| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种APR版固定治具 | CN201611218806.3 | 2016-12-26 | CN106773564A | 2017-05-31 | 李任鹏; 何恭育; 吕承毓 |
| 一种APR版固定治具，包括上固定治具、下固定治具以及固定螺母；其中，APR版设置在上固定治具和下固定治具之间；下固定治具包括下固定板和设置在所述下固定板一侧的凸台，所述下固定板设置有用于贯穿APR版的固定螺柱，所述凸台朝向所述固定螺柱的侧面上设置有多个凹槽；上固定治具包括上固定板，所述上固定板上设有与所述固定螺柱相对应的通孔，在靠近通孔的一侧上设置有多个与所述凹槽相配合的凸块；固定螺母设置在固定螺柱端部。取消螺丝孔，使用固定螺柱与螺母配合的方式，同时取消目视对位，使用机械对位，及凹槽与凸块相配合的方式，提升对位精度；降低固定螺丝磨损。 | ||||||
| 2 | 光刻设备和器件制造方法 | CN201380043945.5 | 2013-08-15 | CN104769500A | 2015-07-08 | H·H·M·考克斯; M·M·G·希伦; P·M·S·M·海杰曼斯; J·J·韦尔滕; J·H·A·范德里杰特; G·K·H·F·格伦; A·凯克劳德 |
| 描述了一种电磁致动器，该致动器包括：线圈组件(350)，包括线圈(355)；磁体组件，包括第一磁体单元和第二磁体单元(360、370)，每个磁体单元包括磁轭(365、375)和被安装至磁轭的多个永磁体(366、376)，第一磁体单元和第二磁体单元形成用于接收线圈组件的磁路，并且在激励线圈时，产生在第一方向上的力；以及保持器(600)，用于保持磁体单元，其中磁体组件相对于线圈组件的重量比小于在力相对于电功率的比被最大化时磁体组件相对于线圈组件的重量比。 | ||||||
| 3 | 光刻设备和器件制造方法 | CN201110048263.6 | 2011-02-25 | CN102193327B | 2013-11-06 | A·J·登鲍埃夫 |
| 本发明公开了一种光刻设备和一种器件制造方法。本发明还提供一种配置成确定衬底的水平高度的水平传感器，包括：投影单元，用以将具有基本上周期性的光强度的测量束投影到衬底上；和检测单元，布置用以接收在衬底上被反射之后的测量束，所述检测单元包括：检测光栅，布置成接收被反射的测量束，其中所述检测光栅包括总长基本上等于投影到检测光栅的所述测量束的周期长度的三个或更多个分段部分，其中所述三个或更多个分段部分配置成将被反射的测量束分成三个或更多个反射测量束部分，和三个或更多个检测器，每一个布置用以接收所述三个或更多个测量束部分中的一个，和处理单元，用以基于由三个或更多个检测器接收的所述测量束部分计算水平高度。 | ||||||
| 4 | 用于光刻图案化的系统和方法 | CN201210380843.X | 2012-10-09 | CN103293869A | 2013-09-11 | 陈立锐; 梁辅杰; 吴雪鸿 |
| 本发明公开了一种光刻系统。该光刻系统包括：光刻曝光工具，被设计用于对涂布在集成电路衬底上的辐射敏感材料层执行曝光工艺；对准模块，与光刻曝光工具相连接，被设计用于对准测量，并且被配置用于将集成电路衬底传送至光刻曝光工具；以及对准校准模块，被设计成相对于光刻曝光校准对准模块。本发明还提供了一种用于光刻图案化的系统和方法。 | ||||||
| 5 | 控制系统、光刻投影设备和控制方法 | CN200810128668.9 | 2008-06-23 | CN101364049B | 2012-05-30 | 埃瑞克·鲁埃劳夫·鲁普斯卓; 恩盖尔伯塔斯·安东尼斯·弗朗西斯克斯·范德帕什; 马克·威廉姆斯·玛丽亚·范德威基斯特; 埃米尔·约泽夫·梅勒妮·尤森; 威廉姆·荷尔曼·格特鲁塔·安娜 |
| 本发明公开了一种控制系统、光刻投影设备、控制方法和计算机程序产品，其中所述控制系统包括：设置用于测量由支撑结构所支撑的衬底的位置的第一测量系统，所述位置在第一坐标系中被测量；用于测量支撑结构在第二坐标系中的位置的第二测量系统，第一测量系统具有在第二坐标系中的假定位置；控制器，其配置用于基于第二测量系统的所进行的测量控制支撑结构的位置，用于将衬底的所测量到的位置转换成在第二坐标系中的支撑结构的所转换的位置，用于基于所转换的位置定位支撑结构，用于接收表示第一测量系统在第二坐标系中的假定位置和实际位置之间的差值的位置误差信号，并用于以依赖于所述位置误差信号的方式对支撑结构进行定位。 | ||||||
| 6 | 光刻设备和器件制造方法 | CN201110056943.2 | 2011-03-07 | CN102193329A | 2011-09-21 | W·P·范德兰特 |
| 本发明公开了一种光刻设备和一种器件制造方法。并且披露了一种配置用于测量布置在测量位置中的衬底的水平高度的水平传感器。所述水平传感器包括：投影单元，用以将多个测量束投影到衬底上的多个测量位置上；检测单元，用以接收在衬底上反射之后的测量束；以及处理单元，用以基于由所述检测单元接收的所述被反射的测量束来计算水平高度，其中，所述投影单元和所述检测单元布置成当所述衬底布置在所述测量位置中时邻近所述衬底。 | ||||||
| 7 | 光刻设备及器件制造方法 | CN201380022023.6 | 2013-03-18 | CN104272191B | 2017-06-09 | H·巴特勒; M·范德威吉斯特 |
| 公开了一种光刻设备和器件制造方法。光刻设备包括支撑台(16)以及包括传感器部分(13)和参考部分(12、14)的测量系统(12‑14)，所述测量系统被配置为通过使用所述传感器部分(13)与所述参考部分(12、14)相互作用来确定所述支撑台(16)相对于参考框架(6、8、10)的位置和/或方向或所述支撑台上安装的部件相对于参考框架(6、8、10)的位置和/或方向，其中：所述参考框架(6、8、10)包括N个子框架(6、8)，所述N个子框架耦接在一起以便针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体，并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为N体系统，其中N是大于1的整数。 | ||||||
| 8 | 可操作以对衬底执行测量操作的设备、光刻设备以及对衬底执行测量操作的方法 | CN201480074025.4 | 2014-12-05 | CN105934717A | 2016-09-07 | D·M·斯劳特布姆; P·J·克拉莫尔; M·H·A·里恩德尔斯; B·D·帕尔惠斯 |
| 本发明披露了用于根据一种或更多种晶片对准模型在衬底上执行测量操作的设备和方法。所述一种或更多种晶片对准模型选自多种候选晶片对准模型。所述设备可以是光刻设备，包括外部接口，所述外部接口使得能在所述测量操作之前实现所述晶片对准模型的选择和/或所述晶片对准模型的改变。 | ||||||
| 9 | 计算的过程控制 | CN201210162521.8 | 2012-05-23 | CN102799075A | 2012-11-28 | 叶军; 曹宇; J·P·库门 |
| 本发明涉及计算的过程控制。本发明还提供了在计算过程控制(CPC)领域中的多个创新。CPC通过分析光刻设备/过程的时间漂移在芯片制造循环过程中提供了独特的诊断能力，和提供了有助于实现光刻设备/光刻过程的性能稳定性的方案。本发明的实施例通过保持光刻设备的性能和/或光刻过程的参数实质上接近预先定义的基准线条件而能够实现优化的过程窗口和更高的产率。这通过使用光刻过程模拟模型比较测量的时间漂移与基准线性能来完成。如果在制造中，CPC通过平衡晶片量测技术和反馈回路优化了特定图案或掩模版的扫描器，和除此之外监控和控制在时间上的重叠和/或CD均匀性(CDU)性能，以连续地保持系统接近基准线条件。 | ||||||
| 10 | 对浸没液体为疏溶的入射表面和光学窗 | CN200780011805.4 | 2007-03-28 | CN101416076A | 2009-04-22 | M·R·索加德 |
| 本发明提供用以让光(例如深UV(DUV)光)透射过去的光学窗。示范性光学窗包含可让该光的至少一波长透射过去的窗基板。该窗基板具有装饰有多个次波长粗糙体的入射表面，该粗糙体被排列成让该入射表面对于让该光透射过去的液体是疏溶的。该次波长粗糙体排列可被配置成让该入射表面对于该液体是超疏溶的。该次波长粗糙体可具有任何各种形状及它们的组合，并且可以规则或不规则地排列。 | ||||||
| 11 | 控制系统、光刻投影设备、控制方法和计算机程序产品 | CN200810128668.9 | 2008-06-23 | CN101364049A | 2009-02-11 | 埃瑞克·鲁埃劳夫·鲁普斯卓; 恩盖尔伯塔斯·安东尼斯·弗朗西斯克斯·范德帕什; 马克·威廉姆斯·玛丽亚·范德威基斯特; 埃米尔·约泽夫·梅勒妮·尤森; 威廉姆·荷尔曼·格特鲁塔·安娜 |
| 本发明公开了一种控制系统、光刻投影设备、控制方法和计算机程序产品，其中所述控制系统包括：设置用于测量由支撑结构所支撑的衬底的位置的第一测量系统，所述位置在第一坐标系中被测量；用于测量支撑结构在第二坐标系中的位置的第二测量系统，第一测量系统具有在第二坐标系中的假定位置；控制器，其配置用于基于第二测量系统的所进行的测量控制支撑结构的位置，用于将衬底的所测量到的位置转换成在第二坐标系中的支撑结构的所转换的位置，用于基于所转换的位置定位支撑结构，用于接收表示第一测量系统在第二坐标系中的假定位置和实际位置之间的差值的位置误差信号，并用于以依赖于所述位置误差信号的方式对支撑结构进行定位。 | ||||||
| 12 | 定位台装置 | CN200510004783.1 | 2005-01-26 | CN100390956C | 2008-05-28 | 大石伸司 |
| 提供一种定位台装置，可使安装在可动台本体上的电池小型化或被去除，且不使用电缆非接触地在可动台本体的任意位置或任意定时供给电力。在包括用于提供交流磁场、非接触地得到电力的电接收线圈的定位台装置中，把多个供给电力的送电线圈填埋配置在底座结构体中，且设置有根据台的位置依次切换送电线圈的单元。与送电线圈错开相位在台上配置多个电接收线圈，把交流磁场的频率设定为由送电线圈与电接收线圈之间的互感、和负载确定的谐振频率。 | ||||||
| 13 | 振动检测和振动分析方法与设备及具有该设备的光刻设备 | CN200510104061.3 | 2005-09-14 | CN1749862A | 2006-03-22 | H·V·科克; K·基维特斯; R·范德拉亚克; J·M·库伊珀; G·范德佐; H·P·T·托斯马 |
| 一种通过下述步骤确定振动相关信息的方法：在投影平面的图像位置中投影空间图像；将所述空间图像的强度映射成图像图，所述图像图布置成包括采样位置坐标和在每个采样位置处的采样强度的值；测量通过狭缝图形接收的空间图像的强度，其中所述方法还包括：从所述图像图中确定所述图像图的斜率部分的检测位置；在所述斜率部分的检测位置，测量所述空间图像的暂时强度并且测量所述狭缝图形的相对位置和所述图像位置，所述狭缝图形的相对位置被测量为所述狭缝图形的位置相关数据；以及从所述空间图像的暂时强度中确定所述空间图像的振动相关信息。 | ||||||
| 14 | 定位台装置 | CN200510004783.1 | 2005-01-26 | CN1649121A | 2005-08-03 | 大石伸司 |
| 提供一种定位台装置，可使安装在可动台本体上的电池小型化或被去除，且不使用电缆非接触地在可动台本体的任意位置或任意定时供给电力。在包括用于提供交流磁场、非接触地得到电力的电接收线圈的定位台装置中，把多个供给电力的送电线圈填埋配置在底座结构体中，且设置有根据台的位置依次切换送电线圈的单元。与送电线圈错开相位在台上配置多个电接收线圈，把交流磁场的频率设定为由送电线圈与电接收线圈之间的互感、和负载确定的谐振频率。 | ||||||
| 15 | 阻焊独立对位台框及曝光机 | CN201610590681.0 | 2016-07-26 | CN106054542A | 2016-10-26 | 张方德; 谢桂平 |
| 本发明提供一种阻焊独立对位台框及曝光机，该台框包括上台框和下台框，上台框和所述下台框的后端相互铰接而前端可开闭，所述下台框两相对侧设有开启机构，下台框底部设置固定支架，且该固定支架与下台框联动配合，下台框中间设有托盘，托盘相对下台框构成X向、Y向位移配合，且托盘与下台框之间通过密封件密封配合，托盘下方设置用于驱使托盘沿X向或Y向移动或角度偏转的位移驱动装置，位移驱动装置的底部固定设置在固定支架上，托盘前端底部设置用于带动曝光基板进行位置偏移调整的伸缩PIN钉，所述上台框和下台框设有抽真空结构，本发明可以独立调整线路板的位置，能够保证各个台框的线路板调整精度，提高曝光机的曝光精度。 | ||||||
| 16 | 用于光刻图案化的系统和方法 | CN201210380843.X | 2012-10-09 | CN103293869B | 2016-08-03 | 陈立锐; 梁辅杰; 吴雪鸿 |
| 本发明公开了一种光刻系统。该光刻系统包括：光刻曝光工具，被设计用于对涂布在集成电路衬底上的辐射敏感材料层执行曝光工艺；对准模块，与光刻曝光工具相连接，被设计用于对准测量，并且被配置用于将集成电路衬底传送至光刻曝光工具；以及对准校准模块，被设计成相对于光刻曝光校准对准模块。本发明还提供了一种用于光刻图案化的系统和方法。 | ||||||
| 17 | 光刻设备及器件制造方法 | CN201380022023.6 | 2013-03-18 | CN104272191A | 2015-01-07 | H·巴特勒; M·范德威吉斯特 |
| 公开了一种光刻设备和器件制造方法。光刻设备包括支撑台(16)以及包括传感器部分(13)和参考部分(12、14)的测量系统(12-14)，所述测量系统被配置为通过使用所述传感器部分(13)与所述参考部分(12、14)相互作用来确定所述支撑台(16)相对于参考框架(6、8、10)的位置和/或方向或所述支撑台上安装的部件相对于参考框架(6、8、10)的位置和/或方向，其中：所述参考框架(6、8、10)包括N个子框架(6、8)，所述N个子框架耦接在一起以便针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体，并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为N体系统，其中N是大于1的整数。 | ||||||
| 18 | 控制光刻过程的方法 | CN201210162521.8 | 2012-05-23 | CN102799075B | 2014-10-22 | 叶军; 曹宇; J·P·库门 |
| 本发明涉及计算的过程控制。本发明还提供了在计算过程控制(CPC)领域中的多个创新。CPC通过分析光刻设备/过程的时间漂移在芯片制造循环过程中提供了独特的诊断能力，和提供了有助于实现光刻设备/光刻过程的性能稳定性的方案。本发明的实施例通过保持光刻设备的性能和/或光刻过程的参数实质上接近预先定义的基准线条件而能够实现优化的过程窗口和更高的产率。这通过使用光刻过程模拟模型比较测量的时间漂移与基准线性能来完成。如果在制造中，CPC通过平衡晶片量测技术和反馈回路优化了特定图案或掩模版的扫描器，和除此之外监控和控制在时间上的重叠和/或CD均匀性(CDU)性能，以连续地保持系统接近基准线条件。 | ||||||
| 19 | 光刻设备和器件制造方法 | CN201110056943.2 | 2011-03-07 | CN102193329B | 2014-09-17 | W·P·范德兰特 |
| 本发明公开了一种光刻设备和一种器件制造方法。并且披露了一种配置用于测量布置在测量位置中的衬底的水平高度的水平传感器。所述水平传感器包括：投影单元，用以将多个测量束投影到衬底上的多个测量位置上；检测单元，用以接收在衬底上反射之后的测量束；以及处理单元，用以基于由所述检测单元接收的所述被反射的测量束来计算水平高度，其中，所述投影单元和所述检测单元布置成当所述衬底布置在所述测量位置中时邻近所述衬底。 | ||||||
| 20 | 浸液曝光装置用涂布材料组合物、叠层体、叠层体的形成方法以及浸液曝光装置 | CN201080038908.1 | 2010-09-01 | CN102549714A | 2012-07-04 | 武部洋子; 横小路修 |
| 本发明涉及浸液曝光装置用涂布材料组合物，用于在照射曝光光束并经由液体将基材曝光的浸液曝光装置的构件表面形成斥液层，其含有在主链上具有重复单元的含氟聚合物，所述重复单元具有在环结构内包含彼此不相邻的2个或3个醚性氧原子的含氟脂肪族环结构。 | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈