| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 碳化硅衬底、半导体器件、制造碳化硅衬底的方法和制造半导体器件的方法 | CN201180005010.9 | 2011-10-12 | CN102686787B | 2017-12-15 | 原田真; 本家翼 |
| 碳化硅衬底（80）的主表面（M80）在相对于六方晶体的｛0001｝面的偏离方向上以偏离角倾斜。主表面（M80）具有下述特性：在由具有比六方碳化硅的带隙更高的能量的激发光引起的主表面的发射具有超过650nm的波长的光致发光光的区域中，下述区域的数目至多为每1cm21×104，该区域在与偏离方向垂直的方向上具有至多15μm的尺寸并且在平行于偏离方向的方向上具有不大于通过将激发光（LL）在六方碳化硅中的穿透长度除以偏离角的正切获得的值的尺寸。因此，能够减少反向漏电流。 | ||||||
| 2 | 一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚 | CN201511006389.1 | 2015-12-29 | CN106929913A | 2017-07-07 | 孔海宽; 忻隽; 陈建军; 郑燕青; 施尔畏 |
| 本发明提供了一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚，包括：用于盛放SiC晶体生长用原料的原料腔；相对移动地嵌套于所述原料腔的上部以形成晶体结晶区域的生长腔，所述生长腔具备生长室、和设于所述生长室的顶壁上的籽晶托；所述生长室的侧壁形成为由内筒与外筒构成的双层结构。本发明的坩埚在生长过程中能够调节晶体表面与原料表面的距离，保持温度场的稳定性。 | ||||||
| 3 | 碳化硅粉末和碳化硅单晶的制造方法 | CN201380076003.7 | 2013-11-27 | CN105246826B | 2017-06-16 | 增田贤太; 一坪幸辉; 铃木将和; 野中洁; 加藤智久; 田中秀秋 |
| 提供一种碳化硅粉末，其用作升华再结晶法的原料的情况下，升华速度快且未升华而残存的碳化硅的量少，因此能够提高碳化硅单晶的生产率，并且碳化硅单晶(例如单晶晶片)能够大型化。碳化硅粉末是勃氏比表面积为250～1,000cm2/g的碳化硅粉末，该碳化硅粉末的总量中，粒度超过0.70mm且为3.00mm以下的碳化硅粉末的比例为50体积％以上。通过将碳化硅粉末5收容至坩埚1内并加热使其升华，能够使碳化硅的单晶6形成于设置于上盖3的底面部分的籽晶4上。 | ||||||
| 4 | 碳化硅晶体生长设备 | CN201611155315.9 | 2016-12-14 | CN106637409A | 2017-05-10 | 杨翠柏; 方聪; 杨光辉; 陈丙振 |
| 本发明公开了一种碳化硅晶体生长设备，包括真空腔室、腔室加热装置、坩埚装置、坩埚盖加热装置和控制装置。真空腔室包括具有开口端部的真空腔体和密封安装于开口端部的密封法兰；坩埚装置设置于真空腔室内，包括具有顶端开口的坩埚本体和密封盖在顶端开口的坩埚盖，坩埚本体用于盛装碳化硅料，坩埚盖底部设有一籽晶；控制装置包括采集坩埚盖底部的温度数据的温度采集器和控制器，控制器内部存储有多条随着晶体生长厚度变化的晶体背面温度曲线，控制器用于接收温度采集器发送的坩埚盖底部温度数据，并依此控制坩埚盖加热装置，以使坩埚盖温度与晶体背面温度曲线保持一致。使用本发明生长出的晶体质量高。 | ||||||
| 5 | 一种改善物理气相传输法晶体生长炉温度场分布的装置 | CN201610822043.7 | 2016-09-13 | CN106222739A | 2016-12-14 | 陈成敏; 侯延进; 刘光霞; 王立秋; 许敏 |
| 本发明涉及一种改善物理气相传输法晶体生长炉温度场分布的装置，包括晶体生长炉，所述晶体生长炉包括中频电源、接触电极、加热线圈、保温层和石墨坩埚，所述保温层设置有倒置漏斗形的温度监测孔，温度监测孔的上部和下部为圆柱状，上部的圆柱通过圆锥面与下部的圆柱相连接，下部的圆柱的直径大于上部的圆柱的直径。另外，保温层外侧还设置有阻磁装置。本发明由于温度监测孔的特殊形状，降低了晶体的径向温度梯度，进而减小生长过程中的热应力，同时增加了轴向温度梯度，在一定程度上提高晶体生长速度，并且还避免了轴向温度梯度的不均匀性；并且本发明增加了硅钢片阻磁装置，减小了加热功率，保障了操作人员的安全。 | ||||||
| 6 | 一种低压下制备正交晶系黑磷单晶的方法 | CN201610373471.6 | 2016-05-30 | CN106087050A | 2016-11-09 | 闾敏; 王东亚; 谢小吉; 黄岭; 黄维 |
| 本发明涉及正交晶系黑磷单晶制备方法，具体以：将磷原料，单质Sn，矿化剂SnI4混合，置于石英管中，抽真空高温封口，将封闭的石英管置于马弗炉中，通过优化的程序升温和降温制备黑磷，获得的黑磷晶体体积大，结晶性能好，纯度高，制备过程对设备要求低，易于实现，为后续的黑磷应用发展提供极大的便利。 | ||||||
| 7 | 定向凝固系统和方法 | CN201610350059.2 | 2012-09-14 | CN105964992A | 2016-09-28 | A·努里; K·欧纳杰拉 |
| 本发明涉及定向凝固系统和方法。本发明涉及一种使用快速定向凝固而提纯材料的装置和方法。所示的设备和方法提供了对在定向凝固过程中的温度梯度和冷却速率的控制，这产生更高纯度的材料。本发明的装置和方法可用于制备用于诸如太阳能电池的太阳能应用的硅材料。模具(801)通过壁结构(802)和基底(804)限定。系统(800)还包括顶部加热器(820)用以控制熔融硅(801)的热梯度和冷却速度。壁结构(801)包括从模具(801)的边缘到与底部(804)面接的界面的厚度渐缩。 | ||||||
| 8 | 一种硅上直接生长高掺杂钇铁石榴石薄膜的制备方法 | CN201610107438.9 | 2016-02-26 | CN105714379A | 2016-06-29 | 毕磊; 张燕; 王闯堂; 邓龙江 |
| 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种硅上直接生长高掺杂钇铁石榴石薄膜的制备方法。本发明通过改变稀土掺杂钇铁石榴石薄膜生长过程中的激光能量密度1.8J/cm2至4.0J/cm2、薄膜沉积温度400℃至850℃以及薄膜沉积气压1mTorr至20mTorr。将在硅基底上生长钇铁石榴石薄膜中的稀土掺杂浓度由原来的33％提高到了50％，材料在光通信1550nm波长的法拉第旋光常数由2800度/厘米提升为6000度/厘米,极大的增强了材料的磁光性能。 | ||||||
| 9 | 一种高效SiC晶体扩径方法 | CN201510982407.3 | 2015-12-24 | CN105525351A | 2016-04-27 | 高攀; 刘熙; 严成锋; 忻隽; 孔海宽; 郑燕青; 施尔畏 |
| 本发明涉及一种高效SiC晶体扩径方法，在籽晶托上固定由小尺寸籽晶拼接而成的大尺寸籽晶，采用物理气相传输生长方法生长大尺寸碳化硅晶体。本发明将小尺寸籽晶拼接为大尺寸籽晶，由此易于获得大尺寸（例如4英寸以上）的碳化硅籽晶，从而可以高效地扩大碳化硅晶体直径，获得大尺寸碳化硅晶体。 | ||||||
| 10 | 一种生长大尺寸低缺陷碳化硅单晶和晶片的方法 | CN201510973546.X | 2015-12-22 | CN105525350A | 2016-04-27 | 戴鑫; 王英民; 李斌; 毛开礼; 王利忠; 马康夫; 徐伟; 周立平; 何超; 侯晓蕊; 田牧 |
| 本发明公开了一种生长大尺寸低缺陷碳化硅单晶和晶片的方法，解决了大直径SiC晶体中的位错缺陷的难题。步骤为：使用具有较多缺陷或较少缺陷且基本平行于（0001）面的大直径SiC晶片作为籽晶，生长出SiC晶锭，将晶锭加工出偏角最大的晶片作为籽晶，重复直至晶锭生长面基本平行于（11-20）面或（1-100）面，在该面重复数次后按相反步骤使得晶锭生长面基本平行于（0001）面，在此期间可加工出所需偏角SiC晶片。保证了大直径、低缺陷密度SiC晶片生长的连续。 | ||||||
| 11 | 一种可控制备正交相硫化亚锡二维单晶纳米片的方法 | CN201610009580.X | 2016-01-07 | CN105420815A | 2016-03-23 | 孟祥敏; 夏静; 李玄泽; 朱丹丹; 王磊 |
| 本发明公开一种可控制备正交相硫化亚锡(SnS)二维单晶纳米片的方法。该方法包括将衬底置于水平管式炉的加热中心下游，距离加热中心8-20cm，将SnS粉末放入耐高温容器中，将容器置于水平管式炉的加热中心；对管式炉抽真空，待炉内压强降至0.1Pa时，充入不活泼气体使管式炉腔内压强回到20-300Torr，并保持气体流速在20-200sccm间；将水平管式炉加热中心升温至600-800℃，反应时间为5-30分钟，待管式炉腔内温度自然降温到室温后，取出衬底，衬底表面即生长有硫化亚锡二维单晶纳米片。该法操作简单、成本较低、可控性较强，获得的SnS具有尺寸大、均匀性好、结晶度高等优点，在场效应晶体管、光电探测器、光催化制氢、锂离子电池等领域中具有重要的研究价值和广泛的应用前景。 | ||||||
| 12 | 碳化硅单晶衬底和其制造方法 | CN201480037439.X | 2014-05-14 | CN105358744A | 2016-02-24 | 堀勉; 川濑智博; 佐佐木信 |
| 在本发明中，制造碳化硅单晶衬底(10)的方法包括以下步骤。制备具有主表面(2a)并且由碳化硅制成的籽晶(2)，以及碳化硅原材料(3)。通过在维持在碳化硅原材料(3)中的任意两点之间的温度梯度为30℃/cm或更小的同时，升华碳化硅原材料(3)，使碳化硅单晶(1)在主表面(2a)上生长。籽晶(2)的主表面(2a)为{0001}面或相对于{0001}面具有10°或更小偏离角的面，并且主表面(2a)具有20/cm2或更大的螺旋位错密度。因此，提供能实现提高的晶体质量的碳化硅单晶衬底和其制造方法。 | ||||||
| 13 | 用于合成超高纯度碳化硅的方法 | CN201480034205.X | 2014-05-28 | CN105308223A | 2016-02-03 | 伊利亚·崔贝克; 阿维纳什·K·古普塔; 平·吴; 多诺万·L·巴雷特; 盖瑞·E·诺兰德; 托马斯·E·安德森 |
| 本发明公开了一种形成多晶碳化硅材料的方法，将低密度的、具有透气性和蒸汽渗透性的块状碳定位在石墨坩埚内部的第一位置，并且将元素硅和元素碳的混合物定位在第二位置。将混合物和块状碳加热至低于元素硅的熔点的第一温度而将所吸附的气体、湿气、和/或挥发物从混合物和块状碳中移除。然后将混合物和块状碳加热到第二温度，致使元素硅和元素碳反应，在坩埚内部形成合成碳化硅。然后加热合成碳化硅和块状碳，致使合成碳化硅升华并产生蒸汽，蒸汽转移进入并凝结在块状碳上，并与块状碳反应，形成多晶碳化硅材料。 | ||||||
| 14 | 坩埚和制造单晶体的方法 | CN201510381268.9 | 2015-07-02 | CN105239157A | 2016-01-13 | 堀勉; 上田俊策; 松岛彰 |
| 本发明涉及一种坩埚和制造单晶体的方法。所述坩埚具有底部和筒状的侧表面。坩埚包括第三区域、从第三区域延伸的第二区域和从第二区域延伸的第一区域。坩埚包括位于侧表面内侧的第一壁和第二壁。第一壁与侧表面之间形成有第一室，第二壁与侧表面之间形成有第二室。第一壁上的水平对向部分之间的距离是恒定的或随其接近底部而增加。第二壁上的水平对向部分之间的距离随着其接近底部而增加。第一壁相对于垂直于底部的方向的倾斜角(α)小于第二壁相对于垂直于底部的方向的倾斜角(β)。倾斜角(α)为30度或更小。倾斜角(β)为70度或更小。倾斜角(β)与倾斜角(α)之间的差为50度或更小。 | ||||||
| 15 | 二维硫族晶体的印刷式定点生长方法 | CN201510072662.4 | 2015-02-11 | CN104651777A | 2015-05-27 | 彭海琳; 郑文山; 谢天; 周喻; 刘忠范 |
| 本发明公开了一种二维硫族晶体的印刷式定点生长方法。该方法包括：1)将弹性印章先浸泡于可挥发性溶剂中，再取出所述弹性印章压印在基底表面，待所述可挥发性溶剂挥发后，将所述基底从所述弹性印章上剥离，得到图案化修饰的基底；2)在非氧化性气氛中，按照气路由下游至上游的顺序，依次放置图案化修饰的基底和硫族材料进行物理气相沉积，沉积完毕后降温，即得到所述二维硫族晶体。本发明发展了一套普适的二维硫族原子晶体控制生长的方法，可以得到大面积，高质量的形状、成核位点、取向和厚度可控的二维硫族原子晶体。这种方法制备得到的二维硫族原子晶体阵列可以被转移至其它任意基底，并在光电检测等领域具有重要的潜在应用。 | ||||||
| 16 | 制造碳化硅基板的方法 | CN201380030120.X | 2013-06-11 | CN104350187A | 2015-02-11 | 藤原伸介; 西口太郎; 堀勉; 大井直树; 上田俊策 |
| 根据本发明所述的制造碳化硅基板的方法具有以下步骤。升华碳化硅原料(8)的一部分。在升华所述碳化硅原料(8)的一部分之后，将具有主面(1A)的种基板(1)配置在成长容器(8)中。通过在成长容器(10)中升华碳化硅原料(8)的剩余部分，从而在种基板(1)的主面(1A)上成长碳化硅晶体(11)。从而可以提供制造具有少量位错的碳化硅基板的方法，其中，抑制了种基板(1)的主面(1A)中的位错的增加。 | ||||||
| 17 | SiC荧光材料及其制造方法以及发光元件 | CN201380028405.X | 2013-05-29 | CN104350128A | 2015-02-11 | 前田智彦; 寺前文晴; 难波江宏一 |
| 本发明提供提高了发光效率的SiC荧光材料及其制造方法以及发光元件。荧光材料由碳原子配置于立方体位置和六方体位置的SiC晶体构成，并添加有施主杂质和受主杂质，以使与立方体位置的碳原子置换的施主杂质相对于与六方体位置的碳原子置换的施主杂质的比例，比晶体构造中的立方体位置相对于六方体位置的比例大。 | ||||||
| 18 | 定向凝固系统和方法 | CN201280044634.6 | 2012-09-14 | CN103813983A | 2014-05-21 | A·努里; K·欧纳杰拉 |
| 本发明涉及一种使用快速定向凝固而提纯材料的装置和方法。所示的设备和方法提供了对在定向凝固过程中的温度梯度和冷却速率的控制，这产生更高纯度的材料。本发明的装置和方法可用于制备用于诸如太阳能电池的太阳能应用的硅材料。模具（801）通过壁结构（802）和基底（804）限定。系统（800）还包括顶部加热器（820）用以控制熔融硅（801）的热梯度和冷却速度。壁结构（801）包括从模具（801）的边缘到与底部（804）面接的界面的厚度渐缩。 | ||||||
| 19 | 用于金属-非金属化合物的表面活性剂晶体生长的方法 | CN201280019383.6 | 2012-03-04 | CN103562149A | 2014-02-05 | 摩西·艾纳夫 |
| 用于从金属-非金属(MN)化合物的表面活性剂晶体生长的方法，其包括以下程序：提供晶种，引入第一金属的原子以与晶种接触因而在晶种表面上形成薄的液态金属润湿层，设定晶种的温度低于在润湿层中溶解MN分子所需的最低温度并高于第一金属的熔点，而每一个MN分子是由第二金属原子和第一非金属的原子形成的，引入形成MN表面活性剂单层的MN分子从而促进在MN表面活性剂单层和晶种表面之间润湿层的形成，以及调节润湿层的厚度从而在晶种上生长MN化合物的外延层。 | ||||||
| 20 | 氮化铝块状晶体的可控掺杂方法 | CN200780018103.9 | 2007-03-30 | CN101454487B | 2013-01-23 | K·E·摩根; L·J·斯库瓦特; G·A·斯莱克 |
| 通过例如使Al丸粒与氮气反应制备高纯度的掺杂和未掺杂的化学计量比的多晶AlN陶瓷。这样的多晶AlN陶瓷可用于制备高纯度AlN单晶，可对该AlN单晶进行退火以提高其电导率。 | ||||||
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