子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 61 | 反射式TFT阵列面板及其制备方法和液晶显示器 | CN201510413303.0 | 2015-07-14 | CN104965358A | 2015-10-07 | 徐向阳 |
| 本发明公开一种反射式TFT阵列面板，包括：基板、栅极、栅线、反射电极、反射电极连接线、栅绝缘层、有源层和掺杂半导体层、源极、漏极、数据线、绝缘保护层、透明像素电极，所述反射电极连接线与所述栅线平行，所述数据线与所述栅线、反射电极连接线垂直，且所述栅线、反射电极连接线与相邻两根所述数据线在基板上的投影形成闭合的矩形，所述反射电极位于所形成的矩形内，且所述反射电极为具有反光性的金属。所述反射式TFT阵列面板结构简单，反射面积大。本发明还公开一种制备反射式TFT阵列面板的方法以及液晶显示器。 | ||||||
| 62 | 一种基于马赫-曾德结构的氮化硅波导热光开关阵列芯片及其制作方法 | CN201510298938.0 | 2015-06-03 | CN104849878A | 2015-08-19 | 恽斌峰; 胡国华; 张若虎; 钟嫄; 崔一平 |
| 本发明公开了一种基于马赫-曾德结构的氮化硅波导热光开关阵列芯片及其制作方法，该波导热光开关阵列芯片由多个级联的1×2马赫-曾德型氮化硅波导热光开关单元构成，其中每个1×2马赫-曾德型氮化硅波导热光开关单元包括一根输入光波导、一个1×2分支光波导、一根参考臂光波导、一根干涉臂光波导、一个3dB定向耦合器、两根输出光波导。该氮化硅波导热光开关阵列芯片器件尺寸小、损耗低、加工工艺简单、与半导体CMOS工艺兼容、成本低廉、易于集成，在光通信与片上光互连领域有广泛的应用前景。 | ||||||
| 63 | 半导体装置及其制造方法 | CN201010107913.5 | 2010-01-28 | CN101794822B | 2015-05-27 | 山崎舜平; 坂田淳一郎; 岸田英幸 |
| 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。根据本发明，当形成薄膜晶体管时，使用氧化物半导体层，并且在该氧化物半导体层和栅绝缘层之间形成包含电导率比该氧化物半导体层的电导率高的钛化合物的簇。 | ||||||
| 64 | FFS型薄膜晶体管阵列基板及其制备方法 | CN201510092277.6 | 2015-03-02 | CN104617115A | 2015-05-13 | 刘洋 |
| 本发明公开了一种FFS型薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其中，包括：在基板上采用第一道光罩工艺形成公共电极、栅极以及第一像素电极；采用第二道光罩工艺形成有源层和第二像素电极；其中，有源层和第二像素电极与公共电极、栅极和第一像素电极之间设置栅极绝缘层；采用第三道光罩工艺形成漏极和源极。本发明还公开了一种采用如上方法制备得到的FFS型薄膜晶体管阵列基板。 | ||||||
| 65 | 半导体装置及其制造方法 | CN201380007460.0 | 2013-01-24 | CN104094409A | 2014-10-08 | 宫本忠芳; 伊东一笃; 森重恭; 宫本光伸; 小川康行; 中泽淳; 内田诚一; 松尾拓哉 |
| 半导体装置(100A)包括：基板(1)；在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2)；在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4)；在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。 | ||||||
| 66 | 一种液晶显示面板及其驱动方法、液晶显示器件 | CN201110231599.6 | 2011-08-12 | CN102629052B | 2014-08-06 | 陈东 |
| 本发明公开了一种液晶显示面板及其驱动方法、液晶显示器件，涉及液晶显示领域，用以实现液晶显示面板的内嵌式触摸功能。所述液晶显示面板，包括：阵列基板、彩膜基板以及两基板间的液晶层，所述阵列基板上形成有栅线、数据线以及由栅线和数据线所限定的像素单元；所述彩膜基板的内侧设有内嵌触摸装置，该内嵌触摸装置包括：第一导线和第二导线；其中，所述第一导线和所述第二导线为两层结构，且在两导线的交叠区域设有位于所述第一导线和所述第二导线之间的半导体层。本发明提供的方案适用于内嵌式触摸液晶显示面板及液晶显示器件的生产。 | ||||||
| 67 | 半导体装置、显示装置和半导体装置的制造方法 | CN201280056837.7 | 2012-11-15 | CN103946742A | 2014-07-23 | 中田幸伸; 藤田哲生; 原义仁 |
| 半导体装置(100)具备：薄膜晶体管(101)；包含第一绝缘层(12)的层间绝缘层(14)；形成在层间绝缘层上，具有第一开口部(15p)的第一透明导电层(15)；覆盖第一透明导电层的第一开口部侧的侧面的电介质层(17)；和隔着电介质层与第一透明导电层的至少一部分重叠的第二透明导电层(19a)，电介质层具有第二开口部(17p)，第一绝缘层具有第三开口部(12p)，层间绝缘层和电介质层具有第一接触孔(CH1)，第一接触孔的侧壁包括第二开口部(17p)的侧面和第三开口部(12p)的侧面，第三开口部的侧面的至少一部分与第二开口部的侧面对齐，第二透明导电层在第一接触孔内与漏极电极接触地形成接触部(105)，当从基板的法线方向看时，接触部的至少一部分与栅极配线层重叠。 | ||||||
| 68 | 半导体装置 | CN201280047612.5 | 2012-09-20 | CN103843145A | 2014-06-04 | 本田达也; 津吹将志; 野中裕介; 岛津贵志; 山崎舜平 |
| 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。 | ||||||
| 69 | 一种防窥显示器 | CN201410032401.5 | 2014-01-23 | CN103792703A | 2014-05-14 | 秦纬; 于静 |
| 本发明实施例公开了一种防窥显示器，涉及显示领域，该显示器具有比较小的显示视角，在为正面观看的使用者提供显示图像的同时，防止侧视角的人进行偷窥，从而可以有效的保护个人隐私以及商业秘密；同时还可将多余的光线转化为电能，从而起到自发电的效果。本发明实施例的一种防窥显示器，显示器的出光侧设置有防窥膜层，防窥膜层呈网格结构，网格结构中的网眼与显示器的像素或亚像素对应设置；防窥膜层包括：P极引线层、P型半导体层、N型半导体层、N极引线层。 | ||||||
| 70 | 阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板 | CN201310739594.3 | 2013-12-27 | CN103744240A | 2014-04-23 | 曾志远; 连水池; 罗长诚 |
| 本发明提供一种阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板，该阵列基板包括：玻璃基板（20）、形成于玻璃基板（20）上的栅极（21）、形成于栅极（21）上的栅极绝缘层（22）、形成于栅极绝缘层（22）上的氧化物半导体层（23）、形成于氧化物半导体层（23）上的蚀刻阻挡层（24）、形成于栅极绝缘层（22）、氧化物半导体层（23）与蚀刻阻挡层（24）上的源/漏极（25）、形成于蚀刻阻挡层（24）、源/漏极（25）与栅极绝缘层（22）上的保护层（26）、形成于保护层（26）上的彩膜滤光片（27）、形成于彩膜滤光片（27）与保护层（26）上的平坦化层（28）及形成于平坦化层（28）上的像素电极（29），所述像素电极（29）电性连接于所述源/漏极（25）。 | ||||||
| 71 | 电吸收调制器及光半导体装置 | CN201110386620.X | 2011-11-29 | CN102540504A | 2012-07-04 | 大和屋武 |
| 本发明提供一种电吸收调制器，其目的在于，提高具有AlGaInAs光吸收层的电吸收调制器的特性。在n型InP衬底（1）上，按顺序层叠有n型InP包覆层（2）、AlGaInAs光吸收层（4）、p型InGaAsP光波导层（6）、以及p型InP包覆层（7）。p型InGaAsP光波导层（6）具有组成不同的三个InGaAsP层（6a、6b、6c）。InGaAsP层（6a、6b、6c）的价电子带间的能量势垒与InGaAsP层为单层的情况相比，其能量势垒变小。 | ||||||
| 72 | 氧化物半导体、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和显示装置 | CN201080029375.0 | 2010-03-10 | CN102473727A | 2012-05-23 | 太田纯史; 森豪; 锦博彦; 近间义雅; 会田哲也; 铃木正彦; 中川兴史; 竹井美智子; 春本祥征; 原猛 |
| 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。 | ||||||
| 73 | 光波导元件 | CN201110306639.9 | 2011-09-30 | CN102445770A | 2012-05-09 | 神力孝; 市冈雅之; 藤野哲也 |
| 本发明提供一种光波导元件，不仅在光波导元件的状态下，在制造光波导元件的工序中也能够抑制加强基板的热电效应对光波导元件造成的损伤，抑制光波导元件的电气特性的恶化，进而改善生产中的成品率。在经由粘接剂层接合了在具有电光效应且厚度为30μm以下的基板上形成了光波导的光波导基板和具有电光效应的加强基板而成的光波导元件中，在该加强基板的该粘接剂层一侧的表面上设置有半导体层。 | ||||||
| 74 | 对光学器件的热调谐 | CN201080019593.6 | 2010-03-29 | CN102414592A | 2012-04-11 | 李国良; A·V·克里什纳莫西; J·E·坎宁安; I·舒彬; 郑学哲 |
| 描述了光学器件、光学器件阵列，以及用于制造光学器件或阵列的实施例。此光学器件在衬底(诸如硅)上实现，并包括带有对于周围外部环境的高热阻以及对于局部加热器的低热阻的热可调谐的光波导。具体而言，通过电极以及通过衬底与从光学器件中的加热器到外部环境的热损耗路径相关联的热阻增大，而光波导和加热器之间的热阻减小。 | ||||||
| 75 | 光学逻辑门 | CN200880132716.X | 2008-11-24 | CN102317855A | 2012-01-11 | 法比奥·安东尼奥·博维诺; 毛里齐奥·贾尔迪纳; 玛丽亚·克里斯帝娜·拉尔西普莱特; 马尔科·森蒂尼; 亚历山德罗·贝拉蒂尼; 康西塔·西比利亚; 马里奥·贝托洛蒂; 安德里亚纳·帕萨塞奥; 维托里亚纳·塔斯科; 罗伯托·辛戈拉尼 |
| 一种光学逻辑门(1)，具有第二谐波发生器元件(15)，其接收分别具有第一角频率(ω1)和第二角频率(ω2)且分别具有第一偏振(P；S)和第二偏振(P；S)的第一光学输入信号(si1)和第二光学输入信号(si2)，并且其提供具有第三角频率(2ωi，ω1+ω2)和第三偏振(P；S)的第二谐波光学信号(su3)。第三角频率(2ωi，ω1+ω2)等于第一角频率(ω1)和第二角频率(ω2)的和。第三偏振(P；S)是第一偏振(P；S)和第二偏振(P；S)的函数。第二谐波发生器元件(15)包括为具有非空二阶光学张量的材料的第二谐波发生器层。 | ||||||
| 76 | 液晶显示装置 | CN200780050765.4 | 2007-12-10 | CN101600987B | 2011-09-21 | 嶋田纯也; 今井元; 菊池哲郎; 北川英树; 今出光则; 原义仁 |
| 本发明的目的在于以低成本提供一种降低波纹和色偏的高画质的反射型和半透过型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是在多个像素的各个中具备反射区域的液晶显示装置。反射区域包括金属层(56)、半导体层(62)和反射层(63)，在反射层(63)的表面形成有多个凹部(68)和凸部(67)，多个凹部(68)对应金属层(56)的开口部(65)而形成，多个凸部(67)反映半导体层(62)的形状而形成，多个凹部(68)的沿着某个方向相邻的多个对包括凹部(68)的间隔相互不同的2个对，多个凸部(67)的沿着某个方向相邻的多个对包括凸部(67)的间隔相互不同的2个对。 | ||||||
| 77 | 像素结构及其制作方法 | CN201110052295.3 | 2011-03-02 | CN102176098A | 2011-09-07 | 林武雄; 陈勃学; 陈信学; 沈光仁; 叶家宏 |
| 本发明公开了一种像素结构及其制造方法，选择在形成主动层时以相同的材质来制作储存电容的电极，其中材质可采用具有良好透光率的氧化半导体，如此除了可通过储存电容来维持像素结构显示画面的稳定性，又能够兼顾良好的开口率，甚至进一步降低能源的耗费。 | ||||||
| 78 | 具有阵列基板的显示设备 | CN200610094038.5 | 2006-06-22 | CN100585473C | 2010-01-27 | 金宰贤; 康盛旭; 秋大镐 |
| 本发明涉及用于透射反射型LCD的LCD阵列基板，其包括形成在透射窗口之下的E场反射部件，当施加电场时所述E场反射部件反射光。栅极线、栅极电极和透明电极形成在基板上。源极和漏极电极之间的沟道层和E场反射层分别形成在栅极电极和透明电极上。部分保护层被去除从而形成设置在漏极电极之上的接触孔、及所述E场反射层之上的光透射孔。通过接触孔电连接到漏极电极的像素电极通过光透射孔与所述E场反射层接触。 | ||||||
| 79 | 液晶显示装置 | CN200780050765.4 | 2007-12-10 | CN101600987A | 2009-12-09 | 嶋田纯也; 今井元; 菊池哲郎; 北川英树; 今出光则; 原义仁 |
| 本发明的目的在于以低成本提供一种降低波纹和色偏的高画质的反射型和半透过型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是在多个像素的各个中具备反射区域的液晶显示装置。反射区域包括金属层(56)、半导体层(62)和反射层(63)，在反射层(63)的表面形成有多个凹部(68)和凸部(67)，多个凹部(68)对应金属层(56)的开口部(65)而形成，多个凸部(67)反映半导体层(62)的形状而形成，多个凹部(68)的沿着某个方向相邻的多个对包括凹部(68)的间隔相互不同的2个对，多个凸部(67)的沿着某个方向相邻的多个对包括凸部(67)的间隔相互不同的2个对。 | ||||||
| 80 | 液晶显示器及其制造方法 | CN200710111836.9 | 2007-06-15 | CN101089714A | 2007-12-19 | 尹柱善 |
| 本发明提供一种显示装置，包括：薄膜晶体管(TFT)基板、面对TFT基板的对基板、密封剂、及置于TFT基板和对基板之间的液晶层。所述TFT基板包括：基板，具有显示区域和周边区域；第一TFT，形成在所述周边区域中并包括半导体层和形成在所述半导体层上的电阻接触构件；光阻挡半导体图案；第二TFT，形成在所述显示区域中并包括栅极电极。密封剂将所述TFT基板耦接到所述对基板并覆盖所述第一TFT。 | ||||||
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