41 |
SiC单晶锭及其制造方法 |
CN201380037691.6 |
2013-05-08 |
CN104471118B |
2017-10-27 |
加渡干尚; 大黑宽典; 坂元秀光; 楠一彦; 冈田信宏 |
提供抑制了夹杂物的产生的高质量SiC单晶锭、以及这样的SiC单晶锭的制造方法。本发明涉及SiC单晶锭,其是包含晶种基板及以所述晶种基板为基点采用溶液法成长的SiC成长结晶的SiC单晶锭,其中,所述成长结晶具有凹形状的结晶成长面并且不含有夹杂物。 |
42 |
单晶硅锭及晶圆的形成方法 |
CN201610224914.5 |
2016-04-12 |
CN107287655A |
2017-10-24 |
肖德元 |
本发明提供了一种单晶硅锭及晶圆的形成方法,采用区熔法形成单晶硅锭时,对熔融区中的硅通入含有氘元素的气体,使氘元素存储在单晶硅锭的间隙中,降低碳元素及其他杂质的含量;采用单晶硅锭形成晶圆后,在晶圆上形成器件时,氘元素能够扩散出,并与界面处的悬空键进行结合,形成较为稳定的结构,从而增加器件对热载流子的抵抗能力,降低漏电流,提高器件的性能与可靠性。 |
43 |
具有新型晶体结构的氧化钨型化合物及其制备方法 |
CN201480058207.2 |
2014-10-21 |
CN105873859B |
2017-10-24 |
V.比塞特; T.勒默希埃尔; J.拜斯娜蒂艾; S.卡赛侬; D.博特奥; G.瓦莱兹 |
根据本发明的化合物是一种具有式(1)AxW1‑yMOyO3的化合物,其中A选自由以下各项组成的组:Li、Na、NH4、K以及H的阳离子,并且其特征在于x和y验证关系0≤x≤1并且0≤y≤0.5,并且在于该化合物具有基于WO6八面体的六方型晶体结构,所述结构具有由6个、4个和3个所述八面体限定的并且沿c轴定向的孔道。 |
44 |
用于制备具有大晶粒的再结晶硅衬底的方法 |
CN201480053567.3 |
2014-09-24 |
CN105723525B |
2017-10-24 |
让-马里·勒布伦; 让-保罗·加朗代; 让-米歇尔·米西安; 赛琳·帕斯卡 |
本发明涉及一种用于制备平均晶粒尺寸大于或等于20μm的硅衬底的方法,至少包括以下步骤:(i)提供多晶硅衬底,所述多晶硅衬底的平均颗粒尺寸小于或等于10μm;(ii)使所述衬底在至少1000℃的温度下经受整体均匀的塑性变形;(iii)使所述衬底经受被定位在多个被称为外部应力区的衬底区(3)中的塑性变形,在两个连续的区(3)之间的间距为至少20μm,衬底的局部变形严格地大于在步骤(ii)中执行的整体变形,步骤(iii)能够与步骤(ii)相继地或者同时地执行;以及(iv)在严格高于步骤(ii)中使用的温度的温度下,使在步骤(iii)中获得的衬底经受固相再结晶热处理,以便获得期望的所述衬底。 |
45 |
一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法 |
CN201710633557.2 |
2017-07-28 |
CN107268076A |
2017-10-20 |
张景文; 陈旭东; 王进军; 李洁琼; 卜忍安; 王宏兴; 侯洵 |
本发明公开了一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法,在异质外延衬底上生长第一铱金属层,以第一铱金属层为依托在第一铱金属层上生长第一金刚石层;保证生长的第一金刚石层与第一铱金属层不受晶格失配影响,在第一金刚石层上生长图形化的第二铱金属层,在图形化的第二铱金属层上生长第二金刚石层,第二金刚石层与第二铱金属层和第一金刚石层接触生长,此时第二金刚石层处于自由生长状态,没有晶格失配的影响,得到生长有两层金刚石层和两层铱金属层的异质外延衬底,将第二金刚石层与第一金刚石层和第二铱金属层分离即可得到单晶金刚石,以异质外延衬底为依托,进行单晶金刚石的生长,可以降低金刚石器件制作成本,有利于发挥出金刚石优异特性。 |
46 |
单晶炉用自动化控制系统 |
CN201710496802.X |
2017-06-26 |
CN107268075A |
2017-10-20 |
张兆民 |
本发明涉及单晶炉生产控制技术领域,特别是一种单晶炉用自动化控制系统,包括微处理器,还包括温度传感器,所述温度传感器通过差动放大单元与微处理器输入端相连接;所述微处理器输出端通过继电器与执行机构相连接,所述执行机构与电磁阀相连接;所述微处理器通过接口模块与上位机相连接。采用上述结构后,本发明的单晶炉用自动化控制系统通过将压强传感器和温度传感器的历史数据存储在数据库中,便于更好的对拉晶进行控制;另外,本发明通过差动放大单元提高了温度传感器数据的准确性。 |
47 |
一种提拉生长制备LSGM快离子导体单晶的方法 |
CN201710630881.9 |
2017-07-28 |
CN107268073A |
2017-10-20 |
邾根祥; 朱沫浥; 安唐林; 柴文超; 刘刚 |
一种提拉生长制备LSGM快离子导体单晶的方法,可解决较大尺寸的LSGM单晶极难制备的技术问题。具体步骤如下:步骤一:将原料La2O3、Ga2O3、MgO和SrCO3分别烘干备用;步骤二:按质量百分比La2O3:Ga2O3:SrCO3:MgO=61.1%:35.2%:2.9%:0.8%进行配料;步骤三:将原料在行星式球磨机中进行均匀球磨混料,预烧成相之后压制成块,放入铱坩埚中;步骤四:将铱坩埚放入单晶生长炉中,通入惰性气体,升温至1500-1700℃左右,采用籽晶杆,控制提拉速度为1-4mm/h,籽晶杆旋转速度为10-20rpm进行提拉生长,最后缓慢降温得到直径2”的LSGM单晶。本发明方法简单方便,可制备出较大尺寸LSGM单晶,对于LSGM单晶以及其在SOFCs中的应用研究具有重大的意义,有效的填补了国内在单晶LSGM研究中的空白。 |
48 |
一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺 |
CN201710417949.5 |
2017-06-06 |
CN107268071A |
2017-10-20 |
李顺利 |
一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺,包括加料,熔化,缩颈生长,放肩生长,等径生长,尾部生长步骤。本发明将单晶硅原料送入长晶炉前进行低温加热处理,释放单晶硅原料内部应力,减少长晶时产生的位错,改善结晶质量;熔化时先将温度升至800~900℃,将长晶炉抽成真空,再将氩气充入长晶炉一方面进一步释放单晶硅原料的内部应力,另一方面通过升温将单晶硅原料内的气泡、氧杂质去除并随氩气一起排出长晶炉,保证单晶硅原料的纯度;本发明制得的单晶硅内部缺陷少,结晶质量高,作为太阳能板电池板使用具有较高的光电转换效率,同时使用寿命长。 |
49 |
一种低吸收磷锗锌晶体生长的方法 |
CN201710434825.8 |
2017-06-10 |
CN107268070A |
2017-10-20 |
倪友保; 吴海信; 肖瑞春; 毛明生; 王振友 |
本发明涉及一种低吸收磷锗锌晶体生长的方法。该方法采用温度梯度区域熔炼法,辅以合适助熔剂,在晶体相变点温度下生长,具体步骤包括:①生长坩埚预处理;②原料配置;③升温;④晶体生长;⑤降温;⑥清洗。采用本发明方法生长的磷锗锌单晶具有缺陷少、近红外残余吸收低等特点,解决了目前常规磷锗锌晶体生长方法中存在的生长温度高、近红外残余吸收大等问题。 |
50 |
一种高温压电晶体材料的生长方法 |
CN201710506664.9 |
2017-06-28 |
CN107254712A |
2017-10-17 |
王飞 |
本发明公开了一种高温压电晶体材料的生长方法,涉及压电晶体材料领域,包括以下步骤:1)将原料粉碎混合,得混合物料;2)将混合物料进行两次烧结,得多元晶料;3)将多元晶料加热至全熔,然后对熔体进行过热处理,得高温熔液,待高温熔液的温度降低至高于熔点,得压电晶体材料熔液;4)浸入并采用提拉法沿b方向进行单晶生长;5)生长结束后,将晶体在温场中保持一段时间,再降至室温即可。该种压电晶体材料的生长方法简单方便,性能优良温度,具有较高压电常数、较高电阻率及较高压电性能温度稳定性。 |
51 |
III族氮化物基板的处理方法及外延基板的制造方法 |
CN201480000946.6 |
2014-03-20 |
CN104246987B |
2017-10-13 |
仓冈义孝; 杉山智彦; 前原宗太 |
本发明提供一种III族氮化物基板的处理方法,根据该处理方法能够得到可形成在层叠III族氮化物层的情况下具有优异特性的电子设备的III族氮化物基板。III族氮化物基板的处理方法包括:对基板表面进行CMP处理的工艺;将CMP处理后的III族氮化物基板在氮气气氛下升温至规定退火温度的工艺;以及将升温至退火温度的III族氮化物基板,在氢气和氮气的第一混合气氛或氢气和氨气的第二混合气氛中保持4分钟以上且8分钟以下的工艺。 |
52 |
一种脱硫石膏生产硫酸钙晶须的方法 |
CN201710552079.2 |
2017-07-07 |
CN107236993A |
2017-10-10 |
鞠美庭; 李维尊; 候其东; 黄访; 刘琰; 宋宁宁 |
一种脱硫石膏生产硫酸钙晶须的方法包括:将脱硫石膏原料在室温下进行预处理去除NO3‑离子,经干燥后进行水热反应并控制体系pH,趁热过滤可获得长径比为100‑200:1的硫酸钙晶须前体,之后通过重结晶方式获得高品质的硫酸钙晶须。本发明的优点是:采用双氧水预处理深度氧化脱硫石膏中含氮类物质,并以硝酸盐形式去除;引入的pH调节剂能够在保证体系纯度的条件下促进晶须生长;此外本发明所需设备简单,工艺简便,且不会造成附加的环境危害,实现了脱硫石膏废弃物的资源化利用,具有极其深远的社会意义和经济价值。 |
53 |
单晶炉气体供应系统 |
CN201710496574.6 |
2017-06-26 |
CN107217298A |
2017-09-29 |
张兆民 |
本发明涉及单晶炉生产技术领域,特别是一种单晶炉气体供应系统,包括PLC控制器,还包括传感器单元,所述传感器单元与PLC控制器输入端相连接,所述PLC控制器输出端分别与电磁阀、供气泵和报警器相连接;所述PLC控制器由电源供电,所述PLC控制器的输出端还连接有显示灯,所述PLC控制器输入端还连接有起/停按钮。采用上述结构后,本发明可以通过PLC控制器根据传感数据自动实现对单晶炉的恒压供气,也可以切换到手动模式,自主的对单晶炉进行供气,这样手/自动配合提升了供气效率,也满足了不同单晶炉拉晶的差异需求。 |
54 |
硅晶圆的热处理方法 |
CN201480034727.X |
2014-06-26 |
CN105324834B |
2017-09-29 |
曲伟峰; 田原史夫 |
本发明是一种硅晶圆的热处理方法,具有:将硅晶圆载置于SiC夹具上,放入热处理炉内的工序;在热处理炉内,在第一非氧化性气氛下,对硅晶圆进行热处理的工序;降温到能将硅晶圆从热处理炉内搬出的温度的工序;以及,将硅晶圆从热处理炉内搬出的工序;在降温工序中,在降温到能搬出的温度后,将第一非氧化性气氛切换成含氧气氛,在含氧气氛下,在SiC夹具的表面上形成厚度1~10nm的氧化膜,之后再将含氧气氛切换成第二非氧化性气氛。由此,能提供一种硅晶圆的热处理方法,该热处理方法能防止在热处理工序中来自于夹具和环境的碳污染。 |
55 |
碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法 |
CN201480009593.6 |
2014-01-13 |
CN105074059B |
2017-09-29 |
近藤宏行; 恩田正一; 木藤泰男; 渡边弘纪 |
本发明涉及一种包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶,将所述螺旋位错中柏氏矢量b满足b><0001>+1/3<11‑20>的位错设定为L位错(2a)。所述L位错由于畸变较大,可能导致漏电流的发生,因而将碳化硅单晶中的所述L位错密度设定为300个/cm2以下,优选设定为100个/cm2以下,由此能够制成对可以抑制漏电流的器件的制作合适的高品质的碳化硅单晶。 |
56 |
SiC单晶体的制造方法 |
CN201380045663.9 |
2013-08-12 |
CN104603336B |
2017-09-29 |
加渡干尚; 楠一彦; 龟井一人 |
在溶液法中,提供能够比以往大幅提高生长速度的SiC单晶体的制造方法。一种SiC单晶体的制造方法,使晶种基板接触被放入到坩埚内且具有温度从内部朝向液面降低的温度梯度的Si‑C溶液,而晶体生长SiC单晶体,其中,所述坩埚的深度/内径小于1.71,从Si‑C溶液的液面至液面下10mm的范围的温度梯度大于42℃/cm。 |
57 |
硫酸锂铵非线性光学晶体的制备方法及用途 |
CN201610157180.3 |
2016-03-18 |
CN107201547A |
2017-09-26 |
潘世烈; 韩国鹏; 王颖 |
本发明涉及一种硫酸锂铵非线性光学晶体的制备方法和用途,采用室温溶液法制备硫酸锂铵非线性光学晶体,该晶体的分子式为Li(NH4)SO4,分子量为121.035,属于正交晶系,空间群为Pna21,晶胞参数为:a=8.753(3)Å,b=9.102(3)Å,c=5.2647(16)Å,V=419.4(2)Å3。该晶体的非线性光学效应约为0.6倍KDP(KH2PO4),光学带隙宽度为7.52eV,紫外截止边为165nm,对可见光及近红外波段具有较高的透过率,该方法操作简便、成本低、污染少、所用原料毒性低、生长周期短;通过本发明所述的方法获得的大尺寸硫酸锂铵非线性光学晶体,在空气中不潮解、物化性能稳定、易于切割及抛光加工,且能生长出大尺寸、高质量的透明硫酸锂铵非线性光学晶体,适合制作非线性光学器件。 |
58 |
一种基于GT‑850HP多晶硅低能耗高效双控温铸锭工艺 |
CN201710340052.7 |
2017-05-15 |
CN107190314A |
2017-09-22 |
章勇 |
本发明公开了一种基于GT‑850HP多晶硅低能耗高效双控温铸锭工艺,包括如下步骤:抽真空——加热——熔化——熔化结束——长晶——中心长晶———边角长晶——退火——冷却——出炉。本发明通过控制两个加热器的功率比例来控制硅料的熔融速度,形成均匀的硅料熔融界面,形成稳定的熔融温度热场分布,使得坩埚四周的硅料的熔化速率与坩埚中心保持一致,形成稳定的熔融热场,通过提升隔热笼及与侧壁和顶部加热器的配合,形成可控垂直温度梯度分布,有效控制硅料结晶的速度,形成对硅料平均晶体尺寸的工艺控制。 |
59 |
HVPE用气体传输装置、反应腔及HVPE设备 |
CN201710403758.3 |
2017-06-01 |
CN107190312A |
2017-09-22 |
特洛伊·乔纳森·贝克; 罗晓菊; 王颖慧; 谢宇 |
本发明提供一种HVPE用气体传输装置、反应腔及HVPE设备,其中,所述HVPE用气体传输装置至少包括:含金属前驱物气体通路管道,屏蔽气体通路管道,以及含氮前驱物气体通路管道;其中:所述含金属前驱物气体通路管道设有多根,且所述屏蔽气体通路管道套设于各含金属前驱物气体通路管道外;所述含氮前驱物气体通路管道位于所述屏蔽气体通路管道的上方或者一侧。本发明避免了混合后的前驱物气体附着在气体传输装置的外壁上而导致其发生破裂,提高了含氮前驱物气体与含金属前驱物气体混合的均匀性,并提高了气流均匀性,从而提高了在衬底表面生长的外延层厚度及其组分的均匀性。 |
60 |
一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法 |
CN201710234839.5 |
2017-04-12 |
CN107164802A |
2017-09-15 |
杨晓朋; 张立来; 曹丙强 |
本发明公开了一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法。其步骤如下:(1)将两片电极板置于多晶铸锭坩埚上下两侧,并保持平行;(2)电极板外接高压电源,给电极板输出稳定电压;(3)保持电场强度稳定在1V/cm‑100000V/cm范围中某一具体值,进行多晶硅铸锭工艺;(4)铸锭结束,极板断电,即得到性能优异的多晶硅铸锭。本发明可使多晶硅晶粒变大、取向性增强,并且可以将多晶硅中多种带电杂质高效的去除,大幅提高多晶硅质量,操作简单,稳定性好,能够进行批量生产。图1为实施例1、2中电场施加示意图;其中1导线,2石墨电极,3铸锭坩埚,4高压电源。 |