| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 用于制造至少一种SiC单晶体的装置和方法 | CN99808355.0 | 1999-07-05 | CN1308690A | 2001-08-15 | 勒内·斯坦; 约翰尼斯·沃尔克尔; 哈拉尔德·库恩; 罗兰·鲁普 |
| 用于制造一种碳化硅(SiC)单晶体(10)的装置具有一个坩埚(20),它包括一个用于容纳固态SiC贮存物(31)的贮存区(30)和一个用于容纳SiC晶核(11)的结晶区(12)。在坩埚(20)内设有一个由格拉斯煤制成的部件(51)。在用于制造一种碳化硅(SiC)单晶体(10)的方法中,通过加热贮存物(31),使固态SiC升华并形成气相SiC。气相SiC被输往SiC晶核(11)并在那里生长成SiC单晶体(10)。通过由格拉斯煤制成的部件(51),可对热量流(61)进行控制。 | ||||||
| 42 | 制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置 | CN99100967.3 | 1999-01-18 | CN1225953A | 1999-08-18 | 盐见弘; 西野茂弘 |
| 一种用于制造SiC单晶的装置,包括:一Si设置部分,其中放有固态硅;一籽晶设置部分,其中放有SiC的籽晶;一合成容器,适合于容纳Si设置部分、籽晶设置部分和碳;加热构件,适合于加热Si设置部分和籽晶设置部分;和一控制部分,用于向加热构件输送一指令,以将硅加热到硅的蒸发温度或更高,和将籽晶加热到高于Si的温度;其中,由加热构件蒸发的Si适于达到籽晶设置部分。本发明还涉及制造SiC单晶的方法。 | ||||||
| 43 | 电阻炉合成单晶碳化硅制备方法 | CN201610832905.4 | 2016-09-01 | CN107201546A | 2017-09-26 | 梅咬清 |
| 本发明在电阻炉合成单晶碳化制备方法，而单晶碳化硅是属半导体技术领域中一种半导体芯片高性能材料。广泛用于高科技及国防工业上。创造性突破半导体高性能材料单晶碳化硅合成新方法。现发明在电阻炉合成单晶碳化硅，严格控制温度在2600度，形成合成结晶空间，制备方法：“熔解法”，按配方比例配料SIC晶种，辅以绿碳化硅及硅砂为填充料，在电阻炉合成单晶碳化硅，质量好、晶体大。新颖性特征：比单晶硅在力学性质、光学性质、热学性质，导电性质等，在各方面都有明显的优越。其特点：耐高温抗烧蚀，硬度高耐磨损，强度高耐抗压，耐老化寿命长，电阻低导电好。电阻炉合成单晶碳化硅填补半导体芯片高性能材料的空白。单晶碳化硅、投资少、效益高特别适合中小企业开发生产、经济及社会效益显著。 | ||||||
| 44 | 一种SiC单晶生长过程中籽晶与石墨托的连接方法 | CN201611126130.5 | 2016-12-09 | CN106757356A | 2017-05-31 | 杨继胜; 杨昆; 高宇; 郑清超 |
| 本发明属于电子工业和半导体材料技术领域，具体涉及一种SiC单晶生长过程中籽晶与石墨托的连接方法。包括以下步骤：第一步：在石墨托与SiC籽晶之间设置一个固定连接块，在固定连接块的上平面和下平面均旋涂光刻胶；第二步：在石墨托的下表面涂光刻胶，然后将涂有光刻胶的固定连接块的上平面与涂有光刻胶的石墨托下表面相粘接；第三步：在SiC籽晶的上表面涂光刻胶，然后将其与涂有所述光刻胶的所述固定连接块的下表面相互粘接；第四步：将粘结完成的SiC籽晶、固定连接块和石墨托在高温下进行退火，完成粘结过程。该方法采用光刻胶作为粘结材料，且采用了表面具有小孔的固定连接块作为间接连接，避免了SiC直接与石墨托相连，同时具有环保的优点。 | ||||||
| 45 | 一种氮化铝原料高温提纯方法 | CN201611198615.5 | 2016-12-22 | CN106757322A | 2017-05-31 | 吴亮; 汪佳; 曹凯; 刘理想; 王智昊; 龚加玮; 王琦琨 |
| 本发明公开了一种氮化铝原料高温提纯方法，通过多段式保温步骤、加热温度的依次递增以及高纯氮气的输入，能够高效的去除氮化铝粉末中的杂质，为后续的氮化铝单晶材料的生长提供了较好的长晶材料。 | ||||||
| 46 | 一种用于碳化硅单晶生长的籽晶处理方法 | CN201611125985.6 | 2016-12-09 | CN106757321A | 2017-05-31 | 乔松; 杨继胜; 杨昆; 高宇; 郑清超 |
| 针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种用于碳化硅单晶生长的籽晶处理方法，通过一步法使籽晶背面获得两层致密石墨层，石墨层在高温下能够保持稳定，从而抑制了籽晶背面升华的发生，从而消除了晶体生长过程中由背面升华导致的平面六方空洞缺陷，极大地提高了碳化硅晶体质量。该方法且易于实现、成本可控，具有突出的规模化应用前景。 | ||||||
| 47 | 一种优化碳化硅单晶生长的方法 | CN201611126088.7 | 2016-12-09 | CN106435735A | 2017-02-22 | 牛晓龙; 杨昆; 高宇; 郑清超 |
| 本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种优化碳化硅单晶生长的方法。包括以下步骤：（1）在石墨坩埚的侧壁上部钻取一个气孔；2）将SiC原料置于石墨坩埚底部，将SiC籽晶置于与石墨坩埚上盖相连的石墨托盘上；（3）将石墨导管一端接入所述石墨坩埚侧壁上的气孔，另一端连接感应加热炉的硅烷管；（4）抽真空，保持真空状态，向生长室内通入置换气体，再间隔10-40min后再次通入相同流量、相同时间的置换气体，周期性重复此过程；（5）对生长室加热（；6）向生长室内通入硅烷气体；（7）所示碳化硅晶体生长结束，逐渐降低生长室温度至室温。该方法抑制了SiC原料的石墨化，使升华的组分稳定地向生长区输运，优化生长过程，降低晶体中的缺陷。 | ||||||
| 48 | 一种二硫化铼单晶的生长方法 | CN201610494152.0 | 2016-06-30 | CN105970297A | 2016-09-28 | 邱俊 |
| 本发明提供了一种二硫化铼单晶的生长方法，取一定比例的三氧化铼与过量的硫粉混合放入石英管中并抽真空，在400℃下保温一至两天后，将得到的粉末研细后放在酒精灯上灼烧，去除多余的硫，得到纯度较高的二硫化铼多晶；将得到的去硫后的二硫化铼多晶与输运剂溴混合后，封入石英管并抽真空后放入多温区炉，利用化学气相输运法生长出二硫化铼单晶。 | ||||||
| 49 | 定向凝固系统和方法 | CN201280044634.6 | 2012-09-14 | CN103813983B | 2016-06-29 | A·努里; K·欧纳杰拉 |
| 本发明涉及一种使用快速定向凝固而提纯材料的装置和方法。所示的设备和方法提供了对在定向凝固过程中的温度梯度和冷却速率的控制，这产生更高纯度的材料。本发明的装置和方法可用于制备用于诸如太阳能电池的太阳能应用的硅材料。模具（801）通过壁结构（802）和基底（804）限定。系统（800）还包括顶部加热器（820）用以控制熔融硅（801）的热梯度和冷却速度。壁结构（801）包括从模具（801）的边缘到与底部（804）面接的界面的厚度渐缩。 | ||||||
| 50 | 一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法 | CN201610054541.1 | 2016-01-26 | CN105648535A | 2016-06-08 | 李含冬; 龙城佳; 任武洋; 高磊; 张忠阳; 李勇; 姬海宁; 戴丽萍; 周志华; 牛晓滨; 王志明 |
| 本发明公开了一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法，属于半导体材料技术领域，该装置包括管式炉(5)和石英管(1)，所述的石英管(1)穿过管式炉(5)内部，两端暴露在管式炉(5)外，石英管(1)的两个端口分别为第一管口(8)和第二管口(9)；靠近第一管口(8)处装有冷阱(7)；石英管(1)内设有三个滑槽，分别为第一滑槽(6a)、第二滑槽(6b)和第三滑槽(6c)，每个滑槽内设有两个磁铁滑块。本发明所述的制备硫系化合物异质结构的方法及装置，使不同材料的沉积过程都处于真空环境下，且避免了不同材料之间的交叉污染，操作简单、成本低廉，制备得到的异质结构界面结构完整，结晶质量优良。 | ||||||
| 51 | 一种具有中心对称性的SiC单晶生长装置及方法 | CN201610114960.X | 2016-03-01 | CN105568370A | 2016-05-11 | 胡小波; 彭燕; 陈秀芳; 徐现刚 |
| 本发明涉及一种具有中心对称性的SiC单晶生长装置，包括带盖的石墨坩埚，石墨坩埚的底部连接有使石墨坩埚旋转的旋转系统，所述的旋转系统包括旋转托盘、中心旋转杆和驱动中心旋转杆主动的驱动装置，驱动装置通过三通连接件与真空生长腔密闭连接，中心旋转杆穿过三通连接件与驱动装置连接。本发明的生长装置，石墨坩埚的底部连接有使石墨坩埚旋转的旋转系统，使用时中心旋转杆的转速为1-60转/分钟，克服了螺旋状感应线圈和保温导致的非中心对称的温场；构建了中心对称温场，并使物质传输呈现中心轴对称性，使生长得到的晶体具有中心对称性，边缘各处厚度相等，提高了晶体材料的利用率。 | ||||||
| 52 | 消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的方法和装置 | CN201610071877.9 | 2016-02-02 | CN105543964A | 2016-05-04 | 张云伟; 韩金波; 靳丽婕 |
| 本发明公开了消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的方法，包括：步骤1选取厚度在0.1-1mm范围内的石墨纸或Ta（钽）片；步骤2将石墨纸或Ta片裁切成高度与石墨坩埚内壁一致，长度于石墨坩埚内周长一致的长条，曲卷放入石墨坩埚内，调整位置使其与石墨坩埚内侧表面贴合；步骤3将石墨纸或Ta片裁剪成厚度一致、直径与石墨坩埚内底直径一致，将裁剪后的石墨纸或Ta片置于坩埚内底，与坩埚底部贴合；步骤4将原料放入石墨坩埚中夯实，进行碳化硅单晶生长。该方法有效的降低了生长升华过程中气相组分对反应系统石墨内壁的腐蚀。本发明还公开了消除碳化硅单晶生长过程中硅对石墨体腐蚀的装置。 | ||||||
| 53 | 无掺杂元素的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置 | CN201510972097.7 | 2015-12-22 | CN105420813A | 2016-03-23 | 王利忠; 李斌; 王英民; 魏汝省; 毛开礼; 徐伟; 戴鑫; 马康夫; 周立平; 付芬; 田牧; 侯晓蕊 |
| 本发明公开了一种无掺杂元素的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置，解决了低杂质的高纯碳化硅晶体生产的难题。包括高纯石墨坩埚（2），在高纯石墨坩埚（2）的外侧面上设置有石墨毡保温层（7），在石墨毡保温层（7）上分别设置有下测温孔（8）和上测温孔（9），在高纯石墨坩埚（2）的内腔顶部设置有石墨托（1），在石墨托（1）上设置有籽晶（4），在籽晶（4）上设置有生长后的碳化硅晶体（5），在高纯石墨坩埚（2）的腔内下部设置有SiC高纯粉料（3），在石墨托（1）与高纯石墨坩埚（2）的内腔内侧壁之间设置有小孔（6）。本发明目的通过降低背景中的杂质元素浓度来获得高纯碳化硅晶体。 | ||||||
| 54 | 一种快速生长大尺寸碳化硅单晶的方法 | CN201510253754.2 | 2015-05-19 | CN104805504A | 2015-07-29 | 陈秀芳; 徐现刚; 胡小波; 彭燕 |
| 本发明涉及一种快速生长大尺寸碳化硅单晶的方法。该方法包括：将硅粉和碳粉混合料置于石墨坩埚底部，表面放置一个多孔石墨片；籽晶固定在石墨坩埚顶部，对生长室抽真空，向生长室通入Ar气或者Ar与H2的混合气体，加热至1600-2000℃，压力800-900mbar，反应2-5小时，得到SiC源料；升温至2200-2500℃，继续通入Ar气，降压，底部粉料升华至籽晶表面，生长30-50小时，得到大尺寸SiC单晶。本发明可一次性合成碳化硅粉料并原位生长SiC单晶，成本低，工艺简单。 | ||||||
| 55 | 石墨烯的生长方法 | CN201310496579.0 | 2013-10-21 | CN104562195A | 2015-04-29 | 王浩敏; 唐述杰; 卢光远; 吴天如; 姜达; 丁古巧; 张学富; 谢红; 谢晓明; 江绵恒 |
| 本发明提供一种石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：S1：提供一绝缘衬底，将所述绝缘衬底放置于生长腔室中；S2：将所述绝缘衬底加热到预设温度，并在所述生长腔室中引入含有催化元素的气体；S3：在所述生长腔室中通入碳源，在所述绝缘衬底上生长出石墨烯薄膜。本发明通过引入气态催化元素催化方式，在绝缘衬底上快速生长高质量石墨烯，避免了石墨烯的转移过程，能够提高石墨烯的生产产量，而且大大降低了石墨烯的生长成本，有利于批量生产；本发明生长的石墨烯可应用于新型石墨烯电子器件、石墨烯透明导电膜、透明导电涂层等领域。 | ||||||
| 56 | 制造碳化硅单晶的方法和碳化硅单晶衬底 | CN201410231410.7 | 2014-05-28 | CN104278322A | 2015-01-14 | 本家翼; 冲田恭子; 川濑智博; 堀勉 |
| 本发明涉及制造碳化硅单晶的方法和碳化硅单晶衬底。提高了碳化硅单晶的质量。制备具有第一侧和第二侧的坩埚。将用于利用升华方法生长碳化硅的固体源材料布置在第一侧。将由碳化硅制成的籽晶布置在第二侧。将坩埚布置在绝热容器中。绝热容器具有面向第二侧的开口。加热坩埚，使固体源材料升华。通过绝热容器中的开口测量第二侧的温度。开口具有向着绝热容器的外侧变窄的锥形内表面。 | ||||||
| 57 | 具有减少缺陷的大的氮化铝晶体及其制造方法 | CN200680044355.4 | 2006-11-28 | CN101415864B | 2014-01-08 | R·T·邦多考弗; K·摩根; G·A·斯莱克; L·J·斯库瓦特 |
| 减少AlN中的微孔(MV)密度可以缓解与晶体生长过程中的开裂、抛光过程中的蚀坑产生、AlN晶片中的光学透明度降低以及AlN和/或AlN镓外延生长过程中可能的生长凹坑形成相关的很多问题。这有利于实际的晶体生产策略和形成具有低缺陷密度的大的块状AlN晶体，所述低缺陷密度是例如低于104cm-3的位错密度和低于104cm-3的夹杂物密度和/或低于104cm-3的微孔密度。 | ||||||
| 58 | 超韧单晶掺硼金刚石 | CN200980125978.8 | 2009-05-05 | CN102084492B | 2013-09-11 | 梁琦; 严智秀; 毛和光; 罗素·赫姆利 |
| 本发明涉及具有至少约22MPa m1/2的韧度的单晶掺硼CVD金刚石。本发明进一步涉及制备单晶掺硼CVD金刚石的方法。该金刚石的生长速率可以是20-100μm/h。 | ||||||
| 59 | 制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底以及外延晶片 | CN200980114398.9 | 2009-04-17 | CN102016135B | 2013-01-02 | 佐藤一成; 宫永伦正; 藤原伸介; 中幡英章 |
| 本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。 | ||||||
| 60 | 制造碳化硅晶体的方法以及碳化硅晶体 | CN201080043770.4 | 2010-10-27 | CN102575383A | 2012-07-11 | 西口太郎 |
| 本发明提供一种通过升华来制造SiC晶体的方法，其中用于生长SiC晶体的气氛气体含有He。所述气氛气体可还含有N。所述气氛气体可还含有选自Ne、Ar、Kr、Xe和Rn中的至少一种气体。He在所述气氛气体中的分压优选为40％以上。 | ||||||
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