| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 121 | 100毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片 | CN201210395316.6 | 2005-06-14 | CN102899723A | 2013-01-30 | J·R·杰尼 |
| 本发明公开了单一多型体的单晶碳化硅晶片，其直径大于75毫米，并小于125毫米，电阻率大于10000ohm-cm，微管密度小于200cm-2，并且浅能级掺杂剂的总浓度小于5E16cm-3。 | ||||||
| 122 | 碳化硅单晶体的制造装置 | CN201180006102.9 | 2011-01-14 | CN102713028A | 2012-10-03 | 关亘; 近藤大辅 |
| 本发明提供一种碳化硅单晶体的制造装置。本发明的单晶体制造装置（1）包括坩埚（2），该坩埚（2）用于容纳含有碳化硅的晶种（11）和配设在与该晶种（11）相对一侧并用于上述晶种（11）的生长的升华用原料（10）。上述坩埚（2）包括：坩埚主体（7），其用于容纳上述升华用原料（10）；以及盖体（8），其供上述晶种（11）配设；上述盖体（8）的与上述晶种（11）的径向中央侧相对应的中央区域处的厚度（T1）设定为大于上述盖体（8）的与比上述晶种（11）的径向中央侧靠径向外侧处相对应的周边区域处的厚度（T2）。 | ||||||
| 123 | 用于制造氮化铝晶体的方法、氮化铝晶体、氮化铝晶体衬底和半导体器件 | CN200780003077.2 | 2007-01-10 | CN101370972B | 2012-09-26 | 水原奈保; 宫永伦正; 川濑智博; 藤原伸介 |
| 本发明提供制造AlN晶体的方法，及AlN晶体、AlN晶体衬底和使用该AlN晶体衬底制造的半导体器件，其能够得到具有有利特性的半导体器件。本发明的一个方面是AlN晶体制造方法，该方法包括在SiC籽晶衬底的表面上生长AlN晶体的步骤，和取出从SiC籽晶衬底表面到AlN晶体中的位于2mm至60mm范围内的AlN晶体的至少一部分的步骤。此外，本发明的其它方面是由该方法制造的AlN晶体和AlN晶体衬底，及使用该AlN晶体衬底制造的半导体器件。 | ||||||
| 124 | 制造高品质大尺寸碳化硅晶体的方法 | CN200580042153.1 | 2005-12-07 | CN101072901B | 2012-09-26 | A·鲍威尔; V·F·采夫科夫; M·布拉迪; R·T·莱昂纳德 |
| 本发明是对在籽晶升华系统中制造高品质碳化硅体单晶的方法的改良。在第一实施方案中，该改良包括通过在晶体生长的最初的一(1)毫米中引入高浓度的氮原子来减少生长晶体中的宏观台阶的数量。 | ||||||
| 125 | 碳化硅衬底、半导体器件、制造碳化硅衬底的方法和制造半导体器件的方法 | CN201180005010.9 | 2011-10-12 | CN102686787A | 2012-09-19 | 原田真; 本家翼 |
| 碳化硅衬底（80）的主表面（M80）在相对于六方晶体的｛0001｝面的偏离方向上以偏离角倾斜。主表面（M80）具有下述特性：在由具有比六方碳化硅的带隙更高的能量的激发光引起的主表面的发射具有超过650nm的波长的光致发光光的区域中，下述区域的数目至多为每1cm21×104，该区域在与偏离方向垂直的方向上具有至多15μm的尺寸并且在平行于偏离方向的方向上具有不大于通过将激发光（LL）在六方碳化硅中的穿透长度除以偏离角的正切获得的值的尺寸。因此，能够减少反向漏电流。 | ||||||
| 126 | AlxGa1-xN晶体的生长方法和AlxGa1-xN晶体衬底 | CN200780023255.8 | 2007-06-15 | CN101473075B | 2012-09-05 | 宫永伦正; 水原奈保; 中幡英章 |
| 本发明提供了AlxGa1-xN晶体生长方法以及AlxGa1-xN晶体衬底，其中获得了低位错密度的大块晶体。所述AlxGa1-xN晶体(0＜x≤1)生长方法是一种通过气相技术生长AlxGa1-xN晶体10的方法，其特征在于，在晶体生长中，在AlxGa1-xN晶体10的主生长面11上形成至少一个具有多个小面12的凹坑10p，并在所述至少一个凹坑10p存在下生长AlxGa1-xN晶体10，以减少AkxGa1-xN晶体10中的位错。 | ||||||
| 127 | 碳化硅晶体和制造碳化硅晶体的方法 | CN201180004389.1 | 2011-02-25 | CN102597339A | 2012-07-18 | 佐佐木信 |
| 本发明公开了一种SiC晶体(10)，其特征在于，其Fe浓度为0.1ppm以下，且其Al浓度为100ppm以下。本发明还公开了一种制造SiC晶体的方法，包括以下步骤。准备研磨用SiC粉末作为第一原料(17)。利用加热使所述第一原料(17)升华，并析出SiC晶体，从而生长第一SiC晶体(11)。粉碎所述第一SiC晶体(11)而形成第二原料(12)。通过利用加热使所述第二原料(12)升华，并析出SiC晶体，从而生长第二SiC晶体(14)。由此可获得能够抑制品质下降的SiC晶体和制造SiC晶体的方法。 | ||||||
| 128 | 碳化硅晶锭、碳化硅衬底及其制造方法、坩锅以及半导体衬底 | CN201080042620.1 | 2010-09-17 | CN102549715A | 2012-07-04 | 佐佐木信; 原田真; 西口太郎; 冲田恭子; 井上博挥; 并川靖生; 藤原伸介 |
| 一种SiC晶锭(10a)，其设置有：底面(12a)，其具有四个边；四个侧面(12b，12c，12d，12e)，该四个侧面在与所述底面(12a)的方向相交的方向上从所述底面(12a)延伸；以及生长面(12f)，其与所述侧面(12b，12c，12d，12e)连接，并位于相对于所述底面(12a)的相反侧上。所述底面(12a)、所述侧面(12b，12c，12d，12e)以及所述生长面(12f)中的至少一个是{0001}面、{1-100}面、{11-20}面或相对于这些面具有10°以内的倾斜的面。 | ||||||
| 129 | 制造碳化硅衬底的方法和碳化硅衬底 | CN201080023860.7 | 2010-09-27 | CN102449734A | 2012-05-09 | 原田真; 佐佐木信; 西口太郎; 玉祖秀人; 并川靖生 |
| 本发明提供一种制造易于具有大直径的碳化硅衬底(1)的方法，所述方法包括：准备多个SiC衬底(20)的步骤，所述多个SiC衬底(20)各自由单晶碳化硅制得；以及以当俯视观察时所述多个SiC衬底(20)并排排列的方式将所述多个SiC衬底(20)的端面(20B)相互连接的步骤。 | ||||||
| 130 | 绝缘栅双极晶体管 | CN201080020696.4 | 2010-04-27 | CN102422425A | 2012-04-18 | 和田圭司; 原田真; 增田健良; 穗永美纱子; 西口太郎; 佐佐木信; 藤原伸介; 并川靖生 |
| 本发明公开了一种IGBT(100)，其为能降低导通电阻并同时抑制缺陷产生的垂直型IGBT，且包含：碳化硅衬底(1)、漂移层(3)、阱区(4)、n+区(5)、发射极接触电极(92)、栅氧化物膜(91)、栅极(93)以及集电极(96)。所述碳化硅衬底(1)包含：由碳化硅制成并具有p型导电性的基础层(10)；和由单晶碳化硅制成并布置在所述基础层(10)上的SiC层(20)。所述基础层(10)具有超过1×1018cm-3的p型杂质浓度。 | ||||||
| 131 | 半导体器件 | CN201080020502.0 | 2010-04-27 | CN102422424A | 2012-04-18 | 和田圭司; 原田真; 增田健良; 穗永美纱子; 佐佐木信; 西口太郎; 并川靖生; 藤原伸介 |
| 一种MOSFET(100)，其是半导体器件并使能减少导通电阻同时抑制由于在器件制造工艺中的热处理而导致产生层错，包括：碳化硅衬底(1)；有源层(7)，其由单晶碳化硅制成并且布置在碳化硅衬底(1)的一个主表面上；源极接触电极(92)，其布置在有源层(7)上；以及漏电极(96)，其形成在碳化硅衬底(1)的另一主表面上。碳化硅衬底(1)包括：基底层(10)，其由碳化硅制成；以及SiC层(20)，其由单晶碳化硅制成并且布置在基底层(10)上。此外，基底层(10)具有大于2×1019cm-3的杂质浓度，并且SiC层(20)具有大于5×1018cm-3并且小于2×1019cm-3的杂质浓度。 | ||||||
| 132 | 碳化硅单晶及其制造方法 | CN201110220363.2 | 2011-07-29 | CN102400224A | 2012-04-04 | 广濑富佐雄; 小岛淳; 儿岛一聪; 加藤智久; 安达步; 西川恒一 |
| 一种碳化硅单晶(3)，包括作为掺杂剂的氮和作为掺杂剂的铝。氮浓度为2×1019cm-3或更高，并且铝浓度与所述氮浓度的比率在5％至40％的范围内。 | ||||||
| 133 | 支承基板、贴合基板、支承基板的制造方法及贴合基板的制造方法 | CN201080014976.4 | 2010-03-19 | CN102378832A | 2012-03-14 | 牛田和宏 |
| 本发明提供支承基板、贴合基板、支承基板的制造方法及贴合基板的制造方法，作为贴合到由单晶体构成的单晶晶圆上的支承基板(30)包括由碳化硅的多晶体构成的碳化硅多晶基板(10)和蒸镀在碳化硅多晶基板(10)上的覆层(20)，覆层(20)由碳化硅或者硅构成且与单晶晶圆相接触，与单晶晶圆相接触的覆层(20)的接触面(22)的算术平均粗糙度为1nm以下。 | ||||||
| 134 | 碳化硅单结晶的制造装置和制造方法 | CN201010621547.5 | 2010-12-24 | CN102134743A | 2011-07-27 | 小岛淳 |
| 一种SiC单结晶制造装置(1)包括基座(9a)和加热坩埚(8)，籽晶(5)布置在基座上，加热坩埚(8)相对于基座(9a)布置在原料气体(3)的流动通道上游侧。通过从中空筒形件的上游端引入原料气体(3)并且从中空筒形件的下游端排出原料气体(3)，加热坩埚(8)将原料气体(3)供应给籽晶(5)。缩径部分(8d)布置在中空筒形件的下游端，其开口部分的尺寸小于中空筒形件的开口尺寸。缩径部分(8d)的整个开口部分被包含在这样的区域内，即基座(9a)的外边沿着加热坩埚(8)的中心轴线方向投影所限定的区域。 | ||||||
| 135 | 超韧单晶掺硼金刚石 | CN200980125978.8 | 2009-05-05 | CN102084492A | 2011-06-01 | 梁琦; 严智秀; 毛和光; 罗素·赫姆利 |
| 本发明涉及具有至少约22MPa m1/2的韧度的单晶掺硼CVD金刚石。本发明进一步涉及制备单晶掺硼CVD金刚石的方法。该金刚石的生长速率可以是20-100μm/h。 | ||||||
| 136 | 制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底以及外延晶片 | CN200980114398.9 | 2009-04-17 | CN102016135A | 2011-04-13 | 佐藤一成; 宫永伦正; 藤原伸介; 中幡英章 |
| 本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。 | ||||||
| 137 | AlN晶体及其生长方法 | CN200880003999.8 | 2008-11-13 | CN101802274A | 2010-08-11 | 佐藤一成; 水原奈保; 谷崎圭祐; 宫永伦正; 中幡英章 |
| 本发明公开一种生长AlN晶体的方法，所述方法能够稳定地生长具有大孔径和厚度的AlN晶体。本发明具体公开一种生长AlN晶体的方法，所述方法包括准备具有主面(4m)的SiC衬底(4)的步骤，在所述主面(4m)中，管径为1000μm以上的微型管(4mp)的密度为0cm-2，且管径为100μm以上且小于1000μm的微型管(4mp)的密度为0.1cm-2以下；和通过气相淀积在所述主面(4m)上生长AlN晶体(5)的步骤。 | ||||||
| 138 | Ⅲ族氮化物结构体以及Ⅲ族氮化物半导体微细柱状晶体的制造方法 | CN200880105385.0 | 2008-08-27 | CN101796212A | 2010-08-04 | 岸野克巳; 菊池昭彦 |
| 本发明提供一种Ⅲ族氮化物结构体，其包括：在基板(102)表面的规定区域上形成的具有由金属构成的表面的膜(108)；以及至少在基板(102)表面上形成的由Ⅲ族氮化物半导体构成的微细柱状晶体(110)。在没有形成所述膜(108)的所述基板(102)表面上的所述微细柱状晶体(110)的空间占有率比所述膜(108)上的所述微细柱状晶体(110)的空间占有率高。 | ||||||
| 139 | AlxGa1-xN晶体的生长方法和AlxGa1-xN晶体衬底 | CN200780023255.8 | 2007-06-15 | CN101473075A | 2009-07-01 | 宫永伦正; 水原奈保; 中幡英章 |
| 本发明提供了AlxGa1－xN晶体生长方法以及AlxGa1－xN晶体衬底，其中获得了低位错密度的大块晶体。所述AlxGa1－xN晶体(0＜x≤1)生长方法是一种通过气相技术生长AlxGa1－xN晶体10的方法，其特征在于，在晶体生长中，在AlxGa1－xN晶体10的主生长面11上形成至少一个具有多个小面12的凹坑10p，并在所述至少一个凹坑10p存在下生长AlxGa1－xN晶体10，以减少AlxGa1－xN晶体10中的位错。 | ||||||
| 140 | 单壁碳纳米管的制造方法及应用 | CN01137813.1 | 2001-11-08 | CN100457609C | 2009-02-04 | 詹姆斯·K·吉姆泽斯基; 雷托·施里特勒; 徐真源 |
| 本发明涉及一种制造单壁碳纳米管的方法，包括步骤：在基底上提供至少一个柱，该柱包括包含富勒烯分子的第一母体材料和包含催化剂的第二母体材料的交替层；以及在第一磁或电场存在的情况下加热至少一个柱。本发明还涉及用于制造单壁碳纳米管的母体布置，此布置在基底上包括至少一个柱，该柱包括包含富勒烯分子的第一母体材料和包含催化剂的第二母体材料的交替层。本发明的第三方面是纳米管的排列，此排列包括基底和其上的至少一个晶体，该晶体包含一束具有大致等同的取向和结构的单壁碳纳米管。 | ||||||
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