| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 用于制备具有大晶粒的再结晶硅衬底的方法 | CN201480053567.3 | 2014-09-24 | CN105723525B | 2017-10-24 | 让-马里·勒布伦; 让-保罗·加朗代; 让-米歇尔·米西安; 赛琳·帕斯卡 |
| 本发明涉及一种用于制备平均晶粒尺寸大于或等于20μm的硅衬底的方法，至少包括以下步骤：(i)提供多晶硅衬底，所述多晶硅衬底的平均颗粒尺寸小于或等于10μm；(ii)使所述衬底在至少1000℃的温度下经受整体均匀的塑性变形；(iii)使所述衬底经受被定位在多个被称为外部应力区的衬底区(3)中的塑性变形，在两个连续的区(3)之间的间距为至少20μm，衬底的局部变形严格地大于在步骤(ii)中执行的整体变形，步骤(iii)能够与步骤(ii)相继地或者同时地执行；以及(iv)在严格高于步骤(ii)中使用的温度的温度下，使在步骤(iii)中获得的衬底经受固相再结晶热处理，以便获得期望的所述衬底。 | ||||||
| 2 | 一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶及其制备方法 | CN201610462327.X | 2016-06-22 | CN106087058A | 2016-11-09 | 江民红; 张津玮; 顾正飞; 成钢 |
| 本发明的目的是提供一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶，所述K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶以Li2CO3、Bi2O3和MnO2作为掺杂原料，以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成，化学式为：xMnO2‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3)，其中0≤x≤0.005。将所用原料Na2CO3 (99.8%)、K2CO3 (99%)、Li2CO3 (97%)、Nb2O5 (99.5%)、MnO2 (85%)和Bi2O3 (99%)均置于120℃的烘箱中干燥4~6 h。按化学式成分质量比准确称量原料装入HDPE材质的球磨瓶中，以无水乙醇为介质球磨24 h。将球磨后产物取出，烘干，然后在750℃下预烧6 h。然后再以无水乙醇为介质球磨12~16 h后烘干。将烘干的粉料过100目筛后，在100 MPa的压力下压制成直径为25 mm，厚度为2~3 mm的圆坯。将压制好的圆坯在1100℃下保温21 h烧结获得单晶。将单晶取出，再置于氧气气氛下退火10 h。经实验证明，通过该方法制备的K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶具有优异的压电性能，因此在铁电压电单晶领域具有良好的应用前景。 | ||||||
| 3 | 金属和晶质衬底上的基于脉冲激光的大面积石墨烯合成方法 | CN201580007280.1 | 2015-02-04 | CN106061893A | 2016-10-26 | 巴尔巴罗斯·厄兹耶尔马兹; 安德烈亚斯·沃尔克·施蒂尔; 杜志达; 安东尼奥·埃利奥·卡斯特罗内托 |
| 一种制造石墨烯的方法，包括：在存在金属衬底的情况下提供种子气体；提供脉冲紫外激光束；以及使衬底或激光束相对于另一者移动，从而使石墨烯结晶前沿前移并且形成有序石墨烯结构。在一些情况下，衬底可以具有二重原子对称的表面。一种使石墨烯再结晶的方法，包括向多晶石墨烯片提供脉冲紫外激光束。 | ||||||
| 4 | 一种用于减轻雾霾的冷云催化剂 | CN201610511838.6 | 2016-07-04 | CN105903427A | 2016-08-31 | 韩颖慧; 尹钧毅; 李玉娟 |
| 本发明公开了一种用于减轻雾霾的冷云催化剂，所述用于减轻雾霾的冷云催化剂为AgI，所述AgI晶体表面有具备静电效应的晶须，将AgI用激光以5?50 mJ的脉冲能量诱导AgI晶体薄膜，使其结构发生改变，进而促进晶须的增长，最终得到本发明的具备静电效应的晶须的用于减轻雾霾的冷云催化剂。本发明的用于减轻雾霾的冷云催化剂对PM2.5等细颗粒物就有良好的吸附效用。 | ||||||
| 5 | 用于制备具有大晶粒的再结晶硅衬底的方法 | CN201480053567.3 | 2014-09-24 | CN105723525A | 2016-06-29 | 让-马里·勒布伦; 让-保罗·加朗代; 让-米歇尔·米西安; 赛琳·帕斯卡 |
| 本发明涉及一种用于制备平均晶粒尺寸大于或等于20μm的硅衬底的方法，至少包括以下步骤：(i)提供多晶硅衬底，所述多晶硅衬底的平均颗粒尺寸小于或等于10μm；(ii)使所述衬底在至少1000℃的温度下经受整体均匀的塑性变形；(iii)使所述衬底经受被定位在多个被称为外部应力区的衬底区(3)中的塑性变形，在两个连续的区(3)之间的间距为至少20μm，衬底的局部变形严格地大于在步骤(ii)中执行的整体变形，步骤(iii)能够与步骤(ii)相继地或者同时地执行；以及(iv)在严格高于步骤(ii)中使用的温度的温度下，使在步骤(iii)中获得的衬底经受固相再结晶热处理，以便获得期望的所述衬底。 | ||||||
| 6 | 锰镍复合氧化物颗粒粉末及其制造方法、非水电解质二次电池用正极活性物质颗粒粉末及其制造方法以及非水电解质二次电池 | CN201180069617.3 | 2011-12-26 | CN103460455A | 2013-12-18 | 渡边浩康; 森田大辅; 山本学武; 古贺一路; 梶山亮尚; 升国广明; 贞村英昭; 正木龙太; 松本和顺 |
| 本发明提供一种非水电解质二次电池用正极活性物质颗粒粉末，其组成以化学式（1）表示，具有尖晶石结构，在对该正极活性物质颗粒粉末的X射线衍射利用Fd-3m进行指数化时，具有以下的（A）和/或（B）的特性。（A）I（311）与I（111）的比例（I（311）/I（111））为35～43%的范围。（B）将对于各峰位置2θ（10～90度）的半宽度设为B时，横轴取为sinθ、纵轴取为Bcosθ的曲线图中的基于最小二乘法的直线的斜率为3.0×10-4～20.0×10-4的范围。 | ||||||
| 7 | 气相生长碳纤维集合体 | CN201180047505.8 | 2011-07-29 | CN103154341A | 2013-06-12 | 单佳义; 铃木淳; 佐藤洋; 川岛昭二 |
| 本发明的目的是提供气相生长碳纤维集合体，其显示小的结构变化和优异的导电性，并具有在其截面中的中心部为中空的纤维和具有至少两层的管状石墨烯层结构。具有在其截面中的中心部为中空的纤维和具有至少两层的管状石墨烯层结构的气相生长碳纤维集合体的特征在于碳纤维的平均纤维外径为10nm至300nm，和碳纤维总量的至少70%具有2nm至20nm中空直径和1.4%至20%的中空直径与纤维外径比。 | ||||||
| 8 | 改变半导体层结构的方法 | CN200880013183.3 | 2008-04-24 | CN101680107B | 2013-04-10 | P·布鲁恩斯; 维塔利·利索特申克; 德克·豪斯奇尔德 |
| 一种改变半导体层的结构的方法，尤其是用于非晶形硅层(2)的结晶或再结晶的方法，在该方法中在将半导体层设置到基片(1)上之后，用半导体激光器(14)的激光暂时照射半导体层，该激光在半导体层的范围内具有线形的强度分布(3)，其中线形的强度分布(3)在垂直于穿过半导体层的线的延伸的方向(x)上在半导体层上移动，并且其中强度分布(3)在垂直于线的延伸的方向(x)上具有带有至少一个强度峰值(7)的强度分布图(5，11，12)和至少一个扩展范围(6，8)，该扩展范围比强度峰值(7)在垂直于线的延伸的方向(x)上更加扩展，其中其强度(I6，I8)小于强度峰值(7)的强度(I7)并大于零。 | ||||||
| 9 | 磊晶成长膜形成用高分子积层基板及其制造方法 | CN200980144344.7 | 2009-10-20 | CN102209804A | 2011-10-05 | 冈山浩直; 南部光司; 金子彰 |
| 本发明提供一种具有经高度结晶配向的表面的磊晶成长膜形成用高分子积层基板及其制造方法。所述制造方法包括：将高分子板T1的至少一个表面活化的步骤；将以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔T2的至少一个表面活化的步骤；使高分子板的活化表面与金属箔的活化表面相对向而积层并冷延的步骤；通过热处理使金属箔双轴结晶配向的步骤。 | ||||||
| 10 | 改变半导体层结构的方法 | CN200880013183.3 | 2008-04-24 | CN101680107A | 2010-03-24 | P·布鲁恩斯; 维塔利·利索特申克; 德克·豪斯奇尔德 |
| 一种改变半导体层的结构的方法，尤其是用于非晶形硅层(2)的结晶或再结晶的方法，在该方法中在将半导体层设置到基片(1)上之后，用半导体激光器(14)的激光暂时照射半导体层，该激光在半导体层的范围内具有线形的强度分布(3)，其中线形的强度分布(3)在垂直于穿过半导体层的线的延伸的方向(x)上在半导体层上移动，并且其中强度分布(3)在垂直于线的延伸的方向(x)上具有带有至少一个强度峰值(7)的强度分布图(5，11，12)和至少一个扩展范围(6，8)，该扩展范围比强度峰值(7)在垂直于线的延伸的方向(x)上更加扩展，其中其强度(I<sub>6</sub>，I<sub>8</sub>)小于强度峰值(7)的强度(I<sub>7</sub>)并大于零。 | ||||||
| 11 | 用于生长单晶金属的方法和装置 | CN200680024342.0 | 2006-05-03 | CN101213318A | 2008-07-02 | J·R·丘利克; E·M·塔尔夫 |
| 公开了生长金属大单晶的方法。最初在非氧化性环境中将多晶态的金属样品加热。然后将最小塑性应变施加于加热的金属样品，以引发加热的金属样品内选择的晶粒生长。随后将另外的塑性应变施加于加热的金属样品，以使选择的晶粒蔓延生长，变成大单晶。 | ||||||
| 12 | 单晶转变控制 | CN99124353.6 | 1999-11-25 | CN1255556A | 2000-06-07 | 法津·H·阿扎德; 马歇尔·G·琼斯 |
| 多晶态物品在固态工艺被转变成单晶。加热物品的一端达到预定的空间温度曲线,该曲线的最高温度接近物品的熔点温度。保持温度曲线,在物品的第一端引发晶态转变。热量沿物品传向与其相对的另一端,因此可在沿着物品的方向上传播晶态转变。 | ||||||
| 13 | 一种通透性优异的红宝石的制备方法 | CN201710111767.5 | 2017-02-28 | CN107034514A | 2017-08-11 | 董志东 |
| 本发明属于人工宝石领域，尤其涉及一种通透性优异的红宝石的制备方法，其具体为：将三氧化二铬、氧化铁、三氧化二铝以0.5：0.1:99.4的重量比例进行混合，压坯后放入到电弧放电装置中，在惰性气体的保护下以150A的电流进行合成3min，得到颜色为鲜红色，宝石整体通透性高的红宝石。 | ||||||
| 14 | 具有高质量、稳定输出光束及长寿命高转换效率的非线性晶体的激光器 | CN201280044059.X | 2012-06-28 | CN103782458B | 2017-06-20 | 弗拉基米尔·德里宾斯基; 勇-霍·亚历克斯·庄; 约瑟夫·J·阿姆斯特朗; 约翰·费尔登 |
| 本发明揭示一种可以低温操作的锁模激光器系统，其可包含退火频率转换晶体及用以在所述低温标准操作期间维持所述晶体的退火状况的外壳。在一个实施例中，所述晶体可具有增加的长度。第一光束塑形光学器件可经配置以将来自光源的光束聚焦到位于所述晶体中或所述晶体接近处的光束腰处的椭圆形横截面。谐波分离块可将来自所述晶体的输出分成在空间上分离的不同频率的光束。在一个实施例中，所述锁模激光器系统可进一步包含第二光束塑形光学器件，其经配置以将椭圆形横截面的所要频率光束转换成具有例如圆形横截面的所要纵横比的光束。 | ||||||
| 15 | 大尺寸Cu（111）单晶铜箔和超大尺寸单晶石墨烯的制备方法 | CN201610098623.6 | 2016-02-23 | CN105603514A | 2016-05-25 | 徐小志; 张智宏; 刘开辉 |
| 本发明提供了一种大尺寸Cu(111)单晶铜箔和超大尺寸单晶石墨烯的制备方法。所述方法为用掺杂金属元素的多晶铜箔作为原料，利用特殊退火工艺制备出超大尺寸单晶Cu(111)，然后利用常压化学气相沉积法，以Cu(111)单晶为衬底获得超大尺寸高质量单晶石墨烯。本发明提出的方法，解决了单晶Cu(111)价格昂贵的问题，并利用衬底的调控作用制备出超大尺寸单晶石墨烯，解决了石墨烯生长中单晶尺寸小、生长过程复杂等技术问题，通过非常简单的方法，实现了铜箔单晶和高质量大尺寸的单晶石墨烯样品的制备。 | ||||||
| 16 | 锰镍复合氧化物颗粒粉末及其制造方法、非水电解质二次电池用正极活性物质颗粒粉末及其制造方法以及非水电解质二次电池 | CN201180069617.3 | 2011-12-26 | CN103460455B | 2016-03-16 | 渡边浩康; 森田大辅; 山本学武; 古贺一路; 梶山亮尚; 升国广明; 贞村英昭; 正木龙太; 松本和顺 |
| 本发明提供一种非水电解质二次电池用正极活性物质颗粒粉末，其组成以化学式（1）表示，具有尖晶石结构，在对该正极活性物质颗粒粉末的X射线衍射利用Fd-3m进行指数化时，具有以下的（A）和/或（B）的特性。（A）I（311）与I（111）的比例（I（311）/I（111））为35～43%的范围。（B）将对于各峰位置2θ（10～90度）的半宽度设为B时，横轴取为sinθ、纵轴取为Bcosθ的曲线图中的基于最小二乘法的直线的斜率为3.0×10-4～20.0×10-4的范围。 | ||||||
| 17 | 多层基底结构以及制造其的方法和系统 | CN201380043629.8 | 2013-06-12 | CN104781938A | 2015-07-15 | 因德拉尼尔·德; F·马丘卡 |
| 一种多层基底结构，其包括基底、形成于基底上的热匹配层以及在热匹配层之上的晶格匹配层。热匹配层包括钼、钼-铜、多铝红柱石、蓝宝石、石墨、铝-氮氧化物、硅、碳化硅、锌氧化物和稀土氧化物中的至少一个。晶格匹配层包括第一化学元素和第二化学元素以形成合金。第一化学元素和第二化学元素具有类似的晶体结构和化学性质。热匹配层的热膨胀系数以及晶格匹配层的晶格参数均约定于第III-V族化合物半导体的成员的热膨胀系数和晶格参数。晶格匹配层的晶格常数约等于第III-V族化合物半导体的成员的晶格常数。晶格匹配层和热匹配层可利用横向控制遮板来沉积在基底上。 | ||||||
| 18 | 将PCA转化为蓝宝石的方法和转化制品 | CN200810212199.9 | 2008-09-09 | CN101386519B | 2013-01-23 | 魏家清 |
| 本发明涉及将多晶氧化铝(PCA)转化为蓝宝石的方法和转化制品。通过另外用氧化硼掺杂多晶氧化铝(PCA)和烧结引发异常晶粒生长来使已经掺杂氧化镁的PCA转化成蓝宝石。可以通过将硼酸水溶液施加至陶瓷生坯，从而将氧化硼加入到已经成型的PCA陶瓷生坯，并且在空气中加热该陶瓷生坯来使硼酸转化为氧化硼。 | ||||||
| 19 | 固态单晶体的生长方法 | CN200380100707.X | 2003-10-09 | CN1316069C | 2007-05-16 | 李壕用; 李钟泛; 许泰茂; 金董皓 |
| 本发明公开了一种在有反常颗粒生长发生的多晶体中生长单晶体的方法。该方法的特征是通过控制有反常颗粒生长现象发生的多晶体中基体颗粒的平均尺寸，减小反常颗的粒数目密度(单位面积内反常颗粒数目)，从而产生极其有限数目的反常颗粒或在保证反常颗粒生长驱动力的范围内抑制反常颗粒的产生。因此该发明方法在多晶体内仅仅连续生长极其有限数目的反常颗粒或种籽单晶体，以得到尺寸大于50毫米的大的单晶体。 | ||||||
| 20 | 复合氧化物单晶的制造方法 | CN02812788.9 | 2002-05-27 | CN1312331C | 2007-04-25 | 舟桥良次; 松原一郎; 鹿野昌弘 |
| 本发明提供一种通过简单工艺即可制造具有优异的热电转换性能的氧化物材料的方法。特别是，本发明提供一种用于制造复合氧化物单晶的方法，其中在低于任何的原料熔点的温度下在含氧的气氛中加热包括含Bi的物质、含Sr的物质、含Ca的物质、含Co的物质和含Te的物质的原料混合物，或者除了上述物质之外也包括含Pb的物质的原料混合物。通过本发明的方法制造的复合氧化物单晶是约10-10，000μm长、约20-200μm宽和约1-5μm厚的带状纤维单晶。根据本发明的方法，仅仅通过在相对低的温度，即低于任何的原料熔点的温度下加热原料混合物，就可制造具有优异的热电转换性能的复合氧化物单晶，这意味着可进行相对简单和安全的热处理操作，有益于成本减少。 | ||||||
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