| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种控制碳化硅单晶生长径向温度梯度的装置及方法 | CN201610542515.3 | 2016-07-12 | CN106048715A | 2016-10-26 | 袁玉平 |
| 本发明涉及一种控制碳化硅单晶生长径向温度梯度的装置及方法，装置包括设在坩埚盖上方的碳纤维锥形吹风装置，所述碳纤维锥形吹风装置的上端口与碳纤维三通相连，所述碳纤维三通一端口与变频循环风装置相连，所述碳纤维三通另一端口与测温仪相连，所述变频循环风装置和测温仪都与PLC控制系统相连；方法包括根据工艺设定温度和测温仪所测温度进行比较，PLC控制系统发送信号给变频循环风装置调节温度。本发明不需要改变径向位置就可以改变径向温度，可以自动调节径向温度，根据生长晶体的需求设定温度，保持稳定的径向温度，可以保持晶体一直在最佳温度下生长，晶体生长平稳，晶体品质提高。 | ||||||
| 2 | 使用热梯度控制的大块氮化铝单晶的生长 | CN201180032355.3 | 2011-06-30 | CN103038400B | 2016-06-22 | R·T·邦杜库; S·P·拉奥; S·R·吉布; L·J·斯高沃特 |
| 在各种实施方案中，在半导体晶体的形成过程中大致平行和大致垂直于生长方向的非零热梯度在生长室内例如通过在生长室外安排热屏蔽层的方式形成，其中两个热梯度（平行比垂直）的比率小于10。 | ||||||
| 3 | 具可变电容调谐器与反馈电路的物理气相沉积 | CN201410778538.5 | 2011-03-01 | CN104616959A | 2015-05-13 | 穆罕默德·M·拉希德; 罗纳德·D·迪多尔; 迈克尔·S·考克斯; 基思·A·米勒; 唐尼·扬; 约翰·C·福斯特; 阿道夫·M·艾伦; 拉拉·哈夫雷查克 |
| 本申请提供用以在基座所支撑的晶圆上执行等离子体处理的设备及方法。该设备可包括基座、可变电容器、马达、马达控制器以及来自该可变电容器的输出，该基座上可支撑晶圆，该可变电容器具有可变的电容量，该马达附接至该可变电容器并可改变该可变电容器的电容量，该马达控制器连接至该马达以使该马达旋转，并且来自该可变电容器的输出连接至该基座。该可变电容器的期望状态与工艺控制器中的工艺方法相关。当执行该工艺方法时，该可变电容器处于该期望状态。 | ||||||
| 4 | 电介质成膜装置和电介质成膜方法 | CN201180048223.X | 2011-10-03 | CN103140601A | 2013-06-05 | 木村勋; 神保武人; 小林宏树; 远藤洋平; 大西洋平 |
| 提供能够形成(100)/(001)取向的电介质膜的电介质成膜装置和电介质成膜方法。电介质成膜装置(10)具有加热配置在从靶(21)放出的粒子附着的位置的防附着板(34)的防附着板加热部(19)。从溅射气体导入部(14)向真空槽(11)内导入溅射气体，将防附着板(34)加热至比成膜温度高的温度，使蒸气从附着在防附着板(34)的薄膜放出，在基板(31)形成籽晶层后，使基板(31)为成膜温度，从电源(13)对靶(21)施加交流电压，对靶(21)进行溅射，以将电介质膜成膜于基板(31)。 | ||||||
| 5 | 多层制品及其制造方法 | CN00810756.4 | 2000-07-14 | CN1364321B | 2010-06-02 | 张威; 马丁·W·鲁皮科; 祖雷斯·安纳瓦拉普; 莱斯利·G·弗里策迈尔; 爱德华·J·西格尔; 瓦莱里·普吕尼耶; 李齐 |
| 本发明涉及多层制品及制造此类制品的方法。该方法包括首先调理一个基础层，如一个缓冲层或一个超导体层的表面，然后将一个材料层配置到经调理的表面上。该经调理的表面可以是一个高质量的表面。通过这些方法制造的超导体制品能够表现出较高的临界电流密度。 | ||||||
| 6 | 无微管碳化硅及其相关制备方法 | CN200780042190.1 | 2007-09-13 | CN101536168A | 2009-09-16 | 杰姆·巴什切里; 尤里·赫列布宁科夫; 伊戈尔·赫列布宁科夫; 坚吉兹·巴尔卡什; 穆拉特·N.·西兰; 赫德森·麦克德·霍布古德; 小卡尔文·H.·卡特; 维贾伊·巴拉克里什纳; 罗伯特·T.·伦纳德; 阿德里安·R.·鲍威尔; 巴莱里·茨韦特科夫; 贾森·R.·珍妮 |
| 本发明公开了一种无微管单晶碳化硅(SiC)及其相关制备方法。通过将源材料和晶籽固定器上的晶籽材料放置在升华系统的反应坩埚中生长SiC，其中包括至少所述源材料、所述晶籽固定器、以及所述反应坩埚的所述升华系统的构成组件基本无有害杂质。在PVT工艺期间，控制生长温度、生长压强、SiC升华通量和组分、以及所述源材料与所述晶籽材料或生长在所述晶籽材料上的SiC晶体之间的温度梯度，消除诱发微管的工艺不稳定性、并且在所述晶籽材料上生长无微管SiC晶体。 | ||||||
| 7 | 通过气相淀积制备单晶的设备和方法 | CN200410063143.3 | 2004-04-23 | CN100414004C | 2008-08-27 | 埃里克·扬森; 彼得·拉巴克; 亚历山大·埃利森 |
| 一种方法和装置，以在足以生产优选数个厘米长度晶体的生长速率和时间周期内，气相生长SiC，第Ⅲ族-氮化物或它们的合金的单晶。本发明的另一个目的是控制生长着的晶体的直径。为了防止在单晶生长区域下游附近的表面上形成不希望的多晶淀积物，通过引入含有至少一种卤族元素或所述卤素和氢种类的组合的独立气体流，以降低生长材料的至少一种组分的本位过饱和度。 | ||||||
| 8 | 分子束外延生长设备和控制它的方法 | CN200410068530.6 | 2004-08-25 | CN1591783A | 2005-03-09 | 川崎崇士 |
| 在使用组V材料(和/或组VI材料)的多个分子束的系统中，将旋转射线遮断器(8)等安装在这些多个组V分子束源发射管(5、6)(和/或组VI分子束源发射管)的相应发射器的前方；执行引起从相应的分子束源发射管(5、6)发射的分子束以周期方式被重复地阻断和发射的间断控制；以及受到间断控制的这分子束的相互同步引起以如晶体生长所需的充分数量或诸数量供应多个组V材料(和/或组VI材料)的相应的分子束，同时有效地控制晶体内的合金比例。 | ||||||
| 9 | ZnTe系化合物半导体单晶的制造方法和ZnTe系化合物半导体单晶及半导体器件 | CN02807865.9 | 2002-03-20 | CN1500160A | 2004-05-26 | 山本哲也; 荒川笃俊; 佐藤贤次; 朝日聪明 |
| 本发明是关于制造载流子浓度高、而且低电阻的n型ZnTe系化合物半导体单晶的方法和ZnTe系化合物半导体单晶、以及使用该ZnTe系化合物半导体作为基体而制造的半导体器件。具体地说，其特征是，将ZnTe系化合物半导体的导电型控制成第1导电型的第1掺杂剂和将导电型控制成与上述第1导电型不同的第2导电型的第2掺杂剂，以上述第2掺杂剂的原子个数比上述第1掺杂剂的原子个数少地被同时掺杂。按照本发明，在以比以往少的掺杂量就能够达到所希望的载流子浓度同时，能够提高所得到的晶体中的结晶性。 | ||||||
| 10 | Ⅱ－Ⅵ族或Ⅲ－Ⅴ族系单结晶铁磁性化合物及其铁磁性特性的调整方法 | CN02805828.3 | 2002-02-28 | CN1494607A | 2004-05-05 | 吉田博; 佐藤和则 |
| 一种II－VI族或III－V族系单结晶铁磁性化合物，在从由ZnTe、ZnSe、ZnS、CdTe、CdSe或CdS组成的群体中选出的II－VI族系化合物或从由GaAs、InAs、InP或GaP组成的群体中选出的III－V族系化合物中，是以从由V、Cr组成的群体中选出的至少一种过渡金属元素，而在从由GaN、AlN、InN或BN组成的群体中选出的III－V族系化合物中，是以从由V、Cr或Mn组成的群体中选出的至少一种过渡金属元素，取代II族或III族元素并形成混晶。添加其它的过渡金属元素或n型掺杂剂、p型掺杂剂，调整铁磁性特性或/和铁磁性转移温度。本发明提供采用透过光的II－VI族或III－V族系化合物而得到的铁磁性的单结晶化合物。还提供调整该化合物的铁磁性转移温度等铁磁性特性的方法。 | ||||||
| 11 | 增强的涂布高温超导体 | CN00810767.X | 2000-07-14 | CN1364320A | 2002-08-14 | 莱斯利·G·弗里策迈尔; 科内利斯·利奥·汉斯·蒂姆; 史蒂文·弗莱施勒尔; 约翰·D·斯库迪耶尔; 格雷戈里·L·斯尼特奇勒尔; 布鲁斯·B·甘布尔; 罗伯特·E·施瓦尔; 俞定安; 吉尔伯特·N·小赖利; 亚力山大·奥托; 埃利奥特·D·汤普森 |
| 本发明涉及一种以双轴向构造的高温超导涂层为基础的实际超导体。具体地说,描述了柔性且耐弯曲应变的制品的生产方法以及由此生产的制品,该制品具有提高的电流分配,在交流电条件下较低的滞后损失,增强的电和热稳定性以及在涂布的高温超导(HTS)丝线中分离膜之间的提高的机械性能。可以构造包括对弯曲应变敏感的操作材料的多层材料,其中放置这种操作材料的区域中的弯曲应变最小。本发明还提供了一种接合涂布带片段并终止涂布带叠层或导体元件的装置。在一个实施方式中,提供了一种多层高温超导体,它包括第一和第二高温超导体涂布元件。每一元件包括一基片、沉积在所述基片上的至少一缓冲层、高温超导层和覆盖层。所述第一和第二高温超导体涂布元件在所述第一和第二覆盖层连接。 | ||||||
| 12 | 晶体生长方法及用该晶体生长方法制备的半导体器件 | CN94120719.6 | 1994-12-27 | CN1109111A | 1995-09-27 | 大川和宏; 三露常男 |
| 一种晶体生长方法，包括一个将三种材料，其中一种材料选自元素Mg、化合物MgS和MgSe，另两种是化合物ZnSe和ZnS，分别填入各自喷射室的步骤以及一个通过控制喷射室温度及分子束强度，在加热的基体上生长Zn1yMgySzSe1-Z(0＜Y＜1和0＜Z＜1)单晶薄膜的步骤。 | ||||||
| 13 | 一种控制碳化硅单晶生长装置 | CN201710346415.8 | 2017-05-17 | CN107142520A | 2017-09-08 | 张贺; 古宏伟; 丁发柱; 屈飞; 李辉; 张慧亮; 董泽斌; 商红静 |
| 一种控制碳化硅单晶生长装置，其感应线圈(1)、坩埚(2)、气路系统和升降旋转控制系统均位于真空腔室内。坩埚(2)位于升降旋转控制系统的上托盘(8)和下托盘(10)之间，放置在感应线圈(1)内的中央位置。坩埚(2)外包覆有保温层(4)。感应线圈(1)位于真空腔室中心位置，用以加热坩埚(2)。坩埚(2)内装有碳化硅粉料和籽晶，用于碳化硅晶体生长。气路系统连接在真空腔室侧壁上。通过上、下托盘的移动，控制坩埚与线圈的相对位置；调整坩埚下部和坩埚锅盖的旋转速度和方向，控制碳化硅晶体生长时原料区和晶体生长区的距离；通过原料区和晶体生长区距离的控制，实现晶体生长温度的精确控制。 | ||||||
| 14 | 钒补偿的NU型和PI型SI SiC单晶及其晶体生长方法 | CN201380027241.9 | 2013-05-24 | CN104364428B | 2017-09-05 | 伊利亚·茨维巴克; 托马斯·E·安德森; 阿维纳什·K·古普塔; 瓦拉特哈拉詹·伦加拉詹; 加里·E·鲁兰; 安德鲁·E·索齐斯; P·吴; X·徐 |
| 在晶体生长装置和方法中，将多晶源材料和晶种引入至由布置在炉室内的生长坩埚构成的生长环境中。在第一升华生长压力存在下，在包含反应性成分的第一气体流存在下经由升华的源材料在晶种上的沉积在晶种上升华生长单晶，该反应性成分在所述升华生长期间与来自生长环境中的施主和/或受主背景杂质反应并将其除去。随后，在第二升华生长压力存在下，在包含掺杂剂蒸气但不包含反应性成分的第二气体流存在下，经由升华的源材料在晶种上的沉积在晶种上升华生长单晶。 | ||||||
| 15 | 一种能实现温度场实时调整的SiC单晶生长装置及利用该装置生长SiC单晶的方法 | CN201710262860.6 | 2017-04-20 | CN106906515A | 2017-06-30 | 胡小波; 杨祥龙; 彭燕; 陈秀芳; 徐现刚 |
| 本发明涉及一种能实现温度场实时调整的SiC单晶生长装置及利用该装置生长SiC单晶的方法，该装置包括设置在炉架上的加热炉，在炉架上方位于加热炉的一侧设置有支撑架，支撑架滑动连接有载重架，所述的载重架包括线圈固定架和载重架臂，所述线圈固定架包括圆环固定架，圆环固定架上设置有线圈支架，圆环固定架与载重架臂固定连接，在线圈支架上设置有感应线圈，圆环固定架、线圈支架及感应线圈套设在加热炉外围，感应线圈电连接中频变压器。进行晶体生长时，感应线圈沿轴向上下平稳移动，使温度场与生长界面同步移动，解决了现有SiC单晶生长过程中前沿温度逐渐升高和径向温度逐渐加大的问题，避免SiC单晶生长过程中生长温度变化导致的多型相变的发生。 | ||||||
| 16 | 一种防止碳化硅晶锭碎裂的方法 | CN201510994404.1 | 2015-12-28 | CN105463574A | 2016-04-06 | 刘欣宇; 李百泉 |
| 本申请公开了一种防止碳化硅晶锭碎裂的方法，该方法为：将碳化硅晶锭的降温过程分为三个阶段，三个阶段分别为：第一阶段：在碳化硅晶锭从晶体生长温度到第一设定温度的范围内，采用正常的碳化硅晶体降温冷却速度进行降温；第二阶段：在碳化硅晶锭从第一设定温度降温到第二设定温度的范围内，采用缓慢的降温速度进行降温；第三阶段：在碳化硅晶锭从第二设定温度降温到室温的范围内，采用正常的碳化硅晶体降温冷却速度进行降温。本申请通过对碳化硅晶锭冷却温度的控制，确保晶体从韧性到脆性的一个缓变，从而达到去除晶锭碎裂的风险；而通过三段式降温曲线，即解决了降温时间太长，影响生产效率的问题，又达到了缓解韧脆转变过程的目的。 | ||||||
| 17 | 降低碳化硅晶体杂质并获得高纯半绝缘碳化硅晶体的方法 | CN201510973547.4 | 2015-12-22 | CN105463573A | 2016-04-06 | 王利忠; 李斌; 王英民; 魏汝省; 毛开礼; 徐伟; 戴鑫; 马康夫; 周立平; 付芬; 田牧; 侯晓蕊 |
| 本发明公开了一种降低碳化硅晶体杂质并获得高纯半绝缘碳化硅晶体的方法，解决了低杂质的高纯碳化硅晶体生产的难题。包括以下步骤：第一步、将籽晶绑定在石墨托（1）上，将籽晶（3）倒放置在坩埚顶部，将SiC高纯粉料（3）放置在生长腔的底部，粉料距籽晶距离大约50-60毫米；第二步、生长时坩埚周围用石墨毡进行保温处理，坩埚顶部和底部各有一个10-20毫米的散热孔来获得合适的轴向温度梯度，同时通过该孔用高温红外仪来测量生长腔内的温度。本发明目的通过降低背景中的杂质元素浓度来获得高纯碳化硅晶体。 | ||||||
| 18 | 电介质成膜装置和电介质成膜方法 | CN201180048223.X | 2011-10-03 | CN103140601B | 2015-08-05 | 木村勋; 神保武人; 小林宏树; 远藤洋平; 大西洋平 |
| 提供能够形成(100)/(001)取向的电介质膜的电介质成膜装置和电介质成膜方法。电介质成膜装置(10)具有加热配置在从靶(21)放出的粒子附着的位置的防附着板(34)的防附着板加热部(19)。从溅射气体导入部(14)向真空槽(11)内导入溅射气体，将防附着板(34)加热至比成膜温度高的温度，使蒸气从附着在防附着板(34)的薄膜放出，在基板(31)形成籽晶层后，使基板(31)为成膜温度，从电源(13)对靶(21)施加交流电压，对靶(21)进行溅射，以将电介质膜成膜于基板(31)。 | ||||||
| 19 | 用于在基片上沉积材料薄膜的装置和用于该装置的再生方法 | CN201080036143.8 | 2010-06-17 | CN102803579B | 2015-04-22 | J·维莱特; V·卡萨涅; C·谢 |
| 本发明涉及一种用于在基片上沉积材料薄膜的装置以及一种再生方法。装置包括真空室(1)、布置在该真空室内的低温面板(10)、能够支承基片的样品保持件(6)、能够将气态先质注入真空室(1)的气体注射器(9)、连接至所述真空室(1)并能够捕集由所述低温面板(10)释放的气态先质的一部分的第一捕集装置(11)，所述第一捕集装置(11)具有固定的抽吸能力S1。根据本发明，用于在基片上沉积材料薄膜的装置包括第二捕集装置(18)，所述第二捕集装置(18)具有能够根据气态先质分压力而调节的可变的抽吸能力S2，第一和第二捕集装置提供了总抽吸能力S＝S1+S2，该总抽吸能力足以使真空室(1)内的气态先质分压力维持在确定的压力PL下。 | ||||||
| 20 | 用于金属-非金属化合物的表面活性剂晶体生长的方法 | CN201280019383.6 | 2012-03-04 | CN103562149A | 2014-02-05 | 摩西·艾纳夫 |
| 用于从金属-非金属(MN)化合物的表面活性剂晶体生长的方法，其包括以下程序：提供晶种，引入第一金属的原子以与晶种接触因而在晶种表面上形成薄的液态金属润湿层，设定晶种的温度低于在润湿层中溶解MN分子所需的最低温度并高于第一金属的熔点，而每一个MN分子是由第二金属原子和第一非金属的原子形成的，引入形成MN表面活性剂单层的MN分子从而促进在MN表面活性剂单层和晶种表面之间润湿层的形成，以及调节润湿层的厚度从而在晶种上生长MN化合物的外延层。 | ||||||
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