| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种大量制备锡晶须的方法 | CN201610113698.7 | 2016-02-29 | CN105714370A | 2016-06-29 | 孙正明; 刘玉爽; 张培根; 张亚梅; 丁健翔; 凌晨 |
| 本发明是一种大量制备锡晶须的方法，具有工艺简单、生产效率高、成本低，晶须生长速度快、数量多、质量高等优点，解决了目前锡晶须制备中存在的工艺复杂、成本高、晶须质量不高等问题。具体方法为：步骤1.将Ti粉、Sn粉和C粉混合，得到混合原料；步骤2.将步骤1中得到混合原料与磨球一起加入真空球磨罐中，抽真空至1～100Pa；步骤3.将步骤2中密封好的真空球磨罐装入行星式球磨机中，球磨转速为100～1000r/min，球磨时间为1～50h；步骤4.将步骤3中球磨后所得的粉体在0～1GPa下成形制样或保持粉末状态；步骤5.将步骤4中所得制样培养后，样品中生长出大量的锡晶须。 | ||||||
| 2 | 一种单晶颗粒薄膜及其无衬底柔性太阳能电池的制备方法 | CN201510509635.9 | 2015-08-19 | CN105161555A | 2015-12-16 | 张军; 邵乐喜; 廖峻; 莫德云 |
| 本发明公开了一种单晶颗粒薄膜及其无衬底柔性太阳能电池的制备方法；以有机高分子材料作为粘结剂，把微米级CZTS、CZTSSe单晶颗粒混在粘结剂中，利用涂覆法制备单晶颗粒薄膜，再通过机械研磨和等离子体刻蚀去除两面的粘结剂漏出单晶颗粒，制备缓冲层、窗口层、电极等功能层从而形成完整的电池结构。由于单晶颗粒的制备、筛选、清洗、钝化过程和单晶颗粒吸收层的制备过程是分开的，在单晶颗粒制备和优化过程中可以使用严苛的高温环境，从而实现对CZTS或CZTSSe的组分进行有效的控制，而无需考虑吸收层制备条件对衬底、窗口层、缓冲层等的影响，该方法在材料与能源利用率和工业化生产方面具有显著优势。 | ||||||
| 3 | 一种以硫铁尾矿为原料制备的莫来石纳米晶须及其制备方法 | CN201410603154.X | 2014-10-31 | CN104313695A | 2015-01-28 | 叶巧明; 黄欢; 王明珠; 董悦; 罗如意; 马敏; 吴娇 |
| 本发明公开了一种以硫铁尾矿为原料制备的莫来石纳米晶须的方法，属于纳米晶须制备及矿产资源回收利用领域，其步骤包括原料准备、酸洗除铁、煅烧除C、S及有机质、前驱体制备、煅烧和酸浸泡除玻璃相，本发明所制备的纳米级莫来石晶须品质好，同时兼具莫来石晶须和纳米晶须的优良特性，附加值高，经济效益显著；另外，本发明所采用的原料硫铁尾矿为选矿后废弃的矿物材料，产品的原料成本低，并实现了硫铁矿资源的二次回收利用，同时本发明制备工艺所需的煅烧温度较其他制备方法低且煅烧时间较短，有利于显著降低能耗，从而降低生产成本并且减少了资源消耗，提高了经济效益。 | ||||||
| 4 | 制备钨酸盐单晶的方法 | CN02802513.X | 2002-06-28 | CN1274887C | 2006-09-13 | 小林诚司; 山本一富 |
| 一种制备钨酸盐单晶的方法，该方法包括使用三氧化钨和二价金属氧化物或碳酸盐，三氧化钨和一价金属氧化物或碳酸盐以及三价金属氧化物，或由式XIIWO4或XIXIII(WO4)2表示的钨酸盐作为原料生长钨酸盐单晶，其中，XI，XII和XIII各自代表一价金属元素，二价金属元素，和三价金属元素，所述钨酸盐是通过在600-1550℃下，在氧分压低于大气中氧分压的系统中，加热上述的氧化物和/或碳酸盐，然后加热生长的钨酸盐单晶而获得的。根据制备本发明钨酸盐单晶的方法，可以获得密度高且发光量增加的钨酸盐单晶，其可以用作为探测辐射如X-射线或γ-射线的闪烁体，此外，所述钨酸盐单晶具有提高的热导率，其可以用作为双波长激光器的激光器基质。 | ||||||
| 5 | 制备钨酸盐单晶的方法 | CN02802513.X | 2002-06-28 | CN1464920A | 2003-12-31 | 小林诚司; 山本一富 |
| 一种制备钨酸盐单晶的方法，该方法包括使用三氧化钨和二价金属氧化物或碳酸盐，三氧化钨和一价金属氧化物或碳酸盐以及三价金属氧化物，或由式XIIWO4或XIXIII(WO4)2表示的钨酸盐作为原料生长钨酸盐单晶，其中，XI，XII和XIII各自代表一价金属元素，二价金属元素，和三价金属元素，所述钨酸盐是通过在600－1550℃下，在氧分压低于大气中氧分压的系统中，加热上述的氧化物和/或碳酸盐，然后加热生长的钨酸盐单晶而获得的。根据制备本发明钨酸盐单晶的方法，可以获得密度高且发光量增加的钨酸盐单晶，其可以用作为探测辐射如X－射线或γ－射线的闪烁体，此外，所述钨酸盐单晶具有提高的热导率，其可以用作为双波长激光器的激光器基质。 | ||||||
| 6 | 半导体薄膜的形成方法和半导体薄膜的形成装置 | CN03104326.7 | 2003-01-30 | CN1441463A | 2003-09-10 | 松村正清; 西谷幹彦; 木村嘉伸; 十文字正之; 谷口幸夫; 平松雅人; 中野文樹 |
| 一种在绝缘材料所构成的基层上形成结晶性良好的半导体薄膜的形成方法及半导体薄膜的形成装置。该半导体薄膜的形成装置包括：作为光源的准分子镭射(excimerlaser)1；使从该准分子镭射1射出的光的光强度均匀分布的均匀器(homogenizer)3；以光强度分布经均匀器3均匀化后的光的振幅在光相对于非晶质基板9的相对运动方向增加的方式进行振幅调变的振幅调变光罩5；将振幅经振幅调变屏蔽5调变过的光，以可得到预定的照射能量的方式投射在形成于非晶质基板9上的非单结晶半导体层10上的投射光学系6；在光的照射面内设置温度低的点的移相器(phase shifter)8；以及使光与非晶质基板9相对运动而可进行X、Y方向扫描的基板台。 | ||||||
| 7 | 单晶SiC及其制造方法 | CN98800898.X | 1998-06-23 | CN1231003A | 1999-10-06 | 谷野吉弥 |
| 本发明是在α－SiC单晶基体材料(1)的表面上通过研磨面以紧密接触的状态重叠、或利用热CVD法层状成膜的方式层叠β－SiC多晶片(2)形成复合体(M),然后对所形成的复合体(M)在1850～2400℃的温度范围内进行热处理,使β－SiC多晶片(2)的多晶体相变成为单晶体,生成与α－SiC单晶基体材料(1)的晶轴同方位取向的单晶。该方法能容易且高效地制造没有微泡缺陷、晶格缺陷、也不会由于杂质进入而形成晶界等的高质量的大型单晶SiC。 | ||||||
| 8 | 一种人工合成大直径红宝石的制备方法 | CN201710053444.5 | 2017-01-22 | CN106544730A | 2017-03-29 | 陈珍富; 唐大林 |
| 本发明属于人工晶体的制备方法技术领域，特别涉及一种人工合成大直径红宝石的制备方法。本发明所解决的技术问题是提供一种色度均匀，提高有效利用率，降低生产成本的人工合成大直径红宝石的制备方法，包括如下步骤：A、添加原料：B、插晶种；C、点火：点燃氢氧气；D、烧结晶体；其中，步骤D烧结晶体包括以下过程：(1)化料结晶；(2)对中心；(3)晶体扩大；(4)等径生长。E、停炉冷却即得晶体。本发明制备方法可以得到直径为 大直径人工合成红宝石。 | ||||||
| 9 | 一种降低碲化铋多晶晶格热导率的方法 | CN201610576918.X | 2016-07-21 | CN106283173A | 2017-01-04 | 葛振华; 冯晶; 吉一弘 |
| 一种降低碲化铋多晶晶格热导率的方法，属于能源材料技术领域。本发明所述方法以机械合金化法制备碲化铋粉体，与额外质量比5%~30%的Te混合后二次球磨，得到碲化铋与单质碲均匀混合的粉体。将混合粉体置于石墨模具中，采用放电等离子烧结工艺在450~580℃烧结0~30分钟制备出碲化铋多晶块体。在放电等离子过程中，由于Te熔点低，完全液化，并由于压力作用被从石墨磨具中挤出，而在碲化铋块体中留下大量的位错，大量位错的引入答复降低了材料的晶格热导率，该方法工艺简单，易于操作，降低热导率非常明显。 | ||||||
| 10 | 晶体制造方法 | CN201180051141.0 | 2011-10-31 | CN103180490A | 2013-06-26 | 小林伸行; 前田一树; 近藤浩一; 七泷努; 今井克宏; 吉川润 |
| 本发明的晶体制造方法，包含：进行在原料成分单晶化的规定的单晶化温度下，喷射含有该原料成分的原料粉体，在由单晶构成的晶种基板上形成含有原料成分的膜的成膜处理的同时，进行令含原料的膜直接在规定的单晶化温度下结晶化的结晶化处理的成膜结晶化工序。该成膜结晶化工序中，单晶化温度优选在900℃以上。此外，成膜结晶化工序中，原料粉体及晶种基板优选为氮化物或氧化物。 | ||||||
| 11 | 锂离子二次电池及其制造方法 | CN201210082550.3 | 2012-03-16 | CN102694199A | 2012-09-26 | 二村智哉; 森若圭惠; 川上贵洋; 桃纯平; 井上信洋 |
| 锂离子二次电池及其制造方法。本发明的一个方式是一种包括正极、负极以及设置在正极和负极之间的电解质的锂离子二次电池。正极包括正极集电体及正极集电体上的正极活性物质层。正极活性物质层含有多个以通式LiMPO4(M为Fe(II)、Mn(II)、Co(II)、Ni(II)中的一种以上)表示的含锂复合氧化物。含锂复合氧化物为扁状单晶粒，并且扁状单晶粒的b轴方向上的长度比a轴方向及c轴方向上的长度短。此外，含锂复合氧化物以单晶粒的b轴与正极集电体的表面相交的方式设置在正极集电体上。 | ||||||
| 12 | 一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法 | CN201010532645.1 | 2010-11-04 | CN102468124A | 2012-05-23 | 张苗; 张波; 薛忠营; 王曦 |
| 本发明公开了一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法，该方法包括在SiGe层表面淀积一层Al薄膜，并在Al薄膜上淀积出一Ni层，然后进行退火工艺，使Ni层与SiGe层的SiGe材料进行反应，生成NiSiGe材料。因为Al插入层的阻挡作用，NiSiGe层具有单晶结构，和SiGe衬底的界面很平整，可以达到0.3nm，可以大幅度提高界面的性质。 | ||||||
| 13 | 单壁碳纳米管的制造方法及应用 | CN01137813.1 | 2001-11-08 | CN100457609C | 2009-02-04 | 詹姆斯·K·吉姆泽斯基; 雷托·施里特勒; 徐真源 |
| 本发明涉及一种制造单壁碳纳米管的方法，包括步骤：在基底上提供至少一个柱，该柱包括包含富勒烯分子的第一母体材料和包含催化剂的第二母体材料的交替层；以及在第一磁或电场存在的情况下加热至少一个柱。本发明还涉及用于制造单壁碳纳米管的母体布置，此布置在基底上包括至少一个柱，该柱包括包含富勒烯分子的第一母体材料和包含催化剂的第二母体材料的交替层。本发明的第三方面是纳米管的排列，此排列包括基底和其上的至少一个晶体，该晶体包含一束具有大致等同的取向和结构的单壁碳纳米管。 | ||||||
| 14 | 半导体薄膜的形成方法和半导体薄膜的形成装置 | CN03104326.7 | 2003-01-30 | CN100442440C | 2008-12-10 | 松村正清; 西谷幹彥; 木村嘉伸; 十文字正之; 谷口幸夫; 平松雅人; 中野文樹 |
| 一种在绝缘材料所构成的基层上形成结晶性良好的半导体薄膜的形成方法及半导体薄膜的形成装置。该半导体薄膜的形成装置包括：作为光源的受激准分子激光(excimer laser)1；使从该受激准分子激光1射出的光的光强度均匀分布的均匀器(homogenizer)3；以光强度分布经均匀器3均匀化后的光的振幅在光相对于非晶质基板9的相对运动方向增加的方式进行振幅调变的振幅调变光罩5；将振幅经振幅调变屏蔽5调变过的光，以可得到预定的照射能量的方式投射在形成于非晶质基板9上的非单晶半导体层10上的投射光学系6；将经过振幅调变过的光设为具有成为结晶生长的起点的光强度的光的移相器(phase shifter)8；以及使光与非晶质基板9相对运动而可进行X、Y方向扫描的基板台。 | ||||||
| 15 | 制造薄膜晶体管的方法 | CN03178445.3 | 2003-07-17 | CN1472778A | 2004-02-04 | 高桥美朝 |
| 在通过使用激光束将半导体膜的非单晶材料转化为单晶材料之前，将至少一种掺杂剂引入到整个半导体膜中。然后，使用激光束照射非单晶的半导体材料，以便结晶半导体膜，在这种情况下，在用来形成不同导电型的晶体管的晶体管形成区域的其中之一内的单晶材料的准费米能级和在另一形成区域内单晶材料的准费米能级之间的比值在0.5∶1和2.0∶1之间。因此，在结晶的半导体膜上形成不同导电型的晶体管。 | ||||||
| 16 | 单晶转变控制 | CN99124353.6 | 1999-11-25 | CN1255556A | 2000-06-07 | 法津·H·阿扎德; 马歇尔·G·琼斯 |
| 多晶态物品在固态工艺被转变成单晶。加热物品的一端达到预定的空间温度曲线,该曲线的最高温度接近物品的熔点温度。保持温度曲线,在物品的第一端引发晶态转变。热量沿物品传向与其相对的另一端,因此可在沿着物品的方向上传播晶态转变。 | ||||||
| 17 | 磁性光学元件 | CN94191539.5 | 1994-12-22 | CN1119880A | 1996-04-03 | 小野寺晃一 |
| 本发明的以(Cd1-x-yMnxHgy)1Te1(0＜x＜1、0＜y＜1)表示的磁性光学元件在MnTe-HgTe-CdTe的拟三元体系相图中具有包含在由Mn0.5Hg0.5Te、Mn0.6Hg0.4Te、Cd0.83Mn0.13Hg0.04Te、Cd0.83Mn0.05Hg0.12Te的a、b、c、d 4点包围的范围内的组成，而且具有300μm以上的厚度，并且是由实质上不含双晶及组成偏析的单晶组成，以便本发明的磁性光学元件可以在波长范围为0.98μm、1.071μm、1.047μm、1.064μm波段的各波长附近使用。 | ||||||
| 18 | 一种人工合成蓝宝石的制备方法 | CN201710112378.4 | 2017-02-28 | CN107022792A | 2017-08-08 | 董志东 |
| 本发明属于人工宝石领域，尤其涉及一种人工合成蓝宝石的制备方法，将氧化钛、氧化铁、三氧化二铝以0.1：0.05:99.85的重量比例进行混合，压坯后放入到电弧放电装置中，在惰性气体的保护下以200A的电流进行合成5min，得到一种颜色为深绿色，在光源照射下可以呈现出星状射线的人工合成蓝宝石的制备方法。 | ||||||
| 19 | 锂离子二次电池及其制造方法 | CN201210082550.3 | 2012-03-16 | CN102694199B | 2016-03-16 | 二村智哉; 森若圭惠; 川上贵洋; 桃纯平; 井上信洋 |
| 锂离子二次电池及其制造方法。本发明的一个方式是一种包括正极、负极以及设置在正极和负极之间的电解质的锂离子二次电池。正极包括正极集电体及正极集电体上的正极活性物质层。正极活性物质层含有多个以通式LiMPO4(M为Fe(II)、Mn(II)、Co(II)、Ni(II)中的一种以上)表示的含锂复合氧化物。含锂复合氧化物为扁状单晶粒，并且扁状单晶粒的b轴方向上的长度比a轴方向及c轴方向上的长度短。此外，含锂复合氧化物以单晶粒的b轴与正极集电体的表面相交的方式设置在正极集电体上。 | ||||||
| 20 | 固体电解质、固体电解质的制造方法和电化学设备 | CN201280063134.7 | 2012-11-05 | CN103999164A | 2014-08-20 | 太田裕道; 青木则之 |
| 通过利用脉冲激光沉淀法等在诸如单晶体SrTiO3基板的单晶体基板(20)上外延生成至少包含锂的电解质，例如La2/3-xLi3xTiO3(O |
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