首页 / 国际专利分类库 / 化学;冶金 / 晶体生长(通过结晶的分离一般入B01D9/00)
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
101 一种氟化晶体的离子束刻蚀装置及方法 CN201710070733.6 2017-02-09 CN106939437A 2017-07-11 王占山; 张锦龙; 吴晗; 卜笑庆; 程鑫彬
发明涉及一种氟化晶体的离子束刻蚀装置及方法,所述装置包括离子源、刻蚀工装、度调整机构和中和器,刻蚀工装包括循环冷却供给机构,石英底盘表面有MgF2薄膜;将石英底盘放置入不锈工装内,调整刻蚀工装角度;将氟化钙晶体放置于刻蚀工装中,抽真空,开启循环冷却水供给机构;待真空抽至4×10‑4Pa,开启离子源,充入氪气作为刻蚀气体;刻蚀结束充入氮气,取出氟化钙晶体。本发明针对氟化钙晶体的硬度小、热膨胀系数大和材料表面微潮解特性,通过冷却水控制温度,利用大原子序数的气体,提高离子束能量,最终获得了低表面粗糙度、吸收较低的高质量氟化钙晶体表面。与现有技术相比,本发明具有针对性强、效果明显等优点。
102 一种石英炉管 CN201511024733.X 2015-12-31 CN106929923A 2017-07-07 崔严匀; 王训辉
发明提供了一种石英炉管,包括炉管本体,所述炉管本体的第一端面开设有炉口,所述炉管本体的第二端面设置为炉尾,所述炉管本体内设有炉腔;所述炉腔内靠近所述炉尾的一端设置有气室,所述炉尾上开设有至少一个进气口和至少一个出气口,所述至少一个进气口与所述气室相连通,所述出气口与所述炉腔相连通;所述气室的顶板上设置有向所述炉口方向延伸的至少一根支管,所述至少一根支管与所述气室相通,所述至少一根支管的支管壁上开有多个支管透气孔。本发明解决了工艺气体从炉尾直接向炉口流动导致气流分布不均匀的问题,使得工艺气体可从晶圆片的四周均匀流入,进而与晶圆片均匀接触,确保了晶圆片片内参数的一致性。
103 基于掺杂硫氰根的无机纳米晶的制备方法 CN201710077092.7 2017-02-13 CN106929920A 2017-07-07 娄永兵; 牛艳丹
发明提供了一种基于硫氰根掺杂的CsPbBr3‑x(SCN)x(x=0,0.06,0.12,0.18)无机纳米晶的制备方法。在惰性气体保护的条件下,先将PbBr2和Pb(SCN)2与反应溶剂十八烯,表面活性剂油酸、油胺混合,使其完全溶解,然后将混合溶液加热至反应温度,随后快速注入铯前驱体,体系开始反应生成钙钛矿结构,并随着反应的进行,逐渐形成CsPbBr3‑x(SCN)x纳米晶,反应结束后将产物浴快速冷却,即得到最终的CsPbBr3‑x(SCN)x无机钙钛矿纳米晶。本发明采用热注入合成方法,通过不同程度掺杂硫氰根离子,在不改变钙钛矿形貌和晶体结构的前提下,实现对无机钙钛矿光学性能的微小调控。合成的钙钛矿纳米晶单分散性和稳定性较好,形貌均一,对于构筑高性能全溶液的光电器件具有深远的意义。
104 一种晶体生长用坩埚 CN201511006394.2 2015-12-29 CN106929919A 2017-07-07 孔海宽; 忻隽; 陈建军; 郑燕青; 施尔畏
发明涉及一种晶体生长用坩埚,包括:用于盛放SiC晶体生长用原料的原料腔;相对移动地嵌套于所述原料腔的上部内以形成晶体结晶区域的生长腔,所述生长腔具备生长室、和设于所述生长室的顶壁上的籽晶托。本发明的坩埚能够在生长过程中调节晶体表面与原料表面的距离,保持温度场的稳定性,从而生长出高质量碳化硅晶体的碳化硅晶体生长用坩埚。
105 化合物锶氢和锶硼氧氢非线性光学晶体及制备方法和用途 CN201710195813.4 2017-03-29 CN106917141A 2017-07-04 潘世烈; 鹿娟娟; 吴红萍
发明涉及一种化合物锶氢和锶硼氧氢非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物化学式为Sr3B9O16(OH)B(OH)3,分子量为694.99,采用热法制备,所得产物为晶体;该晶体的化学式为Sr3B9O16(OH)B(OH)3,分子量为694.99,属于三方晶系,空间群为P31c,晶胞参数为a=9.916(6)Å,b=9.916(6)Å,c=8.670(6)Å,Z=2,采用水热法制备;该晶体生长过程具有操作简单,成本低,所用的试剂为无机原料,毒性低,生长周期短,物化性质稳定等优点。该晶体非线性光学效应约为1倍KDP;本发明的锶硼氧氢非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。
106 一种直拉单晶炉热场保温结构 CN201510992289.4 2015-12-24 CN106917136A 2017-07-04 刘大力; 姜舰; 崔彬; 鲁强; 戴小林; 吴志强; 索思卓; 白鸽玲; 赵伟
发明公开了一种直拉单晶炉热场保温结构,包括保温桶、软毡及固化毡,所述保温桶置于最内侧,其上、下两端均具有向外延伸的凸缘,所述软毡位于该两凸缘之间,包裹于保温桶外侧,固化碳毡置于软毡的外侧。采用本发明的热场保温结构,可以结合保温桶、软毡和固化碳毡的优点,提高整个热场的保温性能,降低电耗,同时避免了软毡易腐蚀、维护困难等缺点,提高了整个热场的稳定性
107 一种带隙可调的有机无机杂化合金 CN201710198862.3 2017-03-29 CN106906518A 2017-06-30 尚明辉
一种带隙可调的有机无机杂化合金矿,其特征在于:化学式为CH3NH3SrxPb1‑xI3,其中x=0.25、0.5、0.75或1;CH3NH3SrxPb1‑xI3的晶胞中8.834埃≤a≤8.869埃,8.847埃≤b≤8.878埃,12.81埃≤c≤12.863埃,89.6°≤α≤89.622°,90.384°≤β≤90.402°,90.082°≤γ≤90.088°,1001.2埃3≤V≤1012.73埃3。利用Sr2+取代Pb2+的方式掺杂CH3NH3PbI3。锶元素的掺入显著提高了CH3NH3SrxPb1‑xI3稳定性;同时锶元素掺杂调节了能带结构尤其费米能及附近的导带底和价带顶,增加了CH3NH3SrxPb1‑xI3带隙,并调节了电荷有效质量
108 一种酸铋‑酸铅压电单晶及其制备方法 CN201710109555.3 2017-02-27 CN106906517A 2017-06-30 庄建; 张楠; 张洁; 叶作光
发明公开了一种酸铋‑酸铅压电单晶及其制备方法,根据化学组成(1‑x)BiFeO3‑xPbTiO3,其中0.3坩埚中生长晶体,本发明得到的晶体居里温度较高,根据组分不同,可在500~700℃区间内调控,较当前主流压电材料PZT和PMN‑PT基材料的居里温度有显著提高;铅含量较低,通过引入无铅材料铁酸铋与钛酸铅固溶,显著降低了铅含量;本发明采用高温融盐技术,工艺较简单可控,原料成本较低。
109 外延反应腔用梯形基座 CN201710202521.9 2017-03-30 CN106906455A 2017-06-30 侯志义; 陈秉克; 赵丽霞; 袁肇耿; 薛宏伟; 任丽翠
发明公开了一种外延反应腔用梯形基座,涉及化学气相沉积用设备技术领域。所述基座包括梯形基座本体,所述梯形基座本体为筒状多面体结构,所述基座本体的每个侧面上从上到下设有硅片放置槽,所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设有档条。通过在所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设置档条,阻挡部分气流,使得能够改变反应腔室结构造成的硅片外延层左右位置厚度偏大趋势,改善片内厚度形貌、提高片内厚度一致性。
110 一种GaN-on-Si晶圆的制备方法 CN201510965134.1 2015-12-21 CN106893999A 2017-06-27 张森; 陈爱华
发明提供了一种利用MOCVD设备制备GaN-on-Si晶圆的方法,所述制备方法利用反应腔分步骤制备GaN-on-Si晶圆。具体步骤为:在第一反应腔内通过外延反应在基衬底上形成AlN薄膜,再在AlN薄膜上沉积高组分AlGaN缓冲层;紧接着在第二反应腔内进一步沉积低铝组分AlGaN缓冲层,然后在该缓冲层上沉积GaN层,制备得到GaN-on-Si晶圆,两个反应腔的主要区别在于第一反应腔的高度小于第二反应腔。本发明能有效地消除镓回熔产生的晶体缺陷导致电性良品率低等问题,同时提高晶圆的晶体质量,有效提升产能和降低外延生产的成本。
111 外延晶片及其制造方法 CN201380045238.X 2013-10-29 CN104584190B 2017-06-27 姜石民
发明提供了一种外延晶片及其制造方法,并且所述方法包括:预生长步骤,通过在布置在室内的半导体晶片上注入用于外延生长的反应源在指定的第一生长速率下和在指定的第一生长温度下将外延层生长为指定的第一厚度;热处理步骤,对由预生长步骤生长的外延层执行热处理预定时间;以及后续生长步骤,通过在经热处理的半导体晶片上注入反应源在指定的第二生长速率下和在指定的第二生长温度下将外延层生长至目标厚度,其中第一生长速率比第二生长速率慢。
112 合成氮化物纳米晶体的方法 CN201380058998.4 2013-11-12 CN104781185B 2017-06-23 阿拉斯泰尔·詹姆斯·丹尼尔·格伦迪; 彼得·尼尔·泰勒; 迈克尔·艾伦·施罗伊德; 斯图尔特·爱德华·胡帕; 乔纳森·汉夫纳恩
一种制造氮化物纳米粒子的方法,所述方法包括使至少一种有机金属化合物,例如烷基金属,与至少一种氮源反应。反应可以涉及一种或多种液相有机金属化合物,或者可以涉及一种或多种溶解于溶剂或溶剂混合物中的液相有机金属化合物。可以将反应组分加热至想要的反应温度(例如在40℃至300℃的范围内)。
113 一种二反蛋白石光子晶体的制备及修饰方法 CN201710007765.1 2017-01-05 CN106868592A 2017-06-20 朱永胜; 李宝磊; 侯书进; 徐秀梅; 卢成; 卢志文
发明公开一种二反蛋白石光子晶体的制备方法,步骤如下:(1)采用垂直沉积法在载玻片上制备聚甲基丙烯酸甲酯蛋白石光子晶体模版;(2)采用毛细管渗透法将二氧化钛前驱体溶液填充到聚甲基丙烯酸甲酯蛋白石光子晶体模版的缝隙中,自然干后,以50℃/h的速度升500℃,烧结得到二氧化钛反蛋白石光子晶体,其中,所述二氧化钛前驱体溶液由钛酸丁酯、乙醇硝酸按体积比为37.5:25:1:1.625组成。本发明方法可获得大面积高质量完整的二氧化钛反蛋白石光子晶体,且操作更为简单。二氧化钛反蛋白石光子晶体修饰后可提高光子晶体的电子迁移率和催化性能。
114 Rb3Ba3Li2Al4B6O20F化合物、非线性光学晶体及其制法和用途 CN201710043511.5 2017-01-19 CN106868588A 2017-06-20 罗军华; 沈耀国; 赵三根
发明涉及一种Rb3Ba3Li2Al4B6O20F化合物、Rb3Ba3Li2Al4B6O20F非线性光学晶体及其制法和用途。本发明的晶体易长大且透明无包裹体,具有生长速度较快、成本低、易于获得较大尺寸晶体等优点;所获得的晶体具有较短的紫外吸收截止边、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定、机械性能好、易于加工等优点;该晶体可用于制作非线性光学器件;本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中,例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。
115 单晶的制造方法 CN201380064654.4 2013-11-11 CN104854266B 2017-06-16 添田聪; 中野真二
发明涉及一种单晶的制造方法,其是使籽晶与收纳于坩埚内并添加有掺杂物的原料熔融液接触,在形成锥部后,接着形成直体部,从而使电阻率为0.05Ωcm以下且结晶方位为(100)的N型单晶硅生长的基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅的制造方法,其特征在于,在所述锥部的形成过程中,调整θ的同时形成所述锥部,使在从所述单晶硅的直径方向观察时将所述单晶硅的成长方向与所述锥部的侧面所构成的锥设为θ,将所述锥部的侧面的长度设为L时,θ为25°以上45°以下的区域的长度总和相对于该长度L为20%以下。由此,不降低成品率和生产率而能够切实地抑制有错位化。
116 一种蓝宝石生产中的冷却的冷却装置 CN201710024373.6 2017-01-13 CN106839647A 2017-06-13 姚刚; 蔺崇召; 孙占喜; 李吾臣
发明涉及工业冷却技术领域,尤其涉及一种蓝宝石生产中的冷却水的冷却装置,包括三组平行设置的冷却管道、分流器、汇流器、控制器和冷却箱,冷却管道架设在冷却箱中,前端通过分流调节与分流器的分流口连接,末端与汇流器的汇流口连接,分流器和汇流器均有冷却箱固定设置,冷却管道包括直流管和螺旋管,直流管设置在螺旋管的螺旋中心处,本发明用于冷却系统冷却水的排出口,用于冷却水的冷却,帮助冷却系统的稳定运行和冷却效率,有利于维持蓝宝石的生产环境的稳定。
117 一类红外非线性光学晶体材料及其制备方法和用途 CN201710035153.3 2017-01-18 CN106835284A 2017-06-13 吴立明; 林华; 陈玲
发明涉及一种相位匹配的红外非线性光学晶体材料,其具有如下所示的分子式:RbXSn2Se6。其中,X为13主族元素。该红外非线性光学晶体材料的晶体结构属于三方晶系,空间群为R3。本发明所述的红外非线性光学晶体材料,具有优良的二阶非线性光学性质以及大小适中的双折射率,较宽的透光范围,具有强的红外倍频响应,其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的4~5倍,且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的8~9倍,可用于中红外探测器和激光器
118 一种用于蓝宝石长晶炉的温度梯度控制装置及控制方法 CN201710088402.5 2017-02-20 CN106835279A 2017-06-13 李辉; 潘清跃; 王辉辉; 穆童
发明公开一种用于蓝宝石长晶炉的温度梯度控制装置及控制方法,蓝宝石长晶炉在各阶段所需温度梯度建立一个化料、引晶、长晶、冷却控制模型,该模型无需人工参与,降低了对人的要求,保证了产品质量的均一性,保证了大规模生产的低成本,缩短晶体生长周期等优点;并能够根据蓝宝石长晶过程中各阶段对合适温度梯度的要求,纠正了边界条件变化对生长状态的不利影响,使其在最短的时间内降到常温,同时保证晶体品质良好。
119 一种化锌反蛋白石光子晶体的制备及修饰方法 CN201710007767.0 2017-01-05 CN106835277A 2017-06-13 朱永胜; 王银花; 李宝磊; 李剑南; 黄金书; 卢志文
发明公开一种化锌反蛋白石光子晶体的制备方法,该制备方法包括(1)将氧化锌前驱体溶液滲透到聚甲基丙烯酸甲酯蛋白石薄膜中,以及(2)煅烧,得到氧化锌反蛋白石光子晶体,其特点在于:所述氧化锌前驱体溶液为硝酸锌、酸乙酯和螯合剂的混合溶液,混合溶液的溶剂乙醇。与现有方法相比,采用本发明方法可获得到大面积完整的高质量ZnO反蛋白石光子晶体,制备过程简单,易操作。
120 一种多晶铸锭 CN201710167064.4 2017-03-20 CN106835273A 2017-06-13 陈辉; 李少捧; 关树军; 张立杰; 周冰
发明涉及多晶锭生产技术领域,公开了一种多晶硅铸锭炉,以改善铸锭炉内等温线分布,提高多晶硅铸锭的品质和效率,并降低能耗。该多晶硅铸锭炉,包括炉体、顶隔热层、底隔热层、侧隔热层、顶加热器、侧加热器,加热器移动装置和坩埚,其中,所述顶隔热层、底隔热层和侧隔热层拼装包覆于所述坩埚外侧,所述加热器移动装置与所述侧加热器电连接、且承载和带动所述侧加热器移动。
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