| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 外延设备保养方法 | CN201710626408.3 | 2017-07-27 | CN107400921A | 2017-11-28 | 陈海波 |
| 本发明提供了一种外延设备保养方法，所述外延设备包括反应腔室，所述反应腔室具有进气口和出气口，所述反应腔室内设有基座，用于放置硅片，所述反应腔室内还安装有吸热装置，所述吸热装置位于基座与出气口之间、且位于反应腔室的上半部；所述外延设备保养方法包括刻蚀步骤，以移除所述反应腔室内沉积的多晶硅层，需向所述反应腔室通入刻蚀性气体氯化氢和载气氢气，刻蚀温度为1165℃-1175℃。与现有技术相比，本发明提供的外延设备保养方法，可有效延长设备保养周期，保养周期提高至大于60000微米/次；提高设备产能利用率，降低生产成本。 | ||||||
| 22 | 一种单晶硅拉晶用装置及应用该装置的方法 | CN201710591130.0 | 2017-07-19 | CN107385507A | 2017-11-24 | 刘学; 尚伟泽; 武志军; 刘伟; 张文霞; 张全顺; 王岩; 李建弘 |
| 本发明提供了一种单晶硅拉晶用装置，包括炉体、氮气气源和氩气气源，所述氮气气源通过第一管道和炉体连通，所述氩气气源通过第二管道和炉体连通，所述第一管道和第二管道分别设有质量流量计。本发明所述的一种单晶硅拉晶用装置中，炉体连接有氮气气源和氩气气源，在拉晶过程中通过氩气---氮气转换满足拉晶需求，由于氮气价格低是氩气1/5，因此能够降低气体成本；同时，由于掺氮硅单晶的位错激活能比常规单晶的要高，塑性变形能通过位错滑移释放较常规单晶快，因此掺氮单晶能够提高硅片机械强度提高硅片机械强度；其次，掺氮促进氧沉淀、减少空洞型缺陷区域；另外，通过该装置方法得到的晶体硅，减小了电池光衰。 | ||||||
| 23 | 单晶硅的制造方法 | CN201580046213.0 | 2015-08-27 | CN106715766B | 2017-11-24 | 安村健; 橘昇二 |
| 本发明的目的在于开发一种通过含有碳来抑制结晶缺陷的单晶硅的制造方法，采用该方法，碳容易地向硅融液的混合、熔解。本发明的单晶硅的制造方法是从收纳在坩锅内的硅融液中拉制出单晶硅的同时使其成长的单晶硅体的制造方法，使用利用西门子法制造出的多晶硅棒中的位于棒末端的与碳制芯线保持部件之间的接触附近部的破碎物，来作为该硅原料的至少一部分。 | ||||||
| 24 | 单晶制造装置及单晶制造方法 | CN201480036286.7 | 2014-05-28 | CN105358743B | 2017-11-24 | 高沢雅纪 |
| 本发明提供一种单晶制造装置，其特征在于，具备坩埚、主腔室、提拉腔室、整流筒、籽晶夹头及保温板，所述主腔室收纳加热器；所述提拉腔室中单晶被提拉而收容；所述整流筒为圆筒状，从主腔室的顶部向下方延伸设置，具有导通单晶的开口部；所述籽晶夹头用于保持籽晶；所述保温板在加热并熔融原料时，设置于整流筒的开口部下端，在提拉单晶时，与籽晶一起被提拉，籽晶夹头具备用于安装保温板的安装件，该安装件具有使保温板可独立于籽晶夹头的旋转而旋转地进行安装的机构。由此可提供一种单晶制造装置，其能够容易地导入，能够在加热器的电力为低功率的条件下使原料熔融，能够抑制引晶时位错的产生，在提拉单晶时能够抑制单晶的位错化。 | ||||||
| 25 | 冷却速率控制装置及包括其的铸锭生长装置 | CN201480013120.3 | 2014-08-06 | CN105189834B | 2017-11-24 | 李原周; 全洙仁 |
| 本发明涉及一种利用晶种由容纳在坩埚中的硅熔体生长铸锭的装置。该装置包括：腔室，该腔室包括容放该坩埚的下部和生长的铸锭穿过的上部；以及冷却速率控制单元，该冷却速率控制单元设置在该腔室的上部以延伸到该腔室的下部，并且具有生长的铸锭穿过的孔，其中，该冷却速率控制单元包括用于保持铸锭温暖的绝热部件、设置在该绝热部件上方以冷却铸锭的冷却部件，以及设置在该绝热部件和该冷却部件之间以防止该冷却部件和该绝热部件之间热交换的阻挡部件。 | ||||||
| 26 | SiC 单晶及其制造方法 | CN201710319173.3 | 2017-05-09 | CN107354510A | 2017-11-17 | 大黑宽典; 楠一彦; 关和明 |
| 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供一种抑制4H以外的多晶型物的产生，使4H-SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，所述晶种基板为4H-SiC，该制造方法包括：将所述晶种基板的(000-1)面作为生长面，将所述Si-C溶液的表面中所述晶种基板的生长面接触的区域的中央部的温度设为1900℃以上，和将所述中央部和在铅直方向下方距所述中央部10mm的位置之间的温度梯度ΔTc、与所述中央部和在水平方向距所述中央部10mm的位置之间的温度梯度ΔTa之比ΔTc/ΔTa设为1.7以上。 | ||||||
| 27 | 一种单晶导电铜杆熔炼装置 | CN201710645102.2 | 2017-08-01 | CN107354508A | 2017-11-17 | 尚成荣 |
| 本发明公开了一种单晶导电铜杆熔炼装置，包括上引连铸熔料炉和封闭混合熔料炉；所述封闭混合熔料炉的顶部设置有熔料炉封闭顶盖，所述熔料炉封闭顶盖上设置有还原气体排出管，所述封闭混合熔料炉的底部设置有还原气体鼓入管、熔融铜液导流管和导流管密封导套，所述熔融铜液导流管的下端位于所述上引连铸熔料炉中熔融铜液的液面下方；所述熔融铜液导流管匀速下降，使所述封闭混合熔料炉中的熔融铜液匀速流入所述上引连铸熔料炉中，且单位时间内所述熔融铜液导流管中流过的熔融铜液质量与单位时间内上引结晶器中流过的熔融铜液总质量相等。本发明能够实现单晶导电铜材中特定配方组成的添加成分的均匀添加和融合。 | ||||||
| 28 | 一种磷化铟多晶材料的清洗方法 | CN201710497976.8 | 2017-06-27 | CN107338481A | 2017-11-10 | 关活明 |
| 本发明公开了一种磷化铟多晶材料的清洗方法，该方法包括以下步骤：1)先将磷化铟多晶晶锭放入乙醇中浸泡，然后放入温度为60℃丙酮中浸泡3-10分钟，用去离子水冲洗或者用小刷子刷洗去除表面黑胶；然后放入温度为70℃的醋酸中浸泡去除粘胶；接着用#100金钢沙纸去除所有痕迹，磨圆材料边，得到粗产品；2)将步骤1)得到的粗产品放入由氨水、过氧化氢和去离子水组成的混合溶剂中浸泡2小时，取出后用去离子水冲洗，超声波清洗20分钟，然后放入盛甲醇的敝口容器中清洗，取出晾放得到清洗后的磷化铟多晶材料。本发明能在15小时内去除掉磷化铟多晶材料表面杂质，如铁、镁、钙、铜、胶质、涂料等。本发明得到的产品纯度：对重金属清洗洁净度≤10PPM。 | ||||||
| 29 | 一种降低多晶硅铸锭氧含量方法 | CN201710657888.X | 2017-08-03 | CN107338474A | 2017-11-10 | 杨津玫; 毛亮亮 |
| 本发明涉及一种降低多晶硅铸锭氧含量方法，其中，包括如下步骤：对一坩埚进行喷涂处理，向喷涂完成的所述坩埚中投入混合硅料；将填装有所述混合硅料的所述坩埚放置一铸锭炉后进行抽真空处理后进行加热直至所述混合硅料处于熔融状态；向所述铸锭炉中以预设气流速度通入氩气并将所述铸锭炉内的气压降低至第一气压后开始进行长晶作业；待所述混合硅料的熔融温度降至所述多晶硅铸锭的结晶温度后对所述混合硅料进行定向凝固直至完成长晶过程；待长晶完成之后依次进行退火与冷却以得到所述多晶硅铸锭。本发明提出的降低多晶硅铸锭氧含量方法，可以制备得到氧含量更低的多晶铸锭，满足了实际应用需求。 | ||||||
| 30 | 一种改变坩埚结构以提高铸锭质量的方法 | CN201710606391.5 | 2017-07-24 | CN107326445A | 2017-11-07 | 童冰彬; 王谦; 徐志明; 王涛; 李宏; 张军 |
| 在铸锭过程中，使用的普通坩埚内面直接与硅料接触，当硅料融化以后，与坩埚内面贴合，由于坩埚在生产的过程中包含很多工序，特别是原料需要流通多个环节，因此会对产品的纯度造成一定影响，在铸锭过程中，坩埚内面表层存在的杂质在高温状态下会渗透到硅锭中，影响铸锭质量，该发明通过改变坩埚工作面结构，提高其纯度，大大减少了杂质的渗透作用，可明显提高铸锭质量，对降低红区，提高转化效率有良好的促进作用。 | ||||||
| 31 | 非线性光学晶体SnI4S16及其制备方法 | CN201710491595.9 | 2017-06-20 | CN107326440A | 2017-11-07 | 郭胜平; 迟洋; 薛怀国 |
| 非线性光学晶体SnI4S16及其制备方法，涉及极光材料的生产技术领域。将片状SnI2、S和I2混合密封于抽真空的石英管中，再置于马弗炉中，经加热处理后，冷却至室温，取出石英管中产物，再采用无水乙醇洗涤产物，经干燥，得到非线性光学晶体SnI4S16。该非线性光学晶体SnI4S16结晶于正交晶系的Fdd2空间群，本发明一步直接合成纯相的SnI4S16粉末晶体，成本低廉，晶体在相同粒度与条件下其倍频效应与AgGaS2相当，而抗激光损伤阈值是AgGaS2的16倍以上，红外光谱表征本化合物在红外区域具有良好的透过性，很适合用做红外区域的非线性晶体。 | ||||||
| 32 | 多晶硅铸造炉 | CN201710743599.1 | 2017-08-25 | CN107326437A | 2017-11-07 | 常传波; 杨振帮; 袁聪; 唐骏 |
| 本发明公开了一种多晶硅铸锭炉，包括用于放置硅锭的炉体，所述炉体内设置套设在所述硅锭外的隔热笼，所述隔热笼与所述炉体的侧壁之间设置外保温板；本发明的多晶硅铸锭炉，通过在隔热笼的侧壁设置用于隔热的侧保温板，能够避免多晶硅结晶时热量横向扩散不均匀，避免了热量过快扩散，减少硅锭杂质和位错的产生，降低了能耗，降低了制造成本。 | ||||||
| 33 | 一种多工位加料装置 | CN201710560810.6 | 2017-07-11 | CN107313111A | 2017-11-03 | 李留臣; 周正星 |
| 本发明公开了一种多工位加料装置，用于均匀的将物料同时加入多个容器中，多工位加料装置包括进料机构、与进料机构连通的分料机构；分料机构包括与进料机构连通的第一分料箱、绕自身轴心线方向转动的设于第一分料箱中的第一分料盘、用于驱动第一分料盘转动的驱动电机、多个间隔均匀的环设于第一分料箱底部的分料管，分料管的上端与第一分料箱连通。本发明一种多工位加料装置，通过设置分料机构，将物料通过多个分料管均匀的加入多个坩埚中，提高了每只坩埚内的熔料量，有效的提高了人工晶体生长的效率。该装置结构简单，使用方便。 | ||||||
| 34 | 非线性光学晶体及其制备方法 | CN201610260863.1 | 2016-04-25 | CN107304486A | 2017-10-31 | 李光华; 张文中; 张伯琛; 赵子翎 |
| 本发明涉及一种非线性光学晶体，该非线性光学晶体的化学式为Li2X4TiOSi4O12，其中X为K或Rb；非线性光学晶体属于四方晶系，空间群为P4nc，Z＝2。Li2K4TiOSi4O12的单位晶胞常数为以及Li2Rb4TiOSi4O12的单位晶胞常数为本发明提供的非线性光学晶体易于合成、能产生优于商业用非线性光学晶体的非线性光学信号、具有极高的热稳定性以及高激光损伤阀值。 | ||||||
| 35 | 制备优质蓝宝石条晶的装置 | CN201610246604.3 | 2016-04-19 | CN107304485A | 2017-10-31 | 唐斌; 秦素芳 |
| 本发明公开了一种制备优质蓝宝石条晶的装置。为了克服现有人工蓝宝石晶体材料制备装置制备的人工蓝宝石晶体材料抗弯折强度弱，脆性大，容易崩裂，光学均匀性差，后续加工性能差、成材性差，废品率高、效率低等不足，本发明所述腔壁的内侧具有凸棱，在所述凸棱设有安装产热元件的穿口，在所述腔盖设有连通内腔的盖气道，在所述腔底设有连通内腔的底气道，所述腔壁具有壁水腔，在所述腔盖设有盖水腔。本发明用于制备人工蓝宝石晶体材料，它能够制备优质人工蓝宝石晶体材料，所制备的人工蓝宝石晶体材料内部热应力去除彻底，抗弯折强度高，脆性小，不易崩裂，光学均匀性好，后续加工性能好，成材性好，废品率低，制备效率高，有利于提高生产效益。 | ||||||
| 36 | 合成CVD金刚石 | CN201510083320.2 | 2010-12-15 | CN104746038B | 2017-10-31 | D·J·特威切恩; A·M·贝内特; R·U·A·卡恩; P·M·马蒂诺 |
| 本发明涉及合成CVD金刚石以及用于在合成环境中在基底上合成金刚石材料的化学气相沉积(CVD)方法，所述方法包含：提供基底；提供源气体；使所述源气体离解；和允许在基底上的同质外延金刚石合成；其中所述合成环境包含原子浓度为约0.4ppm至约50ppm的氮；并且其中该源气体包含：a)氢的原子分数Hf，其为约0.40至约0.75；b)碳的原子分数Cf，其为约0.15至约0.30；c)氧的原子分数Of，其为约0.13至约0.40；其中Hf+Cf+Of＝1；其中碳的原子分数与氧的原子分数之比Cf:Of满足比率：约0.45:1 | ||||||
| 37 | 亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜的液相外延制备方法 | CN201710405520.4 | 2017-06-01 | CN107299394A | 2017-10-27 | 杨青慧; 郝俊祥; 张怀武; 马博; 饶毅恒; 金立川; 文岐业; 李明明; 刘元昆 |
| 亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜的液相外延制备方法，包括如下步骤：制备熔体：以Ga2O3、Tm2O3、Fe2O3、Bi2O3为原料制备熔体；清洗基片；将清洗后的基片放入熔体中，在935℃温度下、基片转速为120rpm，生长1～5min，生长完成后，清洗去除残留，得到本发明所述亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜。本发明制备得到的磁光薄膜能够应用于自旋逻辑器件。本发明得出了合适的氧化物配比，并结合氧化物配比的特点，采用高生长温度高转速的方法制备得到的亚微米级单晶Bi:TmIG薄膜，其薄膜厚度为100～1000nm，具有垂直于薄膜表面(面外)的易磁化轴。 | ||||||
| 38 | 一种高致密石英坩埚阻挡层制备方法和多晶铸锭炉 | CN201710566494.3 | 2017-07-12 | CN107299392A | 2017-10-27 | 陈伟; 肖贵云; 姜志兴; 李林东; 李亮; 闫灯周; 黄晶晶; 吕锦滇; 金浩 |
| 本发明公开了一种石英坩埚制备方法，包括：步骤1，在坩埚主体的内壁喷涂纯度大于7N的高纯石英砂层；步骤2，在所述高纯石英砂层上设置钝化层。除此之外，本发明还公开了一种多晶铸锭炉，包括如上所述石英坩埚制备方法制成的石英坩埚。所述多晶铸锭炉以及石英坩埚制备方法，通过在坩埚主体的内壁喷涂7N的高纯石英砂层，然后再设置钝化层，不需要经过煅烧直接用于铸锭，高纯石英砂在常温时即可很好的依附在坩埚主体内壁且也可以让钝化层很好的依附在石英砂层之上，在1200℃的时候，该石英砂层熔融后会形成一层高致密的玻璃态非晶膜，这样更好的阻隔石英坩埚与硅料的接触，进一步减少石英坩埚中的氧和金属杂质进入硅中，这样就能够提高多晶硅的品质。 | ||||||
| 39 | 气体喷淋头、其制造方法及薄膜生长反应器 | CN201510848824.9 | 2012-05-11 | CN105274498B | 2017-10-27 | 姜勇; 周宁; 何乃明 |
| 本发明公开了一种气体喷淋头，所述气体喷淋头包括气体分布扩散板和水冷板，气体分布扩散板包括连接第一反应气体源的若干组第一气体扩散通道和连接第二反应气体源的若干列第二气体扩散通道，在气体分布扩散板下方设置带有冷却液通道的水冷板，水冷板上带有配合第一气体扩散通道流出的第一出气通道和配合第二气体扩散通道内的反应气体流出的第二出气通道，从而实现将至少两种反应气体相互隔离地注入反应腔内。 | ||||||
| 40 | SiC单晶锭及其制造方法 | CN201380037691.6 | 2013-05-08 | CN104471118B | 2017-10-27 | 加渡干尚; 大黑宽典; 坂元秀光; 楠一彦; 冈田信宏 |
| 提供抑制了夹杂物的产生的高质量SiC单晶锭、以及这样的SiC单晶锭的制造方法。本发明涉及SiC单晶锭，其是包含晶种基板及以所述晶种基板为基点采用溶液法成长的SiC成长结晶的SiC单晶锭，其中，所述成长结晶具有凹形状的结晶成长面并且不含有夹杂物。 | ||||||
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