专利汇可以提供受控粒子束制造用的设备和方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种用于用带电粒子对 工件 进行曝光的室包括:带电粒子源,用于生成带电粒子流; 准直 器 ,配置用于沿着轴线准直和引导来自带电粒子源的带电粒子流;位于 准直器 下游的束数字化装置,配置用于通过调整沿着所述轴线的带电粒子之间的纵向间距,形成包括至少一个带电粒子的组的数字化束;位于所述束数字化装置下游的偏转 反射器 ,所述偏转反射器包括一系列的沿着所述轴线纵向设置的偏转 电极 台,以偏转所述数字化束;以及位于偏转反射器的下游的工件台,所述工件台配置用于保持工件。,下面是受控粒子束制造用的设备和方法专利的具体信息内容。
1.一种用于用带电粒子对工件进行曝光的室,所述室包括:
带电粒子源,所述带电粒子源用于生成带电粒子流;
准直器,配置用于沿着轴线准直和引导来自带电粒子源的带电粒子 流;
位于准直器下游的束数字化装置,所述束数字化装置配置用于通过调 整沿着传播轴线的带电粒子之间的纵向间距,来形成包括至少一个带电粒 子的组的在时间上和在空间上被分解的数字化闪束;
位于所述束数字化装置下游的偏转反射器,所述偏转反射器包括一系 列的沿着所述轴线纵向设置的偏转电极台,以便偏转所述数字化闪束,从 而使得所述数字化闪束横向和纵向分布到传播方向上,由此形成空间图 案,所述空间图案包括用于曝光所述工件的所选择的部分的虚拟数字化模 版;
位于偏转反射器下游的物镜组件,以便缩小所述数字化闪束或至少一 组所述数字化闪束,并将所述虚拟数字化模版聚焦到所述工件的表面上; 以及
位于偏转反射器的下游的工件台,所述工件台配置用于保持工件。
2.根据权利要求1所述的室,其中所述室适用于引导在大约5keV~ 500keV的电势下加速的带电粒子束。
3.根据权利要求1所述的室,其中所述带电粒子包括离子。
4.根据权利要求3所述的室,其中所述离子带正电。
5.根据权利要求3所述的室,其中所述离子带负电。
6.根据权利要求3所述的室,其中所述离子带一个电荷。
7.根据权利要求3所述的室,其中所述离子带两个电荷。
8.根据权利要求1所述的室,其中所述带电粒子包括电子。
9.根据权利要求1所述的室,其中所述带电粒子包括正电子。
10.根据权利要求1所述的室,其中所述带电粒子源包括液体金属离 子源(LMIS)。
11.根据权利要求1所述的室,其中所述带电粒子源包括等离子体离 子源(PIS)。
12.根据权利要求1所述的室,其中所述带电粒子源包括体积等离子 体离子源(VPIS)。
13.根据权利要求1所述的室,其中所述带电粒子源包括气体场离子 化源(GFIS)。
14.根据权利要求1所述的室,其中所述带电粒子源包括碳纳米管场 发射器。
15.根据权利要求1所述的室,其中所述带电粒子源包括自由电子激 光器。
16.根据权利要求1所述的室,其中所述带电粒子源包括脉冲烧蚀离 子源。
17.根据权利要求1所述的室,其中所述带电粒子源包括磁约束等离 子体阳极源(MAP)。
18.根据权利要求1所述的室,其中所述带电粒子源包括热场发射电 子源(TFE)。
19.根据权利要求1所述的室,其中所述带电粒子源适用于生成多个 带电粒子种类。
20.根据权利要求1所述的室,其中所述源适用于提取在大约5keV~ 30keV的电势下加速的粒子流。
21.根据权利要求1所述的室,其中所述带电粒子源适用于为在工件 上测量到的10nm的束斑尺寸提供1×105A/cm2的电流。
22.根据权利要求1所述的室,其中所述准直器包括透镜。
23.根据权利要求1所述的室,其中所述准直器包括反射式光学元件。
24.根据权利要求1所述的室,其中所述准直器包括透镜和反射式光 学元件。
25.根据权利要求1所述的室,其中所述准直器包括两个反射式光学 元件。
26.根据权利要求1所述的室,其中所述准直器包括多个透镜。
27.根据权利要求1所述的室,其中所述准直器配置用于准直带电粒 子流。
28.根据权利要求1所述的室,其中所述准直器配置用于将带电粒子 流缩小为具有小于1μm的半高宽直径的束斑尺寸的高斯光束。
29.根据权利要求1所述的室,其中所述准直器配置用于将带电粒子 流缩小为具有小于100nm的半高宽直径的束斑尺寸的高斯光束。
30.根据权利要求1所述的室,其中所述准直器配置用于将带电粒子 流缩小为具有小于10nm的半高宽直径的束斑尺寸的高斯光束。
31.根据权利要求1所述的室,还包括质量分离器,所述质量分离器 包括质量分离器孔径板,所述质量分离器被置于所述准直器和所述束数字 化装置之间,并配置用于将所选择的带电粒子种类偏转向质量分离器孔径 板。
32.根据权利要求27所述的室,其中所述质量分离器包括反射式光学 元件。
33.根据权利要求27所述的室,其中所述质量分离器包括ExB透镜。
34.根据权利要求27所述的室,其中所述质量分离器包括电磁交叉场 分析器。
35.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置被置于准直器 和束偏转反射器之间。
36.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置被置于束熄灭 装置和束偏转反射器之间,所述束熄灭装置配置用于熄灭和/或压缩带电 粒子流。
37.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置包括聚束器。
38.根据权利要求37所述的室,其中所述聚束器采用具有大约1MHz~ 大约100GHz的频率的电磁辐射。
39.根据权利要求37所述的室,其中所述聚束器采用具有大约1MHz~ 25GHz的至少两个共振频率的电磁辐射。
40.根据权利要求37所述的室,其中所述聚束器采用配置用于调制电 磁辐射的幅度的电磁辐射。
41.根据权利要求37所述的室,其中所述聚束器采用配置用于调制电 磁辐射的频率的电磁辐射。
42.根据权利要求37所述的室,其中所述聚束器包括一系列电极,所 述聚束器电极适用于以射频(RF)电压调制。
43.根据权利要求37所述的室,其中所述聚束器采用一定方式的电磁 辐射,以便与所述带电粒子流的平均速度相匹配。
44.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置包括熄灭装置, 所述熄灭装置配置用于熄灭所述带电粒子流。
45.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于调制 带电粒子源的接通/关断状态,以便熄灭所述带电粒子流。
46.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于调制 带电粒子源的接通/关断状态,以便熄灭所述带电粒子流。
47.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于采用 配置用于熄灭所述带电粒子流的电磁辐射。
48.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置包括等离子体 拍波调制器,所述等离子体拍波调制器配置用于熄灭所述带电粒子流。
49.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置包括空间电荷 尾波场调制器,所述空间电荷尾波场调制器配置用于熄灭所述带电粒子 流。
50.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置包括共振吸收 空间电荷尾波场调制器,所述共振吸收空间电荷尾波场调制器配置用于熄 灭所述带电粒子流。
51.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置包括通用相衬 调制器,所述通用相衬调制器配置用于熄灭所述带电粒子流。
52.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置包括脉冲入射 中性束调制器,所述脉冲入射中性束调制器配置用于熄灭所述带电粒子 流。
53.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置包括脉冲激光 束调制器,所述脉冲激光束调制器配置用于熄灭所述带电粒子流。
54.根据权利要求37所述的室,其中所述聚束器包括螺旋线圈,所述 线圈适用于以射频电压调制。
55.根据权利要求37所述的室,其中所述聚束器配置用于改变所述粒 子的相对速度,由此形成压缩组,所述压缩组形成所述在时间上和空间上 被分解的数字化闪束,所述数字化闪束形成数字化束。
56.根据权利要求37所述的室,其中所述聚束器配置用于施加电场以 纵向地将带电粒子压缩或会聚成所述在时间上和空间上被分解的数字化 闪束,所述数字化闪束形成数字化束。
57.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于产生 数字化束,所述数字化束包括每数字化闪束大约1~7,000,000个带电粒子。
58.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于产生 数字化束,所述数字化束包括每数字化闪束大约1~100,000个带电粒子。
59.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于产生 数字化束,所述数字化束包括每数字化闪束大约1~10,000个带电粒子。
60.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于产生 数字化束,所述数字化束包括每数字化闪束大约1~5,000个带电粒子。
61.根据权利要求1所述的室,其中所述数字化束的平均速度在大约1 ×104米/秒至3×108米/秒之间。
62.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在大 约1nm~9.99米的数字化束行程的数字化束的相邻数字化闪束之间形成周 期。
63.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在大 约1nm~1米的数字化束行程的数字化束的相邻数字化闪束之间形成周 期。
64.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在大 约1nm~10cm的数字化束行程的数字化束的相邻数字化闪束之间形成周 期。
65.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在大 约1nm~1cm的数字化束行程的数字化束的相邻数字化闪束之间形成周 期。
66.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在大 约1nm~100μm的数字化束行程的数字化束的相邻数字化闪束之间形成 周期。
67.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在大 约1nm~10μm的数字化束行程的数字化束的相邻数字化闪束之间形成周 期。
68.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在大 约1nm~100μm的数字化束行程的数字化束的相邻数字化闪束之间形成 周期。
69.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在数 字化束的相邻数字化闪束之间形成1nm~10米的数字化束行程的间距。
70.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在数 字化束的相邻数字化闪束之间形成小于大约10米的数字化束行程的间距。
71.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在数 字化束的相邻数字化闪束之间形成小于大约1米的数字化束行程的间距。
72.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在数 字化束的相邻数字化闪束之间形成小于大约1cm的数字化束行程的间距。
73.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在数 字化束的相邻数字化闪束之间形成小于大约1mm的数字化束行程的间距。
74.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在数 字化束的相邻数字化闪束之间形成小于大约100nm的数字化束行程的间 距。
75.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在数 字化束的相邻数字化闪束之间形成小于大约10nm的数字化束行程的间 距。
76.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在数 字化束的相邻数字化闪束之间形成小于大约1nm的数字化束行程的间距。
77.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在大 约2nm到12mm的闪束之间形成间距。
78.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置配置用于在闪 束之间形成可变的间距。
79.根据权利要求1所述的室,其中所述相邻的数字化闪束之间的间 距是大致相等的。
80.根据权利要求1所述的室,其中所述相邻的数字化闪束之间的间 距是谐波的。
81.根据权利要求1所述的室,其中所述相邻的数字化闪束之间的间 距是随机的。
82.根据权利要求1所述的室,其中所述多个闪束形成数字化束,所 述数字化束由沿传播轴线纵向的带电离子压缩波构成。
83.根据权利要求1所述的室,其中所述数字化闪束具有工件台处的 三维高斯几何形状。
84.根据权利要求1所述的室,其中所述数字化闪束具有沿着轴线的 梯形横截面。
85.根据权利要求1所述的室,其中所述数字化闪束是三维的,并具 有几何的横截面,所述横截面具有矩形、三角形、圆形或正方形形状。
86.根据权利要求1所述的室,其中所述数字化闪束的电流密度是可 调整的。
87.根据权利要求1所述的室,其中所述数字化闪束的周期是可调整 的。
88.根据权利要求1所述的室,其中所述数字化闪束之间的间距是可 调整的。
89.根据权利要求1所述的室,其中所述数字化闪束的地址布局是可 调整的。
90.根据权利要求1所述的室,其中每个所述数字化闪束的能量是可 调整的。
91.根据权利要求1所述的室,其中每个所述数字化闪束的大小是可 调整的。
92.根据权利要求1所述的室,其中所述偏转反射器由沿着数字化束 传播的光轴的经过准直的偏转电极的阵列构成。
93.根据权利要求1所述的室,其中所述偏转反射器配置用于偏转与 轴线大致垂直的数字化束的数字化闪束。
94.根据权利要求1所述的室,其中所述每个偏转电极台包括至少一 个电极。
95.根据权利要求1所述的室,其中所述每个偏转电极台包括至少两 个电极。
96.根据权利要求1所述的室,其中所述每个偏转电极台包括至少三 个电极。
97.根据权利要求1所述的室,其中所述每个偏转电极台包括至少四 个电极。
98.根据权利要求1所述的室,其中所述偏转电极台的纵向位置是可 调整的。
99.根据权利要求1所述的室,其中所述偏转反射器配置用于将数字 化束的每个数字化闪束或每组数字化闪束设置成三维时空。
100.根据权利要求92所述的室,其中所述偏转电极台适用于使数字 化束的数字化闪束的偏转同步,以便形成数字化束或可调整的虚拟数字化 模版的每个数字化闪束或者每组数字化闪束的分布图案。
101.根据权利要求1所述的室,其中每个所述偏转电极台的电势适用 于与所述数字化束的平均速度同步。
102.根据权利要求1所述的室,其中每个所述偏转电极台的电势适用 于与所述数字化束的速度以谐波方式同步。
103.根据权利要求92所述的室,其中每第二个的偏转电极台配置用 于使数字化束的每个数字化闪束或每组数字化闪束朝向预期的轨道移动。
104.根据权利要求92所述的室,其中每第三个的偏转电极台配置用 于使数字化束的每个数字化闪束或每组数字化闪束朝向预期的轨道移动。
105.根据权利要求92所述的室,其中所述偏转反射器包括N组偏转 电极台,且其中每第N个偏转电极台配置用于使数字化束的每个数字化闪 束或每组数字化闪束朝向预期的轨道移动。
106.根据权利要求1所述的室,其中每个所述偏转电极台的电势适用 于与所述数字化束的每个数字化闪束或每组数字化闪束的速度随机地同 步。
107.根据权利要求1所述的室,其中每个所述偏转电极台的电势适用 于使数字化束的每个数字化闪束或每组数字化闪束朝向预期的轨道部分 地移动。
108.根据权利要求1所述的室,其中一个所述偏转电极台的电势适用 于使数字化束的每个数字化闪束或每组数字化闪束朝向预期的轨道基本 完全地移动。
109.根据权利要求1所述的室,其中多个所述偏转电极台的电势适用 于使数字化束的每个数字化闪束或每组数字化闪束朝向预期的轨道基本 完全地移动。
110.根据权利要求92所述的室,其中沿着轴线的纵向的数字化束的 相邻数字化闪束的相位配置成基本相等的,且其中所述偏转电极台之间的 间距适用于与所述相位同步。
111.根据权利要求92所述的室,其中沿着轴线的纵向的数字化束的 相邻数字化闪束的相位配置成单谐波的,且其中所述偏转电极台之间的间 距适用于与所述相位同步。
112.根据权利要求92所述的室,其中沿着轴线的纵向的数字化束的 相邻的数字化闪束的相位配置成多次谐波的,且其中所述偏转电极台之间 的间距适用于与所述相位同步。
113.根据权利要求92所述的室,其中沿着轴线的纵向的数字化束的 相邻的数字化闪束的相位配置成随机的,且其中所述偏转电极台之间的间 距适用于与所述相位同步。
114.根据权利要求1所述的室,其中所述偏转电极台还包括数字反馈 系统。
115.根据权利要求1所述的室,其中对于所述偏转台电极,场周界被 定义为次偏转场且大小依赖于可变的数字化束的能量。
116.根据权利要求1所述的室,其中对于所述偏转台电极,场周界被 定义为次偏转场且距离光轴中心沿x或y方向具有小于4mm的位移。
117.根据权利要求1所述的室,其中对于所述偏转台电极,场周界被 定义为次偏转场且距离光轴中心沿x或y方向具有小于2mm的位移。
118.根据权利要求1所述的室,其中对于所述偏转台电极,场周界被 定义为次偏转场且距离光轴中心沿x或y方向具有小于1mm的位移。
119.根据权利要求1所述的室,其中对于所述偏转台电极,场周界被 定义为次偏转场且距离光轴中心沿x或y方向具有小于100μm的位移。
120.根据权利要求1所述的室,还包括设置在偏转反射器和工件台之 间的物镜组件。
121.根据权利要求1所述的室,其中所述物镜组件配置用于将数字化 束或可调整的虚拟数字化模版的每个数字化闪束或每组数字化闪束缩小、 聚焦和偏转到工件的表面上。
122.根据权利要求1所述的室,其中所述物镜组件还包括电磁透镜。
123.根据权利要求1所述的室,其中所述物镜组件包括多个偏转板。
124.根据权利要求1所述的室,其中所述物镜组件包括反射式光学元 件。
125.根据权利要求1所述的室,其中所述物镜组件包括反射式光学元 件和衍射透镜的组合。
126.根据权利要求1所述的室,其中所述物镜组件包括反射式光学元 件和偏转电极的组合。
127.根据权利要求1所述的室,其中所述物镜组件包括偏转电极和衍 射透镜的组合。
128.根据权利要求1所述的室,其中所述物镜组件包括至少一个偏转 电极台。
129.根据权利要求128所述的室,其中所述物镜的偏转电极台包括至 少一个电极。
130.根据权利要求1所述的室,其中所述物镜组件配置用于将数字化 束的单个数字化闪束或单组数字化闪束缩小和聚焦小于1000x的缩减因 子。
131.根据权利要求1所述的室,其中所述物镜组件配置用于将数字化 束的单个数字化闪束或单组数字化闪束缩小和聚焦小于100x的缩减因子。
132.根据权利要求1所述的室,其中所述物镜组件配置用于将数字化 束的单个数字化闪束或单组数字化闪束缩小和聚焦小于10x的缩减因子。
133.根据权利要求1所述的室,其中对于所述物镜组件偏转,场周界 被定义为主偏转场且尺寸依赖于可变的数字化束能量。
134.根据权利要求1所述的室,其中对于所述物镜组件偏转,场周界 被定义为主偏转场且距离光轴中心沿x或y方向具有小于10mm的位移。
135.根据权利要求1所述的室,其中对于所述物镜组件偏转,场周界 被定义为主偏转场且距离光轴中心沿x或y方向具有小于4mm的位移。
136.根据权利要求1所述的室,其中对于所述物镜组件偏转,场周界 被定义为主偏转场且距离光轴中心沿x或y方向具有小于2mm的位移。
137.根据权利要求1所述的室,其中对于所述物镜组件偏转,场周界 被定义为主偏转场且距离光轴中心沿x或y方向具有小于1mm的位移。
138.根据权利要求1所述的室,其中对于所述物镜组件偏转,场周界 被定义为主偏转场且距离光轴中心沿x或y方向具有小于100μm的位移。
139.根据权利要求1所述的室,其中工件台配置用于在X、Y和Z轴的 尺度上连续地移动。
140.根据权利要求1所述的室,其中工件台配置用于在垂直于数字化 束的光轴的每个方向上连续地移动直至600mm的尺度。
141.根据权利要求1所述的室,其中工件台配置用于沿着数字化束的 光轴连续地移动直至60mm的尺度。
142.根据权利要求1所述的室,其中工件台包括线性驱动的工件台。
143.根据权利要求1所述的室,其中工件台包括空气轴承工件台。
144.根据权利要求1所述的室,其中工件台包括干涉仪,所述干涉仪 配置用于确定工件台在水平面中的位置。
145.根据权利要求1所述的室,其中工件台包括干涉仪,所述干涉仪 配置用于确定工件台在水平面和垂直轴线中的位置。
146.根据权利要求1所述的室,还包括工件台控制系统,所述工件台 控制系统配置用于测量和调整工件台的x、y和z位置以及偏摆、俯仰和滚 动。
147.根据权利要求146所述的室,其中所述工件台控制系统配置用于 限制工件台的运动。
148.根据权利要求146所述的室,其中所述工件台控制系统配置用于 限制工件台的速度。
149.根据权利要求146所述的室,其中所述工件台控制系统配置用于 限制工件台的位置。
150.根据权利要求146所述的室,其中所述工件台控制系统配置用于 限制工件台的分离力。
151.根据权利要求146所述的室,其中所述工件台控制系统配置用于 限制工件台的高度。
152.根据权利要求146所述的室,其中所述工件台控制系统配置用于 限制工件台的阻力。
153.根据权利要求1所述的室,其中工件台适用于进行全动态写入 (FMW)以在曝光过程中连续地移动。
154.根据权利要求1所述的室,其中工件台配置用于在0.5秒的曝光 过程中不停地移动超过5纳秒。
155.根据权利要求1所述的室,其中工件台配置用于补偿数字化束或 自适应虚拟数字化模版的每个数字化闪束、每组数字化闪束的水平位置。
156.根据权利要求1所述的室,其中工件台配置用于在曝光过程中以 直至40,000rpm的转数旋转工件。
157.根据权利要求1所述的室,其中工件台配置用于以静电方式夹持 工件。
158.根据权利要求1所述的室,其中工件台配置用于温度控制校正。
159.根据权利要求1所述的室,还包括工件对准系统。
160.根据权利要求1所述的室,还包括检测系统,所述检测系统配置 用于检测数字化束的飞行时间。
161.根据权利要求1所述的室,还包括定位传感器。
162.根据权利要求161所述的室,其中所述定位传感器配置用于检测 从工件台或工件上的定位标记入射的发射物。
163.根据权利要求162所述的室,其中所述发射物包括电子。
164.根据权利要求162所述的室,其中所述发射物包括二次离子。
165.根据权利要求161所述的室,其中所述定位传感器配置用于检测 来自工件上的多个定位标记的发射物。
166.根据权利要求161所述的室,其中所述定位传感器配置用于检测 和处理来自多个定位传感器的差分信号。
167.根据权利要求161所述的室,其中所述定位传感器配置用于全局 地检测穿过工件的发射物。
168.根据权利要求161所述的室,其中所述定位传感器配置用于局部 地检测穿过工件的部分的发射物。
169.根据权利要求161所述的室,其中所述定位传感器配置用于检测 来自工件的后侧的发射物。
170.根据权利要求161所述的室,其中所述定位传感器配置用于检测 来自工件的边缘的发射物。
171.根据权利要求161所述的室,其中工件上的所述定位标记包括莫 尔图案。
172.根据权利要求1所述的室,还包括高度控制系统,所述高度控制 系统配置用于测量工件台的高度。
173.根据权利要求172所述的室,其中所述高度控制系统包括激光器 和检测器,所述检测器配置用于接收从激光器发出的和被工件反射的光。
174.根据权利要求172所述的室,其中所述高度控制系统包括激光器 和多个检测器,所述多个检测器配置用于接收从激光器发出的和被工件反 射的光。
175.根据权利要求172所述的室,其中所述高度控制系统适用于通过 调整所述台的升降来补偿工件台的测量高度的变化。
176.根据权利要求175所述的室,其中所述高度控制系统配置用于补 偿小于1微米的高度变化。
177.根据权利要求175所述的室,其中所述高度控制系统包括静电夹 具和压电装置。
178.根据权利要求1所述的室,其中所述工件包括半导体晶片。
179.根据权利要求1所述的室,其中所述工件包括半导体器件。
180.根据权利要求1所述的室,其中所述工件包括光掩模。
181.根据权利要求1所述的室,其中所述工件包括数字化介质盘。
182.一种工件处理设备,包括:
承载室;
权利要求1所述的室;以及
处理室,其中所述处理室从沉积室、蚀刻室和温度调节室中选出。
183.根据权利要求182所述的设备,其中所述处理室从沉积室、蚀刻 室和快速退火室中选出。
184.根据权利要求182所述的设备,其中所述设备包括多个处理室。
185.根据权利要求182所述的设备,还包括工件台控制系统。
186.根据权利要求182所述的设备,还包括反馈系统,所述反馈系统 配置用于基于检测到的位置和图案精度信息调整闪束。
187.根据权利要求186所述的设备,其中所述反馈系统配置用于对彗 差、数字化束的像差、数字化束纯变形、色差、球差和场曲中的至少一种 进行校正。
188.根据权利要求182所述的设备,还包括集成图案数据和束偏转校 正系统。
189.根据权利要求182所述的设备,还包括图案数据转移系统,所述 图案数据转移系统配置用于接收待写入的图案以及产生可用于生成和偏 转数字化束的格式。
190.根据权利要求182所述的设备,还包括图案数据转移系统,所述 图案数据转移系统配置用于将待写入的图案从第一种格式转换成第二种 格式,以对曝光和写策略运算的数据进行运算,并产生可用于生成和偏转 数字化束的第三种格式。
191.根据权利要求182所述的设备,还包括软件,所述软件包括图案 制备软件、图案写入软件、自动处理软件、图案校准软件、图案定位软件、 自动对准软件、自动工艺开发软件和自动度量软件。
192.根据权利要求182所述的设备,还包括运输模块,所述运输模块 配置用于在设备内移动工件。
193.根据权利要求182所述的设备,还包括工件预对准器。
194.根据权利要求193所述的设备,其中所述工件预对准器配置用于 确定工件对准特征的重叠参数。
195.根据权利要求194所述的设备,其中所述重叠参数包括x和y偏移 量。
196.根据权利要求194所述的设备,其中所述重叠参数包括旋转量。
197.根据权利要求182所述的设备,还包括粒子检测器。
198.根据权利要求182所述的设备,还包括温度淬冷站。
199.根据权利要求182所述的设备,还包括用于检索和辨别工件的系 统。
200.根据权利要求182所述的设备,还包括度量站。
201.根据权利要求200所述的设备,其中所述度量站包括二次离子质 谱仪(SIMS)。
202.根据权利要求200所述的设备,其中所述度量站包括扫描电子显 微镜(SEM)。
203.根据权利要求200所述的设备,其中所述度量站包括二维激光扫 描成像仪。
204.根据权利要求200所述的设备,其中所述度量站包括三维激光成 像激光雷达(LADAR)。
205.根据权利要求200所述的设备,其中所述度量站包括热成像仪。
206.根据权利要求200所述的设备,其中所述度量站包括毫米波成像 仪。
207.根据权利要求200所述的设备,其中所述度量站包括工件成像仪。
208.根据权利要求200所述的设备,其中所述度量站包括照相机。
209.根据权利要求200所述的设备,其中所述度量站包括能量色散分 析仪(EDS)。
210.根据权利要求200所述的设备,其中所述度量站包括波长色散分 析仪(WDS)。
211.根据权利要求182所述的设备,其中所述处理室包括温度控制系 统,所述温度控制系统包括自动控制硬件和软件。
212.根据权利要求182所述的设备,其中所述处理室包括压力控制系 统,所述温度控制系统包括自动控制硬件和软件。
213.根据权利要求212所述的设备,其中所述压力控制系统配置用于 控制处理室中的气体种类的部分的压力。
214.根据权利要求182所述的设备,其中所述承载室适用于接受前端 开口片盒(FOUP)。
215.根据权利要求182所述的设备,其中所述承载室配置用于处理多 个工件。
216.根据权利要求182所述的设备,其中所述室被安装到振动隔离系 统上。
217.根据权利要求216所述的设备,其中所述振动隔离系统包括主动 阻尼。
218.根据权利要求216所述的设备,其中所述振动隔离系统包括被动 阻尼。
219.根据权利要求216所述的设备,其中所述振动隔离系统包括主动 阻尼和被动阻尼。
220.根据权利要求182所述的处理设备,其中所述工件被从初始状态 加工为基本完成的状态,而不需要将工件从设备中去除。
221.根据权利要求220所述的处理设备,其中所述初始状态包括裸衬 底。
222.根据权利要求220所述的处理设备,其中所述初始状态包括含有 沉积的氧化物层的衬底。
223.根据权利要求220所述的处理设备,其中所述初始状态包括含有 表面上的抗蚀剂材料的衬底。
224.根据权利要求220所述的处理设备,其中所述初始状态包括含有 表面上的抗蚀剂材料和沉积的氧化物层的组合的衬底。
225.根据权利要求220所述的处理设备,其中所述初始状态包括制备 有覆盖工件表面的相互作用的涂层的衬底。
226.根据权利要求220所述的处理设备,其中所述初始状态包括制备 有覆盖工件表面的非相互作用的涂层的衬底。
227.根据权利要求220所述的处理设备,其中所述基本完成的状态包 括至少一个工艺层。
228.根据权利要求220所述的处理设备,其中所述基本完成的状态包 括至少一个临界层。
229.根据权利要求220所述的处理设备,其中所述基本完成的状态包 括数字化束对晶片表面的部分曝光。
230.根据权利要求220所述的处理设备,其中所述基本完成的状态包 括至少一个器件。
231.根据权利要求220所述的处理设备,其中所述基本完成的状态包 括至少一个准备钝化的器件。
232.根据权利要求220所述的处理设备,其中所述基本完成的状态包 括不需要其他工艺层的完全完成的工件。
233.一种处理工件的方法,所述方法包括步骤:
将工件的部分用带电粒子在曝光室中曝光,所述曝光包括:
形成带电粒子流;
沿着轴线准直和传播所述带电粒子流;
将所述带电粒子流数字化为在时间上和空间上被分解的数字化 闪束的数字化束,每个数字化闪束包括至少一个带电粒子;
采用沿着所述轴线纵向设置的一系列偏转电极台在次偏转场内 偏转所述数字化束,以使得所述数字化闪束、所述数字化闪束组形成图案 化分布,所述图案化分布包括三维自适应虚拟数字化模版;
缩小并聚焦由所述数字化束形成的图案;以及
在主偏转场的周界内将数字化闪束或数字化闪束组或自适应虚 拟数字化模版的图案化分布偏转到所述工件表面上。
234.根据权利要求233所述的方法,还包括:
在曝光之后,将所述工件转移到所述设备的处理室;以及
在处理室中处理工件的被曝光部分。
235.根据权利要求233所述的方法,还包括:
在曝光之后,将所述工件转移到所述设备的分离室;以及
在处理室中处理工件的被曝光部分。
236.根据权利要求233所述的方法,还包括:
在曝光之后,将所述工件转移到所述设备外部的处理室。
237.根据权利要求233所述的方法,还包括:
在曝光之后,将所述工件转移到所述设备外部的处理室;以及
处理工件的被曝光部分;以及
使工件返回用于进一步曝光。
238.根据权利要求233所述的方法,还包括:
在曝光之后,将所述工件转移到所述设备的处理室;以及
在处理室中处理工件的未被曝光部分。
239.根据权利要求233所述的方法,还包括:
在曝光之后,将所述工件转移到所述设备的分离室;以及
在处理室中处理工件的未被曝光部分。
240.根据权利要求233所述的方法,还包括:
在曝光之后,将所述工件转移到所述设备外部的处理室;以及
处理工件的未被曝光部分;以及
使工件返回用于进一步曝光。
241.根据权利要求233所述的方法,其中所述工件包括半导体晶片。
242.根据权利要求233所述的方法,其中所述工件包括半导体器件。
243.根据权利要求233所述的方法,其中所述工件包括光掩模。
244.根据权利要求233所述的方法,其中所述工件包括数字化介质盘。
245.根据权利要求233所述的方法,其中所述数字化步骤包括聚束。
246.根据权利要求233所述的方法,其中所述数字化步骤包括将电压 以射频(RF)施加到一系列电极上。
247.根据权利要求246所述的方法,其中所述RF配置用于匹配带电 粒子流的平均速度。
248.根据权利要求233所述的方法,其中所述数字化步骤包括熄灭。
249.根据权利要求233所述的方法,其中所述偏转步骤包括选择性地 施加横跨偏转电极台的电压。
250.根据权利要求249所述的方法,其中所述选择性地施加电压步骤 包括将大电压施加到第一偏转电极台,而将较小的电压施加到其它偏转电 极台。
251.根据权利要求249所述的方法,其中所述选择性地施加电压步骤 包括将小电压施加到第一偏转电极台,而将较大的电压施加到其它偏转电 极台。
252.根据权利要求249所述的方法,其中所述选择性地施加电压步骤 包括将大致相等的电压施加到每个偏转电极台。
253.根据权利要求248所述的方法,其中所述熄灭步骤包括将数字化 束的每个数字化闪束的上升时间用于束熄灭的前沿。
254.根据权利要求248所述的方法,其中所述熄灭步骤包括将数字化 束的每个数字化闪束的下降时间用于束熄灭的后沿。
255.根据权利要求248所述的方法,其中所述偏转步骤包括使数字化 束的每个数字化闪束之间的波腹周期与偏转周期同步。
256.根据权利要求248所述的方法,还包括通过利用定位栅格上测量 的偏转位移测量微分台位置,来采用反馈移动保持工件的工件台。
257.根据权利要求248所述的方法,还包括使工件在1秒的时间周期 中移动过大约50厘米的尺度。
258.根据权利要求248所述的方法,其中所述工件在每0.5秒中不停 地移动超过5纳秒。
259.根据权利要求248所述的方法,其中缩小步骤包括将数字化闪束 的宽度减小和聚焦到小于大约200nm。
260.根据权利要求248所述的方法,其中缩小步骤包括将数字化闪束 的宽度减小和聚焦到小于大约50nm。
261.根据权利要求248所述的方法,其中缩小步骤包括将数字化闪束 的宽度减小和聚焦到小于大约10nm。
262.根据权利要求248所述的方法,其中缩小步骤包括将数字化闪束 的宽度减小和聚焦到小于大约5nm。
263.根据权利要求248所述的方法,其中缩小步骤包括将数字化闪束 的宽度减小和聚焦到小于大约1nm。
264.根据权利要求1所述的设备,其中所述数字化束能够实现多图案 曝光策略,以优化每个数字化闪束中的、数字化闪束组中的、或自适应虚 拟数字化模版中的曝光剂量、种类、图案质量和束能量。
265.根据权利要求264所述的设备,其中所述数字化束能够在写策略 内离散地修改每个数字化闪束中的曝光剂量、种类、图案质量和束能量。
266.根据权利要求248所述的方法,还包括采用数字化束图案曝光策 略,所述曝光策略包括:主场中的矢量扫描;次场中的矢量扫描;以及在 待曝光的特征内的单通道中的光栅扫描,且其中包括曝光坐标的像素是数 字化束的束斑尺寸的一部分。
267.根据权利要求248所述的方法,还包括采用数字化束图案曝光策 略,所述曝光策略包括:主场中的矢量扫描;次场中的矢量扫描;以及在 待曝光的特征内的单通道中的光栅扫描,且其中包括曝光坐标的像素等于 数字化束的束斑尺寸。
268.根据权利要求248所述的方法,还包括采用数字化束图案曝光策 略,所述曝光策略包括:主场中的矢量扫描;次场中的矢量扫描;以及以 在待曝光的特征内的单通道改变两个横轴X和Y中的像素的光栅扫描,且 其中包括曝光坐标的像素是数字化束的束斑尺寸的一部分。
269.根据权利要求248所述的方法,还包括采用数字化束图案曝光策 略,所述曝光策略包括:主场中的矢量扫描;次场中的矢量扫描;以及在 包括一系列通道中的交叉隔行像素的特征内的光栅扫描,每个所述通道在 X和Y轴上与其他通道偏移一个写地址片段,以获得复合像素阵列。
270.根据权利要求248所述的方法,还包括采用数字化束图案曝光策 略,所述曝光策略包括:主场中的矢量扫描;次场中的矢量扫描;以及在 包括一系列通道中的交叉隔行像素的特征内的光栅扫描,每个所述通道在 X和Y轴上与其他通道偏移一个写地址片段,所述数字化束的束斑尺寸大 于所述像素地址,以获得复合像素阵列。
271.根据权利要求248所述的方法,还包括采用数字化束图案曝光策 略,所述曝光策略包括:主场中的矢量扫描;次场中的矢量扫描;以及在 特征内以形成多个偏移复合特征图案的方式的光栅扫描,所述方式包括在 X和Y轴上的交叉隔行像素,并针对具有偏移的多个偏移图案中的每个重 复光栅扫描,所述偏移是像素地址的一个片段,所述数字化束的束斑尺寸 大于所述像素地址,以获得每个复合像素阵列。
272.根据权利要求248所述的方法,还包括:采用数字化束图案曝光 策略,所述曝光策略包括:主场中的矢量扫描;次场中的矢量扫描;以及 在特征内以形成多个偏移复合特征图案的方式的光栅扫描,所述方式包括 在X和Y轴上的交叉隔行像素,并针对具有偏移的多个偏移图案中的每个 重复光栅扫描,所述偏移是像素地址的一个片段,所述数字化束的束斑尺 寸大于所述像素地址,以获得每个复合像素阵列;以及采用用于数字化束 的束剂量,所述束剂量被改变用于形成0%~100%的多级像素强度。
273.一种用于从工件蚀刻材料的处理方法,所述方法包括如下步骤:
将含有带电粒子的数字化束引导到第一室中的图案中的工件上;
将所述工件转移到第二室中;以及
应用反应气体蚀刻工件表面上的被数字化束曝光的区域。
274.一种用于将材料沉积到工件上的处理方法,所述方法包括如下 步骤:
将含有带电粒子的数字化束引导到第一室中的图案中的工件上;
将所述工件转移到第二室中;以及
应用反应气体将材料沉积在工件表面上的被数字化束曝光的区域上。
275.一种用于将材料注入到工件中的处理方法,所述方法包括:
将含有带电粒子的数字化束引导到曝光室中的图案中的工件上。
276.根据权利要求273所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1017个带电粒子/cm2。
277.根据权利要求273所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1016个带电粒子/cm2。
278.根据权利要求273所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1014个带电粒子/cm2。
279.根据权利要求273所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1013个带电粒子/cm2。
280.根据权利要求273所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1012个带电粒子/cm2。
281.根据权利要求273所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1011个带电粒子/cm2。
282.根据权利要求273所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1010个带电粒子/cm2。
283.根据权利要求274所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1017个带电粒子/cm2。
284.根据权利要求274所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1016个带电粒子/cm2。
285.根据权利要求274所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1014个带电粒子/cm2。
286.根据权利要求274所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1013个带电粒子/cm2。
287.根据权利要求274所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1012个带电粒子/cm2。
288.根据权利要求274所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1011个带电粒子/cm2。
289.根据权利要求274所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1010个带电粒子/cm2。
290.根据权利要求275所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1017个带电粒子/cm2。
291.根据权利要求275所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1016个带电粒子/cm2。
292.根据权利要求275所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1014个带电粒子/cm2。
293.根据权利要求275所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1013个带电粒子/cm2。
294.根据权利要求275所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1012个带电粒子/cm2。
295.根据权利要求275所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1011个带电粒子/cm2。
296.根据权利要求275所述的方法,其中曝光数字化束的剂量小于大 约5×1010个带电粒子/cm2。
297.根据权利要求273所述的方法,其中所述从工件蚀刻材料在不使 用气体、化学抗蚀剂或光刻图案化掩模版的情况下在曝光室中单独出现。
298.根据权利要求273所述的方法,其中所述从工件蚀刻材料在使用 气体作为多重反应物的情况下在曝光室中单独出现。
299.根据权利要求273所述的方法,其中所述蚀刻步骤包括在被数字 化束曝光的区域中,利用温度和反应气体进行从工件的材料的图案化蚀 刻。
300.根据权利要求273所述的方法,其中所述处理步骤包括用数字化 束曝光抗蚀剂。
301.根据权利要求274所述的方法,其中所述处理步骤包括在曝光室 中被曝光的工件区域中,将材料沉积在工件上。
302.根据权利要求274所述的方法,其中所述处理步骤包括在不使用 化学抗蚀剂或光刻图案化掩模版(掩模)的情况下,在被工件的数字化束 曝光的区域中,将材料图案化地沉积在工件上。
303.根据权利要求274所述的方法,其中所述处理步骤包括在被工件 的数字化束曝光的区域中,利用温度和前驱气体的辅助,通过材料生长的 多核活化沉积过程,将材料图案化地沉积在工件上。
304.根据权利要求274所述的方法,其中所述处理步骤包括在被数字 化束曝光的区域中,利用升高的温度和多前驱气体的辅助,通过材料生长 的多核活化沉积过程,将材料图案化地沉积在工件上。
305.根据权利要求274所述的方法,其中所述处理步骤包括在被工件 的数字化束曝光的区域中,利用升高的温度和前驱气体的辅助,通过材料 生长的多原子层沉积过程,将材料图案化地沉积在工件上。
306.根据权利要求274所述的方法,其中所述处理步骤包括在被工件 的数字化束曝光的区域中,利用温度和多前驱气体的辅助,通过材料生长 的多原子层沉积的活化沉积过程,将材料图案化地沉积在工件上。
307.根据权利要求275所述的方法,其中所述处理步骤包括在不使用 化学抗蚀剂或者光刻图案化掩模版(掩模)的情况下,在曝光的区域中, 将数字化束材料图案化地沉积在工件上。
308.根据权利要求275所述的方法,其中所述处理步骤包括在不使用 化学抗蚀剂或者光刻图案化掩模版(掩模)的情况下,在工件的曝光区域 中,将数字化束材料图案化地注入到工件上。
309.根据权利要求275所述的方法,其中所述处理步骤包括在工件表 面上的化学气体活化的辅助下,在被曝光的工件区域中,将数字化束材料 图案化地注入到工件上。
310.根据权利要求275所述的方法,其中所述处理步骤包括对工件的 曝光区域中的分子进行退火。
311.根据权利要求234所述的方法,其中所述曝光步骤还包括对工件 上的抗蚀剂部分进行曝光,且其中所述处理步骤包括去除抗蚀剂的被曝光 的或者没有被曝光的部分。
312.根据权利要求233所述的方法,还包括对工件上的数字化介质盘 的布局图进行曝光。
313.根据权利要求233所述的方法,还包括对工件上的集成电路的布 局图进行设计。
314.根据权利要求233所述的方法,其中曝光、转移和处理的工序配 置用于对集成电路进行充分加工。
315.根据权利要求314所述的方法,其中曝光和所述工序在少于大约 1个月内进行。
316.根据权利要求314所述的方法,其中曝光和所述工序在少于大约 1周内进行。
317.根据权利要求314所述的方法,其中曝光和所述工序在少于大约 2天内进行。
318.根据权利要求314所述的方法,其中曝光和所述工序在少于大约 1天内进行。
319.根据权利要求314所述的方法,其中曝光和所述工序在少于大约 1小时内进行。
320.根据权利要求314所述的方法,其中曝光和所述工序在少于大约 10分钟内进行。
321.根据权利要求314所述的方法,其中曝光和所述工序在少于大约 1分钟内进行。
322.根据权利要求314所述的方法,其中曝光和所述工序在少于大约 10秒钟内进行。
323.根据权利要求314所述的方法,其中曝光和所述工序在少于大约 1秒钟内进行。
324.根据权利要求234所述的方法,其中曝光、转移和处理的工序配 置用于对集成电路进行部分地加工。
325.根据权利要求234所述的方法,其中曝光还包括测试工件的参数。
326.根据权利要求233所述的方法,还包括在曝光过程中将气体喷射 到工件附近。
327.一种处理工件的方法,所述方法包括如下步骤:
以数字化束曝光工件,所述工件在曝光过程中是无抗蚀剂的;
在曝光后处理所述工件,其中所述处理是从沉积、蚀刻和快速退火中 选出的;
在处理之后,以数字化束第二次曝光所述工件,所述工件在第二次曝 光中是无抗蚀剂的;且
在第二次曝光之后,对所述工件进行第二次处理,其中所述处理是从 沉积、蚀刻和快速退火中选出的。
328.根据权利要求327所述的方法,其中所述曝光和第二次曝光包括 利用带电粒子的数字化束曝光。
329.根据权利要求327所述的方法,其中所述曝光、处理、第二次曝 光和第二次处理在不离开设备的情况下进行。
330.根据权利要求327所述的方法,其中所述曝光和第二次曝光是不 同的。
331.根据权利要求327所述的方法,其中所述多个曝光和处理步骤形 成基本完成的工艺层。
332.根据权利要求327所述的方法,其中所述多个曝光和处理步骤形 成基本完成的工件。
333.根据权利要求332所述的方法,其中所述形成基本完成的工件的 多个曝光和处理步骤在少于大约1周内进行。
334.根据权利要求332所述的方法,其中所述形成基本完成的工件的 多个曝光和处理步骤在少于大约2天内进行。
335.根据权利要求332所述的方法,其中所述形成基本完成的工件的 多个曝光和处理步骤在少于大约1天内进行。
336.根据权利要求332所述的方法,其中所述形成基本完成的工件的 多个曝光和处理步骤在少于大约1个小时内进行。
337.一种用于将至少一种掺杂剂注入工件中的方法,所述方法包括:
将含有至少一个离子种类的数字化束引导到所述工件上;和
在引导过程中,变更数字化束的至少一个参数。
338.根据权利要求337所述的方法,其中所述参数是离子种类。
339.根据权利要求337所述的方法,其中所述参数是束能量。
340.根据权利要求339所述的方法,其中变更束能量的步骤包括在大 约5keV和500keV之间改变束能量。
341.根据权利要求339所述的方法,其中变更束能量的步骤包括在大 约5和200keV之间改变束能量。
342.根据权利要求339所述的方法,其中在工件上的大约20nm的区 域内执行束能量变更。
343.根据权利要求337所述的方法,其中所述参数是数字化束中的带 电粒子密度。
344.根据权利要求337所述的方法,其中所述变更步骤在工件上的晶 体管内进行。
345.根据权利要求337所述的方法,其中所述变更步骤在工件上的管 芯内进行。
346.根据权利要求327所述的方法,还包括将工件转移到承载室。
347.根据权利要求327所述的方法,还包括采用包含多个处理室的设 备。
348.根据权利要求327所述的方法,还包括采用从沉积室、蚀刻室和 快速退火室中选出的处理室。
349.一种加工辐射硬化的包括源极和漏极的晶体管的方法,所述方 法包括:
用在时间上和空间上被分解的数字化闪束的数字化束对工件的部分 进行曝光,所述每个数字化闪束包括至少一个带电粒子,所述数字化闪束 产生注入;
在单层工艺步骤内的源漏区域表面的水平间距上改变所述闪束的势 能,由此结合轻掺杂漏极。
350.根据权利要求349所述的方法,其中晶体管包括硅晶体管。
351.根据权利要求349所述的方法,其中改变闪束注入能是在5和 200KeV之间变化的。
352.一种加工辐射硬化的包括源极和漏极的晶体管的方法,所述方 法包括:
用在时间上和空间上被分解的数字化闪束的数字化束对工件的部分 进行曝光,所述每个数字化闪束包括至少一个带电粒子,所述数字化闪束 产生注入,
其中所述闪束的注入包括在单层工艺步骤中的源漏区域表面中注入 的一个种类或者多个种类,由此结合轻掺杂漏极。
353.根据权利要求352所述的方法,其中闪束注入包括在单层工艺步 骤中的单个种类。
354.根据权利要求352所述的方法,其中闪束注入包括在单层工艺步 骤中的多个种类。
355.根据权利要求352所述的方法,其中晶体管包括硅晶体管。
356.一种加工辐射硬化的包括漏极的晶体管的方法,所述方法包括:
用在时间上和空间上被分解的数字化闪束的数字化束对工件的部分 进行曝光,所述每个数字化闪束包括至少一个带电粒子,所述数字化闪束 产生注入;
仅在单层工艺步骤内的漏区域表面的水平间距上改变所述闪束的势 能。
357.根据权利要求356所述的方法,其中闪束注入在沟道边缘上产生 浅结,而在触点下设置深结。
358.根据权利要求356所述的方法,其中晶体管包括硅晶体管。
359.根据权利要求356所述的方法,其中改变闪束注入能是在在5和 200KeV之间变化的。
360.根据权利要求359所述的方法,其中闪束注入产生轻掺杂漏极。
361.一种加工辐射硬化的包括漏极的晶体管的方法,所述方法包括:
用在时间上和空间上被分解的数字化闪束的数字化束对工件的部分 进行曝光,所述每个数字化闪束包括至少一个带电粒子,所述数字化闪束 产生注入;
仅在单层工艺步骤内的漏区域表面的水平间距上改变所述闪束的剂 量。
362.根据权利要求361所述的方法,其中晶体管包括硅晶体管。
363.根据权利要求361所述的方法,其中改变闪束注入能是在5和 200KeV之间变化的。
364.根据权利要求361所述的方法,其中闪束注入在沟道边缘上产生 浅结,而在触点下设置深结。
365.根据权利要求361所述的方法,其中闪束注入产生轻掺杂漏极。
366.一种加工辐射硬化的包括具有氧化物周界的结的器件的方法, 所述方法包括:
用在时间上和空间上被分解的数字化闪束的数字化束对工件的部分 进行曝光,所述每个数字化闪束包括至少一个带电粒子,所述数字化闪束 产生注入;
通过在单层工艺步骤内增加较厚的氧化物下的剂量,在所述结的氧化 物周界周围径向的水平间距上改变所述闪束的剂量,由此结合保护环壁 垒。
367.一种加工辐射硬化的包括具有氧化物周界的结的器件的方法, 所述方法包括:
用在时间上和空间上被分解的数字化闪束的数字化束对工件的部分 进行曝光,所述每个数字化闪束包括至少一个带电粒子,所述数字化闪束 产生注入,
其中所述闪束注入包括在单层工艺步骤内的所述结的氧化物周界周 围径向地注入的一个种类或多个种类,由此结合保护环壁垒。
368.根据权利要求367所述的方法,其中闪束注入包括在单层工艺步 骤中的一个种类。
369.根据权利要求367所述的方法,其中闪束注入包括在单层工艺步 骤中的多个种类。
370.一种加工辐射硬化的包括具有氧化物周界的结的器件的方法, 所述方法包括:
用在时间上和空间上被分解的数字化闪束的数字化束对工件的部分 进行曝光,所述每个数字化闪束包括至少一个带电粒子,所述数字化闪束 产生注入;
通过在单层工艺步骤内增加较厚的氧化物下的能量,在所述结的氧化 物周界周围径向的水平间距上改变所述闪束的势能,由此结合保护环壁 垒。
371.一种加工辐射硬化的包括具有氧化物周界的结的器件的方法, 所述方法包括:
用在时间上和空间上被分解的数字化闪束的数字化束对工件的部分 进行曝光,所述每个数字化闪束包括至少一个带电粒子,所述数字化闪束 产生注入;
改变在单层工艺步骤内的晶体管之间的闪束的剂量,由此结合横向无 定形隔离壁垒。
372.根据权利要求371所述的方法,其中所述晶体管包括p型晶体管。
373.根据权利要求1所述的室,其中所述束数字化装置包括布拉德伯 里-尼尔森栅极(BNG)粒子束调制装置,所述调制装置配置用于熄灭所 述带电粒子流。
374.根据权利要求220所述的设备,其中所述初始状态包括在形成作 为特定的器件的一部分的层之前的半导体晶片。
375.根据权利要求374所述的设备,其中最终状态包括在形成所述的 特定器件之后的所述半导体晶片。
376.一种用于用带电粒子对工件进行曝光的室,所述室包括:
带电粒子源,所述带电粒子源用于生成带电粒子流;
准直器,配置用于沿着轴线准直和引导来自带电粒子源的带电粒子 流;
位于准直器下游的束数字化装置,所述束数字化装置配置用于通过调 整沿着所述轴线的带电粒子之间的纵向间距,来形成包括至少一个带电粒 子的组的数字化束;
位于所述束数字化装置下游的偏转反射器,所述偏转反射器包括一系 列的沿着所述轴线纵向设置的偏转电极台,以偏转所述带电粒子组;以及
位于偏转反射器的下游的工件台,所述工件台配置用于保持工件。
377.一种设备,所述设备在不将工件从设备中去除的情况下将工件 从初始状态处理成基本完成的状态,所述设备包括:
承载室;
权利要求1所述的室;以及
处理室。
378.一种在设备中处理工件的方法,所述方法包括步骤:
将工件的部分用带电粒子在曝光室中曝光,所述曝光包括:
形成带电粒子流;
将所述带电粒子流沿着轴线准直和传播;
将所述带电粒子流数字化为包括至少一个带电粒子的数字化束;
采用沿着所述轴线纵向设置的一系列偏转电极台偏转所述数字 化束;
缩小所述数字化束;以及
将被缩小的数字化束引导到所述工件上。
379.一种处理工件的方法,所述方法包括步骤:
曝光工件,所述工件在曝光过程中是无抗蚀剂的;
在曝光后处理所述工件,其中所述处理从沉积、蚀刻和快速退火中选 出;
在处理之后,第二次曝光所述工件,所述工件在第二次曝光中是无抗 蚀剂的;且
在第二次曝光之后,对所述工件进行第二次处理,其中所述处理从沉 积、蚀刻和快速退火中选出。
380.一种用于将至少一种掺杂剂注入工件中的方法,所述方法包括 步骤:
将包括至少一个离子种类的束引导到所述工件上;以及
在引导过程中,变更束的至少一个参数。
381.一种用于从工件蚀刻材料的方法,所述方法包括:
将含有带电粒子的束引导到第一室中的图案中的工件表面上,以便对 工件表面的部分进行化学改性;
将所述工件转移到第二室中;以及
将蚀刻剂应用于工件,所述蚀刻剂与化学改性部分反应,以使得材料 去除。
382.一种用于将材料沉积到工件上的方法,所述方法包括:
将含有带电粒子的束引导到第一室中的图案中的工件表面上,以便对 工件表面的部分进行化学改性;
将所述工件转移到第二室中;以及
将蚀刻剂应用于工件,所述蚀刻剂与化学改性部分反应,以使材料沉 积。
本发明涉及半导体制造,更具体地涉及用于引导写半导体制造的方法 和设备。
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