子分类：
- C23C： 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆(在表面上使用液体或其他流体材料的一般涂覆入B05;挤压法制造包覆金属的产品入B21C 23/22;通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置, 例如B21D 39/00,B23K;采用电极并通过作用于工件的高度集中电流加工金属入 B23H;玻璃的金属化入C03C;砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B 41/00;涂料、合成漆、天然漆入C09D;金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入 C23D;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制入 C23F;单晶膜生长入C30B;半导体器件的制造入H01L ;印刷线路的制造入H05K)
- C23D： 金属的搪瓷或涂玻璃层(瓷釉的化学成分入C03C)
- C23F： 非机械方法去除表面上的金属材料(用激光束加工金属入B23K 26/00;火焰法清除表层金属材料入 B23K 7/00;电侵蚀加工金属入 B23H;除去表面材料产生装饰效果,例如镂空法、蚀刻法入 B44C1/22; 电解蚀刻或抛光入C25F);金属材料的缓蚀或一般防积垢;至少一种在 C23大类中所列的方法及至少一种在 C21D、C22F 小类或 C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理
- C23G： 电解法除外的化学法金属材料清洗及除油(抛光组合物入C09G;一般洗涤剂入C11D)
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 61 | 用于化学气相沉积反应器的自定心晶片载体系统和单晶片基板载体 | CN201620622524.9 | 2016-06-22 | CN206127420U | 2017-04-26 | S·克里士南; A·I·古拉雷; 张正宏; E·马塞罗 |
| 一种用于化学气相沉积(CVD)反应器的自定心晶片载体系统，其包括晶片载体，晶片载体包括边缘。晶片载体至少部分地支承晶片以便进行CVD处理。旋转管包括边缘，边缘在处理期间支承晶片载体。晶片载体的边缘几何结构和旋转管的边缘几何结构经选择在过程期间在所期望的过程温度提供晶片载体的中心轴线与旋转管的旋转轴线的重合对准。 | ||||||
| 62 | 一种张网机 | CN201621081719.3 | 2016-09-26 | CN205999471U | 2017-03-08 | 张新建; 刘德健 |
| 本实用新型实施例提供一种张网机，涉及显示器件的制备技术领域，能够减小金属框架与张网机的载台之间的摩擦力。本实用新型实施例提供的一种张网机，包括用于承载金属框架的载台，还包括设置于载台上的减阻部，减阻部用于当对金属框架的相对两侧向内进行推挤时，减小金属框架与载台之间相对移动时的摩擦阻力。 | ||||||
| 63 | 用于承载半导体晶片的装置及包含其的喷头装置和处理工具 | CN201620533878.6 | 2016-06-02 | CN205984907U | 2017-02-22 | 埃里克·拉塞尔·马德森; 纳鲁德·泰·本-裕岷; 迈克尔·克里斯滕森; 克里斯·埃里克·卡尔斯吕; 约瑟夫·亨-希·威; 灵·霍安格; 阿拉斯代尔·登特 |
| 本实用新型涉及混合型200毫米/300毫米的半导体处理装置。在一个方面，公开了一些装置，其使得被设计用于在300毫米的晶片上进行等离子体增强化学气相沉积的处理室能在200毫米的晶片上执行。更具体地，公开了已被设计用于200毫米的晶片的并且其能与300毫米的晶片处理室相兼容的经修饰的基座、承载板和喷头。还已经观察到，使用经修饰的200毫米的装置所沉积的膜与使用它们所替换的300毫米的设备所沉积的膜在质量上是相当的。 | ||||||
| 64 | 用于半导体处理腔室的双通道喷头 | CN201620346066.0 | 2016-04-22 | CN205900504U | 2017-01-18 | K·阿拉亚瓦里; 韩新海; P·P·贾; M·绪方; Z·蒋; A·柯; N·O·木库提; T·布里彻; A·K·班塞尔; G·巴拉苏布拉马尼恩; J·C·罗查-阿尔瓦内兹; 金柏涵 |
| 本公开提供了一种用于半导体处理腔室的双通道喷头。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有多个第一开口和多个第二开口，该多个第一开口和多个第二开口形成为穿过该导电材料，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。 | ||||||
| 65 | 透明阻气层叠膜及使用了其的电子纸 | CN201620310824.3 | 2016-04-14 | CN205871389U | 2017-01-11 | 时野谷修 |
| 本实用新型提供一种透明阻气层叠膜及使用了其的电子纸，所述透明阻气层叠膜中，介由第1粘接层将在至少1个面上形成有含无机薄膜层的阻气层的第1透明塑料膜基材的形成有上述阻气层的面与第2透明塑料膜基材的一个面贴合，在上述第1透明塑料膜基材或上述第2透明塑料膜基材的另一个面上形成有密封层。 | ||||||
| 66 | 用于支撑基板于外延生长装置内的基座 | CN201620240735.6 | 2016-03-25 | CN205741209U | 2016-11-30 | 大木慎一; 森義信 |
| 公开了用于外延生长装置的腔室部件。反应腔室由顶板来界定和形成。反应气体在侧壁中所设置的反应气体供应路径中整流，使得在所述反应腔室中的所述反应气体的流动方向上的水平分量对应于从所述反应气体供应路径的开口的中心延伸的方向上的水平分量。对所述外延生长装置的上侧壁、基座和整流板的改进已使得提高了基板上形成的外延层的均匀性和形成速度，从而使得产量更高并且缺陷更少。 | ||||||
| 67 | 一种线性蒸发源、蒸发源系统及蒸镀装置 | CN201620286974.5 | 2016-04-07 | CN205443432U | 2016-08-10 | 张金中 |
| 本实用新型公开一种线性蒸发源、蒸发源系统及蒸镀装置，涉及显示技术领域，以在采用线性蒸发源蒸镀工艺制作有机电致发光显示器的发光层时，提高其在线源方向上的膜厚均一性。该线性蒸发源包括用于蒸发蒸镀材料的加热装置，加热装置的喷嘴安装面上设有线性喷嘴组，线性喷嘴组包括沿线源方向设在喷嘴安装面的多个喷嘴；加热装置中设有能够使加热装置的加热温度均一的温度补偿板。而蒸发源系统包括上述提到的线性蒸发源。本实用新型提供的线性蒸发源用于蒸镀装置中。 | ||||||
| 68 | 用于等离子体增强化学气相沉积的装置 | CN201520526997.4 | 2015-07-20 | CN205088301U | 2016-03-16 | 栗田真一; R·L·蒂纳; S·安瓦尔 |
| 本公开案的各实施方式提供一种用于等离子体增强化学气相沉积的装置。该装置包括：腔室主体；气体分布板，所述气体分布板设置在所述腔室主体中；背板，所述背板设置在所述腔室主体中，并且与所述气体分布板分隔；区隔板组件，所述区隔板组件设置在所述腔室主体内，介于所述气体分布板与所述背板之间；以及远程等离子体清洁源，所述远程等离子体清洁源耦接至所述腔室主体，其中所述远程等离子体清洁源具有在所述腔室主体中的至少一个出口，并且其中所述至少一个出口设置在所述气体分布板与所述区隔板组件之间。 | ||||||
| 69 | 用于中空部件的宏观检查的清除系统 | CN201520734119.1 | 2015-09-21 | CN205077174U | 2016-03-09 | 雷诺·保罗·鲁道夫·勒嘉瓦卡 |
| 本实用新型的主要目的是一种清除系统(1)，该清除系统(1)用于至少一个包括内表面的中空部件(2)的通过浸没在至少一个酸浴中的化学腐蚀或阳极电解腐蚀实现的宏观检查，其特征在于，所述清除系统(1)包括一个或多个中空气体清除管线(3)和/或液体清除管线(4)，所述一个或多个中空气体清除管线(3)和/或液体清除管线(4)设计成定位成相对于所述至少一个部件(2)固定并且设计成至少部分地浸没在所述至少一个酸浴中，所述气体清除管线(3)和/或所述液体清除管线(4)分别能够清除位于所述至少一个部件(2)的内表面处的气泡和/或液体滞留物。 | ||||||
| 70 | 用于安置基板的装置 | CN201420857302.6 | 2014-12-30 | CN204959030U | 2016-01-13 | A.博伊德; O.费龙; 陈晓军; K.L.格林 |
| 本实用新型涉及一种用于安置基板的装置，具有多个布置在水平面内的、分别用于圆盘状基板(3)的支承座(4)，所述装置还具有多个在相邻的支承座(4)之间布置的支架(2、12)，所述支架(2、12)空间上相互分隔并且具有定心侧面(5)，所述定心侧面(5)沿着位于水平面内的圆弧线延伸，其中，多个分别位于支承座(4)侧面的定心侧面(5)构成布置在支承圆(6)上的贴靠位置(7)，用于接触地贴靠所述基板(3)的边缘(3’)的部段。为了进行便于使用的改进而规定，所述定心侧面(5)仅在贴靠位置(7)上与支承圆(6)相切，并且所述定心侧面(5)与所述支承圆(6)的圆心(8)的间距随着距所述贴靠位置(7)越来越远而不断增大。 | ||||||
| 71 | 用于渗碳或碳氮共渗的加热炉 | CN201520676423.5 | 2015-09-01 | CN204849000U | 2015-12-09 | 戚顺银; 魏长富; 李振明 |
| 本实用新型涉及加热炉，具体是一种用于渗碳或碳氮共渗的加热炉。包括炉体，设置在炉体上的入口炉门、出口炉门，入口炉门和出口炉门分别位于炉体的进料端和出料端，炉体内设置有炉气循环装置，炉体内设置有带贯通孔的隔墙，从进料端到出料端设置有多层穿过贯通孔的托辊，每层托辊分别与各自的驱动装置连接。本实用新型在同一炉膛内实现工件渗碳或碳氮共渗工艺，工件在棍棒上移动灵活方便，工件间无接触，不存在粘连现象，工件与工件间、工件与料盘间无渗层死角，渗层组织更加均匀，也能够实现单件工件全自动限型淬火，提高生产效率同时减少工件的变形量，降低后续工序的加工量。 | ||||||
| 72 | 真空室壳体 | CN201520295953.5 | 2015-05-08 | CN204676147U | 2015-09-30 | 马尔科·肯内; 约亨·克劳瑟; 赖因哈德·耶格 |
| 真空室壳体(100)可以包括：带有至少一个基体-转运-缝隙(102a)的室壁(102)，用于运送基体沿着基体运送方向(101)通过真空室壳体(100)；和隔板结构(104)，其这样地设置并相对于基体-转运-缝隙(102a)固定在室壁(102)上，即基体-转运-缝隙(102a)部分地被盖住，从而减小基体-转运-缝隙(102a)的有效缝隙高度。 | ||||||
| 73 | 一种蒸镀载板及蒸镀装置 | CN201520128144.5 | 2015-03-05 | CN204434500U | 2015-07-01 | 曾庆慧; 郭书鹏 |
| 本实用新型涉及有机发光器件制备技术领域，公开一种蒸镀载板及蒸镀装置，蒸镀载板包括载板本体，载板本体上形成玻璃承载面、且设有多个用于针脚穿过的针脚孔，载板本体背离玻璃承载面的一侧表面上设有当玻璃承载面朝向蒸镀源时覆盖各所述针脚孔的盖板机构。上述蒸镀载板中，当将承载有玻璃基板的载板蒸镀载板放入蒸镀装置的蒸镀腔体中时，载板本体的玻璃承载面朝向蒸镀源，蒸镀载板具有的盖板机构能够将载板本体设有的针脚孔覆盖，进而能够防止辐射信号穿过针脚孔照射至贴附在载板本体的玻璃承载面上的玻璃基板朝向载板本体的一面上，进而使得玻璃基板受热均匀，提高玻璃基板蒸镀作业时的良率，进而提高有机发光器件的产品质量。 | ||||||
| 74 | 衬底支撑件 | CN201420623205.0 | 2014-10-24 | CN204407286U | 2015-06-17 | R·L·蒂纳; 崔寿永; 朴范洙; 栗田真一; B·吴; 古田学 |
| 本实用新型通常涉及用于处理腔室中的衬底支撑件。衬底支撑件被分成多个象限，其中每一象限能够独立于其他象限加热。独立加热允许衬底支撑件提供不同加热至同时布置在衬底支撑件上的不同衬底，或至公用衬底的不同区域。因此，衬底加热可被定制以确保发生衬底或多个衬底的所需处理。 | ||||||
| 75 | 一种用于带车轮的机动车辆的金属对金属连接件 | CN201420457048.0 | 2014-08-13 | CN204099362U | 2015-01-14 | 伊莱恩·C.·凯利; 罗伯特·G.·斯塔斯基; 罗伯特·威廉·伍德尔; 迈克尔·威廉·丹尼尤; 杜安·德罗布里奇; 安东尼·J.·格里玛; 金伯利·安·拉扎 |
| 一种用于带车轮的机动车辆的金属对金属连接件，该连接件包括：第一金属件和第二金属件，各自具有外表面和连接部，其中，第一金属件和第二金属件在各自的连接部处连接；固化的薄膜结构型胶粘剂，于所述各自的连接部处设置在第一金属件与第二金属件之间，其中，固化的薄膜结构型胶粘剂仅粘附至第一金属件，并且固化的结构型胶粘剂具有一致的厚度；以及固化的环氧树脂涂层，设置在第二金属件的外表面上以及第一金属件的外表面的至少一部分上，其中，第一金属件的外表面由固化的结构型胶粘剂和环氧树脂涂层中至少一个所覆盖。本实用新型在机动车辆的金属与金属的连接处提供了耐腐蚀的隔离物。 | ||||||
| 76 | 真空炉体 | CN201420140625.3 | 2014-03-26 | CN203741405U | 2014-07-30 | 宋世源 |
| 本实用新型涉及一种真空炉体，该真空炉体包括炉体本体（11），蒸发源（A），用于放置被镀物件（B）的物件挂架（14），用于放置物件挂架（14）的并移动该物件挂架（14）的转盘（C）；炉体本体（11）的底板（111）、外壁（112）、内壁（113）和顶板共同围形成密闭空间（S）；所述炉体本体（11）还包括第一挡板（17）和第二挡板（18）；第一挡板（17）和第二挡板（18）相隔一定的距离并将所述密闭空间分隔成第一分隔空间（S1）和第二分隔空间（S2）。本实用新型杜绝瞬间产生的氧物质，避免氧物质污染到被镀物件表面上，从而避免被镀物件产生假性附着，提高产品品质的稳定性。 | ||||||
| 77 | 具有阳极壳体的磁控管溅射刻蚀设备 | CN201320509601.6 | 2013-08-20 | CN203639538U | 2014-06-11 | 约尔格·法贝尔; 彼得·博茨勒; 迪特里希·豪费 |
| 本实用新型涉及具有阳极壳体的磁控管溅射刻蚀设备。本实用新型涉及一种用于借助溅射工艺进行刻蚀的设备，并且尤其是涉及一种这样构造的阳极壳体，其妨碍刻蚀引起的等离子体离开壳体。这种设备的应用例如适合于在真空中对如金属带之类的衬底进行预处理，为此表明一种设施。根据克服现有技术中的缺点的目标，本实用新型的任务是提出一种用于磁控管溅射刻蚀的设备，其抑制等离子体的烧掉。本实用新型的特征在于，暗场屏蔽（1）的至少一部分可运动，使得可调节衬底距离（8）。 | ||||||
| 78 | 线内处理系统 | CN201190000982.4 | 2011-10-17 | CN203631496U | 2014-06-04 | M·P·斯图尔特 |
| 本实用新型的实施例涉及一种线内处理系统。向硅基板涂覆掺杂剂材料。之后使用激光来驱使来自掺杂剂材料的掺杂剂原子深入基板，从而形成高度掺杂的区域。随后对基板进行热处理，以在基板的剩余场区形成轻掺杂发射极区与浅p-n结。之后将导电触点沉积在高掺杂区上。所得场区具有高阻抗发射极区，所述高阻抗发射极区可吸收最少的光，使得有增量的光到达p-n结以转化成为电流。所得太阳能电池的高掺杂区具有非常低的电阻，以在发射极区与导电触点之间提供高传导路径。 | ||||||
| 79 | 屏蔽件和处理套件 | CN201190000306.7 | 2011-01-19 | CN203103267U | 2013-07-31 | 劳拉·郝勒查克; 希兰库玛·萨万戴亚 |
| 本实用新型涉及屏蔽件和处理套件。物理气相沉积腔室的屏蔽件包括：圆柱形外带；圆柱形内带；基部平板，其将圆柱形外带与圆柱形内带耦接以形成单件式单一构件；及多个球体，其耦接至圆柱形内带，球体向圆柱形内带的内部径向延伸。 | ||||||
| 80 | 锯和具有金刚石涂层的锯切元件 | CN201120563790.6 | 2011-12-21 | CN202727132U | 2013-02-13 | 苏布尔曼尼恩·耶尔 |
| 本实用新型涉及锯和具有金刚石涂层的锯切元件。所提供的用于锯的锯切元件包括芯部和连续的金刚石外层。此外，还提供了相应的锯和用于制造该元件的方法。 | ||||||
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