1 |
显示装置 |
CN201510909332.6 |
2015-12-09 |
CN105353556B |
2017-12-29 |
胡韬 |
本发明提供一种显示装置,包括彩色滤光膜、注入量子点光子晶体膜、及背光模组,所述注入量子点光子晶体膜由光子晶体膜注入量子点后得到,由于光子晶体的引光作用,可以有效提高量子点的发光效率,所述光子晶体膜具有红、绿、蓝光透过区,光子晶体膜的红、绿、蓝光透过区内注入的量子点分别为红、绿、蓝色量子点,当背光源发出的白色混合光到达注入量子点光子晶体膜时,所述光子晶体膜的各光透过区分别只允许透过相应颜色的光,其内的量子点发出相应颜色的光,进一步的这些颜色的光分别从相应颜色的滤光层通过,而其他颜色的光被光子晶体膜反射回去,通过光学膜材的散射和再反射之后,就可以从光子晶体膜的另外两个光透过区通过。 |
2 |
显示装置 |
CN201380038555.9 |
2013-07-08 |
CN104508548B |
2017-11-07 |
横山雅俊; 小森茂树; 佐藤学; 冈崎健一; 山崎舜平 |
本发明的目的是通过抑制因来自有机绝缘膜的释放气体造成的晶体管特性的变动,来提高显示装置的可靠性。该显示装置包括晶体管(150)、为了减少因该晶体管(150)导致的不均匀度而设置于晶体管(150)上的有机绝缘膜(117)、以及有机绝缘膜(117)上的电容器(170)。有机绝缘膜(117)的整体表面不被在晶体管(150)的上侧上的电容器(170)的构成要素覆盖,并且来自有机绝缘膜(117)的释放气体能够从有机绝缘膜(117)的上表面的露出部分释放到外部。 |
3 |
显示装置及其制造方法 |
CN201410458799.9 |
2014-09-10 |
CN105023907B |
2016-12-14 |
李暎学 |
公开了一种显示装置及其制造方法。一种用于显示装置的焊盘,包括:形成在基板上的氧化物半导体层;形成在所述氧化物半导体层上以与所述氧化物半导体层至少部分重叠的下部绝缘层;形成在所述下部绝缘层上的一个或多个线层;形成在所述一个或多个线层上的上部绝缘层;和形成在所述上部绝缘层上并通过形成于所述上部绝缘层中的接触孔与所述一个或多个线层连接的焊盘电极。 |
4 |
一种阵列基板及显示面板 |
CN201610524830.3 |
2016-07-05 |
CN105938840A |
2016-09-14 |
周志超; 周佑联; 武岳 |
本发明公开了一种阵列基板及显示面板,其中阵列基板包括基板;设置在基板上的图案化的中间层;以及设置在图案化的中间层上的无图案化的像素电极层,像素电极层对应图案化的中间层形成凹陷区和凸出区。采用本发明的阵列基板可以有效的改善暗纹的问题。 |
5 |
液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法、以及包括该液晶显示设备的电子设备 |
CN201080053977.X |
2010-11-04 |
CN102648490B |
2016-08-17 |
小山润; 山崎舜平 |
液晶显示设备包括:包括供应有图像信号的多个像素的像素部分;包括选择性地控制信号线的信号线驱动电路和选择性地控制栅极线的栅极线驱动电路的驱动电路;存储图像信号的存储器电路;比较存储在像素中的存储器电路内的图像信号并检测差异的比较电路;以及根据该差异控制驱动电路并读取图像信号的显示控制电路。显示控制电路只将图像信号供应给检测到该差异的像素。像素包括薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括包含氧化物半导体的半导体层。 |
6 |
液晶显示元件 |
CN201480062026.7 |
2014-11-04 |
CN105745572A |
2016-07-06 |
小川真治; 岩下芳典 |
本发明提供一种液晶显示元件,其具有对置配置的第一基板和第二基板、在第一基板与第二基板之间夹持有含有液晶组合物的液晶层,且具有在第一基板上配置成矩阵状的多个栅极配线和数据配线、设置于栅极配线与数据配线的交叉部的薄膜晶体管以及利用晶体管驱动且由透明导电性材料构成的像素电极,薄膜晶体管具有栅极电极、与栅极电极隔着绝缘层设置的氧化物半导体层、以及与氧化物半导体层导通而设置的源电极和漏电极,液晶组合物含有一种或二种以上的选自由通式(LC1)和通式(LC2)表示的化合物中的化合物,且含有一种或二种以上的选自由通式(II?a)~通式(II?f)表示的化合物中的化合物。 |
7 |
液晶面板 |
CN201610109957.9 |
2011-11-29 |
CN105589271A |
2016-05-18 |
小野记久雄 |
本发明提供一种液晶面板、液晶显示装置及其制造方法。栅极布线(40)具有包含下栅极布线(40a)和上栅极布线(40b)的两层结构,该下栅极布线(40a)由与像素电极(70)相同的材料形成,并且位于与像素电极(70)相同的层,该上栅极布线(40b)层叠在该下栅极布线(40a)上,由导电率高于透明导电材料的材料形成。根据该结构,在最上层形成有公共电极的横向电场方式的液晶面板的制造工序中,能够减少曝光的次数。 |
8 |
阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板 |
CN201310739628.9 |
2013-12-27 |
CN103744235B |
2016-02-03 |
曾志远; 连水池; 罗长诚 |
本发明提供一种阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板,所述阵列基板包括:玻璃基板(20)、形成于玻璃基板(20)上的栅极(22)、形成于栅极(22)上的栅极绝缘层(23)、形成于栅极绝缘层(23)上的源/漏极(24)、形成于源/漏极(24)与栅极绝缘层(23)上的氧化物半导体层(25)、形成于氧化物半导体层(25)、源/漏极(24)与栅极绝缘层(23)上的保护层(26)、形成于保护层(26)上的彩膜滤光片(27)、形成于彩膜滤光片(27)与保护层(26)上的平坦化层(28)及形成于平坦化层(28)上的像素电极(29),所述像素电极(29)电性连接于所述源/漏极(24),且该像素电极(29)线状排布,并围成一以“十”字结构为中心的发射状结构。 |
9 |
量子点彩膜基板的制作方法 |
CN201510860705.5 |
2015-11-30 |
CN105278155A |
2016-01-27 |
刘国和 |
本发明提供一种量子点彩膜基板的制作方法,借由含光催化剂的润湿性变化层经紫外光照射后其润湿性会变好的特点,形成高精细的量子点图形,简化量子点图形制作工艺的同时提升了量子点图形的精度,制作工艺简单,且减少了量子点材料的浪费,节约成本,所制得的量子点彩膜基板可有效提升显示装置的色饱和度与色域,增强显示面板的色彩表现能力。 |
10 |
显示装置及其制造方法 |
CN201410458799.9 |
2014-09-10 |
CN105023907A |
2015-11-04 |
李暎学 |
本发明公开了一种显示装置及其制造方法。一种用于显示装置的焊盘,包括:形成在基板上的氧化物半导体层;形成在所述氧化物半导体层上以与所述氧化物半导体层至少部分重叠的下部绝缘层;形成在所述下部绝缘层上的一个或多个线层;形成在所述一个或多个线层上的上部绝缘层;和形成在所述上部绝缘层上并通过形成于所述上部绝缘层中的接触孔与所述一个或多个线层连接的焊盘电极。 |
11 |
对光学器件的热调谐 |
CN201080019593.6 |
2010-03-29 |
CN102414592B |
2015-05-13 |
李国良; A·V·克里什纳莫西; J·E·坎宁安; I·舒彬; 郑学哲 |
描述了光学器件、光学器件阵列,以及用于制造光学器件或阵列的实施例。此光学器件在衬底(诸如硅)上实现,并包括带有对于周围外部环境的高热阻以及对于局部加热器的低热阻的热可调谐的光波导。具体而言,通过电极以及通过衬底与从光学器件中的加热器到外部环境的热损耗路径相关联的热阻增大,而光波导和加热器之间的热阻减小。 |
12 |
显示装置 |
CN201380038555.9 |
2013-07-08 |
CN104508548A |
2015-04-08 |
横山雅俊; 小森茂树; 佐藤学; 冈崎健一; 山崎舜平 |
本发明的目的是通过抑制因来自有机绝缘膜的释放气体造成的晶体管特性的变动,来提高显示装置的可靠性。该显示装置包括晶体管(150)、为了减少因该晶体管(150)导致的不均匀度而设置于晶体管(150)上的有机绝缘膜(117)、以及有机绝缘膜(117)上的电容器(170)。有机绝缘膜(117)的整体表面不被在晶体管(150)的上侧上的电容器(170)的构成要素覆盖,并且来自有机绝缘膜(117)的释放气体能够从有机绝缘膜(117)的上表面的露出部分释放到外部。 |
13 |
氧化物半导体、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和显示装置 |
CN201080029375.0 |
2010-03-10 |
CN102473727B |
2015-04-01 |
太田纯史; 森豪; 锦博彦; 近间义雅; 会田哲也; 铃木正彦; 中川兴史; 竹井美智子; 春本祥征; 原猛 |
本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体,上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子,当将化学计量的状态按原子单位设为100%时,上述氧化物半导体的氧含量是87~95%。 |
14 |
半导体元件及其制造方法、有源矩阵基板及显示装置 |
CN201180019812.5 |
2011-01-26 |
CN102859702B |
2014-07-16 |
松木园广志 |
半导体元件包括:形成有沟道部的氧化物半导体膜;和与沟道部相对配置的栅极部。而且,在氧化物半导体膜形成有:氧化物半导体膜被低电阻化处理而形成的漏极部;和设置于漏极部与沟道部之间且不被低电阻化处理的中间区域,半导体元件还包括在至少一部分遮蔽对中间区域的低电阻化处理的导电性膜。 |
15 |
存储电容、像素单元及存储电容的制造方法 |
CN201410033377.7 |
2014-01-23 |
CN103792744A |
2014-05-14 |
姚晓慧; 许哲豪 |
本发明实施例公开了一种存储电容,包括基底,位于该基底上且由第一金属层形成的第一电极,形成在该基底及该第一电极上的第一绝缘层,形成在该第一绝缘层上的半导体层,形成在该半导体层上的第二金属层,形成在该第一绝缘层、该半导体层及该第二金属层上的第二绝缘层,以及形成在该第二绝缘层及该第二金属层上并作为第二电极的像素电极。该第二绝缘层上开设有一个接触窗以暴露第二金属层。该像素电极经由该接触窗与该暴露的第二金属层电性连接。另,本发明实施例还公开了一种具有该存储电容的像素单元及一种该存储电容的制造方法。 |
16 |
阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板 |
CN201310739608.1 |
2013-12-27 |
CN103744225A |
2014-04-23 |
曾志远; 连水池; 罗长诚 |
本发明提供一种阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板,该阵列基板包括玻璃基板(20)、形成于玻璃基板(20)上的栅极(22)、形成于栅极(22)上的栅极绝缘层(23)、形成于栅极绝缘层(23)上的氧化物半导体层(24)、形成于氧化物半导体层(24)与栅极绝缘层(23)上的源/漏极(25)、形成于氧化物半导体层(24)、源/漏极(25)与栅极绝缘层(23)上的保护层(26)、形成于保护层(26)上的彩膜滤光片(27)、形成于彩膜滤光片(27)与保护层(26)上的平坦化层(28)及形成于平坦化层(28)上的像素电极(29),所述像素电极(29)电性连接于所述源/漏极(25),且该像素电极(29)线状排布,并围成一以“十”字结构为中心的发射状结构。 |
17 |
集成光子应用的具有电感负载的传输线 |
CN201180024639.8 |
2011-05-24 |
CN102906632A |
2013-01-30 |
A·雷利亚科夫; C·L·朔; W·M·格林; Y·弗拉索夫 |
一种传输线(304),包括形成电路径(203)的多个区段以及通过所述区段的连续光学波导(205)。多个分离电感器(102)被形成在相邻区段之间并连接所述相邻区段。所述电感器(102)被形成在集成电路的多个金属层中,以便平衡包含在所述光学波导(205)上形成的所述传输线(304)的光学调制器的电容,由此获得所述传输线的预定特征阻抗。使用延迟锁定回路(305)控制变容器(302)以匹配光学信号和电信号的延迟。可以使用光学波导区段(210)来匹配所述延迟。 |
18 |
液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法、以及包括该液晶显示设备的电子设备 |
CN201080053977.X |
2010-11-04 |
CN102648490A |
2012-08-22 |
小山润; 山崎舜平 |
液晶显示设备包括:包括供应有图像信号的多个像素的像素部分;包括选择性地控制信号线的信号线驱动电路和选择性地控制栅极线的栅极线驱动电路的驱动电路;存储图像信号的存储器电路;比较存储在像素中的存储器电路内的图像信号并检测差异的比较电路;以及根据该差异控制驱动电路并读取图像信号的显示控制电路。显示控制电路只将图像信号供应给检测到该差异的像素。像素包括薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括包含氧化物半导体的半导体层。 |
19 |
一种液晶显示面板及其驱动方法、液晶显示器件 |
CN201110231599.6 |
2011-08-12 |
CN102629052A |
2012-08-08 |
陈东 |
本发明公开了一种液晶显示面板及其驱动方法、液晶显示器件,涉及液晶显示领域,用以实现液晶显示面板的内嵌式触摸功能。所述液晶显示面板,包括:阵列基板、彩膜基板以及两基板间的液晶层,所述阵列基板上形成有栅线、数据线以及由栅线和数据线所限定的像素单元;所述彩膜基板的内侧设有内嵌触摸装置,该内嵌触摸装置包括:第一导线和第二导线;其中,所述第一导线和所述第二导线为两层结构,且在两导线的交叠区域设有位于所述第一导线和所述第二导线之间的半导体层。本发明提供的方案适用于内嵌式触摸液晶显示面板及液晶显示器件的生产。 |
20 |
电场感应元件以及使用该电场感应元件的显示装置 |
CN200680056292.4 |
2006-11-02 |
CN101535885A |
2009-09-16 |
中泽明 |
电场感应元件(1)包括:光学功能层(5),该光学功能层包括金属氧化物和覆盖所述金属氧化物的绝缘体,并可见光透过率的值由于电场的施加而发生变化,所述金属氧化物是从由二氧化锡、二氧化钛、以及氧化锌组成的组中选出的;以及夹持所述光学功能层(5)的第一和第二电极层(7、9)。 |