子分类：
- C23C： 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆(在表面上使用液体或其他流体材料的一般涂覆入B05;挤压法制造包覆金属的产品入B21C 23/22;通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置, 例如B21D 39/00,B23K;采用电极并通过作用于工件的高度集中电流加工金属入 B23H;玻璃的金属化入C03C;砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B 41/00;涂料、合成漆、天然漆入C09D;金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入 C23D;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制入 C23F;单晶膜生长入C30B;半导体器件的制造入H01L ;印刷线路的制造入H05K)
- C23D： 金属的搪瓷或涂玻璃层(瓷釉的化学成分入C03C)
- C23F： 非机械方法去除表面上的金属材料(用激光束加工金属入B23K 26/00;火焰法清除表层金属材料入 B23K 7/00;电侵蚀加工金属入 B23H;除去表面材料产生装饰效果,例如镂空法、蚀刻法入 B44C1/22; 电解蚀刻或抛光入C25F);金属材料的缓蚀或一般防积垢;至少一种在 C23大类中所列的方法及至少一种在 C21D、C22F 小类或 C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理
- C23G： 电解法除外的化学法金属材料清洗及除油(抛光组合物入C09G;一般洗涤剂入C11D)
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 101 | 基板载具 | CN201390000218.6 | 2013-01-18 | CN204570033U | 2015-08-19 | 栗田真一; B·M·约翰斯通 |
| 本实用新型涉及一种基板载具，包括：框体，被配置成容纳基板于其中并且支撑基板，其中所述框体包括多个夹具，用以固定所述基板于所述框体中；以及轨道，附接于所述框体，其中所述轨道包括可磁性化材料，所述框体的外表面以及所述轨道包括等离子体相容材料。根据本实用新型实施例的处理腔包括以相容于清洁用等离子体的材料封装、涂覆或制造的部件。根据本实用新型实施例的基板载具可以相容于清洁用等离子体的材料制成或涂覆。根据本实用新型实施例，等离子体清洁动作可在具有一个或多个基板载具的处理腔中执行，这些基板载具未承载任何基板，以清洁这一个或多个基板载具以及腔体部件。 | ||||||
| 102 | 组件保护性包胶模 | CN201290000558.4 | 2012-03-29 | CN204217237U | 2015-03-18 | 理查德·李·特拉斯代尔; 斯科特·富拉姆; 斯基普·托马斯·奥韦斯; 诺拉·埃兰·莱文森 |
| 使用保护性外部涂层的保护性包胶模，包括将材料涂敷在装置的结构外面，该装置被配置成使用来自一个以上传感输入的数据来进行操作，并在该材料外面形成涂层，该涂层被配置成提供保护特性。如果部件被制造成在多种温度、压强或者其他大气条件下抵抗其他保护性材料的形成、镀层、形成层次或者覆盖，则可以不使用例如覆盖物的保护性材料。 | ||||||
| 103 | 加热设备 | CN201420245940.2 | 2014-05-14 | CN204162788U | 2015-02-18 | P-A.伯丁; M.E.奥彭; K.艾伦; H.席尔瓦 |
| 一种设备，具有至少一个导电的第一接触板(11)和至少一个导电的第二接触板(12)和分别具备电阻加热机构(1.3至9.3)的加热件(1至9)，所述电阻加热机构(1.3至9.3)借助第一连接触头(1.1至9.1)与所述第一接触板(11)相连接并且借助第二连接触头(1.2至9.2)与所述第二接触板(12)相连接。为了延长所述设备的使用寿命并减少制造成本，在此建议，所述两个接触板(11、12)位于共同的第一平面(E1)内。 | ||||||
| 104 | 用于加热CVD反应器的基座的设备 | CN201420245938.5 | 2014-05-14 | CN204162787U | 2015-02-18 | P-A.伯丁; K.艾伦 |
| 本实用新型涉及一种用于加热尤其CVD反应器的基座的设备，具有第一加热件(1.1)和第二加热件(1.2)，其中，每个加热件(1.1、1.2)具有由加热丝(8)构成的加热机构(2.1、2.2)，其中，加热机构(2.1、2.2)位于加热面(H1、H2)中，并且具有接触件(3.1、4.1、3.2、4.2)的加热机构(2.1、2.2)的端部分别与接触板(5、6)相连接，接触件(3.1、3.2、4.1、4.2)如此并排安置在接触面(K1、K2)中，使得加热件(1.1、1.2)在接触板(5、6)之间电气并联。为了提高加热设备的使用寿命，在此建议，加热机构(2.1、2.2)是等长的并且具有相同的电阻，第二加热件(1.2)的接触件(3.2、4.2)相互间具有间距(A2)，该间距(A2)小于第一加热件(1.1)的接触件(3.1、4.1)的间距(A1)，并且第二加热件(1.2)的接触件(3.2、4.2)比第一加热件(1.1)的接触件(3.1、4.1)更短。 | ||||||
| 105 | 组件保护性包胶模 | CN201290000543.8 | 2012-06-04 | CN203851377U | 2014-09-24 | 理查德·李·特拉斯代尔; 斯科特·富拉姆; 斯基普·托马斯·奥韦斯; 诺拉·埃兰·莱文森 |
| 本实用新型涉及组件保护性包胶模。用于组件保护性包胶模的使用保护性外部涂层的技术包括，选择性地将保护性材料大体上涂敷到被连接到被配置成要被佩带的框架上的一个以上的部件外面，部件包括至少一个传感器，且在保护性材料已经被选择性地涂敷之后，在框架、保护性材料和部件的子集或者所有的外面大体上形成一个以上模，一个以上模中的至少一个模具有保护特性。 | ||||||
| 106 | 圆铝杆的清洗和冷却装置 | CN201420143857.4 | 2014-03-27 | CN203754788U | 2014-08-06 | 冯中慧; 肖训山; 罗在文 |
| 本实用新型提供了一种圆铝杆的清洗和冷却装置，包括圆铝杆连铸连轧生产线中的引杆成圈装置、清洗液收集箱、水泵、连接管、清洗液冷却系统、放流阀和导管。使用时，圆铝杆连续穿过导管，水泵将清洗液收集箱中清洗液经连接管抽入导管，对导管中的圆铝杆进行清洗和冷却后，清洗液回流到清洗液收集箱中，实现循环利用。清洗液冷却系统设置在连接管的外壁上，用于冷却连接管中的清洗液。与相关技术相比，本实用新型结构简单，能有效清洗圆铝杆表面的油污、控制圆铝杆的收线温度；同时，能有效控制清洗液的温度。成本低，清洗液随时可以更换，更换的清洗液还可供连轧机润滑使用。 | ||||||
| 107 | 拉链用链齿 | CN201320444772.5 | 2013-07-24 | CN203538527U | 2014-04-16 | 竹田英树; 山本尚三; 山口英之; 市川伸广; 中村由香子 |
| 本实用新型提供一种因观察角度而色彩或图样多样化变化的拉链用链齿。本实用新型的拉链用链齿是用以安装在拉链带(10)的线圈状拉链用链齿，所述链齿包含啮合头部(6)、上脚部(7)、下脚部(8)、及将所述上脚部(7)及所述下脚部(8)连结的反转部(9)，至少所述上脚部(7)形成有包含至少1个透光性层的覆膜(20)，且因所述覆膜(20)而呈现干涉色。 | ||||||
| 108 | 半导体制造腔室中的环组件 | CN201190000301.4 | 2011-01-25 | CN203288565U | 2013-11-13 | 萨德亚·阿朗; 普拉沙斯·科迪戈帕里; 帕德玛·戈帕拉克里氏南; 阿施施·布特那格尔; 丹·马丁; 克里斯多夫·黑斯·约翰·郝萨科 |
| 本实用新型大体上关于半导体制造腔室中的环组件，其可用于蚀刻或其他等离子体处理腔室。该环组件大体上包括内环与外环，该外环配置在该内环径向的外侧。该内环对应使用期间主要侵蚀发生的位置。此内环可翻动(flip)并且再使用，直到双侧已受侵蚀超出其服务寿命为止。集体而言，该两个环大体上具有单片环的形状，但该环组件的服务寿命比传统单片环长。 | ||||||
| 109 | 一种陶瓷侧气体喷射器 | CN201220691067.0 | 2010-09-10 | CN203225233U | 2013-10-02 | 丹尼尔·阿瑟·布朗; 杰夫·A·博加特; 伊恩·J·肯沃西 |
| 一种陶瓷侧气体喷射器，该陶瓷侧气体喷射器配置成安装在8个对称排列的气体喷射器安装孔中的任何一个里，该安装孔位于能加工半导体衬底的等离子体反应室的室顶界面侧壁上，该侧气体喷射器由上游部分直径大于下游部分的阶梯式圆柱形陶瓷本体以及通过该陶瓷本体的轴端表面沿轴向延伸的直径均一的中心孔组成。 | ||||||
| 110 | 等离子体反应室的可替换上室部件 | CN201090000551.3 | 2010-09-10 | CN202855717U | 2013-04-03 | 丹尼尔·阿瑟·布朗; 杰夫·A·博加特; 伊恩·J·肯沃西 |
| 一种等离子体反应室的上室部件，包括在上表面作为热电偶和电阻温度检测器接口的盲孔的陶瓷窗口，包含对窗口底部进行真空密封的上表面的室顶界面，以及包含安装于室顶界面侧壁上的8个侧喷射器的气体喷射系统，以及包含从单一气体供给器连接提供对称气流到该8个喷射器的管道的气体输送系统。 | ||||||
| 111 | 电容式触控面板及应用其的触控显示面板 | CN201220504590.8 | 2012-09-28 | CN202838289U | 2013-03-27 | 王明玺; 陈郁仁 |
| 本实用新型是有关于一种电容式触控面板及应用其的触控显示面板。电容式触控面板包括基板、多条感应结构及扩光结构。各感应结构包括数个感应电极及数条连接线，相邻两个感应电极由对应的连接线连接。扩光结构形成于上述连接线的至少一者上，光线入射至扩光结构后是扩散地反射。本实用新型降低了反射率，从而更加适于实用。 | ||||||
| 112 | 刀片 | CN201120580026.X | 2011-12-12 | CN202480108U | 2012-10-10 | R·L·西利亚; P·G·卡尔夫 |
| 本实用新型公开了一种刀片，其包括由碳钢材料形成的本体，本体具有刀刃部分和侧表面；其中侧表面具有形成于其上的带色氧化层，其中该氧化层的被选定的部分被去除以暴露下层碳钢材料，以便通过带色氧化层和暴露的碳钢材料之间的颜色差异在刀片的所述表面上提供标记。由于本实用新型所提供的刀片具有较高硬度值的边缘，能将边缘打磨得更锐利并增长寿命。 | ||||||
| 113 | 碱金属和碱土金属的沉积系统 | CN201120496500.0 | 2011-11-24 | CN202465855U | 2012-10-03 | 秉圣·郭; 斯蒂芬·班格; 迈克尔·柯尼希; 弗洛里安·里斯; 拉尔夫·霍夫曼 |
| 本实用新型公开了碱金属和碱土金属的沉积系统，包括金属溅射靶、基板固定器和多个功率源，金属溅射靶包括冷却通道，基板固定器配置成保持基板面对且平行于金属溅射靶，多个功率源配置成将能量施加至在基板和金属溅射靶之间点燃的等离子体。靶可具有盖，盖配置成安装在靶材料上方，盖可包括把手和阀，把手用于自动去除和替换沉积系统内的盖，阀用于提供至靶材料和盖之间的空间的通道，以便泵送、净化或者加压空间内的气体。多个功率源可包括DC源、脉冲DC源、RF源、双RF源、其他多频源等。双RF源可配置成用于反卷积控制等离子体特性，诸如自偏压、等离子体密度以及离子和电子能量。溅射气体可包括惰性气体，惰性气体的原子量小于金属靶的原子量。 | ||||||
| 114 | 真空镀铝机送丝机构 | CN201120559426.2 | 2011-12-28 | CN202390521U | 2012-08-22 | 邵峥; 雷刚; 浦海龙 |
| 一种真空镀铝机送丝机构，包括安装座、蒸发槽、丝盘、丝盘架、底板，在所述安装座上装有电机，所述电机的输出轴上安装一个齿轮；在所述安装座的设置有压块转轴，在所述压块转轴上安装有可上下活动的压块；在所述压块中间安装有压轮，所述压轮与电机上的输出轴齿轮正对压合，在所述压块上设置有压紧调节装置。本实用新型的有益效果为：由于上述中采取了电机的输出轴齿轮与压轮正对压合的方式，代替了原送丝机构的同步带传动，所以轴承的数量相应的减少，最后使故障率得到了降低。 | ||||||
| 115 | 发光装置 | CN201120170398.5 | 2010-11-05 | CN202259398U | 2012-05-30 | 李东柱; 沈炫旭; 李宪昊; 金荣善; 金晟泰 |
| 本实用新型提供了一种发光装置。所述发光装置包括具有第一导电半导体、有源层和第二导电层的发光结构，其中，当在第一工艺中从基底上方排放的源气体在半导体生长基底上反应时，由此在所述半导体生长基底上形成半导体薄膜，在第二工艺中沿与所述基底平行的方向排放的源气体在所述半导体生长基底上反应，由此在所述半导体生长基底上形成半导体薄膜，所述发光结构使用所述第一工艺和所述第二工艺来形成。根据本实用新型的发光装置是通过使用不同的生长工艺制造的，从而具有优异的结晶结构，由此防止了发光效率的降低。 | ||||||
| 116 | 用于薄膜光伏器件的大规模MOCVD系统 | CN201120087804.1 | 2011-03-29 | CN202063993U | 2011-12-07 | 罗伯特·D·维廷; 肯尼思·B·多林; 尤尔格·斯密特兹布尔格 |
| 本实用新型提供了在基底面板上制备薄膜的装置和利用化学气相沉积在基底面板上形成薄膜的系统，该装置包括由多个侧壁密封的沉积室、盖、及底。该装置包括混合室，其设置在盖的上方，并构造为接收蒸气物质并形成混合蒸气。混合室经由穿过盖的入口连接于沉积室，包括扩散板。两个加热板并排设置在底上，用于支撑和加热两个基底。该系统包括：产生一种或多种蒸气的前体子系统，该子系统包括，用来供给第一液体的第一输送组件；用来供给第二液体的第二输送组件；用来供给气态物质的第三输送组件；起泡器控制组件；及包括混合室和沉积室的处理子系统等。本实用新型的装置和系统实现了直接在特大玻璃基底上高品质和低成本地大规模制造薄膜光伏面板。 | ||||||
| 117 | 气相沉积系统 | CN201020598384.9 | 2010-11-05 | CN202022978U | 2011-11-02 | 李东柱; 沈炫旭; 李宪昊; 金荣善; 金晟泰 |
| 本实用新型提供了一种气相沉积系统和一种发光装置。根据本实用新型一方面的气相沉积系统可包括：第一室，具有第一基座和至少一个第一气体分配器，所述至少一个第一气体分配器沿与设置在所述第一基座上的基底平行的方向排放气体；第二室，具有第二基座和至少一个第二气体分配器，所述至少一个第二气体分配器布置在所述第二基座上方，以向下排放气体。当使用根据本实用新型一方面的气相沉积系统时，由此生长的半导体层具有优异的晶体质量，由此提高发光装置的性能。此外，在提高气相沉积系统的操作能力和产率的同时，可以防止设备的劣化。 | ||||||
| 118 | 磁控溅射设备 | CN201020171400.6 | 2010-04-21 | CN201648509U | 2010-11-24 | 谢振宇 |
| 本实用新型公开了一种磁控溅射设备。该磁控溅射设备包括沉积腔，还包括：处理腔，与沉积腔连通，处理腔与沉积腔的连接处设置有由靶材构成的靶材区域；转移腔，与处理腔邻接设置，转移腔的壁面上设置有第一气闭门，通过开启或关闭第一气闭门以控制转移腔中的真空度并置换靶材；转移装置，设置在处理腔和/或转移腔中，在转移腔处于设定真空度的状态下，通过转移腔与处理腔邻接壁面上设置的第二气闭门，在转移腔和处理腔之间转移靶材以进行更换。本实用新型的磁控溅射设备通过设置处理腔和转移腔作为更换过渡空间，仅需要对转移腔实行抽真空操作，降低了对沉积环境的影响，因而可以提高靶材更换的便捷性。 | ||||||
| 119 | 基板的处理装置、传输装置和横向移动室 | CN200920160855.5 | 2009-06-25 | CN201478276U | 2010-05-19 | 雷仲礼; 麦华山; 刘弘苍; 朴乾兑; 朴相珣; 罗应聪; 吴子仲; 朱乐聪; 罗恩·罗斯; 申镇宇; 王晓明 |
| 本实用新型公开了一种基板的处理装置、传输装置和横向移动室，其包含二或多个工艺模块、一基板搬运装置、一装卸室、以及一横向基板处理装置。横向基板处理装置包含横向移动室，用以将基板运送至工艺模块。在运送基板时，各横向移动室维持具有一特定气体条件。横向基板处理装置另包含一轨道与一驱动装置，轨道被设置于工艺模块入口的邻近处，用来支撑横向移动室并驱动装置用来使横向移动室在轨道上移动。 | ||||||
| 120 | 用于衬底处理室的带状屏蔽 | CN200620148862.X | 2006-11-14 | CN201025611Y | 2008-02-20 | 李威帝; 史蒂夫·乔 |
| 本实用新型公开了一种用于衬底处理室的带状屏蔽，它具有圆筒形壁，圆筒形壁具有穿过其的切口。凸缘从圆筒形壁的底端沿径向向外延伸。壳体从圆筒形壁的顶端沿径向向外延伸并环绕切口连接到凸缘。圆筒形壁、凸缘和壳体，它们的至少部分表面具有小于约16微英寸的表面粗糙度平均值，从而使这些表面暴露于衬底处理室中的处理环境时，其上产生的沉积物较少。屏蔽的垂直壁在排气端口附近没有任何梁或其他突出物，从而提高了排气导通性。 | ||||||
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