| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 面位置检测装置、曝光装置及曝光方法 | CN201510583526.1 | 2006-06-28 | CN105204302A | 2015-12-30 | 日高康弘; 长山匡 |
| 本发明提供一种面位置检测装置，其可以在实质上不受在穿过了反射面的光束中产生的偏光成分所致的相对的位置错移等的影响，高精度地检测出受检面的面位置。投射系统具备具有第一反射面(7b、7c)的投射侧棱镜构件(7)。受光系统具备具有与投射侧棱镜构件对应地配置的第二反射面(8b、8c)的受光侧棱镜构件(8)。还具备用于补偿穿过了第一反射面及第二反射面的光束的偏光成分所致的相对的位置错移的位置错移补偿构件。 | ||||||
| 2 | 压印装置以及物品的制造方法 | CN201410327893.0 | 2014-07-10 | CN104281003A | 2015-01-14 | 篠田健一郎 |
| 本发明提供一种压印装置以及物品的制造方法，所述压印装置通过使用模具将图案形成在基板上的压印材料上，所述压印装置包括：第一光学元件，其被置于照明光学系统和检测光学系统与模具之间，并且被构造为将来自所述照明光学系统的第一光和来自所述检测光学系统的第二光引导到所述模具；以及第二光学元件，其被置于所述第一光学元件与所述检测光学系统之间，并且被构造为透射由形成在所述模具上的标记或形成在所述基板上的标记反射、通过所述第一光学元件向所述检测光学系统行进的所述第二光，并遮断通过所述第一光学元件向所述检测光学系统行进的所述第一光。 | ||||||
| 3 | 位置检测装置、曝光装置及曝光方法 | CN201310662906.5 | 2006-06-28 | CN103728849A | 2014-04-16 | 日高康弘; 长山匡 |
| 本发明提供一种位置检测装置，具备从相对于受检面倾斜方向向受检面上投射光束的投射系统、接收由受检面反射的光束的受光系统，及基于利用受光系统的光束的受光结果，检测出关于与上述受检面交差的方向的受检面的位置的检测部。该位置检测装置还包括：配置在投射系统的光路，将光束反射的投射侧反射面；及配置在投射系统的光路中投射侧反射面的射出侧的光路，将在投射侧反射面反射的光束非偏光化的投射侧偏光消除元件。投射系统通过投射侧偏光消除元件将光束投射到受检面。 | ||||||
| 4 | 利用光学三角测量法的光学测量装置 | CN200680008771.9 | 2006-03-17 | CN100524042C | 2009-08-05 | 让-吕克·米什兰 |
| 本发明涉及光学三角测量装置，其用于测量相对于且垂直于平面参考面(L)的待测面(W)的距离(d)和倾斜。本发明装置包括：装置(8)，其用于沿着相同的路径交替地发射两条不同波长的光束(FL，FW)；分束器装置(9)；分光器(11)，其用于将交替分裂的光束导向表面(L)和(W)，光束经其反射(FL，FW)以使彼此会聚；光束组合器(12)，其收集两组反射光束并将其沿着同一个光学输出路径引导；包括光导发光传感器(15)装置(14)，光导发光传感器按与多光束相关的方式放置以交替地接收两个光图像(16L，16W)，并且传输(20)代表上述两个光图像每个能量质心位置的信号；装置(17，18)，其用于在两条交替发射的光束和光导发光传感器上的两个光图像之间同步时间；装置(17)，其用于处理来自光导发光传感器的信号以使提供关于被测面(W)位置和倾斜的信息。 | ||||||
| 5 | 光刻装置及器件制造方法 | CN200410008010.6 | 2004-03-05 | CN100520581C | 2009-07-29 | R·F·M·肯德里克斯; E·伦德林克; R·蒙肖维; A·M·范德里; G·W·特胡夫特 |
| 一种光刻投影装置，包括：-辐射系统，用于产生辐射的投射光束；-支撑结构，用于支撑构图部件，该构图部件用于根据理想的图案而对投射光束构图；-基底台，用于固定基底；-投射系统，用于将带图案的光束投射到基底的靶部上，以及-偏轴对准系统，包括辐射源，该辐射源照射可用于对准的至少一个标记，该标记位于固定在所述基底台的基底上，辐射源包括用于产生具有高亮度和相对较窄的第一波长谱的激光或类似激光射线的第一装置，以及用于引导射线并且产生基本上在该射线波长范围内具有第二波长谱的光的第二装置，其中第二波长谱基本上比第一波长谱宽。 | ||||||
| 6 | 面位置检测装置、曝光装置以及元件制造方法 | CN200680042262.8 | 2006-11-14 | CN101305259A | 2008-11-12 | 日高康弘 |
| 本发明提供一种面位置检测装置，可抑制棱镜构件的内面反射面所全反射的光束所产生的藉由偏光成分而引起的相对性的位置偏移对被检面的面位置的检测所造成的影响，并且可高精度地检测被检面的面位置。投射系统以及受光系统之中的至少一者包括全反射棱镜构件(7；8)，该全反射棱镜构件(7；8)具有用以使入射光束全反射的内面反射面(7b、7c；8b、8c)。为了抑制于全反射棱镜构件的内面反射面所全反射的光束的藉由偏光成分而引起的相对性的位置偏移对被检面(Wa)的面位置的检测所造成的影响，而设定形成全反射棱镜构件的光学材料的折射率与相对于全反射棱镜构件的内面反射面的入射光束的入射角满足规定关系。 | ||||||
| 7 | 面位置检测装置、曝光装置及曝光方法 | CN200680024570.8 | 2006-06-28 | CN101218482A | 2008-07-09 | 日高康弘; 长山匡 |
| 本发明提供一种面位置检测装置，其可以在实质上不受在穿过了反射面的光束中产生的偏光成分所致的相对的位置错移等的影响，高精度地检测出受检面的面位置。投射系统具备具有第一反射面(7b、7c)的投射侧棱镜构件(7)。受光系统具备具有与投射侧棱镜构件对应地配置的第二反射面(8b、8c)的受光侧棱镜构件(8)。还具备用于补偿穿过了第一反射面及第二反射面的光束的偏光成分所致的相对的位置错移的位置错移补偿构件。 | ||||||
| 8 | 利用光学三角测量法的光学测量装置 | CN200680008771.9 | 2006-03-17 | CN101142535A | 2008-03-12 | 让-吕克·米什兰 |
| 本发明涉及光学三角测量装置，其用于测量相对于且垂直于平面参考面(L)的待测面(W)的距离(d)和倾斜。本发明装置包括：装置(8)，其用于沿着相同的路径交替地发射两条不同波长的光束(FL，FW)；分束器装置(9)；分光器(11)，其用于将交替分裂的光束导向表面(L)和(W)，光束经其反射(FL，FW)以使彼此会聚；光束组合器(12)，其收集两组反射光束并将其沿着同一个光学输出路径引导；包括光导发光传感器(15)装置(14)，光导发光传感器按与多光束相关的方式放置以交替地接收两个光图像(16L，16W)，并且传输(20)代表上述两个光图像每个能量质心位置的信号；装置(17，18)，其用于在两条交替发射的光束和光导发光传感器上的两个光图像之间同步时间；装置(17)，其用于处理来自光导发光传感器的信号以使提供关于被测面(W)位置和倾斜的信息。 | ||||||
| 9 | 半导体装置的制造方法 | CN200610063946.8 | 2006-09-29 | CN1983510A | 2007-06-20 | 石桥健夫 |
| 在衬底(1)的主表面上形成绝缘膜(7)。在绝缘膜(7)上形成导电膜(8)，在该导电膜(8)上形成下层抗蚀剂膜(9)、中间层(10)、防反射膜(11)和上层抗蚀剂膜。通过检测该上层抗蚀剂膜的高度来检测曝光时的焦点位置。在检测曝光时的焦点位置之际，使焦点检测光照射到上层抗蚀剂膜。在检测了焦点位置以后，使上层抗蚀剂膜曝光、显影，形成抗蚀剂图形(12a)。以抗蚀剂图形(12a)为掩模，将中间层(10)和防反射膜(11)制成图形，使下层抗蚀剂膜(9)显影。以这些图形为掩模对导电膜(8)进行蚀刻，形成栅电极。 | ||||||
| 10 | 面位置检测装置、曝光装置及曝光方法 | CN200680024570.8 | 2006-06-28 | CN101218482B | 2015-10-21 | 日高康弘; 长山匡 |
| 本发明提供一种面位置检测装置，其可以在实质上不受在穿过了反射面的光束中产生的偏光成分所致的相对的位置错移等的影响，高精度地检测出受检面的面位置。投射系统具备具有第一反射面(7b、7c)的投射侧棱镜构件(7)。受光系统具备具有与投射侧棱镜构件对应地配置的第二反射面(8b、8c)的受光侧棱镜构件(8)。还具备用于补偿穿过了第一反射面及第二反射面的光束的偏光成分所致的相对的位置错移的位置错移补偿构件。 | ||||||
| 11 | 用于形成具有粗糙表面的发光二极管的光学对准方法 | CN201010567087.2 | 2010-11-30 | CN102087479B | 2014-09-17 | R·赫西赫; W·弗拉克; K·盖延; A·M·霍利鲁克 |
| 用于形成具有粗糙表面的发光二极管的光学对准方法。一种当用光刻制造发光二极管LED时对准晶片的方法。该方法包含在晶片上形成至少一个具有均方根RMS表面粗糙度σS的变粗糙的对准标记。该变粗糙的对准标记是由于进行等离子蚀刻使晶片对准标记驻留在其上的LED表面变粗糙而形成的。该方法还包含以具有波长λA的对准光使该至少一个变粗糙的晶片对准标记成像，该波长λA是在从约2σS到8σS的范围内。该方法还包含把检测的像与对准参考进行比较以建立晶片对准。一旦晶片对准被建立，p接触和n接触能够被形成在LED上表面上它们的适当位置中。 | ||||||
| 12 | 可调谐波长的照射系统 | CN201010158552.7 | 2010-04-07 | CN101893825B | 2013-04-17 | A·J·登勃夫; H·西韦尔; K·W·安德列森; E·W·小埃伯特; S·K·辛格 |
| 本发明公开了一种可调谐波长的照射系统和一种光刻设备，所述光刻设备具有对准系统，该对准系统包括辐射源，所述辐射源被配置以将窄带辐射转换成连续的平坦的宽带辐射。声学可调谐的窄通带滤光片将所述宽带辐射滤光成窄带线性偏振辐射。所述窄带辐射可以被聚焦到所述晶片的对准目标上，以便能够对准所述晶片。在实施例中，滤光片被配置以调制由所述辐射源产生的辐射的强度和波长且被配置以具有多个同时的通带。辐射源产生具有高的空间相干性和低的时间相干性的辐射。 | ||||||
| 13 | 检验设备、光刻设备、光刻处理单元以及检验方法 | CN201010116824.7 | 2010-02-09 | CN101819384B | 2013-04-17 | H·A·J·克瑞姆; A·G·M·基尔斯; H·P·M·派勒曼斯 |
| 本发明提供一种检验设备、光刻设备、光刻处理单元以及检验方法。对于角度分解光谱测量，使用具有四个扇形的照射轮廓的辐射束。第一和第三扇形被照射，而第二和第四扇形没有被照射。因此，最终的光瞳面被分成四个扇形，并且仅零级衍射图案出现在第一和第三扇形中，而仅第一级衍射图案出现在第二和第三扇形中。 | ||||||
| 14 | 检测标记的设备和方法以及半导体器件加工系统 | CN201110300891.9 | 2011-09-29 | CN103035547A | 2013-04-10 | 伍强 |
| 本发明公开了一种用于检测标记的设备和方法以及半导体器件加工系统。为了解决现有技术中的对半导体器件上的层的标记的检测准确性低的问题，本发明利用X射线发射器和X射线检测器来对支撑部件上的半导体器件的层所包含的标记进行成像。根据本发明，由于使用X射线，即使标记被对于可见光不透明的多个层覆盖，也能够对所述标记进行清晰的成像。 | ||||||
| 15 | 位置检测装置、曝光装置以及元件制造方法 | CN201210150196.3 | 2006-11-14 | CN102722093A | 2012-10-10 | 日高康弘 |
| 本发明提供一种面位置检测装置，可抑制棱镜构件的内面反射面所全反射的光束所产生的藉由偏光成分而引起的相对性的位置偏移对被检面的面位置的检测所造成的影响，并且可高精度地检测被检面的面位置。投射系统以及受光系统之中的至少一者包括全反射棱镜构件(7；8)，该全反射棱镜构件(7；8)具有用以使入射光束全反射的内面反射面(7b、7c；8b、8c)。为了抑制在全反射棱镜构件的内面反射面所全反射的光束的藉由偏光成分而引起的相对性的位置偏移对被检面(Wa)的面位置的检测所造成的影响，而设定形成全反射棱镜构件的光学材料的折射率与相对于全反射棱镜构件的内面反射面的入射光束的入射角满足规定关系。 | ||||||
| 16 | 重叠测量的方法、光刻设备、检查设备、处理设备和光刻处理单元 | CN201080026875.9 | 2010-06-03 | CN102460310A | 2012-05-16 | A·邓鲍夫 |
| 为了改善重叠测量，通过使用散射术由对准传感器在光刻设备中测量衬底上的产品标识光栅。之后，关于产品标识光栅的横向轮廓的信息，诸如其不对称性，由所述测量确定。在将重叠标识光栅印刷到抗蚀剂膜上之后，重叠标识光栅相对于产品标识光栅的横向重叠被通过散射术和利用已确定的不对称性信息结合适合的过程模型进行测量。可以将对准传感器数据用于首先重新构建产品光栅，该信息被前馈至散射仪，其测量产品和抗蚀剂光栅的叠层，由该叠层散射的光被用于重新构建叠层的模型，以计算重叠。所述重叠之后可以可选地被反馈至光刻设备，用于校正重叠误差。 | ||||||
| 17 | 用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法 | CN201010190488.0 | 2010-05-26 | CN101900938A | 2010-12-01 | M·A·多特柴沃; M·杜萨; R·J·F·范哈恩; H·西韦尔; R·W·范德赫杰登 |
| 本发明公开了一种用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法。在所述方法中，包括至少一个对准标记的第一抗蚀剂层形成在衬底上。在对第一抗蚀剂层进行显影之后，第二抗蚀剂层沉积到第一抗蚀剂层上，从而产生平坦的顶表面(即没有拓扑)。通过适当地焙烤第二抗蚀剂层，对称的对准标记形成在第二抗蚀剂层中，且与第一抗蚀剂中的对准标记有小的偏置误差或没有偏置误差。可以通过适当地调整所述第一和第二抗蚀剂层的各自的厚度、涂覆工艺参数和焙烤工艺参数来改善第二抗蚀剂中形成的对准标记的对称性。 | ||||||
| 18 | 用于光刻设备的水平传感器布置和器件制造方法 | CN201010136056.1 | 2010-03-12 | CN101840166A | 2010-09-22 | A·J·登鲍埃夫; J·P·H·本斯库普; R·布林克霍夫; L·J·曼彻特 |
| 本发明提供一种用于光刻设备的水平传感器布置和器件制造方法。具体地，本发明提供一种用于测量光刻设备中衬底的表面的高度的水平传感器布置。该水平传感器布置设置有用于向所述衬底发射检测辐射的光源和用于在操作中测量从所述衬底反射的辐射的检测器单元。光源布置成发射在将被用于处理光刻设备中衬底的抗蚀剂所敏感的波长范围内的检测辐射。 | ||||||
| 19 | 检验设备、光刻设备、光刻处理单元以及检验方法 | CN201010116824.7 | 2010-02-09 | CN101819384A | 2010-09-01 | H·A·J·克瑞姆; A·G·M·基尔斯; H·P·M·派勒曼斯 |
| 本发明提供一种检验设备、光刻设备、光刻处理单元以及检验方法。对于角度分解光谱测量，使用具有四个扇形的照射轮廓的辐射束。第一和第三扇形被照射，而第二和第四扇形没有被照射。因此，最终的光瞳面被分成四个扇形，并且仅零级衍射图案出现在第一和第三扇形中，而仅第一级衍射图案出现在第二和第三扇形中。 | ||||||
| 20 | 光学元件、曝光设备和器件制造方法 | CN200610071568.8 | 2006-03-30 | CN1841209A | 2006-10-04 | 山本纯正 |
| 本申请涉及光学元件、曝光设备和器件制造方法。具体地，涉及一种用于具有投影光学系统的曝光设备的光学元件，该投影光学系统被构成为：将被来自光源的极远紫外光照射的原版的图案投影到基片上，使该基片在通过该原版和投影光学系统的光下曝光，所述光学元件用于设置在相对于原版位于光源一侧的第一光路和相对于原版位于基片一侧的第二光路中的一个光路中，该元件包括：薄膜，被构成为透射极远紫外光；以及遮蔽件，它设置在所述薄膜上，并且被构成为遮蔽部分薄膜免受所述极远紫外光照射。 | ||||||
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