| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 硅磊晶晶圆及硅磊晶晶圆的制造方法 | CN201480024949.3 | 2014-03-28 | CN105164790B | 2017-08-15 | 樱田昌弘 |
| 本发明是一种硅磊晶晶圆及其制造方法，该硅磊晶晶圆在对如下单晶硅棒进行切割而制造的硅基板(10)上，具有第二中间磊晶层(22)和掺杂有掺杂剂的第一中间磊晶层(21)，在该第一中间磊晶层(21)上层叠有作为组件形成区域的磊晶层(30)，该单晶硅棒是通过CZ法而培育成的碳浓度为3×1016atoms/cm3～2×1017atoms/cm3的单晶硅棒。由此，本发明提供如下硅磊晶晶圆及硅磊晶晶圆的制造方法，该硅磊晶晶圆用于内存、逻辑电路或固态摄影元件等半导体组件基板，并以掺杂有碳的硅基板为原材料，且工业性优异。 | ||||||
| 82 | 外延硅片及其制造方法 | CN201380074767.2 | 2013-10-09 | CN105026624B | 2017-08-15 | 小野敏昭; 梅野繁 |
| 本发明提供从采用提拉法生长的硅单晶切出的直径为300mm以上的外延硅片。该外延硅片是生长时使硅单晶的各部分从800℃降温至600℃的所需时间在450分钟以下的外延硅片，间隙氧浓度为1.5×1018~2.2×1018atoms/cm3(old ASTM)，上述切出的硅片的整面由COP区域构成，外延晶片的体部在1000℃×16小时的热处理后的BMD密度为1×104/cm2以下。即使半导体器件的制造工艺中的热工艺为低温热工艺，该外延硅片也能得到充分的吸杂能力，而且不会产生外延缺陷。 | ||||||
| 83 | 用于在外延生长室中使用的基座及保持晶圆的热传导块 | CN201611153337.1 | 2016-12-14 | CN107034516A | 2017-08-11 | 洪世玮 |
| 一种用于在外延生长室中使用的基座包括设计以保持衬底的热传导主体。主体包括第一区域、第二区域以及第三区域。第一区域从主体的外部边缘朝向主体的中央向内延伸第一宽度，第一区域具有第一高度。第二区域从第一区域的内部边缘朝向主体的中央向内延伸第二宽度，第二区域具有比第一高度低的第二高度。第三区域从第二区域的内部边缘延伸至主体的中央。第二区域包括基本上平行于衬底的底部表面的平坦表面，并且衬底的底部表面的一部分安置在平坦表面上。本发明还提供了一种保持晶圆的热传导块。 | ||||||
| 84 | 镍基单晶高温合金涡轮叶片的制备工艺 | CN201710161355.2 | 2017-03-17 | CN107034388A | 2017-08-11 | 王富; 朱鑫涛; 朱德本; 朱玉棠 |
| 本发明提供一种镍基单晶高温合金涡轮叶片的制备工艺，制备工艺包括以下步骤：镍基单晶高温合金的成分选取、选晶器的参数设计、选晶器的制备、镍基单晶高温合金的制备以及制备涡轮叶片。本发明所采用的镍基高温合金具有优秀的高温性能以及良好铸造性能，同时在铸造过程中能够有效避免有害相以及铸造缺陷的产生；通过数据以及选晶效果对选晶参数进行优化，通过制备高精度螺旋选晶器获得的镍基单晶高温合金，单晶质量以及合格率极为优秀，保证后续通过液态金属冷却法制备的涡轮叶片中晶界的有效消除、微观组织的有效改善以及整体性能的显著提升。 | ||||||
| 85 | 制造用在钢铁制造过程中的增加热量和控制成分的坯块的方法 | CN201610833767.1 | 2016-09-20 | CN107034326A | 2017-08-11 | 张煐哲; 金炯秀 |
| 提供一种通过净化含硅废浆制造用在钢铁制造过程的钢水生产过程中的增加热量和控制成分的坯块的方法。所述方法包括：主要分离步骤，其中以第一混合比将水混合到包括硅(Si)、碳化硅(SiC)、水溶性油和铁(Fe)的最初的废浆中，并使水溶性油和水从最初的废浆分离；以及坯块模制步骤，其中将粘合剂加入到通过在主要分离步骤使水溶性油和水从最初的废浆分离获得的含Si‑SiC浆，搅拌含Si‑SiC浆，然后将含Si‑SiC浆模制成坯块。构成最初的废浆的颗粒团具有1μm或更大的体积中值直径(Dv50)。 | ||||||
| 86 | 用于半导体衬底的快速加热和冷却的装置 | CN201410136512.0 | 2007-10-12 | CN103943537B | 2017-08-11 | 库赫斯特·索瑞伯基; 亚历山大·N·勒纳 |
| 本发明描述了一种用于热处理衬底的方法和装置。该装置包括配置为通过磁驱动线性移动和/或旋转移动的衬底支架。该衬底支架还配置为接收辐射热源在腔室的一部分中提供加热区。包括冷却板的有源冷却区与加热区相对设置。衬底可以在该两个区域之间移动以便于衬底的快速可控加热和冷却。 | ||||||
| 87 | 一种高效硅晶片热场长晶装置及方法 | CN201710371423.8 | 2017-05-24 | CN107022791A | 2017-08-08 | 陈旭光; 张涛; 孙鹏 |
| 本发明提供了一种高效硅晶片热场长晶装置，包括炉体，以及设置于炉体外的冷却器，炉体内设置有保温装置，保温装置内设置有坩埚，坩埚的外侧包覆有坩埚护板，坩埚护板外设置有用于对坩埚加热形成热场的加热器，所述坩埚护板底部设置有冷凝板，冷凝板连接有冷却管，冷却管与冷却器连接。本发明实现了对坩埚点局部强冷，实现了对小块籽晶熔化、生长的有效控制，减少单埚籽晶的投放量，已达到提高硅片质量降低成本目的。 | ||||||
| 88 | 一种带有旋转磁场的硅晶体生长炉 | CN201710355230.3 | 2017-05-19 | CN107022790A | 2017-08-08 | 孙鹏; 陈骏; 张涛 |
| 本发明提供一种带有旋转磁场的硅晶体生长炉，硅晶体生长炉内坩埚四周磁场发生装置；所述磁场发生装置包括固定于晶体生长炉的炉体的绝缘体；所述绝缘体上设有三相导线，三相导线按次序以ABC的形式堆叠缠绕在绝缘体上，同相导线并联。本发明通过在晶体生长炉内施加一个电磁场，该电磁场由三相导线绕制而成，由于三相电源存在的相位差线圈会产生旋转的磁场，坩埚内的硅液在磁力作用下旋转，加强了熔池的搅拌作用；在强对流下，熔池内的冷热区分布更加均匀，固液界面平坦，同时涡流会促使杂质元素向熔池中心聚集，方便顶吹氩气将杂质带走，加强整体排杂。通过平坦固液界面和加强排杂，得到位错更低，晶体质量更好的硅锭。 | ||||||
| 89 | 用于防止接地故障电流且具有优异去除硅粉尘效果的多晶硅制备装置 | CN201611123111.7 | 2016-12-08 | CN107012507A | 2017-08-04 | 吴珉暻; 姜秉昶; 尹钟寿; 尹民荣 |
| 本发明涉及用于防止接地故障电流且具有优异的去除硅粉尘效果的多晶硅制备装置。所述多晶硅制备装置包括室和陶瓷颗粒层，所述室包括具有打开的下部的外壳和与所述外壳的下部连接的基板，所述陶瓷颗粒层在基板的上表面上，用于防止在过程中产生的硅粉尘与基板直接接触且在所述过程之后与硅粉尘一起被去除。 | ||||||
| 90 | 精密切割的高能量晶体 | CN201580056866.7 | 2015-03-06 | CN107002279A | 2017-08-01 | 纳西姆·哈瑞梅恩 |
| 本发明提出了一种具有改进的正四面体形状的晶体。晶体优选具有四个基本相同的三角形的面，其限定四个截平的顶点和六个倒角边缘。六个倒角边缘具有平均长度l和平均宽度w，且8≤l/w≤9.5。 | ||||||
| 91 | 一种锡烯材料及其制备方法 | CN201710176400.1 | 2017-03-23 | CN106987904A | 2017-07-28 | 刘乐光 |
| 本发明提供一种锡烯材料及其制备方法，方法包括：1）在真空环境下，将适量锡蒸发沉积到过渡金属基底上；2）对整个样品进行退火处理，以使覆盖在基底表面的锡发生相互作用，形成六角蜂窝状分布的二维有序的周期性结构。本发明的制备方法能够生长出一种新型的二维原子晶体材料，这种新材料表现为二维有序、锡原子成六角蜂窝状排布的二维周期性结构。这种锡烯二维晶体材料不同于石墨烯，比石墨烯具有更强的自旋轨道耦合，为研究二维体系中新的量子现象和电子行为提供了全新的平台，所以这种新型二维原子晶体材料也可应用于自旋电子学及器件研究。 | ||||||
| 92 | 一种用于人造蓝宝石的冷心放肩提拉制备方法 | CN201710166588.1 | 2017-03-20 | CN106987902A | 2017-07-28 | 胡明理; 李业林; 杨博; 王春刚; 李伟国 |
| 本发明涉及蓝宝石加工技术领域，具体涉及一种用于人造蓝宝石的冷心放肩提拉制备方法，一方面通过在“冷心位置”放肩，使得整个结晶过程中，蓝宝石单晶的晶向遗传特性良好，保证蓝宝石的单晶生长质量；通过炉内的清洗处理工作，能够减少晶体生长过程中受到污染，保证晶体的纯度，减少晶体缺陷；另一方面，便于精确控制冷却速率，减少热应力，同时通过提拉杆微量提拉方式，能够减少温度场扰动和降低产生缺陷的几率，从而利于提高晶体质量；再一方面，在降温过程中，晶体可以实现原位退火，降低氧缺位的缺陷，同时简化程序、节省能源，从而进一步降低蓝宝石晶体的生长成本；本发明还能够通过对炉内温度的合理控制，防止晶体龟裂，保证晶体质量。 | ||||||
| 93 | 一种单晶硅上料装置 | CN201710378381.0 | 2017-05-25 | CN106987898A | 2017-07-28 | 袁荣; 张巍; 费凌翔; 吴倩倩; 王涛; 王静; 周海燕 |
| 本发明公开了一种单晶硅上料装置，包括底板和第二电机，所述底板上设有熔炉本体，所述熔炉本体上设有进料口，所述进料口上设有进料斗，所述底板的上方通过安装架固定安装有第一电机，所述第一电机的输出轴的下端转动安装有转轴，所述转轴的外壁焊接有螺旋刀片，所述底板的右侧上方通过支架倾斜固定安装有主梁，所述主梁的上下两端转动安装有从动轮和主动轮，所述从动轮和主动轮的外壁套装有传送带，所述主动轮的皮带轮与第二电机的皮带轮通过皮带传动连接；该单晶硅上料装置，操作简单，上料效率高，进行强制供料，有效的防止堵塞，大大提高了生产效率。 | ||||||
| 94 | 用于测量两个物体之间的距离的方法 | CN201380009520.2 | 2013-02-15 | CN104160239B | 2017-07-28 | 如弟格·库比则克 |
| 为了甚至在困难的几何和光照条件下，使用于使用至少一个光源和至少一个光接收器借助光线以光学地测量在实质上散射的物体与实质上镜面反射的物体之间的距离的方法中的可靠的距离测量成为可能，所述光线包含所述散射物体的至少一个区域以及所述镜面反射物体的至少一个区域，且俘获所述光线在所述散射物体处散射的光以及所述光线在所述镜面反射物体处镜面反射的光两者。本发明的有利实施例在于在所述镜面反射物体处的镜面反射之后俘获在所述散射物体处散射的所述光，和/或在所述散射物体处的散射之后俘获在所述镜面反射物体处镜面反射的所述光。根据本发明的方法可尤其用于拉晶设施中的环绕锭的漏斗与硅熔融物之间的距离测量或距离调节中。 | ||||||
| 95 | 一种处理单晶返工片的方法 | CN201710300389.5 | 2017-04-29 | CN106981547A | 2017-07-25 | 蒋建宝 |
| 本发明公开了一种处理单晶返工片的方法，包括以下步骤，(1)将返工片分选出来，置于不通源的扩散炉中，进行高温处理；(2)将高温处理后的返工片放入去离子水中在常温下进行超声波清洗或碱洗处理；(3)最后将步骤（2）得到的返工片在上述制绒槽内进行清洗制绒工序即可；(4)将制绒后的返工片进行喷淋，然后置于氢氟酸和盐酸的混合溶液中进行酸洗处理，并依次进行漂洗，甩干处理。本发明能够减少电池片生产过程中返工片数量，提高返工片的转换效率及成品率。 | ||||||
| 96 | 掺锗氧化镓透明导电半导体单晶及其制备方法 | CN201610027421.2 | 2016-01-15 | CN106978626A | 2017-07-25 | 吴庆辉; 唐慧丽; 罗平; 吴锋; 钱小波; 徐军 |
| 本发明涉及掺锗氧化镓透明导电半导体单晶及其制备方法，所述掺锗氧化镓透明导电半导体单晶包括β-Ga2O3基质材料，所述单晶中锗的掺杂量为1at%～10at%。经测试表明β-Ga2O3:Ge单晶相比于纯β-Ga2O3单晶的吸收光谱，在红外部分有明显的吸收，而红外部分的吸收为自由载流子的吸收。 | ||||||
| 97 | 杂质吸收材料及涂布有该材料的坩埚 | CN201610032906.0 | 2016-01-19 | CN106978625A | 2017-07-25 | 魏汝超 |
| 本发明提供一种杂质吸收材料及涂布有该材料的坩埚，所述杂质吸收材料包含低氮原子重量百分比的氮化硅(Si3N4-x)，其中(4-x)为所述杂质吸收材料于氮化硅(Si3N4-x)化合物的氮原子摩尔数比，且x介于0.32-3.33之间，由于低氮原子重量百分比的氮化硅(Si3N4-x)存在不稳定的悬挂键、不饱和键及其他未配对键结等高活性官能基，因此应用于高温领域时，这些高活性基团为降低能量而吸附来自烧结过程的杂质，大量杂质被本发明的杂质吸收材料吸附，导致反应过程杂质减少，最终产品的产出将有助于减少杂质。 | ||||||
| 98 | 一种复合晶体、其制备方法及作为固体激光材料的应用 | CN201710378086.5 | 2017-05-25 | CN106961070A | 2017-07-18 | 吴少凡; 郑熠; 黄鑫; 张鲜辉 |
| 本申请公开了一种复合晶体，包括C轴切割的激光晶体I和C轴切割的激光晶体II；所述C轴切的激光晶体I和C轴切割的激光晶体II基于布儒斯特角切割后经组合，得到所述复合晶体。通过将激光晶体与掺杂了镧系元素的激光晶体复合，使一块晶体同时兼具激光晶体与掺杂了镧系元素的激光晶体优点，并实现某种特定波长偏振光的输出。 | ||||||
| 99 | 一种氟化钙晶体的离子束刻蚀装置及方法 | CN201710070733.6 | 2017-02-09 | CN106939437A | 2017-07-11 | 王占山; 张锦龙; 吴晗; 卜笑庆; 程鑫彬 |
| 本发明涉及一种氟化钙晶体的离子束刻蚀装置及方法，所述装置包括离子源、刻蚀工装、角度调整机构和中和器，刻蚀工装包括循环冷却水供给机构，石英底盘表面镀有MgF2薄膜；将石英底盘放置入不锈钢工装内，调整刻蚀工装角度；将氟化钙晶体放置于刻蚀工装中，抽真空，开启循环冷却水供给机构；待真空抽至4×10‑4Pa，开启离子源，充入氪气作为刻蚀气体；刻蚀结束充入氮气，取出氟化钙晶体。本发明针对氟化钙晶体的硬度小、热膨胀系数大和材料表面微潮解特性，通过冷却水控制温度，利用大原子序数的气体，提高离子束能量，最终获得了低表面粗糙度、吸收较低的高质量氟化钙晶体表面。与现有技术相比，本发明具有针对性强、效果明显等优点。 | ||||||
| 100 | 一种石英炉管 | CN201511024733.X | 2015-12-31 | CN106929923A | 2017-07-07 | 崔严匀; 王训辉 |
| 本发明提供了一种石英炉管，包括炉管本体，所述炉管本体的第一端面开设有炉口，所述炉管本体的第二端面设置为炉尾，所述炉管本体内设有炉腔；所述炉腔内靠近所述炉尾的一端设置有气室，所述炉尾上开设有至少一个进气口和至少一个出气口，所述至少一个进气口与所述气室相连通，所述出气口与所述炉腔相连通；所述气室的顶板上设置有向所述炉口方向延伸的至少一根支管，所述至少一根支管与所述气室相通，所述至少一根支管的支管壁上开有多个支管透气孔。本发明解决了工艺气体从炉尾直接向炉口流动导致气流分布不均匀的问题，使得工艺气体可从晶圆片的四周均匀流入，进而与晶圆片均匀接触，确保了晶圆片片内参数的一致性。 | ||||||
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