| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 光刻设备和曝光方法 | CN201580030769.0 | 2015-05-13 | CN106462089A | 2017-02-22 | P·J·克拉默; R·吉利贾姆塞; N·拉默斯; D·M·斯洛特布姆 |
| 描述了一种曝光方法，该方法包括以下步骤：a)将第一图案转移到衬底的多个目标部分中的每一个上，第一图案包括至少一个对准标记；b)测量多个对准标记的位置，并且针对多个对准标记中的每一个，将对准标记位移(dx，dy)确定为对准标记的相应预定标称位置与对准标记的相应测量位置之差；c)将数学模型拟合到多个对准标记位移以获得拟合的数学模型，d)基于拟合的数学模型，确定第一图案在多个目标部分中的每一个中的位置；e)使用多个目标部分中的每一个中的所确定的第一图案的位置将第二图案转移到多个目标部分中的每一个上，其中数学模型包括多项式Z1和Z2：在极坐标(r,θ)中Z1＝r2 cos(2θ)Z2＝r2 sin(2θ)，在笛卡尔坐标(x,y)中Z1＝x2-yZ2＝xy。 | ||||||
| 2 | 减少零层对准光罩使用的方法 | CN201610327912.9 | 2016-05-17 | CN105810568A | 2016-07-27 | 黄海辉; 杨渝书; 乔夫龙 |
| 一种减少零层对准光罩使用的方法，包括：生长垫氧层和氮化硅层，在氮化硅层上布置第一光阻层，在第一光阻层上针对零层对准图形区和闪存阵列N阱区进行曝光显影；利用第一光阻层进行闪存阵列N阱离子注入以形成闪存阵列N阱；利用第一光阻层形成氮化硅硬掩模层的沟槽，并利用氮化硅硬掩模层进行闪存阵列离子注入；布置第二光阻层，以氮化硅硬掩模层沟槽作为对准标志在第二光阻层上针对深N阱离子注入图形区进行曝光显影，通过干法刻蚀以不同步骤调节刻蚀选择比，在第二光阻层上针对零层对准图形区形成切割道沟槽，在深N阱离子注入图形区去除氮化硅硬掩模层后使刻蚀终止在垫氧层；利用第二光阻层进行深N阱区离子注入以形成深N阱区。 | ||||||
| 3 | 一种硅片预对准方法 | CN201511021917.0 | 2015-12-30 | CN106933069A | 2017-07-07 | 周细文; 孙伟旺; 田翠侠; 郑教增 |
| 本发明公开了一种硅片预对准方法，包括以下步骤：首先通过定心台、升降台和旋转台对硅片进行定心，使硅片的中心与定心台的中心重合；其次通过图像采集设备对硅片进行图像采集；再次根据图像特征通过划线槽将其由上至下划分为若干个分区；然后对图像进行处理，获取其中满足设定条件的划线槽的中轴线作为广义标记；最后根据该广义标记与指定上片角度的差值，对硅片进行旋转完成定向。本发明根据获取的图像中硅片表面的特征，通过划线槽将图像分成若干分区，并通过图像处理，获取其中最水平的划线槽的中轴线作为广义标记，无需在硅片上做额外的标记，该广义标记受外界因素的影响大大降低，稳定性好，提高了识别的准确度和硅片的预对准精度。 | ||||||
| 4 | 光波导半导体器件的工艺方法 | CN201610268934.2 | 2016-04-27 | CN105914131A | 2016-08-31 | 王辉 |
| 本发明公开了一种光波导半导体器件的工艺方法，包含步骤：第1步，在硅衬底上淀积第一介质膜层；第2步，在第一介质膜层之上利用光刻胶定义出图形；第3步，对第一介质膜层进行刻蚀之后，去除光刻胶；第4步，淀积热氧化层，然后进行化学机械研磨；第5步，淀积第二介质膜层；第6步，在第二介质膜层之上利用光刻胶定义出光刻对准标记区域；第7步，在光刻对准标记区域完成光刻对准标记的制作；第8步，对第二介质膜层进行刻蚀；第9步，重复上述步骤进行介质膜层的反复淀积，最终完成光波导半导体器件的制作。本发明工艺避免因介质膜层沉积造成的光刻对准标记中残留物，从而使得后续层次实现精确对准。 | ||||||
| 5 | 多层半导体器件结构 | CN201310706258.9 | 2013-12-19 | CN104517965A | 2015-04-15 | 奧野泰利; 林以唐 |
| 本发明提供了一种半导体器件结构和一种半导体器件结构的制造方法。在衬底上方形成第一器件层，其中，在第一器件层中图案化对准结构。在第一器件层上方提供介电层。介电层被图案化以包括位于对准结构上方的开口。在介电层上方形成第二器件层。使用掩模层来图案化第二器件层，其中，掩模层包括相对于对准结构对准的结构。对准结构在图案化第二器件层期间通过开口是可见的。 | ||||||
| 6 | 具有双层钝化的晶体管及方法 | CN200780013228.2 | 2007-03-12 | CN101427379B | 2010-12-29 | 布鲁斯·M·格林; 哈尔丹·S·亨利 |
| 提供了一种具有双钝化层(56，59)的半导体器件(61)和方法(80—89，100)。半导体层(34)形成在衬底(32)上且被第一钝化层(PL-1)(56)覆盖。PL-1(56)和半导体层(34)的部分(341)被蚀刻以形成器件台(35)。第二钝化层(PL-2)(59)形成在PL-1(56)和台(35)暴露出的边缘(44)上方。穿过PL-1(56)和PL-2(59)蚀刻通孔(90，92，93)至将要形成源极(40)、漏极(42)和栅极的半导体层(34)。在通孔(90，92，93)中施加导体(41，43，39)用于源极—漏极(40，42)的欧姆接触和栅极的肖特基接触(39)。在台(35)的边缘(44)上方的互联(45，47)耦合其他的电路元件。PL-1(56)避免了在栅极附近的不利的表面态(52)，PL-2(59)将台(35)的边缘(44)与上覆的互联(45，47)绝缘，以避免泄漏电流(46)。期望与器件(61)同时形成不透明的对准标记(68)，以当使用透明的半导体(34)时便于对准。 | ||||||
| 7 | 曝光方法 | CN201610541070.7 | 2016-07-11 | CN106200275A | 2016-12-07 | 胡德莹 |
| 本发明提供一种曝光方法，其通过测量光罩的当前温度值，并计算光罩的当前温度值与预设的标准温度值的差值，之后根据光罩形变量与光罩温度变化的关系，利用光罩当前温度值与预设的温度标准值的差值计算出光罩上各点的原始坐标值的偏移量，再根据光罩上各点的原始坐标值的偏移量驱动曝光机的镜头对光罩因温度变化而产生的形变进行补正，能够提升曝光效果，保证产品质量。 | ||||||
| 8 | 一种掩模版传输装置及传输方法 | CN201510087602.X | 2015-02-26 | CN105988303A | 2016-10-05 | 姜晓玉; 王长刚 |
| 本发明公开一种掩模版传输装置，包括掩模版、掩模台以及机械手，所述机械手用于支撑和传输掩模版并将所述掩模版交接到掩模台上，其特征在于，还包括：第一组标记和第二组标记，位于所述掩模版上；预对准部件，与所述掩模台连接，用于在掩模版交接过程中探测所述第一组标记以进行第一次预对准，以及探测所述第二组标记以进行第二次预对准；控制单元，用于根据第一次预对准结果调整掩模版和掩模台的相对位置，避免掩模版和掩模台相撞，以及根据第二次预对准结果调整掩模版和掩模台的相对位置，使得掩模版和掩模台的相对位置在设定范围之内。与现有技术相比较，本发明避免了机械手将掩模版交接到掩模台时使掩模版的薄膜框架与掩模台的承版结构发生碰撞，保护了掩模版，提高了交接精度。 | ||||||
| 9 | 叠对标记及其形成方法 | CN201310159625.8 | 2013-05-03 | CN103681624B | 2016-08-24 | 邱垂福 |
| 本发明提供一种叠对标记及其形成方法，该方法包括：在基底上形成多条光致抗蚀剂图案。每一光致抗蚀剂图案包括第一条状物以及并排的多个第二条状物。所述第一条状物与所述第二条状物交错而呈栅状，并且相邻的两个光致抗蚀剂图案之间有空隙，且所述空隙呈栅状。接着，在每一空隙中形成多个岛状物，以形成网点带状图案。之后，移除所述光致抗蚀剂图案，留下所述的网点带状图案做为所述叠对标记。 | ||||||
| 10 | 叠对标记及其形成方法 | CN201310159625.8 | 2013-05-03 | CN103681624A | 2014-03-26 | 邱垂福 |
| 本发明提供一种叠对标记及其形成方法，该方法包括：在基底上形成多条光致抗蚀剂图案。每一光致抗蚀剂图案包括第一条状物以及并排的多个第二条状物。所述第一条状物与所述第二条状物交错而呈栅状，并且相邻的两个光致抗蚀剂图案之间有空隙，且所述空隙呈栅状。接着，在每一空隙中形成多个岛状物，以形成网点带状图案。之后，移除所述光致抗蚀剂图案，留下所述的网点带状图案做为所述叠对标记。 | ||||||
| 11 | 工件对准标志的检测方法及曝光装置 | CN201010287745.2 | 2010-09-17 | CN102023493A | 2011-04-20 | 永森进一 |
| 本发明提供一种工件对准标志的检测方法及曝光装置，即使形成于工件的图案的图像的对比度低的情形，也可作成不会误检测工件标志而可确实地检测。对准显微镜(10)是例如可切换成3倍倍率与10倍倍率，在工件(W)上设有对于工件标志(WAM)，及对比度工件标志(WAM)还要高并且容易看到的工件标志(WAM)位于预定的相对位置的搜索标志。首先，将对准显微镜作成3倍倍率，来检测形成于工件上的上述搜索标志。当搜索标志被检测，则工件标志(WAM)进入10倍倍率的对准显微镜(10)的视野的方式移动工件平台(WS)，以10倍倍率来检测工件标志(WAM)。因此，可确实地检测工件标志，而可进行标志与工件的对位。 | ||||||
| 12 | 具有双层钝化的晶体管及方法 | CN200780013228.2 | 2007-03-12 | CN101427379A | 2009-05-06 | 布鲁斯·M·格林; 哈尔丹·S·亨利 |
| 提供了一种具有双钝化层(56，59)的半导体器件(61)和方法(80－89，100)。半导体层(34)形成在衬底(32)上且被第一钝化层(PL－1)(56)覆盖。PL－1(56)和半导体层(34)的部分(341)被蚀刻以形成器件台(35)。第二钝化层(PL－2)(59)形成在PL－1(56)和台(35)暴露出的边缘(44)上方。穿过PL－1(56)和PL－2(59)蚀刻通孔(90，92，93)至将要形成源极(40)、漏极(42)和栅极的半导体层(34)。在通孔(90，92，93)中施加导体(41，43，39)用于源极－漏极(40，42)的欧姆接触和栅极的肖特基接触(39)。在台(35)的边缘(44)上方的互联(45，47)耦合其他的电路元件。PL－1(56)避免了在栅极附近的不利的表面态(52)，PL－2(59)将台(35)的边缘(44)与上覆的互联(45，47)绝缘，以避免泄漏电流(46)。期望与器件(61)同时形成不透明的对准标记(68)，以当使用透明的半导体(34)时便于对准。 | ||||||
| 13 | リソグラフィ装置、対象物位置決めシステムおよびデバイス製造方法 | JP2016574104 | 2015-05-21 | JP6367382B2 | 2018-08-01 | デ ヴィット、パウル; デ フォス、ユーセフ; ヘムペニウス、ペーテル; ケンパー、ニコラース; レイス、ロベルトゥス、マシーズ、ヘラルドゥス; ファン デル ムーラン、フリッツ; ブーレ、スタイネ |
| 14 | 発光装置および発光装置の製造方法 | JP2014529397 | 2013-07-11 | JPWO2014024627A1 | 2016-07-25 | 幡 俊雄; 俊雄 幡; 英賀谷 誠; 誠 英賀谷; 真也 石崎; 松田 誠; 誠 松田; 智一 名田; 豊徳 植村 |
| 発光装置(10)は、基板(11)上に、発光素子(12)と、導電体配線(14)と、アライメントマーク(18)とが形成されているものであり、アライメントマーク(18)と導電体配線(14)とが印刷法により形成されている。 | ||||||
| 15 | Method for detecting work alignment mark, and exposure apparatus | JP2009215305 | 2009-09-17 | JP2011066185A | 2011-03-31 | NAGAMORI SHINICHI |
| PROBLEM TO BE SOLVED: To securely detect a work mark without misdetection even when an image of a pattern formed on a work has a low contrast. SOLUTION: An alignment microscope 10 can be switched, for example, between a magnification ratio of three and a magnification ratio of ten, and a work mark WAM and a search mark which is higher in contrast to be easy to be seen than the work mark WAM are formed, on the work W, in a position predeterminingly located relatively to the work mark WAM. The alignment microscope is set to the magnification ratio of three first, and the search mark formed on the work is detected. Once the search mark is detected, a work stage WS is moved so that the work mark WAM is within a visual field of the alignment microscope 10 in a magnification ratio of ten, and the work mark WAM is detected with the magnification ratio of ten. Consequently, the work mark is securely detected, and the mask and work can be registered. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT | ||||||
| 16 | LIGHT-EMITTING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME | EP13828024 | 2013-07-11 | EP2882000A4 | 2016-03-16 | HATA TOSHIO; AGATANI MAKOTO; ISHIZAKI SHINYA; MATSUDA MAKOTO; NADA TOMOKAZU; UEMURA TOYONORI |
| 17 | LIGHT-EMITTING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME | EP13828024.3 | 2013-07-11 | EP2882000A1 | 2015-06-10 | HATA, Toshio; AGATANI, Makoto; ISHIZAKI, Shinya; MATSUDA, Makoto; NADA, Tomokazu; UEMURA, Toyonori |
A light emitting device (10) includes light emitting elements (12), conductor wirings (14), and alignment marks (18) formed on a substrate (11). The alignment marks (18) and the conductor wirings (14) are formed by printing. |
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| 18 | TRANSISTOR AND METHOD WITH DUAL LAYER PASSIVATION | EP07758334 | 2007-03-12 | EP2011155A4 | 2009-09-16 | GREEN BRUCE M; HENRY HALDANE S |
| 19 | LITHOGRAPHIC APPARATUS AND EXPOSURE METHOD | EP15722714.1 | 2015-05-13 | EP3155483A1 | 2017-04-19 | KRAMER, Pieter, Jacob; GILIJAMSE, Rogier; LAMMERS, Niels; SLOTBOOM, Daan, Maurits |
| A method including determining a position of a first pattern in each of a plurality of target portions on a substrate, based on a fitted mathematical model, wherein the first pattern includes at least one alignment mark, wherein the mathematical model is fitted to a plurality of alignment mark displacements (dx, dy) for the alignment marks in the target portions, and wherein the alignment mark displacements are a difference between a respective nominal position of the alignment mark and measured position of the alignment mark; and transferring a second pattern onto each of the target portions, using the determined position of the first pattern in each of the plurality of target portions, wherein the mathematical model includes polynomials Z1 and Z2: Z1=r2 cos(2θ) and Z2=r2 sin(2θ) in polar coordinates (r, θ) or Z1=x2−y2 and Z2=xy in Cartesian coordinates (x, y). | ||||||
| 20 | IMPRINT APPARATUS, MOLD, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE | EP13761347.7 | 2013-02-13 | EP2826060A1 | 2015-01-21 | SHIODE, Yoshihiro |
| The present invention provides an imprint apparatus which transfers a pattern onto a substrate by using a mold including a first surface with a pattern region where an unevenness pattern is formed, and a second surface opposite to the first surface, the mold including a first pattern group formed between the second surface and a surface of a convex portion in the unevenness pattern, or on the second surface, the apparatus comprising a second pattern group, a detection unit configured to detect a mark group formed by light having passed through the first pattern group and the second pattern group, and a calculation unit configured to calculate a position deviation between the first pattern group and the second pattern group from the mark group detected by the detection unit. | ||||||
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