| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导 | CN201410515361.X | 2014-09-29 | CN104950386B | 2017-03-22 | 欧阳征标; 黄浩 |
| 本发明公开了一种方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，它由高折射率的第一介质柱在低折射率背景介质中按正方晶格排列而成的光子晶体，在光子晶体中移除一排和一列高折射率的第一介质柱以形成直角波导；在直角波导的拐弯处设置一个高折射率的第二介质柱；第二介质柱为补偿散射柱；所述第一介质柱为高折射率方柱。本发明结构具有极低的反射率和非常高的传输率，便于大规模光路集成，这为光子晶体的应用提供了更广阔的空间。 | ||||||
| 2 | 解复用器和光解复用方法 | CN201210376811.2 | 2012-10-08 | CN103176327B | 2016-05-04 | 秋山知之 |
| 本发明公开了一种解复用器和光解复用方法。一种光开关包括：基板；环形谐振器，其形成在基板上；第一波导，其与环形谐振器光学耦合地形成在基板上，该第一波导被配置成引导WDM信号；光学检测器，其被配置成检测所述环形谐振器中的光信号分量；温度调节器，其响应于光学检测器的输出信号而被驱动，该温度调节器被配置成改变环形谐振器的温度，环形谐振器具有与构成WDM信号的光信号分量的波长相对应的谐振波长，环形谐振器、光学检测器和温度调节器一起构成反馈控制系统，该反馈控制系统将环形谐振器的谐振波长锁定至WDM信号中的光信号分量的波长。 | ||||||
| 3 | 液晶面板上集成摄像头的方法、液晶面板及液晶显示装置 | CN201210384120.7 | 2012-10-11 | CN102914921A | 2013-02-06 | 李文波; 武延兵; 张弥 |
| 本发明公开了一种液晶面板上集成摄像头的方法、液晶面板及液晶显示装置，用以在窄边框或者无边框的液晶面板上集成摄像头，其中，液晶面板包括阵列基板和彩膜基板，液晶面板上集成摄像头的方法，包括：在所述阵列基板上粘贴集成芯片或者在所述阵列基板上直接形成实现所述集成芯片功能的电路，所述集成芯片上集成有实现包括中央处理器、内存、闪存、数字信号处理器、压缩编码处理器和图像传感器功能的电路；并在所述彩膜基板和阵列基板之间填充液晶分子，形成液晶透镜。 | ||||||
| 4 | 调制光学信号的方法和设备 | CN200710170057.6 | 2007-11-09 | CN101178486B | 2010-06-09 | 尤里伊·A.·维拉索; 夏丰年 |
| 本发明是用于光学调制(例如，用于光学通信链路)的方法和设备。在一个实施例中，用于光学调制的设备包括：第一硅层，该第一硅层具有形成在其中的一个或多个沟槽；电介质层，其内衬所述第一硅层；以及第二硅层，其设置在所述电介质层上并填充所述沟槽。 | ||||||
| 5 | 分散补偿元件、光学晶体、分散补偿系统、分散补偿方法 | CN200480001470.4 | 2004-01-14 | CN100363784C | 2008-01-23 | 小川宪介; 藤井充 |
| 在分散补偿元件(10X)中，设定孔(24)的半径和间隔相互不同的多个区域(I)、(II)，在各个区域(I)、(II)中，通过控制由电极(30A、30B)施加的电压，而可使波长分散补偿的符号和绝对值可变。在使用这种分散补偿元件(10X)而构成的分散补偿系统中，监视从光纤传送路径中取出的光脉冲，并根据该波长分散信息，控制由分散补偿元件(10X)施加的电压施加量，而进行在光纤传送路径中传送的光脉冲的分散补偿。另外，通过施加电压，而使波导的载流子密度可变，来使波导的折射率变化，从而可进行分散补偿。 | ||||||
| 6 | 分散补偿元件、光学晶体、分散补偿系统、分散补偿方法 | CN200480001470.4 | 2004-01-14 | CN1717612A | 2006-01-04 | 小川宪介; 藤井充 |
| 在分散补偿元件(10X)中，设定孔(24)的半径和间隔相互不同的多个区域(I)、(II)，在各个区域(I)、(II)中，通过控制由电极(30A、30B)施加的电压，而可使波长分散补偿的符号和绝对值可变。在使用这种分散补偿元件(10X)而构成的分散补偿系统中，监视从光纤传送路径中取出的光脉冲，并根据该波长分散信息，控制由分散补偿元件(10X)施加的电压施加量，而进行在光纤传送路径中传送的光脉冲的分散补偿。另外，通过施加电压，而使波导的载流子密度可变，来使波导的折射率变化，从而可进行分散补偿。 | ||||||
| 7 | 电光装置及电子装置 | CN01800478.4 | 2001-03-09 | CN1364243A | 2002-08-14 | 川田浩孝 |
| 本发明的课题在于确保被绝缘膜覆盖的晶体管元件的源－漏耐压。即使在电光装置的像素区使用上述晶体管元件,也能充分确保开口率。另外,为了防止由对上述晶体管元件的光入射引起的光漏泄电流导致的上述电光装置的显示品质下降,作为与电光装置的像素电极相连接的晶体管,采用了半导体层厚度为约30nm至100nm的完全耗尽型沟道层的P型晶体管。 | ||||||
| 8 | 液晶显示装置及其制造方法 | CN94109589.4 | 1994-08-26 | CN1106932A | 1995-08-16 | 山元良高; 田川晶; 石井裕; 向殿充浩; 四宫时彦 |
| 一种液晶显示装置，包括：在一表面上具有单晶硅层的第一基板；位于该第一基板对面的透明第二基板，该具有单晶硅层的第一基板的表面面对该第二基板，其间夹持有铁电液晶层；以及形成在单晶硅层中的复数电路元件，该复数电路元件与形成在面对铁电液晶层的第一基板上的复数像素区域的每一区域呈对应关系。 | ||||||
| 9 | 双层交叉式P-N二极管调制器 | CN201380027000.4 | 2013-04-16 | CN104321849B | 2017-02-08 | W·M·格林; J·C·罗森伯格; Y·A·弗拉索夫 |
| 一种用于制造光调制器的方法包括：形成n型层，所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部；在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层；在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区；去除所述第一掩蔽层；在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。 | ||||||
| 10 | 用于光耦合器的系统和方法 | CN201480029979.3 | 2014-05-30 | CN105264416A | 2016-01-20 | 布瑞斯·道瑞; 温妮·耶 |
| 在一个实施例中，一种光定向耦合器用于接收输入光信号并且包含第一耦合器，其中所述第一耦合器具有第一耦合长度，其中所述第一耦合器用于将第一部分耦合到第一光支线且将第二部分耦合到第二光支线，其中所述第一光支线产生相对于所述第二光支线的相移，其中第一相移信号具有相对于第二相移信号的相位差。另外，所述光定向耦合器包含第二耦合器，其中所述第二耦合器具有第二耦合长度，其中对于在跨越40nm的波长范围上的横电(TE)偏振光和横磁(TM)偏振两者，所述输入光信号对第二输出端的串扰低于-15dB。 | ||||||
| 11 | 混杂MOS光调制器 | CN201280072086.8 | 2012-04-30 | CN104969103A | 2015-10-07 | 梁迪 |
| 混杂MOS光调制器。该光调制器包括光波导、包含第一材料并且在该光波导中形成的阴极、以及包含不同于第一材料的第二材料并且在该光波导中形成的阳极，该阳极邻接于阴极，在该阳极和该阴极之间限定电容器。 | ||||||
| 12 | 利用晶片键合技术的光调制器 | CN201010294306.4 | 2010-09-21 | CN102033332B | 2015-04-29 | H·荣; A·刘 |
| 利用晶片键合技术的光调制器。一种方法的实施例包括：蚀刻绝缘体上硅(SOI)晶片以在所述SOI晶片的第一表面上制造硅波导结构的第一部分，以及制备第二晶片，所述第二晶片包括晶体硅层，所述第二晶片包括晶体硅的第一表面。该方法还包括：利用晶片键合技术将具有薄氧化物的所述第二晶片的所述第一表面键合到所述SOI晶片的所述第一表面，其中在所述晶体硅层中蚀刻所述硅波导结构的第二部分。 | ||||||
| 13 | 光波导管装置及光波导管装置的制造方法 | CN200810090978.6 | 2008-04-08 | CN101285912B | 2013-01-23 | 秋山昌次; 久保田芳宏; 伊藤厚雄; 田中好一; 飞坂优二; 川合信 |
| 本发明提供一种结构简单且能够调制在光波导管中进行导波的信号光的光波导管装置。其通过在SOI膜12上涂布光阻13来形成光阻罩幕14，然后蚀刻除去未被光阻罩幕14被覆的区域的SOI膜，来得到具有单晶硅芯的光波导管15。而且，在石英基板20的背面侧设置能够对上述的单晶硅芯照射1.1微米以下波长的光线的发光组件而作成光波导管装置。从发光组件30未照射光线时，在光波导管15中进行导波的光线是以原本的状态进行导波，但是若从发光组件30照射光线而在该照射区域16形成电子-空穴对时，由于在光波导管中进行导波的光线被该电子-空穴对吸收，所以通过有无从发光组件30来的光照射，能够进行切换光信号的ON/OFF。 | ||||||
| 14 | 紧凑电光调制器 | CN201080021807.3 | 2010-05-17 | CN102428399A | 2012-04-25 | 道格拉斯·M·吉尔 |
| 本发明揭示一种包含平面电光调制器(110)的设备(100)，所述平面电光调制器(110)位于衬底(105)上且包括波导(115)及电触点(120)。所述波导包括第一及第二实质上笔直段(122、124)以及串联地端连接所述第一及第二实质上笔直段以使得光(130)在所述第一及第二实质上笔直段中以实质上反平行方式行进的弯曲段(126)。所述电触点经定位而邻近所述第一及第二实质上笔直段且经连接以对通过所述段的光学载波产生相长性相加相位调制。 | ||||||
| 15 | 光波导管装置及光波导管装置的制造方法 | CN200810090978.6 | 2008-04-08 | CN101285912A | 2008-10-15 | 秋山昌次; 久保田芳宏; 伊藤厚雄; 田中好一; 飞坂优二; 川合信 |
| 本发明提供一种结构简单且能够调制在光波导管中进行导波的信号光的光波导管装置。其通过在SOI膜12上涂布光阻13来形成光阻罩幕14，然后蚀刻除去未被光阻罩幕14被覆的区域的SOI膜，来得到具有单晶硅芯的光波导管15。而且，在石英基板20的背面侧设置能够对上述的单晶硅芯照射1.1微米以下波长的光线的发光组件而作成光波导管装置。从发光组件30未照射光线时，在光波导管15中进行导波的光线是以原本的状态进行导波，但是若从发光组件30照射光线而在该照射区域16形成电子－空穴对时，由于在光波导管中进行导波的光线被该电子－空穴对吸收，所以通过有无从发光组件30来的光照射，能够进行切换光信号的ON/OFF。 | ||||||
| 16 | 电光基板装置及其制造方法、电光装置、电子装置 | CN02107797.5 | 2002-03-22 | CN1255879C | 2006-05-10 | 片山茂宪 |
| 本发明的课题是一种电光基板装置，它包括在基板上的像素电极和与该像素电极连接的像素开关用的TFT。该TFT是不具有体触点的SOI结构的P沟道型TFT。这样，适合于扩展各像素的开口区域，同时可以在各像素中构成性能比较高的晶体管，从而可以进行明亮而高品位的图像显示。 | ||||||
| 17 | 柔性装置及其制造方法 | CN200380102882.2 | 2003-11-04 | CN1711633A | 2005-12-21 | R·德克; T·M·米奇伊森 |
| 本发明的可卷动装置包括绝缘材料衬底，该衬底具有从第一侧延伸到第二侧的孔径。在第一侧上具有开关元件，以及由有机材料涂层覆盖的相互连接线等。在第二侧上存在功能层。这种功能层例如包括电容器、天线和特殊的电光层。因此，获得可包括天线和驱动电路的可卷动显示器。 | ||||||
| 18 | 电光装置 | CN01814021.1 | 2001-08-08 | CN1446324A | 2003-10-01 | I·E·戴 |
| 电光装置，包括基底(2，3，4)和横过基底(2，3，4)延伸的集成光波导(1)，提供了两个掺杂部位(14，15)，以便可以施加横穿掺杂部位(14，15)的电信号，以改变波导(1)内的电荷载流子密度，掺杂部位(14，15)分别包括许多沿波导(1)长度彼此间隔开的掺杂区域(14A，14B，14C，14D；15A，15B，15C，15D)，以通过减少掺杂部位的每一对(14A，15A等)之间的电流电平来改善装置的性能。 | ||||||
| 19 | 液晶显示装置及其制造方法 | CN94109589.4 | 1994-08-26 | CN1052079C | 2000-05-03 | 山元良高; 田川晶; 石井裕; 向殿充浩; 四宫时彦 |
| 一种液晶显示装置，包括：在一表面上具有单晶硅层的第一基板；位于该第一基板对面的透明第二基板，该具有单晶硅层的第一基板的表面面对该第二基板，其间夹持有铁电液晶层；以及形成在单晶硅层中的复数电路元件，该复数电路元件与形成在面对铁电液晶层的第一基板上的复数像素区域的每一区域呈对应关系。 | ||||||
| 20 | 方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导 | CN201410515361.X | 2014-09-29 | CN104950386A | 2015-09-30 | 欧阳征标; 黄浩 |
| 本发明公开了一种方柱式正方晶格光子晶体高折射率单补偿散射柱直角波导，它由高折射率的第一介质柱在低折射率背景介质中按正方晶格排列而成的光子晶体，在光子晶体中移除一排和一列高折射率的第一介质柱以形成直角波导；在直角波导的拐弯处设置一个高折射率的第二介质柱；第二介质柱为补偿散射柱；所述第一介质柱为高折射率方柱。本发明结构具有极低的反射率和非常高的传输率，便于大规模光路集成，这为光子晶体的应用提供了更广阔的空间。 | ||||||
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