子分类：
- C23C： 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆(在表面上使用液体或其他流体材料的一般涂覆入B05;挤压法制造包覆金属的产品入B21C 23/22;通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置, 例如B21D 39/00,B23K;采用电极并通过作用于工件的高度集中电流加工金属入 B23H;玻璃的金属化入C03C;砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B 41/00;涂料、合成漆、天然漆入C09D;金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入 C23D;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制入 C23F;单晶膜生长入C30B;半导体器件的制造入H01L ;印刷线路的制造入H05K)
- C23D： 金属的搪瓷或涂玻璃层(瓷釉的化学成分入C03C)
- C23F： 非机械方法去除表面上的金属材料(用激光束加工金属入B23K 26/00;火焰法清除表层金属材料入 B23K 7/00;电侵蚀加工金属入 B23H;除去表面材料产生装饰效果,例如镂空法、蚀刻法入 B44C1/22; 电解蚀刻或抛光入C25F);金属材料的缓蚀或一般防积垢;至少一种在 C23大类中所列的方法及至少一种在 C21D、C22F 小类或 C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理
- C23G： 电解法除外的化学法金属材料清洗及除油(抛光组合物入C09G;一般洗涤剂入C11D)
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 蒸镀用金属掩模 | CN201720954355.3 | 2017-08-02 | CN207619515U | 2018-07-17 | 西刚广 |
| 蒸镀用金属掩模具备包括多个掩模孔的掩模区域，位于掩模区域的中央以外的位置的各掩模孔的连接部具有遍及掩模孔的整周地朝向掩模孔的内侧突出的形状，由作为掩模区域的中央附近的部分的第1部分、和作为掩模区域的端部附近的部分的第2部分构成。第1部分与掩模区域的背面之间的距离是第1台阶高度，端部区域中的第1台阶高度比中央区域中的第1台阶高度小。 | ||||||
| 82 | 用于处理腔室中的腔室部件 | CN201721058541.5 | 2017-08-23 | CN207587699U | 2018-07-06 | 王建齐; 尤吉塔·巴瑞克; 朱丽亚·巴文; 凯文·A·派克 |
| 本公开内容的实现方式提供用于处理腔室中的腔室部件。腔室部件包括：主体，所述主体在等离子体处理腔室中使用；氧化物阻挡层，所述氧化物阻挡层形成在主体的暴露表面的至少一部分上，氧化物阻挡层具有2gm/cm3或大于2gm/cm3的密度；以及氟氧化铝层，所述氟氧化铝层形成在氧化物阻挡层上，氟氧化铝层具有2nm或大于2nm的厚度。 | ||||||
| 83 | 处理腔室 | CN201720963683.X | 2016-09-30 | CN207320068U | 2018-05-04 | A·K·班塞尔; J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹; S·巴录佳; S·H·金; T·A·恩古耶 |
| 本公开涉及处理腔室。所述处理腔室包括腔室主体、基板支撑组件和喷淋头组件。所述喷淋头组件包括：面板，所述面板具有第一侧和第二侧，所述第二侧面向所述喷淋头组件，所述面板具有多个孔隙，所述多个孔隙被配置成将工艺气体从所述第一侧输送到所述第二侧；以及底板，所述底板被定位成邻近所述面板的所述第一侧，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个孔隙，所述多个孔隙被配置成使惰性气体穿过所述底板而进入限定在所述面板与所述底板之间的气室，其中所述惰性气体与所述气室中的工艺气体混合。 | ||||||
| 84 | 多组分涂层和具有多组分涂层的半导体工艺腔室部件 | CN201720461582.2 | 2017-04-27 | CN207193391U | 2018-04-06 | D·芬威克; J·Y·孙 |
| 本实用新型涉及多组分涂层和具有多组分涂层的半导体工艺腔室部件。一种用于半导体工艺腔室部件的表面的多组分涂层组成物包括使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的氧化钇或氟化钇的至少一个第一膜层以及使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的额外氧化物或额外氟化物的至少一个第二膜层，其中该多组分涂层组成物选自由YOxFy、YAlxOy、YZrxOy和YZrxAlyOz组成的群组。 | ||||||
| 85 | 用于处理基板的设备及用于热处理基板的设备 | CN201720399287.9 | 2017-04-17 | CN207149532U | 2018-03-27 | 阿古斯·索菲安·查德拉; 马丁·J·里普利 |
| 本公开内容涉及一种用于处理基板的设备及一种用于热处理基板的设备。本公开内容的实现方式提供在热处理期间改善气体分布的设备和方法。本公开内容的一个实现方式提供一种用于处理基板的设备，该设备包含界定处理容积的腔室主体，安置在处理容积中的基板支撑件，其中所述基板支撑件具有基板支撑表面、耦接至腔室主体的入口的气源组件、耦接至腔室主体的出口的排气组件、和耦接至腔室主体的侧壁的侧气体组件，其中所述侧气体组件包含指向与基板支撑表面的边缘相切的方向的气体入口，以及其中所述气体入口、所述腔室主体的入口、和所述腔室主体的出口相对于彼此以约90°成角度地偏移，以及所述气体入口、所述腔室主体的入口、和所述腔室主体的出口通过共面相交。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 86 | 用于在至少一个突起上产生研磨材料的沉积物的设备 | CN201720455747.5 | 2017-04-27 | CN207047307U | 2018-02-27 | 马修·莫鲁瓦 |
| 本实用新型涉及用于在至少一个突起上产生研磨材料的沉积物的设备，所述至少一个突起位于涡轮发动机部件上，涡轮发动机部件尤其是在涡轮发动机的操作期间是可运动的环形部件，该设备包括涡轮发动机部件、用于在所述至少一个突起的纵向外周上热喷涂研磨材料层的装置，该装置能够使得朝着所述外周指向的喷射流以如下方式运动，该方式使得所述射流在所述至少一个突起上的冲击区域在所述外周的两个纵向端部之间运动，其特征在于，该设备还包括用于遮蔽喷射流的装置，当所述射流朝着所述纵向端部中的被称为遮蔽射流端部的一个纵向端部指向时，该装置能够在距部件一距离处遮蔽所述射流，以在所述遮蔽射流端部的区域中减小冲击区域的纵向范围。 | ||||||
| 87 | 具有不均匀的气体流间隙的基板支撑组件 | CN201720217297.6 | 2017-03-07 | CN207021233U | 2018-02-16 | 栗田真一; R·L·蒂纳 |
| 本实用新型涉及具有不均匀的气体流间隙的基板支撑组件。本文所述实施方式一般涉及一种用于在等离子体处理腔室中使用以提供在基板支撑组件与等离子体处理腔室的侧壁之间流动的不均匀的气体流的基板支撑组件。在一个实施方式中，基板支撑组件包括基板支撑组件，基板支撑组件包括：基板支撑主体，所述基板支撑主体限定所述基板支撑主体的至少第一侧面；以及角落区域和中心区域，角落区域和中心区域形成在基板支撑主体的第一侧面中，其中角落区域具有比中心区域的中心宽度小的角落宽度，宽度被限定在基板支撑主体的中心轴线与第一侧面之间。 | ||||||
| 88 | 冷却气体进料块和处理腔室 | CN201621395316.6 | 2016-12-19 | CN206574680U | 2017-10-20 | 戈文达·瑞泽; 哈里斯·库马尔·帕纳瓦拉菲·库马兰库蒂; 林·张; 斯坦利·吴 |
| 本实用新型公开了冷却气体进料块和处理腔室。所述冷却气体进料块具有主体。所述主体具有主中心部分，所述主中心部分具有顶表面和底表面。所述主体还具有凸缘，所述凸缘从所述主中心部分的所述底表面向外延伸。气体通道穿过所述主体设置。所述气体通道具有在所述主中心部分的所述顶表面中形成的入口和在所述主中心部分的所述底表面中形成的出口。所述主体还具有中心冷却剂通道。所述中心冷却剂通道具有第一部分和耦接至所述第一部分的第二部分，所述第一部分具有在所述主中心部分的顶表面中形成的入口，所述第二部分具有在所述凸缘的侧壁上形成的出口。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 89 | 具有多个流体输送区的喷淋头组件 | CN201621102233.3 | 2016-09-30 | CN206441702U | 2017-08-25 | A·K·班塞尔; J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹; S·巴录佳; S·H·金; T·A·恩古耶 |
| 本公开涉及了一种具有多个流体输送区的喷淋头组件。所述喷淋头组件包括：面板，所述面板被配置成将工艺气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域；以及底板，所述底板被定位在所述面板上方，在所述盖与所述底板之间限定第一气室，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个开口，所述多个开口被配置成使一定量的惰性气体从所述第一气室流入所述面板与所述底板之间限定的第二气室，两个气室利用每个区中的所述多个开口流体连通，使得所述惰性气体在离开所述喷淋头组件之前与所述工艺气体混合。 | ||||||
| 90 | 定位基板的升降杆和用于处理基板的基板支撑组件 | CN201621195983.X | 2016-11-04 | CN206401293U | 2017-08-11 | K·高希; M·G·库尔卡尼; S·巴录佳; P·P·贾; K·尼塔拉 |
| 本文公开的实施方式总体提供一种定位基板的升降杆和用于处理基板的基板支撑组件。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及将杆头耦接至轴的扩口部分，所述扩口部分具有沿着相对于升降杆的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。 | ||||||
| 91 | 热学腔室 | CN201621383412.9 | 2016-12-16 | CN206332060U | 2017-07-14 | 栗田真一; 稻川真; 苏哈斯·博斯克 |
| 本文所述实施方式涉及热学腔室。所述热学腔室可为配置用于制造OLED装置的较大处理系统的部分。所述热学腔室可配置成加热和冷却用于所述处理系统中的沉积工艺的掩模和/或基板。所述热学腔室可包括腔室主体，所述腔室主体限定大小适于接收容纳多个掩模和/或基板的一或多个晶盒的空间。在所述空间内耦接到所述腔室主体的加热器可配置成以可控制的方式在沉积工艺前加热掩模和/或基板和在沉积工艺后冷却掩模和/或基板。 | ||||||
| 92 | 反应性热处理设备 | CN201621055244.0 | 2016-09-14 | CN206271726U | 2017-06-20 | 黄庭辉 |
| 一种反应性热处理设备，适于处理一薄膜装置，该反应性热处理设备包括一炉管。炉管沿着一方向延伸，具有一第一端与一第二端，该炉管还包括一高温部、一低温部及一阀门。高温部靠近该第二端，用以摆放薄膜装置。低温部靠近该第一端，具有一气密结构。阀门设置于该第一端。该低温部的一内侧壁具有一凹陷部，此凹陷部与该高温部的一内侧壁形成一段差，本创作的有益效果是可避免冷凝的液态硒回流高温区，维持硒反应的稳定性，提高薄膜装置加工的良率。 | ||||||
| 93 | 用于在CVD或PVD反应器的过程室中固持至少一个基材的设备 | CN201620924056.0 | 2016-08-23 | CN206232802U | 2017-06-09 | J.奥多德; D.克拉本斯; O.菲隆 |
| 本实用新型涉及一种用于在CVD或PVD反应器的过程室中固持至少一个基材(20)的设备，在所述反应器的平坦的顶侧上具有至少一个被至少一个定位边(3)限定的、用于容纳至少一个基材(20)的支承兜孔(2)，其中，所述支承兜孔(2)具有支承兜孔底部(4)，在定位边(3)附近从所述支承兜孔底部突伸出支承凸起(8)，所述支承凸起构成被侧壁(10)围绕的支承区(9)，所述支承区位于支承平面(E)中，所述支承平面相对于围绕支承凸起(8)的槽(5)比相对于支承兜孔底部(4)具有更大的垂直间距。为了提高基材的顶侧上的温度均匀度规定，所述槽(5)在凹陷(11)中延伸，所述凹陷的垂直水平面位于槽(5)的底部(6)与支承兜孔底部(4)之间。支承凸起(8)和/或包围所述支承凸起(8)的槽(5)相对于定位边(3)具有水平间距。 | ||||||
| 94 | 端块组件、轴承组件以及加工组件 | CN201620459587.7 | 2016-05-19 | CN205944032U | 2017-02-08 | 塞巴斯蒂安·西格特; 格里特·施图德; 格尔德·阿诺德 |
| 本实用新型涉及一种端块组件、一种轴承组件和一种加工组件。在各个实施例中，提供了一种用于将管形电极可旋转地安装到加工室中的端块组件。端块组件包括：接纳区，用于接纳轴承组件，所述轴承组件具有用于将管形电极联接至所述轴承组件的联接区；轴承组件的所述联接区由所述轴承组件的衬套支撑。衬套插入配合到接纳区中。衬套由多个区段接合在一起，该多个区段的外表面形成轴承组件的表层表面且该多个区段中的至少两个区段利用不同的材料形成。所述两个区段的外表面相互对齐以便它们彼此齐平。 | ||||||
| 95 | 整流板 | CN201620241726.9 | 2016-03-25 | CN205856605U | 2017-01-04 | 大木慎一; 森義信 |
| 公开了用于外延生长装置的腔室部件。反应腔室由顶板来界定和形成。反应气体在侧壁中所设置的反应气体供应路径中整流，使得在所述反应腔室中的所述反应气体的流动方向上的水平分量对应于从所述反应气体供应路径的开口的中心延伸的方向上的水平分量。对所述外延生长装置的上侧壁、基座和整流板的改进已使得提高了基板上形成的外延层的均匀性和形成速度，从而使得产量更高并且缺陷更少。 | ||||||
| 96 | 具有不同面层的部件载体及含有该部件载体的电子设备 | CN201620006287.3 | 2016-01-04 | CN205726641U | 2016-11-23 | M·图奥米宁; 李萍; E·周; K·王; G-M·G·格雷戈里奥 |
| 本实用新型公开了具有不同面层的部件载体及含有该部件载体的电子设备,一种部件载体(5)和一种制造该部件载体(5)的方法，部件载体(5)包括层压堆叠(8)，该层压堆叠(8)具有：覆盖层压堆叠(8)的裸面的第一部的第一面层(100)；以及覆盖层压堆叠(8)的裸面的第二部的第二面层(200)，其中以互相直接接触方式排列第一面层(100)和第二面层(200)，以致至少部分地重叠(300)。 | ||||||
| 97 | 用作安置在CVD反应器的基座下方的加热装置的设备 | CN201520667672.8 | 2015-08-31 | CN205556776U | 2016-09-07 | F.M.A.克劳利; P-A.博丁; O.费龙; H.格鲁比 |
| 本实用新型涉及一种用作安置在CVD反应器(1)的基座下方的加热装置的设备，用于将指向处理室的、支承待覆层的基板的基座上侧加热至1000℃以上，其中，所述加热装置具有多个加热螺旋线圈(8)，这些加热螺旋线圈的端部以加热螺旋线圈(8)的电并联的方式分别与接触件相连。为了使用有利地进行改进，在此规定，所述加热螺旋线圈(8)中的至少两个加热螺旋线圈具有相互不同的电性质和/或几何性质，使得当在加热螺旋线圈的端部施加相同电压时，加热螺旋线圈的热功率是不同的。 | ||||||
| 98 | 掩膜板、母板、掩膜板制造设备和显示基板蒸镀系统 | CN201620398823.9 | 2016-05-05 | CN205556762U | 2016-09-07 | 嵇凤丽; 梁逸南; 白珊珊 |
| 本实用新型的实施例涉及掩膜板、母板、掩膜板制造设备和显示基板蒸镀系统。掩膜板包括具有多个相互隔开且并行排列的图形掩膜块的图形掩膜层，和具有多个相互隔开且并行排列的覆盖掩膜块的覆盖掩膜层，所述覆盖掩膜块覆盖相邻的图形掩膜块之间的间隙；其中所述图形掩膜块包括有效区、非有效区以及位于有效区和非有效区之间的裕量区，所述有效区、非有效区和裕量区均具有多个像素成形开口，并且所述覆盖掩膜块还覆盖相邻的图形掩膜块的非有效区的像素成形开口。母板用于在制造所述掩膜板的过程中进行定位。掩膜板制造设备包括所述母板、基台、张网机和焊接机。显示基板蒸镀系统包括蒸镀机和所述掩膜板。 | ||||||
| 99 | 用于流体机械的部件 | CN201390000611.5 | 2013-06-12 | CN204803410U | 2015-11-25 | 约亨·巴尼克尔; 曼纽尔·埃特勒; 弗里德黑尔姆·施米茨; 约尔格·许尔霍夫 |
| 本实用新型涉及一种用于流体机械的部件(1)，其中双重或三重层施加到部件(1)上，其中双重层由陶瓷的硬质材料层(3)和金属层(4)构成，所述硬质材料层和金属层直接施加到部件表面(2)上，并且其中三重层由陶瓷的硬质材料层(3)、金属层(4)和另一个陶瓷的硬质材料层(5)构成，所述硬质材料层、金属层和另一个陶瓷的硬质材料层直接施加到部件表面(2)上。 | ||||||
| 100 | 真空处理设备 | CN201520295524.8 | 2015-05-08 | CN204644463U | 2015-09-16 | 约亨·克劳瑟 |
| 真空处理设备(100),可以包括：室壳体(102)，具有在室壳体(102)上侧中的开口(111)，用于容纳室盖(104)；室盖(104)，用于盖住室壳体(102)的开口(111)；在室壳体(102)上的第一前级真空供应结构(108a)；在室盖(104)上的第二前级真空供应结构(108b)，其中第一前级真空供应结构(108a)和第二前级真空供应结构(108b)这样地设置，即它们在室盖(104)关闭时自动地真空密封地相互偶联。 | ||||||
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