专利汇可以提供具有表面粗糙度的抛光垫专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种包含 抛光 层的 抛光垫 ,所述抛光层具有表面粗糙度介于约200至300微英寸间的抛光表面。该抛光垫可通过如下的方法制造:通过挤出成型或模铸成型法形成一抛光层;以及打磨所述抛光层的抛光表面使其表面粗糙度介于约200至300微英寸之间。,下面是具有表面粗糙度的抛光垫专利的具体信息内容。
1.一种抛光垫,包含:
一抛光层,其具有表面粗糙度介于约200至300微英寸间的抛光表 面。
2.如权利要求1所述的抛光垫,其中所述抛光表面具有介于250至 300微英寸之间的表面粗糙度。
3.如权利要求1所述的抛光垫,还包括一背衬层,位于所述抛光层的 与所述抛光表面相反的一侧上。
4.如权利要求1所述的抛光垫,其中所述抛光表面包含多孔聚氨酯。
5.如权利要求1所述的抛光垫,其中所述抛光表面是一新鲜表面。
6.一种制造抛光垫的方法,包括:
通过挤出成型或模铸成型法形成一抛光层;以及
打磨所述抛光层的抛光表面使其表面粗糙度介于约200至300微英 寸之间。
7.如权利要求6所述的方法,其中打磨所述抛光表面的步骤包括打磨 所述抛光表面使其表面粗糙度介于250至300微英寸之间。
8.如权利要求6所述的方法,还包括连接一背衬层至所述抛光层的与 所述抛光表面相反的一侧。
9.如权利要求8所述的方法,其中在所述打磨步骤之后,将所述背衬 层连接至所述抛光层。
10.如权利要求6所述的方法,其中所述抛光层包含多孔聚氨酯。
11.如权利要求6所述的方法,其中所述打磨步骤使用除了用于抛光基 材之抛光机以外的机器来执行。
12.如权利要求6所述的方法,还包括在所述打磨步骤之后,使用所述 抛光垫抛光一基材。
13.如权利要求6所述的方法,其中打磨所述抛光表面的步骤包括一第 一打磨步骤,以及使用比第一打磨步骤更细的打磨粒度的第二打磨步骤。
14.如权利要求6所述的方法,其中形成所述抛光层的步骤包括形成一 抛光层,以及将所述抛光层切割成所需形状。
15.如权利要求6所述的方法,其中形成所述抛光层的步骤包括将所述 抛光层形成为输送带上的薄片材。
16.如权利要求6所述的方法,其中形成所述抛光层的步骤包括注射成 型法。
集成电路典型地藉由一连串的沉积导体、半导体或绝缘层于硅晶圆上 而形成在基材上。其中的一个制造步骤包括:沉积一填充层覆盖住一不平 坦的表面,并平坦化该填充层直到该不平坦表面暴露出来为止。举例而 言,可沉积一导电填充层于一已图案化的绝缘层上,以填满该绝缘层中的 沟槽或孔洞。经平坦化后,该导电层的多个部分留在该绝缘层的突起图案 之间,而形成用来在基材上多个薄膜电路之间提供导电通路的通孔 (vias)、插塞与导线。此外,还需要平坦化工艺来平坦该基材表面以进 行光刻工艺。
化学机械抛光(CMP)是一种已广为接受的平坦化方法。此平坦化方 法通常需要将基材安置于一承载头或抛光头上。该基材的暴露表面面对着 抛光垫的抛光表面,例如面对着一旋转抛光盘或线性移动带。该承载头于 基材上提供一可控制的负载来推压基材,而使基材抵靠于抛光垫上。将可 能含有抛光颗粒的抛光液体供应至抛光垫表面,并使基材与抛光垫之间做 相对运动而进行抛光与平坦化。
化学机械抛光工艺的一个目标是要达到晶圆与晶圆之间的抛光一致 性。如果不同的基材以不同的抛光速率进行抛光,便很难使多个晶圆具有 一致的目标膜层厚度。化学机械抛光工艺的另一目标是要达到晶圆内部的 抛光一致性。若以不同速率来抛光基材上的多个不同区域,则基材的某些 区域可能被移除掉过多的材料(过度抛光)或是移除太少材料(抛光不 足),而造成整个基材上高低起伏不一致。
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