子分类：
- C23C： 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆(在表面上使用液体或其他流体材料的一般涂覆入B05;挤压法制造包覆金属的产品入B21C 23/22;通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置, 例如B21D 39/00,B23K;采用电极并通过作用于工件的高度集中电流加工金属入 B23H;玻璃的金属化入C03C;砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B 41/00;涂料、合成漆、天然漆入C09D;金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入 C23D;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制入 C23F;单晶膜生长入C30B;半导体器件的制造入H01L ;印刷线路的制造入H05K)
- C23D： 金属的搪瓷或涂玻璃层(瓷釉的化学成分入C03C)
- C23F： 非机械方法去除表面上的金属材料(用激光束加工金属入B23K 26/00;火焰法清除表层金属材料入 B23K 7/00;电侵蚀加工金属入 B23H;除去表面材料产生装饰效果,例如镂空法、蚀刻法入 B44C1/22; 电解蚀刻或抛光入C25F);金属材料的缓蚀或一般防积垢;至少一种在 C23大类中所列的方法及至少一种在 C21D、C22F 小类或 C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理
- C23G： 电解法除外的化学法金属材料清洗及除油(抛光组合物入C09G;一般洗涤剂入C11D)
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 一种电子元件复合电极的制备装置 | CN201720781539.4 | 2017-06-30 | CN207699655U | 2018-08-07 | 常方圆; 刘军锋; 李其荣; 杨文 |
| 本实用新型公开了一种电子元件复合电极的制备装置，包括传送装置、所述传送装置带动的电子元件基体装载板、用于感应所述电子元件基体装载板移动位置的感应装置和用于向电子元件基体上喷涂金属材料的至少一组可移动喷枪。本实用新型采用双面同时喷涂的方法，可将电极制备时间缩短约50％；自动连续式喷涂装置及多组喷枪设置形成流水线，可同时在两面连续喷涂多种金属电极；一次性完成双面喷涂，也省去了单面喷涂时半成品周转的空间和时间。 | ||||||
| 42 | 蒸镀掩模包装体 | CN201721275648.5 | 2017-09-29 | CN207536458U | 2018-06-26 | 池永知加雄; 大池卓己; 向田司; 渡部武 |
| 本实用新型提供蒸镀掩模包装体，该蒸镀掩模包装体具备：承接部；与承接部对置的盖部；以及蒸镀掩模，其被配置于承接部与盖部之间，具有形成有多个贯通孔的有效区域。承接部具有：与盖部对置的第1对置面；和设置于第1对置面的凹部。凹部被第1挠性膜覆盖。蒸镀掩模的有效区域隔着第1挠性膜被配置于凹部上。 | ||||||
| 43 | 中间产品和蒸镀掩模 | CN201721264151.3 | 2017-09-28 | CN207313683U | 2018-05-04 | 池永知加雄; 丸冈敬典; 松浦幸代 |
| 中间产品和蒸镀掩模。提供可抑制长边变形的蒸镀掩模。一种金属制的板状的中间产品，其布置有蒸镀掩模，所述蒸镀掩模包括一对长边和一对短边，并且形成有多个贯通孔，其中，所述中间产品具备：蒸镀掩模部分，其包括一对长边和一对短边，并且形成有多个贯通孔；和支承部分，其围绕蒸镀掩模部分，并且被局部地连接于蒸镀掩模部分的短边。蒸镀掩模部分的长边未与支承部分连接。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 44 | 一种高硬度软膜结构 | CN201720678486.3 | 2017-06-12 | CN207148347U | 2018-03-27 | 吕政锜 |
| 本实用新型提供一种高硬度软膜结构，其包括一中间基材层、一上预涂层、至少一上硬涂层或至少一上抗污层、一第一下预涂层以及至少一下硬涂层或一第二下预涂层及至少一导电金属网格层；本实用新型是将高透光性的中间基材层的上下两侧面涂布预涂层及多个硬涂层的高硬度材料，以提升整体外力刮磨抵抗能力，或再在最外上硬涂层的一侧涂布上抗污层低表面能材料及第二下预涂层及导电金属网格层导电材料，据以达成光学用高硬度、抗污及导电的软膜结构。 | ||||||
| 45 | 碳化硅外延衬底 | CN201690000223.0 | 2016-07-04 | CN207091557U | 2018-03-13 | 堀勉; 伊东洋典 |
| 本实用新型涉及碳化硅外延衬底。一种碳化硅外延衬底，其具有碳化硅单晶衬底和碳化硅层。碳化硅层具有与其接触碳化硅单晶衬底的表面相反的第二主表面。第二主表面具有距离其外边缘5mm以内的周边区和被周边区包围的中心区。碳化硅层具有中心表面层。中心表面层中的载流子浓度的平均值不小于1×1014cm-3且不大于5×1016cm-3。载流子浓度的周向均匀度不大于2％并且载流子浓度的面内均匀度不大于10％。夹在中心区和碳化硅单晶衬底之间的碳化硅层的部分的厚度的平均值不小于5μm。厚度的周向均匀度不大于1％，并且厚度的面内均匀度不大于4％。结果，可以提高碳化硅层中的载流子浓度的面内均匀度和碳化硅层的厚度的面内均匀度。 | ||||||
| 46 | 用于半导体处理腔室的双通道喷头 | CN201720076104.X | 2016-04-22 | CN206727059U | 2017-12-08 | K·阿拉亚瓦里; 韩新海; P·P·贾; M·绪方; Z·蒋; A·柯; N·O·木库提; T·布里彻; A·K·班塞尔; G·巴拉苏布拉马尼恩; J·C·罗查-阿尔瓦内兹; 金柏涵 |
| 本公开提供了一种用于半导体处理腔室的双通道喷头。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有多个第一开口和多个第二开口，该多个第一开口和多个第二开口形成为穿过该导电材料，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。 | ||||||
| 47 | 准直器、准直器组件和基板处理腔室 | CN201621180242.4 | 2016-10-27 | CN206418192U | 2017-08-18 | 马丁·李·里克; 张富宏; 安东尼·因凡特; 王征 |
| 本公开内容提供了一种准直器、一种准直器组件以及一种基板处理腔室。在本文描述的一些实施方式中，提供一种可偏压准直器。使所述准直器偏压的能力允许控制溅射物质所穿过的电场。在本公开内容的一些实施方式中，提供了一种具有高有效深宽比，同时维持沿所述准直器的六边形阵列的所述准直器周边的低深宽比的准直器。在一些实施方式中，提供了在六边形阵列中带有陡峭入口边缘的准直器。已经发现，在所述准直器中使用陡峭入口边缘减少了所述六边形阵列的单元的沉积突悬和沉积堵塞。这些各种特征使得膜均匀性得到改善并且延长了所述准直器和工艺配件的寿命。 | ||||||
| 48 | 用于涂覆可移动基板的沉积源和沉积设备 | CN201620739121.2 | 2016-07-14 | CN206188878U | 2017-05-24 | F·里斯; T·高尔 |
| 本实用新型描述了用于涂覆可移动基板(20)的沉积源(100、200、300、400)和沉积设备(500)。所述沉积源包括：源外壳(120)，通过可以在沉积期间移动基板(20)经过工艺腔室的敞开的前侧的方式而固定到所述工艺腔室；气体入口(130)，用于将工艺气体引入到所述源外壳的涂覆处理区域(125)中；以及抽空出口(140)，用于将所述工艺气体从所述源外壳的泵送区域去除。抽空分割单元(150)布置在所述涂覆处理区域(125)与所述泵送区域(126)之间，所述抽空分割单元具有至少一个开口或具有多个开口(152)，所述至少一个开口或多个开口界定从所述涂覆处理区域(125)到所述泵送区域(126)中的工艺气流路径(155)。 | ||||||
| 49 | 一种掩膜板框架及掩膜板组件 | CN201621301738.2 | 2016-11-30 | CN206188877U | 2017-05-24 | 高静 |
| 本实用新型涉及一种掩膜板框架及其组件，所述掩膜板框架包括：第一框架本体，所述第一框架本体上设置有第一支撑部和第二支撑部，所述第一支撑部的支撑面与所述第一框架本体底面之间的第一距离大于所述第二支撑部的支撑面与所述第一框架本体底面之间的第二距离；所述第二支撑部在平行于第一框架本体底面的平面上的正投影完全落入所述第一支撑部在平行于第一框架本体底面的平面的正投影内；放置于所述第一支撑部的支撑面上的第二框架本体。掩膜板组件中，掩膜固定在第二框架上，避免掩膜边角的悬空，减小掩膜的翘边和褶皱不良；同时，对掩膜进行重置时，可直接将第二框架从第一框架上取下，替换新的第二框架，提高了第一框架的利用率，降低成本。 | ||||||
| 50 | 用于化学气相沉积反应器的自定心晶片载体系统和单晶片基板载体 | CN201620622524.9 | 2016-06-22 | CN206127420U | 2017-04-26 | S·克里士南; A·I·古拉雷; 张正宏; E·马塞罗 |
| 一种用于化学气相沉积(CVD)反应器的自定心晶片载体系统，其包括晶片载体，晶片载体包括边缘。晶片载体至少部分地支承晶片以便进行CVD处理。旋转管包括边缘，边缘在处理期间支承晶片载体。晶片载体的边缘几何结构和旋转管的边缘几何结构经选择在过程期间在所期望的过程温度提供晶片载体的中心轴线与旋转管的旋转轴线的重合对准。 | ||||||
| 51 | 用于承载半导体晶片的装置及包含其的喷头装置和处理工具 | CN201620533878.6 | 2016-06-02 | CN205984907U | 2017-02-22 | 埃里克·拉塞尔·马德森; 纳鲁德·泰·本-裕岷; 迈克尔·克里斯滕森; 克里斯·埃里克·卡尔斯吕; 约瑟夫·亨-希·威; 灵·霍安格; 阿拉斯代尔·登特 |
| 本实用新型涉及混合型200毫米/300毫米的半导体处理装置。在一个方面，公开了一些装置，其使得被设计用于在300毫米的晶片上进行等离子体增强化学气相沉积的处理室能在200毫米的晶片上执行。更具体地，公开了已被设计用于200毫米的晶片的并且其能与300毫米的晶片处理室相兼容的经修饰的基座、承载板和喷头。还已经观察到，使用经修饰的200毫米的装置所沉积的膜与使用它们所替换的300毫米的设备所沉积的膜在质量上是相当的。 | ||||||
| 52 | 用于半导体处理腔室的双通道喷头 | CN201620346066.0 | 2016-04-22 | CN205900504U | 2017-01-18 | K·阿拉亚瓦里; 韩新海; P·P·贾; M·绪方; Z·蒋; A·柯; N·O·木库提; T·布里彻; A·K·班塞尔; G·巴拉苏布拉马尼恩; J·C·罗查-阿尔瓦内兹; 金柏涵 |
| 本公开提供了一种用于半导体处理腔室的双通道喷头。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有多个第一开口和多个第二开口，该多个第一开口和多个第二开口形成为穿过该导电材料，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。 | ||||||
| 53 | 用于支撑基板于外延生长装置内的基座 | CN201620240735.6 | 2016-03-25 | CN205741209U | 2016-11-30 | 大木慎一; 森義信 |
| 公开了用于外延生长装置的腔室部件。反应腔室由顶板来界定和形成。反应气体在侧壁中所设置的反应气体供应路径中整流，使得在所述反应腔室中的所述反应气体的流动方向上的水平分量对应于从所述反应气体供应路径的开口的中心延伸的方向上的水平分量。对所述外延生长装置的上侧壁、基座和整流板的改进已使得提高了基板上形成的外延层的均匀性和形成速度，从而使得产量更高并且缺陷更少。 | ||||||
| 54 | 用于等离子体增强化学气相沉积的装置 | CN201520526997.4 | 2015-07-20 | CN205088301U | 2016-03-16 | 栗田真一; R·L·蒂纳; S·安瓦尔 |
| 本公开案的各实施方式提供一种用于等离子体增强化学气相沉积的装置。该装置包括：腔室主体；气体分布板，所述气体分布板设置在所述腔室主体中；背板，所述背板设置在所述腔室主体中，并且与所述气体分布板分隔；区隔板组件，所述区隔板组件设置在所述腔室主体内，介于所述气体分布板与所述背板之间；以及远程等离子体清洁源，所述远程等离子体清洁源耦接至所述腔室主体，其中所述远程等离子体清洁源具有在所述腔室主体中的至少一个出口，并且其中所述至少一个出口设置在所述气体分布板与所述区隔板组件之间。 | ||||||
| 55 | 用于中空部件的宏观检查的清除系统 | CN201520734119.1 | 2015-09-21 | CN205077174U | 2016-03-09 | 雷诺·保罗·鲁道夫·勒嘉瓦卡 |
| 本实用新型的主要目的是一种清除系统(1)，该清除系统(1)用于至少一个包括内表面的中空部件(2)的通过浸没在至少一个酸浴中的化学腐蚀或阳极电解腐蚀实现的宏观检查，其特征在于，所述清除系统(1)包括一个或多个中空气体清除管线(3)和/或液体清除管线(4)，所述一个或多个中空气体清除管线(3)和/或液体清除管线(4)设计成定位成相对于所述至少一个部件(2)固定并且设计成至少部分地浸没在所述至少一个酸浴中，所述气体清除管线(3)和/或所述液体清除管线(4)分别能够清除位于所述至少一个部件(2)的内表面处的气泡和/或液体滞留物。 | ||||||
| 56 | 用于渗碳或碳氮共渗的加热炉 | CN201520676423.5 | 2015-09-01 | CN204849000U | 2015-12-09 | 戚顺银; 魏长富; 李振明 |
| 本实用新型涉及加热炉，具体是一种用于渗碳或碳氮共渗的加热炉。包括炉体，设置在炉体上的入口炉门、出口炉门，入口炉门和出口炉门分别位于炉体的进料端和出料端，炉体内设置有炉气循环装置，炉体内设置有带贯通孔的隔墙，从进料端到出料端设置有多层穿过贯通孔的托辊，每层托辊分别与各自的驱动装置连接。本实用新型在同一炉膛内实现工件渗碳或碳氮共渗工艺，工件在棍棒上移动灵活方便，工件间无接触，不存在粘连现象，工件与工件间、工件与料盘间无渗层死角，渗层组织更加均匀，也能够实现单件工件全自动限型淬火，提高生产效率同时减少工件的变形量，降低后续工序的加工量。 | ||||||
| 57 | 真空室壳体 | CN201520295953.5 | 2015-05-08 | CN204676147U | 2015-09-30 | 马尔科·肯内; 约亨·克劳瑟; 赖因哈德·耶格 |
| 真空室壳体(100)可以包括：带有至少一个基体-转运-缝隙(102a)的室壁(102)，用于运送基体沿着基体运送方向(101)通过真空室壳体(100)；和隔板结构(104)，其这样地设置并相对于基体-转运-缝隙(102a)固定在室壁(102)上，即基体-转运-缝隙(102a)部分地被盖住，从而减小基体-转运-缝隙(102a)的有效缝隙高度。 | ||||||
| 58 | 真空炉体 | CN201420140625.3 | 2014-03-26 | CN203741405U | 2014-07-30 | 宋世源 |
| 本实用新型涉及一种真空炉体，该真空炉体包括炉体本体（11），蒸发源（A），用于放置被镀物件（B）的物件挂架（14），用于放置物件挂架（14）的并移动该物件挂架（14）的转盘（C）；炉体本体（11）的底板（111）、外壁（112）、内壁（113）和顶板共同围形成密闭空间（S）；所述炉体本体（11）还包括第一挡板（17）和第二挡板（18）；第一挡板（17）和第二挡板（18）相隔一定的距离并将所述密闭空间分隔成第一分隔空间（S1）和第二分隔空间（S2）。本实用新型杜绝瞬间产生的氧物质，避免氧物质污染到被镀物件表面上，从而避免被镀物件产生假性附着，提高产品品质的稳定性。 | ||||||
| 59 | 具有阳极壳体的磁控管溅射刻蚀设备 | CN201320509601.6 | 2013-08-20 | CN203639538U | 2014-06-11 | 约尔格·法贝尔; 彼得·博茨勒; 迪特里希·豪费 |
| 本实用新型涉及具有阳极壳体的磁控管溅射刻蚀设备。本实用新型涉及一种用于借助溅射工艺进行刻蚀的设备，并且尤其是涉及一种这样构造的阳极壳体，其妨碍刻蚀引起的等离子体离开壳体。这种设备的应用例如适合于在真空中对如金属带之类的衬底进行预处理，为此表明一种设施。根据克服现有技术中的缺点的目标，本实用新型的任务是提出一种用于磁控管溅射刻蚀的设备，其抑制等离子体的烧掉。本实用新型的特征在于，暗场屏蔽（1）的至少一部分可运动，使得可调节衬底距离（8）。 | ||||||
| 60 | 线内处理系统 | CN201190000982.4 | 2011-10-17 | CN203631496U | 2014-06-04 | M·P·斯图尔特 |
| 本实用新型的实施例涉及一种线内处理系统。向硅基板涂覆掺杂剂材料。之后使用激光来驱使来自掺杂剂材料的掺杂剂原子深入基板，从而形成高度掺杂的区域。随后对基板进行热处理，以在基板的剩余场区形成轻掺杂发射极区与浅p-n结。之后将导电触点沉积在高掺杂区上。所得场区具有高阻抗发射极区，所述高阻抗发射极区可吸收最少的光，使得有增量的光到达p-n结以转化成为电流。所得太阳能电池的高掺杂区具有非常低的电阻，以在发射极区与导电触点之间提供高传导路径。 | ||||||
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