·M·比伦斯; A·F·J·德格鲁特; J·P·M·B·沃麦尤伦 |
| 本发明公开了一种位置传感器和光刻设备。所述位置传感器配置成测量目标的位置数据。位置传感器包括：辐射源，配置成提供辐射束；第一光栅，配置成将辐射束衍射成在第一衍射方向上的至少第一级衍射束；和第二光栅，布置在第一级衍射束的光学路径上，第二光栅配置成在基本上垂直于第一衍射方向的第二衍射方向上衍射在第一光栅处被衍射的第一级衍射束。第二光栅连接至目标。第一检测器配置成检测由第一光栅衍射的束的至少一部分，至少一个第二检测器配置成检测被第一光栅和第二光栅衍射的束的至少一部分。 | ||||||
| 3 | 曝光方法以及曝光装置 | CN200680054845.2 | 2006-06-07 | CN101460897B | 2013-03-27 | 饭野仁 |
| 本发明的曝光装置对于通过基板搬运单元(5)以一定速度向一定方向搬运的基板(4)，在曝光部位(曝光部分)(2)通过在曝光光学系统(3)的光轴(光程)(S)上设置的掩膜(11)照射来自灯(连续光源)(9)的曝光光。在基板(4)上转印并曝光掩膜(11)的开口部分(11a)的图像时，由摄像单元(6)的线性CCD(20)拍摄在基板(4)上预先形成的像素(基准图案)(18)的前方边缘以及侧方边缘(图案边缘)，检测出基板(4)上的搬运方向和与该搬运方向成直角的方向中的基准位置。在由摄像单元(6)拍摄的像素(18)从摄像位置(F)被移动到曝光位置(E)时，曝光部位(2)一边对掩膜(11)进行位置调节以使掩膜(11)的位置与基板(4)上的基准位置一致，一边对沿基板(4)的搬运方向的曝光区域进行连续曝光。 | ||||||
| 4 | 曝光方法以及曝光装置 | CN200680054845.2 | 2006-06-07 | CN101460897A | 2009-06-17 | 饭野仁 |
| 本发明的曝光装置对于通过基板搬运单元(5)以一定速度向一定方向搬运的基板(4)，在曝光部位(曝光部分)(2)通过在曝光光学系统(3)的光轴(光程)(S)上设置的掩膜(11)照射来自灯(连续光源)(9)的曝光光。在基板(4)上转印并曝光掩膜(11)的开口部分(11a)的图像时，由摄像单元(6)的线性CCD(20)拍摄在基板(4)上预先形成的像素(基准图案)(18)的前方边缘以及侧方边缘(图案边缘)，检测出基板(4)上的搬运方向和与该搬运方向成直角的方向中的基准位置。在由摄像单元(6)拍摄的像素(18)从摄像位置(F)被移动到曝光位置(E)时，曝光部位(2)一边对掩膜(11)进行位置调节以使掩膜(11)的位置与基板(4)上的基准位置一致，一边对沿基板(4)的搬运方向的曝光区域进行连续曝光。 | ||||||
| 5 | 光刻装置和曝光方法 | CN01121643.3 | 1997-11-28 | CN1244021C | 2006-03-01 | 西健尔; 太田和哉 |
| 保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间，可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时，用于相对曝光图形的对位，所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。 | ||||||
| 6 | 位置探测法和装置、曝光法和设备、控制程序以及器件制造法 | CN01817611.9 | 2001-10-19 | CN1469990A | 2004-01-21 | 中岛伸一 |
| 移动多个在观察坐标系上具有预定的彼此位置关系的区域的同时，根据观察单元观察目标的结果，重合度计算单元根据给定的区域间对称性计算多个区域的观察结果部分中至少一对观察结果部分的区域间重合度(步骤151－160)，并且位置信息计算单元通过获得多个区域的位置而获得目标的位置信息，其中在该位置处做为观察坐标系中多个区域的位置的函数的区域间重合度例如取最大值(步骤161)。结果，精确地探测到目标的位置信息。 | ||||||
| 7 | 光刻装置和曝光方法 | CN01121643.3 | 1997-11-28 | CN1329287A | 2002-01-02 | 西健尔; 太田和哉 |
| 保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间,可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时,用于相对曝光图形的对位,所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。 | ||||||
| 8 | 曝光方法和设备制造方法 | CN01117665.2 | 1997-11-28 | CN1322971A | 2001-11-21 | 西健尔; 太田和哉 |
| 保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间,可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时,用于相对曝光图形的对位,所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。 | ||||||
| 9 | 对焦位置检测方法 | CN94108760.3 | 1994-07-30 | CN1050253C | 2000-03-08 | 汤川典昭; 木村悟; 佐藤健夫 |
| 一种对焦位置检测方法，它主要包含：目标物摄像过程：累积浓淡比运算过程：部分图像设定过程；区域设定过程；左区域运算过程；右区域运算过程；和浓淡比运算过程。按照本发明的对焦位置检测方法，由于取从部分图像中的基准像素的特定方向的左右区域中的浓度数据获得的运算结果的比，所以不用复杂的算法就能消除图像全局浓度变动的影响。 | ||||||
| 10 | 曝光装置以及曝光方法 | CN97181117.2 | 1997-11-28 | CN1242104A | 2000-01-19 | 西健尔; 太田和哉 |
| 保持基片的2个载片台WS1、WS2可以在定位系统24a下的位置信息测量区域PIS和投影光学系统PL下的曝光区域EPS之间独立地移动。在上述WS1上正在进行晶片交换以及对位期间,可以在载片台WS2上曝光晶片W2。晶片WS1的各拍照区域的位置在区域PIS中被作为相对形成在载片台WS1上的基准标记的相对位置求出。因为相对位置信息在晶片WS1被移动到区域EPS被曝光时,用于相对曝光图形的对位,所以在载片台移动时不需要连续监视载片台的位置。通过使用2个晶片载片台WS1、WS2并行处理曝光动作就可以提高生产率。 | ||||||
| 11 | 目的物位置和斜度控制装置 | CN95116359.0 | 1995-08-23 | CN1150660A | 1997-05-28 | 金相哲 |
| 本发明一般涉及一种用于控制目的物位置和斜度的控制装置，更具体地涉及一种将例如晶片或基片等目的物的位置和斜度保持在投影透镜的焦距限值内的控制装置。该控制装置包含：一光源，其发光被传输到目的物并由目的物反射；一第一掩模，来自光源的光经其通过，且其上刻有不对称的图形；第一和第二光接收器，检测由目的物反射的光；以及控制装置，根据由光接收器接收的信号调整目的物的位置和斜度。 | ||||||
| 12 | 多功能光接收器 | CN95116223.3 | 1995-08-22 | CN1143201A | 1997-02-19 | 金相哲 |
| 一种曝光装置，包含置于掩模平台上的掩模以接收照射光。掩模平台和工件平台之间有一投影透镜通过接收照射光在工件平台成像。第一标记刻在掩模上探测掩模平台和工件平台移动平行度。第二标记刻在掩模上与上述第一标记一起移动测量投影透镜放大率的变化。第三标记刻在掩模上确定投影透镜的焦点。第一光学探测部件置于工件平台上，其上刻有第四标记，以帮助第一、第二标记的移动。第二光学探测部件置于上述工件平台上，用来探测照射光。 | ||||||
| 13 | 掩模原版和利用掩模原版测量掩模原版旋转误差的方法 | CN95104595.4 | 1995-04-01 | CN1115416A | 1996-01-24 | 黄俊 |
| 一种设有母游标和子游标用来测量掩模原版旋转误差的掩模原版，该母游标设于掩模原版的某部位，该部位对应于使用该掩模原版的曝光设备所装透镜的中心部分。至少一对子游标分别沿着通过母游标的水平线由母游标隔开并均匀排布在掩模原版区域。该掩模原版能有效地减小由透镜的变形所造成的不良影响并精确地测量旋转误差。 | ||||||
| 14 | 曝光装置、曝光方法、以及组件制造方法 | CN201510107386.0 | 2010-08-24 | CN104698772B | 2017-08-29 | 柴崎祐一 |
| 本发明涉及曝光装置、曝光方法、以及组件制造方法。本发明的曝光装置，具备在涵盖除了投影光学系统(PL)正下方区域外的晶圆载台(WST1)移动范围的标尺板(21)上，使用晶圆载台(WST1)上搭载的四个读头(601～604)照射测量光束据以测量晶圆载台(WST1)的位置信息的编码器系统。此处，读头(601～604)的配置间隔(A、B)系设定为分别大于标尺板(21)的开口的宽度(ai、bi)。如此，视晶圆载台的位置从四个读头中切换并使用与标尺板对向的三个读头，即能测量晶圆载台的位置信息。 | ||||||
| 15 | 曝光描绘装置以及曝光描绘方法 | CN201380016165.1 | 2013-02-22 | CN104204953B | 2016-09-28 | 尾崎幸久 |
| 一种曝光描绘装置中的曝光描绘方法，该曝光描绘装置具有曝光单元，该曝光单元通过对具有第1面和与该第1面相对的第2面的被曝光基板进行曝光而描绘电路图案，曝光描绘方法进行如下步骤：标记形成步骤，在被曝光基板的第2面的预先确定的位置上形成作为曝光位置的基准的第1标记，并且通过使相对于第1标记的相对位置在每个被曝光基板上不同，从而形成表示通过该相对位置识别被曝光基板的识别信息的第2标记；第1控制步骤，控制曝光单元在被曝光基板的第1面上描绘电路图案；以及存储步骤，将与第1面的曝光有关的信息与通过相对位置表示的识别信息对应而存储在存储单元中。 | ||||||
| 16 | 曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法 | CN201510542536.0 | 2010-08-24 | CN105182695A | 2015-12-23 | 柴崎祐一 |
| 本发明是根据在载台(WST1)上搭载的四个读头(601～604)中、包含互异的一个读头的三个读头所属的第1读头群与第2读头群中所含的读头面对标尺板上对应区域的区域(A0)内，使用第1读头群所得的位置信息驱动载台(WST1)，并使用以第1及第2读头群所得的位置信息求出对应的第1及第2基准坐标系(C1、C2)间的偏差(位置、旋转、定标的偏差)。使用该结果修正使用第2读头群所得的测量结果，据以修正第1及第2基准坐标系(C1、C2)间的偏差、以及四个读头(601～604)的分别面对的标尺板上的区域彼此间的偏差伴随的测量误差。 | ||||||
| 17 | 圆筒形掩模板系统、曝光装置和曝光方法 | CN201310069922.3 | 2013-03-05 | CN104035286B | 2015-12-23 | 伍强; 刘畅; 郝静安 |
| 一种圆筒形掩模板系统、曝光装置和曝光方法，其中曝光装置，包括：基台；晶圆载物台组，晶圆载物台组包括若干晶圆载物台，若干晶圆载物台依次在基台上的第一位置和第二位置之间循环移动；对准检测单元，进行晶圆的对准；圆筒形掩模板系统，装载圆筒形掩膜板，并使所述圆筒形掩膜板绕中心轴旋转；光学投影单元，将透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆载物台上晶圆的曝光区；当晶圆载物台从第一位置移动到第二位置，然后沿扫描方向的单方向扫描时，圆筒形掩膜板绕中心轴旋转，透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆上，对晶圆上的沿扫描方向排列的某一列曝光区进行曝光。进行曝光时，晶圆载物台不需要改变扫描方向，从而节省了曝光时间，提高了曝光效率。 | ||||||
| 18 | 曝光装置以及用于制造物品的方法 | CN201510140909.1 | 2015-03-30 | CN104977812A | 2015-10-14 | 和泉望; 长野浩平 |
| 本发明公开了一种曝光装置以及用于制造物品的方法，该曝光装置包含：经由原件侧标记和投影光学系统来检测基板侧标记的第一检测器；与第一检测器相比按照更多的数量来布置的且在不经由投影光学系统的情况下检测基板侧标记的第二检测器；具有参考标记的参考板；以及控制单元，该控制单元被配置为：通过第二检测器来获得该多个参考标记的第一检测结果，基于第一检测结果来获得与该多个第二检测器之间的第一距离相关的第一信息，通过第一检测器和第二检测器来获得同一基板侧标记的第二检测结果，基于第二检测结果来获得与第一检测器与第二检测器之间的距离相关的第二信息，并且基于第一信息和第二信息来控制原件与基板的对准。 | ||||||
| 19 | 曝光描绘装置、记录了程序的记录介质以及曝光描绘方法 | CN201380016165.1 | 2013-02-22 | CN104204953A | 2014-12-10 | 尾崎幸久 |
| 一种曝光描绘装置中的曝光描绘方法，该曝光描绘装置具有曝光单元，该曝光单元通过对具有第1面和与该第1面相对的第2面的被曝光基板进行曝光而描绘电路图案，曝光描绘方法进行如下步骤：标记形成步骤，在被曝光基板的第2面的预先确定的位置上形成作为曝光位置的基准的第1标记，并且通过使相对于第1标记的相对位置在每个被曝光基板上不同，从而形成表示通过该相对位置识别被曝光基板的识别信息的第2标记；第1控制步骤，控制曝光单元在被曝光基板的第1面上描绘电路图案；以及存储步骤，将与第1面的曝光有关的信息与通过相对位置表示的识别信息对应而存储在存储单元中。 | ||||||
| 20 | 圆筒形掩模板系统、曝光装置和曝光方法 | CN201310069922.3 | 2013-03-05 | CN104035286A | 2014-09-10 | 伍强; 刘畅; 郝静安 |
| 一种圆筒形掩模板系统、曝光装置和曝光方法，其中曝光装置，包括：基台；晶圆载物台组，晶圆载物台组包括若干晶圆载物台，若干晶圆载物台依次在基台上的第一位置和第二位置之间循环移动；对准检测单元，进行晶圆的对准；圆筒形掩模板系统，装载圆筒形掩膜板，并使所述圆筒形掩膜板绕中心轴旋转；光学投影单元，将透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆载物台上晶圆的曝光区；当晶圆载物台从第一位置移动到第二位置，然后沿扫描方向的单方向扫描时，圆筒形掩膜板绕中心轴旋转，透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆上，对晶圆上的沿扫描方向排列的某一列曝光区进行曝光。进行曝光时，晶圆载物台不需要改变扫描方向，从而节省了曝光时间，提高了曝光效率。 | ||||||
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