子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 自由载流子的稳态非平衡分布、使用其的光子能量向上转换和红外成像系统 | CN200480016337.6 | 2004-06-10 | CN100527445C | 2009-08-12 | 瓦莱丽·加伯; 伊曼纽尔·巴斯金; 亚历山大·爱泼斯坦; 亚历山大·法耶尔; 鲍里斯·斯佩克托尔 |
| 适用于使用介观标准约束(mesoscopic classical confinement)形成自由载流子的一稳态非平衡分布的方法和特定媒介。特定媒介为硅基(例如，晶体硅、非晶硅、二氧化硅)并由埋置在一诸如二氧化硅的宽能带隙材料基质中的介观尺寸粒子形成。围绕前述内容建构一IR(红外线辐射)到可见光成像系统(60、61、62、63)。 | ||||||
| 22 | 液晶显示装置 | CN201710235622.6 | 2017-04-12 | CN107290905A | 2017-10-24 | 金根佑 |
| 本公开提供一种液晶显示装置。该液晶显示装置包括：与第二基板间隔开的第一基板；在第一基板和第二基板之间的液晶层；在第一基板上的栅线、数据线、第一子像素电极和第二子像素电极。显示装置还包括第一开关元件和第二开关元件。第一开关元件连接到栅线、数据线和第一子像素电极。第二开关元件连接到栅线、数据线和第二子像素电极。第二开关元件包括连接到栅线的第一栅电极和不连接到栅线的第二栅电极。 | ||||||
| 23 | 显示装置及其制造方法 | CN201610887343.3 | 2016-10-11 | CN106950762A | 2017-07-14 | 朴崔常; 权成圭; 林泰佑 |
| 本发明提供了一种显示装置及其制造方法。根据示例性实施例的所述显示装置包括：基底，包括显示区域和外围区域；薄膜晶体管，位于基底的显示区域中；第一电极，连接到薄膜晶体管；顶层，位于第一电极上并通过设置在顶层与第一电极之间的微腔与第一电极分隔开；液晶层，位于微腔内部；包封层，位于顶层上；焊盘部，位于基底的外围区域中；以及柱状物，位于基底的外围区域中。 | ||||||
| 24 | 半导体装置 | CN201280047612.5 | 2012-09-20 | CN103843145B | 2017-03-29 | 本田达也; 津吹将志; 野中裕介; 岛津贵志; 山崎舜平 |
| 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。 | ||||||
| 25 | 半导体装置及其制造方法 | CN201380007460.0 | 2013-01-24 | CN104094409B | 2016-11-16 | 宫本忠芳; 伊东一笃; 森重恭; 宫本光伸; 小川康行; 中泽淳; 内田诚一; 松尾拓哉 |
| 半导体装置(100A)包括：基板(1)；在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2)；在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4)；在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。 | ||||||
| 26 | 液晶显示装置 | CN201180010369.5 | 2011-02-02 | CN102754022B | 2016-11-09 | 今藤敏和; 小山润; 山崎舜平 |
| 本发明的目的之一是降低液晶显示装置中包括的信号线的寄生电容。使用包括氧化物半导体层的晶体管，作为设置在各像素（100）中的晶体管（105）。注意，该氧化物半导体层是通过彻底去除变成电子给体（供体）的杂质（氢或水等）得到高纯度化的氧化物半导体层。由此，可以降低晶体管（105）处于截止状态时的泄漏电流（截止状态电流）的量。因此，可以保持施加到液晶元件的电压而在各像素中不设置电容器。另外，与此附随可以去除延伸到液晶显示装置的像素部的电容器布线。由此，可以去除信号线（103）与电容器布线彼此立体交叉的区域中的寄生电容。 | ||||||
| 27 | 集成光子应用的具有电感负载的传输线 | CN201180024639.8 | 2011-05-24 | CN102906632B | 2016-08-17 | A·雷利亚科夫; C·L·朔; W·M·格林; Y·弗拉索夫 |
| 一种传输线（304），包括形成电路径（203）的多个区段以及通过所述区段的连续光学波导（205）。多个分离电感器（102）被形成在相邻区段之间并连接所述相邻区段。所述电感器（102）被形成在集成电路的多个金属层中，以便平衡包含在所述光学波导（205）上形成的所述传输线（304）的光学调制器的电容，由此获得所述传输线的预定特征阻抗。使用延迟锁定回路（305）控制变容器（302）以匹配光学信号和电信号的延迟。可以使用光学波导区段（210）来匹配所述延迟。 | ||||||
| 28 | 背板及用于制造背板支架的模具 | CN201610292369.3 | 2016-05-04 | CN105785611A | 2016-07-20 | 萧宇均; 尹太勇; 唐国富; 李全; 俞刚 |
| 本发明提供一种背板及用于制造背板支架的模具，该模具用于对板料原材进行冲压成型，模具设有长条状的压印成型结构，压印成型结构的两端具有互配的公母成型结构，通过在压印成型结构中的多个预定位置处放置不同长度的原材可形成用于组合成一块背板的多个支架。本发明提供的背板及用于制造背板支架的模具简化了模具结构，简化了背板制造工艺，采用一套模具即可生产出一块背板必需的多个支架，极大地降低了生产成本。 | ||||||
| 29 | 一种阵列基板及液晶显示面板 | CN201610207446.0 | 2016-04-05 | CN105652548A | 2016-06-08 | 王勐 |
| 本发明提供一种阵列基板及液晶显示面板，所述阵列基板包括：依次设置的衬底基板、第一金属层、栅绝缘层、有源层、第二金属层、第一绝缘层、第三金属层；第一金属层包括薄膜晶体管的栅极区；有源层用于形成沟道；所述第二金属层包括所述薄膜晶体管的漏极区和源极区；所述第三金属层包括光照保护区，所述光照保护区与所述沟道的位置相对应。本发明的阵列基板及液晶显示面板，由于在于沟道对应的位置上设置光照保护区，从而避免沟道受到紫外光照射，提高了薄膜晶体管的充电性能。 | ||||||
| 30 | 反射式液晶面板以及显示装置 | CN201510999564.5 | 2015-12-25 | CN105388668A | 2016-03-09 | 程艳 |
| 本发明公开了一种反射式液晶面板，包括相对设置的第一基板和第二基板以及设置在第一基板和第二基板之间的液晶层，所述第一基板上设置有反射层，所述第二基板上设置有偏光片；其中，按照从所述第二基板朝向所述液晶层的方向，所述第二基板和液晶层之间还依次叠层设置有单向波长转换层、量子点薄膜层；其中，所述单向波长转换层由上转换材料制成，用于将入射的环境光转换为蓝光或紫外光再提供给所述量子点薄膜层；所述量子点薄膜层包括阵列设置的能够被激发出不同颜色光的多个发光区域，每一发光区域对应于液晶面板中的一个子像素。本发明还公开了包含如上反射式液晶面板的显示装置。 | ||||||
| 31 | COA型阵列基板的制备方法及COA型阵列基板 | CN201510809106.0 | 2015-11-20 | CN105259683A | 2016-01-20 | 邓炜佳 |
| 本发明提供一种COA型阵列基板的制备方法及COA型阵列基板。本发明的COA型阵列基板的制备方法，利用TFT基板上的像素电极图案、以及壳聚糖的溶解度随pH值变化而改变的性质，使用电化学沉积的方法在TFT基板上形成包括红色滤光层、绿色滤光层、及蓝色滤光层的量子点彩色滤光膜，量子点在成膜前分散在电解液中，成膜前后除电解液的量子点浓度降低外无其他性质变化，补充量子点后电解液仍可继续使用，故可实现量子点的零浪费，与现有的彩色滤光膜的制备方法相比，无需使用高温工序，有效提高了量子点利用率，同时能够节省两到三次光刻工艺，从而降低成本、保护环境。 | ||||||
| 32 | 一种TFT阵列基板及其制作方法 | CN201510627108.8 | 2015-09-28 | CN105226015A | 2016-01-06 | 葛世民 |
| 本发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法，TFT阵列基板通过同一道光罩工艺将第一金属氧化物半导体层蚀刻成第一半导体图案及第二半导体图案后进行掺杂处理，以将第一半导体图案的两端分别处理成间隔设置的第一导体图案和第二导体图案且将第二半导体图案处理成公共电极，并且处理后剩余的第一半导体图案位于底栅电极上方。从而本发明的TFT阵列基板的制作方法能够减少光罩次数，提高生产效率和降低生产成本。 | ||||||
| 33 | COA阵列基板及液晶面板 | CN201510460351.5 | 2015-07-30 | CN104965336A | 2015-10-07 | 祝秀芬 |
| 本发明提供一种COA阵列基板及液晶面板。该COA阵列基板包括基板(1)、设于所述基板(1)正面的TFT(T)、覆盖所述TFT(T)的钝化保护层(6)、设于所述钝化保护层(6)上的像素电极(7)、正对所述TFT(T)设于所述基板(1)背面的黑色矩阵(8)、以及覆盖所述黑色矩阵(8)与基板(1)背面的色阻层(9)；所述像素电极(7)经由贯穿所述钝化保护层(6)的过孔(61)接触所述TFT(T)。相比于现有技术，本发明的COA阵列基板既能够解决传统的阵列基板和彩膜基板对位要求高的问题，提高开口率，又无需在黑色矩阵与色阻层开孔即可实现像素电极与TFT的漏极的连接，易于制作，避免漏光。 | ||||||
| 34 | 半导体光调制装置 | CN201510111864.5 | 2015-03-13 | CN104916769A | 2015-09-16 | 冈田规男; 大谷龙辉 |
| 本发明得到一种能够在较宽的频率区域中充分地改善频率响应特性的半导体光调制装置。半导体光调制元件(1)的一端与基准电位连接。电阻(2)与半导体光调制元件(1)并联连接，其一端与基准电位连接。传输线路(3)的一端与半导体光调制元件(1)的另一端和电阻(2)的另一端连接。传输线路(4)与传输线路(3)串联连接，其一端与传输线路(3)的另一端连接。传输线路(4)具有与电阻(2)相比低的阻抗。传输线路(5)与传输线路(3、4)串联连接，其一端与传输线路(4)的另一端连接。传输线路(5)具有与传输线路(3)相等的阻抗。电阻(6)以及电容(7)串联连接在传输线路(5)和基准电位之间。 | ||||||
| 35 | 一种液晶面板和阵列基板 | CN201510276532.2 | 2015-05-26 | CN104865730A | 2015-08-26 | 杜鹏 |
| 本发明公开了一种液晶面板及阵列基板，所述液晶面板包括阵列基板、彩色滤光片基板和液晶层，阵列基板包括多条扫描线、多条数据线、多个像素单元和遮光层，多个像素单元形成在多条所述扫描线和多条数据线围成的像素区域内，且其包括顶栅型薄膜晶体管和像素电极；遮光层位于所述多条数据线正下方，用于防止所述每条数据线两侧漏光。通过上述方式，本发明能够防止数据线两侧漏光，同时提高遮光层与数据线相对位置的精度，从而进一步为减小遮光层的宽度提供可能，为提高开口率和穿透率提供可能。 | ||||||
| 36 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | CN201510166111.4 | 2015-04-09 | CN104795401A | 2015-07-22 | 徐向阳 |
| 本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板，其包括：在基板(210)上的底栅极(220)和覆盖底栅极(220)的底栅极绝缘层(230)；在底栅极绝缘层(230)上的半导体氧化物层(240)以及覆盖半导体氧化物层(240)且具有第一通孔(252)的刻蚀阻挡层(250)；在刻蚀阻挡层(250)上的通过第一通孔(252)接触半导体氧化物层(240)的漏极(260b)和覆盖漏极(260b)的绝缘保护层(270)；在绝缘保护层(270)、刻蚀阻挡层(250)以及底栅极绝缘层(230)中的第二通孔(272)；在绝缘保护层(270)上的通过第二通孔(272)接触底栅极(220)的顶栅极(280a)。本发明还公开一种该薄膜晶体管阵列基板的制造方法。本发明的薄膜晶体管在光照负偏压的情况下可防止其阈值电压发生漂移。 | ||||||
| 37 | 一种阵列基板及其制作方法和显示面板 | CN201510176672.2 | 2015-04-14 | CN104793416A | 2015-07-22 | 王骁 |
| 本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示面板，涉及显示技术领域，解决了现有的阵列基板的结构中数据线与公共电极层之间的寄生电容过大和图像泛绿的问题，避免出现信号延迟，提高了显示器件的画面的显示质量。该阵列基板包括：形成在衬底基板上的数据线、钝化层和形成在所述钝化层上的公共电极层，还包括：屏蔽电极层和阻挡层，其中：所述屏蔽电极层设置在所述数据线与所述钝化层之间；所述阻挡层设置在所述数据线与所述屏蔽电极层之间；所述屏蔽电极层接地；所述阻挡层的材料为具有绝缘作用的材料。本发明应用于显示面板的制作技术领域中。 | ||||||
| 38 | 光学逻辑门 | CN200880132716.X | 2008-11-24 | CN102317855B | 2015-01-28 | 法比奥·安东尼奥·博维诺; 毛里齐奥·贾尔迪纳; 玛丽亚·克里斯帝娜·拉尔西普莱特; 马尔科·森蒂尼; 亚历山德罗·贝拉蒂尼; 康西塔·西比利亚; 马里奥·贝托洛蒂; 安德里亚纳·帕萨塞奥; 维托里亚纳·塔斯科; 罗伯托·辛戈拉尼 |
| 一种光学逻辑门(1)，具有第二谐波发生器元件(15)，其接收分别具有第一角频率(ω1)和第二角频率(ω2)且分别具有第一偏振(P；S)和第二偏振(P；S)的第一光学输入信号(si1)和第二光学输入信号(si2)，并且其提供具有第三角频率(2ωi，ω1+ω2)和第三偏振(P；S)的第二谐波光学信号(su3)。第三角频率(2ωi，ω1+ω2)等于第一角频率(ω1)和第二角频率(ω2)的和。第三偏振(P；S)是第一偏振(P；S)和第二偏振(P；S)的函数。第二谐波发生器元件(15)包括为具有非空二阶光学张量的材料的第二谐波发生器层。 | ||||||
| 39 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | CN201410498785.X | 2014-09-25 | CN104269414A | 2015-01-07 | 王盛 |
| 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够有效提高存储电容。该阵列基板包括衬底基板和依次位于所述衬底基板上的同层设置的栅线和公共电极、栅极绝缘层、有源层、同层设置的源极和漏极，所述阵列基板还包括像素电极，所述像素电极和所述有源层同层设置。 | ||||||
| 40 | 拉曼散射光增强设备、拉曼散射光增强设备的制造方法、和使用拉曼散射光增强设备的拉曼激光光源 | CN201380005075.2 | 2013-03-08 | CN104040419A | 2014-09-10 | 高桥和; 乾善贵; 浅野卓; 野田进; 千原贤大 |
| 本发明提供一种拉曼散射光增强设备。在半导体基板中形成有空孔(20a)的光子结晶(20)中，相对于入射光具备以多个频率具有共振模式的波导，一个共振模式与另一个共振模式的频率差变成与所述半导体基板的拉曼位移频率相等，并且设定所述半导体基板的结晶方位面中的所述波导的形成方向，以使得通过所述两个共振模式的电磁场分布和所述半导体基板的拉曼张量来表达的拉曼跃迁概率成为最大。 | ||||||
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