| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 101 | 一种氮化铝晶体生长炉 | CN201610822802.X | 2016-09-14 | CN106435736A | 2017-02-22 | 吴亮; 曹凯; 王智昊; 汪佳 |
| 本发明公开了一种氮化铝晶体生长炉，包括炉体、上下活动的穿设于所述炉体底面的运动机构、设于所述运动机构顶部的坩埚，坩埚设于炉体中，氮化铝晶体生长炉还包括设于炉体中沿竖直方向依次分布的用于对坩埚加热的多段式加热机构、设于坩埚外侧的隔热机构、设于炉体外侧的用于测量坩埚温度的测温机构。本发明一种氮化铝晶体生长炉，采用多段式加热机构，可以为氮化铝晶体生长提供稳定的温度场；采用三路测温机构，可满足温度的精确测定；生长炉中的热场主要采用金属钨隔热屏和氮化硼隔热屏，保温效果好，可方便拆卸更换，并且可以有效防止引入杂质造成晶体污染。 | ||||||
| 102 | 一种PVT法生长碳化硅单晶时随炉退火的方法 | CN201610241793.5 | 2016-04-19 | CN105696082A | 2016-06-22 | 刘欣宇; 陈颖超; 张云伟; 何丽娟; 靳丽婕; 郭希; 程章勇 |
| 本发明公开了一种PVT法生长碳化硅单晶时随炉退火的方法，为该方法配备一晶体生长用单晶炉，该方法包括如下步骤：步骤1）调整所述保温结构使所述发热筒内得到理想的温区分布，在所述坩埚内进行碳化硅晶体生长；步骤2）碳化硅晶体生长完成后，使用所述提拉机构控制所述坩埚，将其移至所述发热筒内低于晶体生长温度的区域；步骤3）待晶体温度恒定后，启动温控程序将单晶炉内温度缓慢降至室温，降温后出炉、取锭。以此达到去除晶体内部应力的目的。 | ||||||
| 103 | 一种大直径尺寸SiC籽晶的制备方法 | CN201610114650.8 | 2016-03-01 | CN105671638A | 2016-06-15 | 彭燕; 陈秀芳; 徐现刚; 胡小波 |
| 本发明涉及一种大直径尺寸SiC籽晶的制备方法，它包括：将小直径SiC籽晶进行修整切割；采用密排拼接方式粘结固定在籽晶托上，形成第一层籽晶，在第一层籽晶的小直径SiC籽晶之间的缝隙上方再粘结固定第二层籽晶，使第二层籽晶覆盖第一层籽晶形成的缝隙，形成双层拼接排列籽晶，然后进行抛光，进行退火，促进侧向生长，制得完整的大直径尺寸SiC籽晶。本发明的制备方法，减小了大直径尺寸SiC衬底中内应力进而提高了大直径尺寸SiC衬底质量。相对现有技术简单易行并相对传统扩径方法能够实现SiC衬底直径的快速增加，效率高，且成功率高。 | ||||||
| 104 | 一种碳化硅单晶生长用坩埚结构 | CN201610071880.0 | 2016-02-02 | CN105543965A | 2016-05-04 | 李龙远 |
| 本发明公开了一种碳化硅单晶生长用坩埚结构，包括：坩埚本体，所述坩埚本体的内腔底部中心设置有凸起的埚底凸台，所述埚底凸台的高度不凸出于碳化硅原料。本发明能够提高原料的利用率、有效的降低产品的成本。 | ||||||
| 105 | 一种SiC单晶生长设备中坩埚独立旋转机构 | CN201510958135.3 | 2015-12-17 | CN105442044A | 2016-03-30 | 毛开礼; 郎鹏; 李斌; 王英民; 周立平; 戴鑫; 侯晓蕊; 王利忠 |
| 本发明公开了一种SiC单晶生长设备中坩埚独立旋转机构，解决了SiC单晶形貌、质量不均匀的问题。包括下法兰盘（9），在下法兰盘（9）的顶面上固定设置有外保温支撑架（6），在外保温支撑架（6）上固定设置有坩埚的外保温层（7），在外保温层（7）中活动设置有桶型坩埚（11），在桶型坩埚（11）的顶面上设置有上保温层（8），在桶型坩埚（11）的下底面上设置有下保温层（10），在下保温层（10）的下底面上连接有桶型坩埚支架（5），在下法兰盘（9）上设置有电机（1），在电机（1）的输出轴上连接有主动齿轮（3），在桶型坩埚支架（5）上设置有环形齿条（4），主动齿轮（3）与环形齿条（4）啮合在一起的。有效地提升了温场结构对称性。 | ||||||
| 106 | 一种坩埚旋转式碳化硅单晶生长方法 | CN201510958134.9 | 2015-12-17 | CN105442038A | 2016-03-30 | 毛开礼; 郎鹏; 李斌; 王英民; 周立平; 戴鑫; 侯晓蕊; 王利忠 |
| 本发明公开了一种坩埚旋转式碳化硅单晶生长方法，解决了SiC单晶形貌、质量不均匀的问题。包括下法兰盘（9），在下法兰盘（9）的顶面上固定设置有外保温支撑架（6），在外保温支撑架（6）上固定设置有坩埚的外保温层（7），在外保温层（7）中活动设置有桶型坩埚（11），在桶型坩埚（11）的顶面上设置有上保温层（8），在桶型坩埚（11）的下底面上设置有下保温层（10），在下保温层（10）的下底面上连接有桶型坩埚支架（5），在下法兰盘（9）上设置有电机（1），在电机（1）的输出轴上连接有主动齿轮（3），在桶型坩埚支架（5）上设置有环形齿条（4），主动齿轮（3）与环形齿条（4）啮合在一起的。有效地提升了温场结构对称性。 | ||||||
| 107 | 碳化硅粉末和碳化硅单晶的制造方法 | CN201380076003.7 | 2013-11-27 | CN105246826A | 2016-01-13 | 增田贤太; 一坪幸辉; 铃木将和; 野中洁; 加藤智久; 田中秀秋 |
| 提供一种碳化硅粉末，其用作升华再结晶法的原料的情况下，升华速度快且未升华而残存的碳化硅的量少，因此能够提高碳化硅单晶的生产率，并且碳化硅单晶(例如单晶晶片)能够大型化。碳化硅粉末是勃氏比表面积为250～1,000cm2/g的碳化硅粉末，该碳化硅粉末的总量中，粒度超过0.70mm且为3.00mm以下的碳化硅粉末的比例为50体积％以上。通过将碳化硅粉末5收容至坩埚1内并加热使其升华，能够使碳化硅的单晶6形成于设置于上盖3的底面部分的籽晶4上。 | ||||||
| 108 | 钒掺杂SiC单晶及其方法 | CN201380073671.4 | 2013-11-12 | CN105209671A | 2015-12-30 | 伊利娅·茨维巴克; 托马斯·E·安德森; 阿维纳什·K·古普塔; 迈克尔·C·诺兰; 布赖恩·K·布鲁哈德; 加里·E·鲁兰 |
| 一种升华法生长形成的SiC单晶，其包括钒掺杂剂，该钒掺杂剂通过在SiC单晶生长期间将气态钒化合物引入到SiC单晶的生长环境中结合到SiC单晶中。 | ||||||
| 109 | 碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法 | CN201480009593.6 | 2014-01-13 | CN105074059A | 2015-11-18 | 近藤宏行; 恩田正一; 木藤泰男; 渡边弘纪 |
| 本发明涉及一种包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶，将所述螺旋位错中柏氏矢量b满足b＞＜0001＞+1/3＜11-20＞的位错设定为L位错(2a)。所述L位错由于畸变较大，可能导致漏电流的发生，因而将碳化硅单晶中的所述L位错密度设定为300个/cm2以下，优选设定为100个/cm2以下，由此能够制成对可以抑制漏电流的器件的制作合适的高品质的碳化硅单晶。 | ||||||
| 110 | 一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法 | CN201510178074.9 | 2015-04-15 | CN104746144A | 2015-07-01 | 孟祥敏; 夏静; 朱丹丹; 王磊; 黄奔 |
| 本发明公开一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法，该方法包括如下步骤：1)将衬底放置于水平管式炉加热区下游区域；2)称量SnS2粉末，并置于耐高温容器中，然后将其放置在管式炉加热区；3)称量硫粉，并置于另一耐高温容器中，然后将其放置在加热区上游区域；4)降低所述水平管式炉内压力；5)向所述水平管式炉内充入惰性气体，使所述水平管式炉内压回复到常压，同时保持一定流速的惰性气体；6)将所述水平管式炉温度升至650-750℃；7)将所述水平管式炉加热区自然降温到室温。本方法制备工艺简单，重复性高，可控性强、结晶性好、容易转移到其它衬底，便于大规模光电器件的研发和应用。 | ||||||
| 111 | 碳化硅单晶及其制造方法 | CN201110220363.2 | 2011-07-29 | CN102400224B | 2015-04-01 | 广濑富佐雄; 小岛淳; 儿岛一聪; 加藤智久; 安达步; 西川恒一 |
| 一种碳化硅单晶(3)，包括作为掺杂剂的氮和作为掺杂剂的铝。氮浓度为2×1019cm-3或更高，并且铝浓度与所述氮浓度的比率在5％至40％的范围内。 | ||||||
| 112 | 一种PVT法生长AlN单晶用复合籽晶托的制备方法 | CN201410774970.7 | 2014-12-16 | CN104451886A | 2015-03-25 | 张丽; 齐海涛; 史月增; 程红娟; 徐永宽 |
| 本发明公开了一种PVT法生长AlN单晶用复合籽晶托的制备方法。复合籽晶托为TaC涂层/石墨为基体的耐高温耐腐蚀复合材料，其制备方法为采用双温区CVR法在石墨片上沉积一层致密Ta，并原位碳化生成TaC涂层，即获得TaC涂层/石墨复合籽晶托。采用本方法制备的TaC涂层/石墨复合籽晶托不仅可以长时间经受AlN单晶生长的高温、Al蒸汽强侵蚀性等恶劣环境，克服了传统CVD法制备TaC涂层高温易剥离的现象，还可以预防石墨中碳气氛渗透污染AlN体单晶。TaC涂层/石墨复合籽晶托具有耐高温、耐腐蚀、表面平整易加工等优点，适合用于物理气相传输法生长大尺寸高质量AlN单晶。 | ||||||
| 113 | 制造氮化物半导体晶体的方法、氮化物半导体晶体以及制造氮化物半导体晶体的装置 | CN201080002639.3 | 2010-01-13 | CN102159755B | 2014-06-11 | 佐藤一成; 宫永伦正; 山本喜之 |
| 本发明公开了制造氮化物半导体晶体的方法，其中实施下列步骤。首先，准备在内部配置源材料(17)的坩埚(101)。然后，在所述坩埚(101)内，通过加热和升华所述源材料(17)而淀积源材料气体，从而生长氮化物半导体晶体。在所述准备步骤中，准备由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属制成的坩埚(101)。 | ||||||
| 114 | III族氮化物结构体以及III族氮化物半导体微细柱状晶体的制造方法 | CN200880105385.0 | 2008-08-27 | CN101796212B | 2014-04-09 | 岸野克巳; 菊池昭彦 |
| 本发明提供一种III族氮化物结构体，其包括：在基板(102)表面的规定区域上形成的具有由金属构成的表面的膜(108)；以及至少在基板(102)表面上形成的由III族氮化物半导体构成的微细柱状晶体(110)。在没有形成所述膜(108)的所述基板(102)表面上的所述微细柱状晶体(110)的空间占有率比所述膜(108)上的所述微细柱状晶体(110)的空间占有率高。 | ||||||
| 115 | 制造碳化硅衬底的方法 | CN201310247103.3 | 2013-06-20 | CN103578925A | 2014-02-12 | 本家翼; 冲田恭子 |
| 一种制造碳化硅衬底的方法，包括如下步骤：制备由碳化硅制成的晶锭；通过切割所制备的晶锭获得碳化硅衬底；蚀刻碳化硅衬底的硅表面；以及在蚀刻碳化硅衬底之后对碳化硅衬底的蚀刻表面进行抛光。蚀刻碳化硅衬底的硅表面的步骤包括利用氯气从蚀刻区移除形成碳化硅的硅原子的步骤，蚀刻区包括碳化硅衬底的蚀刻主面。 | ||||||
| 116 | 低微管100mm碳化硅晶片 | CN201310081171.7 | 2005-09-27 | CN103422174A | 2013-12-04 | 阿德里安.波维尔; 马克.布莱德; 罗伯特.泰勒.莱昂纳德 |
| 本发明涉及一种低微管100mm碳化硅晶片。公开了一种直径至少约100mm并且微管密度小于约25cm-2的高质量SiC单晶晶片。 | ||||||
| 117 | 氮化铝单晶的制造装置和制造方法 | CN201180053805.7 | 2011-11-09 | CN103249877A | 2013-08-14 | 镰田弘之; 加藤智久; 长井一郎; 三浦知则 |
| 本发明的氮化铝单晶的制造装置是通过加热氮化铝原料而使其升华，使氮化铝在晶种上再结晶，从而制造氮化铝单晶的氮化铝单晶的制造装置，具备：收纳氮化铝原料且由对氮化铝原料升华时产生的铝气具有耐腐蚀性的材料构成的生长容器和设置于生长容器的外侧且介由生长容器加热氮化铝原料的发热体；并且，生长容器具备具有收纳氮化铝的收纳部的主体部和将主体部的收纳部密闭的盖体，发热体由含有钨的金属材料构成。 | ||||||
| 118 | 在离轴晶种上一百毫米SiC晶体的生长 | CN200780025613.9 | 2007-05-30 | CN101484616B | 2013-07-24 | 罗伯特·泰勒·莱昂纳德; 马克·贝迪; 阿德里安·鲍威尔 |
| 本发明公开了半导体晶体及其相关的生长方法。该晶体包括晶种部和在晶种部上的生长部。该晶种部和该生长部形成大体上竖直的圆柱形碳化硅单晶。晶种面定义在生长部和晶种部之间的界面，该晶种面大体上平行于竖直圆柱形晶体的底面且相对于单晶的基面离轴。生长部复制晶种部的多型体且生长部具有至少约100mm的直径。 | ||||||
| 119 | 低1c螺旋位错3英寸碳化硅晶片 | CN200580033838.X | 2005-09-27 | CN101061262B | 2013-06-12 | 阿德里安·波维尔; 马克·布莱德; 斯蒂芬·G·米勒; 瓦莱里·F·茨韦特科夫; 罗伯特·泰勒·莱昂纳德 |
| 本发明公开了一种直径至少约3英寸和1c螺旋位错密度小于约2000cm-2的高质量SiC单晶晶片。 | ||||||
| 120 | 制造半导体衬底的方法 | CN201080002667.5 | 2010-04-27 | CN102160143B | 2013-05-29 | 佐佐木信; 原田真; 西口太郎; 藤原伸介; 并川靖生 |
| 准备具有第一后侧表面(B1)的第一碳化硅衬底(11)和具有第二后侧表面(B2)的第二碳化硅衬底。放置第一碳化硅衬底(11)和第二碳化硅衬底(12)，以在一个方向上露出第一后侧表面(B1)和第二后侧表面(B2)中的每个。形成连接部(50)，以将第一后侧表面(B1)和第二后侧表面(B2)彼此连接。形成连接部(50)的步骤包括使用在所述一个方向上供给升华物的升华法在第一后侧表面(B1)和第二后侧表面(B2)的每个上形成由碳化硅制成的生长层(30)的步骤。 | ||||||
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