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| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 光学膜、光学膜用树脂材料和图像显示装置 | CN201280058964.0 | 2012-09-25 | CN104011097A | 2014-08-27 | 小池康博; 多加谷明广; 松尾彰; 内泽咲耶子; 松村泰男 |
| 光学膜，其由树脂材料制成，该树脂材料含有甲基丙烯酸甲酯20～90质量％、下述式(1)所示的甲基丙烯酸叔丁基环己酯10～70质量％以及上述甲基丙烯酸甲酯和上述甲基丙烯酸叔丁基环己酯以外的单体0～20质量％的共聚物，将上述树脂材料熔融挤出成型的未拉伸膜以面积比计拉伸到1.4～6.0倍而成。 | ||||||
| 42 | 阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板 | CN201310739628.9 | 2013-12-27 | CN103744235A | 2014-04-23 | 曾志远; 连水池; 罗长诚 |
| 本发明提供一种阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板，所述阵列基板包括：玻璃基板（20）、形成于玻璃基板（20）上的栅极（22）、形成于栅极（22）上的栅极绝缘层（23）、形成于栅极绝缘层（23）上的源/漏极（24）、形成于源/漏极（24）与栅极绝缘层（23）上的氧化物半导体层（25）、形成于氧化物半导体层（25）、源/漏极（24）与栅极绝缘层（23）上的保护层（26）、形成于保护层（26）上的彩膜滤光片（27）、形成于彩膜滤光片（27）与保护层（26）上的平坦化层（28）及形成于平坦化层（28）上的像素电极（29），所述像素电极（29）电性连接于所述源/漏极（24），且该像素电极（29）线状排布，并围成一以“十”字结构为中心的发射状结构。 | ||||||
| 43 | 阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板 | CN201310739586.9 | 2013-12-27 | CN103744224A | 2014-04-23 | 曾志远; 连水池; 罗长诚 |
| 本发明提供一种阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板，该阵列基板包括玻璃基板（20）、形成于玻璃基板（20）上的源/漏极（22）、形成于玻璃基板（20）与源/漏极（22）上的氧化物半导体层（23）、形成于玻璃基板（20）、源/漏极（22）与氧化物半导体层（23）上的栅极绝缘层（24）、形成于栅极绝缘层（24）上的栅极（25）、形成于栅极绝缘层（24）与栅极（25）上的保护层（26）、形成于保护层（26）上的彩膜滤光片（27）、形成于保护层（26）与彩膜滤光片（27）上的平坦化层（28）及形成于平坦化层（28）上的像素电极（29），该像素电极（29）电性连接于所述源/漏极（22），该像素电极（29）线状排布，并围成以“十”字结构为中心的发射状结构。 | ||||||
| 44 | 像素结构及其制作方法 | CN201110052295.3 | 2011-03-02 | CN102176098B | 2013-06-12 | 林武雄; 陈勃学; 陈信学; 沈光仁; 叶家宏 |
| 本发明公开了一种像素结构及其制造方法，选择在形成主动层时以相同的材质来制作储存电容的电极，其中材质可采用具有良好透光率的氧化半导体，如此除了可通过储存电容来维持像素结构显示画面的稳定性，又能够兼顾良好的开口率，甚至进一步降低能源的耗费。 | ||||||
| 45 | 半导体元件、半导体元件的制造方法、有源矩阵基板及显示装置 | CN201180019812.5 | 2011-01-26 | CN102859702A | 2013-01-02 | 松木园广志 |
| 半导体元件包括：形成有沟道部的氧化物半导体膜；和与沟道部相对配置的栅极部。而且，在氧化物半导体膜形成有：氧化物半导体膜被低电阻化处理而形成的漏极部；和设置于漏极部与沟道部之间且不被低电阻化处理的中间区域，半导体元件还包括在至少一部分遮蔽对中间区域的低电阻化处理的导电性膜。 | ||||||
| 46 | 显示单元、显示器与其制造方法 | CN201180013581.7 | 2011-01-11 | CN102859432A | 2013-01-02 | 陈照勗; 梁荣昌; 蔡明玮 |
| 一种电泳显示器，包括多个像素，每个像素有一单元区域，包括多个带电颜料粒子(43)，这些带电颜料粒子散布于两个相对电极(411、421)之间，及一半导体保护层(45)被提供在该两相对电极(411、421)的一个电极或两个电极上。半导体保护层可由MOx/y、MSx/y、或MNx/y组成，其中M为一金属或半导体，例如：铝、锡、锌、硅、锗、镍、钛、或镉；x为一正整数，而y为一非零的正整数。半导体保护层可具有掺杂硅、ZnOx/y、ZnSx/y、CdSx/y、TiOx/y、或III-V型半导体材料。半导体保护层可被一可为n-型供质(donor)或p-型受质(acceptor)的掺质所掺杂；n-型供质(donor)为氮、磷、砷、或氟，p-型受质(acceptor)为硼、铝、镓、铟、铍、镁、或钙。 | ||||||
| 47 | 液晶显示装置 | CN201180010369.5 | 2011-02-02 | CN102754022A | 2012-10-24 | 今藤敏和; 小山润; 山崎舜平 |
| 本发明的目的之一是降低液晶显示装置中包括的信号线的寄生电容。使用包括氧化物半导体层的晶体管，作为设置在各像素（100）中的晶体管（105）。注意，该氧化物半导体层是通过彻底去除变成电子给体（供体）的杂质（氢或水等）得到高纯度化的氧化物半导体层。由此，可以降低晶体管（105）处于截止状态时的泄漏电流（截止状态电流）的量。因此，可以保持施加到液晶元件的电压而在各像素中不设置电容器。另外，与此附随可以去除延伸到液晶显示装置的像素部的电容器布线。由此，可以去除信号线（103）与电容器布线彼此立体交叉的区域中的寄生电容。 | ||||||
| 48 | 电场感应元件及其制造方法和使用该电场感应元件的显示装置 | CN200680056292.4 | 2006-11-02 | CN101535885B | 2012-03-28 | 中泽明 |
| 电场感应元件(1)包括：光学功能层(5)，该光学功能层包括金属氧化物和覆盖所述金属氧化物的绝缘体，并可见光透过率的值由于电场的施加而发生变化，所述金属氧化物是从由二氧化锡、二氧化钛、以及氧化锌组成的组中选出的；以及夹持所述光学功能层(5)的第一和第二电极层(7、9)。 | ||||||
| 49 | 半导体装置及其制造方法 | CN201010107913.5 | 2010-01-28 | CN101794822A | 2010-08-04 | 山崎舜平; 坂田淳一郎; 岸田英幸 |
| 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。根据本发明，当形成薄膜晶体管时，使用氧化物半导体层，并且在该氧化物半导体层和栅绝缘层之间形成包含电导率比该氧化物半导体层的电导率高的钛化合物的簇。 | ||||||
| 50 | 液晶显示器及其制造方法 | CN200710111836.9 | 2007-06-15 | CN100580535C | 2010-01-13 | 尹柱善 |
| 本发明提供一种显示装置，包括：薄膜晶体管(TFT)基板、面对TFT基板的对基板、密封剂、及置于TFT基板和对基板之间的液晶层。所述TFT基板包括：基板，具有显示区域和周边区域；第一TFT，形成在所述周边区域中并包括半导体层和形成在所述半导体层上的电阻接触构件；光阻挡半导体图案；第二TFT，形成在所述显示区域中并包括栅极电极。密封剂将所述TFT基板耦接到所述对基板并覆盖所述第一TFT。 | ||||||
| 51 | 平板显示器 | CN200610141684.2 | 2006-10-09 | CN100483239C | 2009-04-29 | 宋根圭; 李容旭 |
| 本发明公开了一种平板显示器，其包括：多条栅极线；多条数据线，与该栅线绝缘，其中各自的数据线与各自的栅极线相交以界定像素；和多个TFT，包含有机半导体层，并且设置在该像素中，其中各个该多个TFT设置在沿该栅极线的方向上相邻于其他的该多个TFTs，其中在沿该栅极线的方向上的相邻TFT之间的距离大于在沿该栅极线的方向上的该像素的宽度。因此，本发明提供具有均匀TFT特性的平板显示器。 | ||||||
| 52 | 自由载流子的稳态非平衡分布和使用其的光子能量向上转换 | CN200480016337.6 | 2004-06-10 | CN1806343A | 2006-07-19 | 瓦莱丽·加伯; 伊曼纽尔·巴斯金; 亚历山大·爱泼斯坦; 亚历山大·法耶尔; 鲍里斯·斯佩克托尔 |
| 适用于使用介观标准约束(mesoscopic classicalconfinement)形成自由载流子的一稳态非平衡分布的方法和特定媒介。特定媒介为硅基(例如，晶体硅、非晶硅、二氧化硅)并由埋置在一诸如二氧化硅的宽能带隙材料基质中的介观尺寸粒子形成。围绕前述内容建构一IR(红外线辐射)到可见光成像系统(60、61、62、63)。 | ||||||
| 53 | 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置 | CN201610440115.1 | 2016-06-17 | CN105957834A | 2016-09-21 | 邹志翔; 杨成绍; 宋博韬; 黄寅虎 |
| 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置，该薄膜晶体管阵列基板的制备方法包括：在衬底基板上形成有机膜层；对所述有机膜层进行表面处理以去除有机物残渣；在对所述有机膜层进行表面处理后的所述衬底基板上形成钝化层。在该薄膜晶体管阵列基板的制备过程中可通过去除形成有机膜层时引入的有机物残渣来改善薄膜晶体管阵列基板的表面环境，从而改善产品的鼓包问题、改善封框胶与薄膜晶体管阵列基板之间的粘结力减弱的问题、改善膜层结合困难的问题，使产品的PCT检测通过,并显著提升产品良率和信赖性。 | ||||||
| 54 | 半导体装置、显示装置和半导体装置的制造方法 | CN201280056837.7 | 2012-11-15 | CN103946742B | 2016-08-31 | 中田幸伸; 藤田哲生; 原义仁 |
| 半导体装置(100)具备：薄膜晶体管(101)；包含第一绝缘层(12)的层间绝缘层(14)；形成在层间绝缘层上，具有第一开口部(15p)的第一透明导电层(15)；覆盖第一透明导电层的第一开口部侧的侧面的电介质层(17)；和隔着电介质层与第一透明导电层的至少一部分重叠的第二透明导电层(19a)，电介质层具有第二开口部(17p)，第一绝缘层具有第三开口部(12p)，层间绝缘层和电介质层具有第一接触孔(CH1)，第一接触孔的侧壁包括第二开口部(17p)的侧面和第三开口部(12p)的侧面，第三开口部的侧面的至少一部分与第二开口部的侧面对齐，第二透明导电层在第一接触孔内与漏极电极接触地形成接触部(105)，当从基板的法线方向看时，接触部的至少一部分与栅极配线层重叠。 | ||||||
| 55 | 阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板 | CN201310739608.1 | 2013-12-27 | CN103744225B | 2016-08-17 | 曾志远; 连水池; 罗长诚 |
| 本发明提供一种阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板，该阵列基板包括玻璃基板（20）、形成于玻璃基板（20）上的栅极（22）、形成于栅极（22）上的栅极绝缘层（23）、形成于栅极绝缘层（23）上的氧化物半导体层（24）、形成于氧化物半导体层（24）与栅极绝缘层（23）上的源/漏极（25）、形成于氧化物半导体层（24）、源/漏极（25）与栅极绝缘层（23）上的保护层（26）、形成于保护层（26）上的彩膜滤光片（27）、形成于彩膜滤光片（27）与保护层（26）上的平坦化层（28）及形成于平坦化层（28）上的像素电极（29），所述像素电极（29）电性连接于所述源/漏极（25），且该像素电极（29）线状排布，并围成一以“十”字结构为中心的发射状结构。 | ||||||
| 56 | 拉曼散射光增强设备、拉曼散射光增强设备的制造方法、和使用拉曼散射光增强设备的拉曼激光光源 | CN201380005075.2 | 2013-03-08 | CN104040419B | 2016-05-18 | 高桥和; 乾善贵; 浅野卓; 野田进; 千原贤大 |
| 本发明提供一种拉曼散射光增强设备。在半导体基板中形成有空孔(20a)的光子结晶(20)中，相对于入射光具备以多个频率具有共振模式的波导，一个共振模式与另一个共振模式的频率差变成与所述半导体基板的拉曼位移频率相等，并且设定所述半导体基板的结晶方位面中的所述波导的形成方向，以使得通过所述两个共振模式的电磁场分布和所述半导体基板的拉曼张量来表达的拉曼跃迁概率成为最大。 | ||||||
| 57 | 一种防窥显示器 | CN201410032401.5 | 2014-01-23 | CN103792703B | 2016-04-06 | 秦纬; 于静 |
| 本发明实施例公开了一种防窥显示器，涉及显示领域，该显示器具有比较小的显示视角，在为正面观看的使用者提供显示图像的同时，防止侧视角的人进行偷窥，从而可以有效的保护个人隐私以及商业秘密；同时还可将多余的光线转化为电能，从而起到自发电的效果。本发明实施例的一种防窥显示器，显示器的出光侧设置有防窥膜层，防窥膜层呈网格结构，网格结构中的网眼与显示器的像素或亚像素对应设置；防窥膜层包括：P极引线层、P型半导体层、N型半导体层、N极引线层。 | ||||||
| 58 | 显示装置 | CN201510909332.6 | 2015-12-09 | CN105353556A | 2016-02-24 | 胡韬 |
| 本发明提供一种显示装置，包括彩色滤光膜、注入量子点光子晶体膜、及背光模组，所述注入量子点光子晶体膜由光子晶体膜注入量子点后得到，由于光子晶体的引光作用，可以有效提高量子点的发光效率，所述光子晶体膜具有红、绿、蓝光透过区，光子晶体膜的红、绿、蓝光透过区内注入的量子点分别为红、绿、蓝色量子点，当背光源发出的白色混合光到达注入量子点光子晶体膜时，所述光子晶体膜的各光透过区分别只允许透过相应颜色的光，其内的量子点发出相应颜色的光，进一步的这些颜色的光分别从相应颜色的滤光层通过，而其他颜色的光被光子晶体膜反射回去，通过光学膜材的散射和再反射之后，就可以从光子晶体膜的另外两个光透过区通过。 | ||||||
| 59 | 量子点显示装置及其制作方法 | CN201510615542.4 | 2015-09-24 | CN105116604A | 2015-12-02 | 刘国和 |
| 本发明提供一种量子点显示装置及其制作方法。本发明的量子点显示装置，彩色滤光层上具有精细的量子点图形，从而使得显示装置具有较高的解析度、色饱和度及色域，且结构合理，使得其制作工艺简单；本发明的量子点显示装置的制作方法，借由现有彩色滤光片的涂布、曝光、显影等制程将含有表面修饰的红色、绿色量子点树脂组合物制作得到较为精细的量子点图形，进而制得解析度、色饱和度及色域高的量子点显示装置，该方法原料制备及制作工艺简单，材料浪费少，生产成本低，适用于大批量生产。 | ||||||
| 60 | 一种FFS阵列基板的制造方法 | CN201510493112.X | 2015-08-12 | CN105068335A | 2015-11-18 | 葛世民 |
| 本发明提供一种FFS阵列基板的制造方法，包括以下步骤：在玻璃基板上形成栅极与公共电极，所述栅极形成在所述公共电极的一部分上面；在所述栅极与所述公共电极上形成一层栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上沉淀一层透明金属氧化物半导体层并对所述透明金属氧化物半导体层进行一次图案化处理，以形成半导体有源层前体与像素电极前体；对所述半导体有源层前体的没留有光阻层的两端及所述像素电极前体进行离子注入处理以使它们形成透明导体；最后在所述半导体有源层上形成源极与漏极。本发明的制造方法能够减少FFS阵列基板制造所需光罩次数，提高FFS阵列基板的制造效率。 | ||||||
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