Method of manufacturing aluminium nitride crystals for semiconductor devices
专利汇可以提供Method of manufacturing aluminium nitride crystals for semiconductor devices专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且A method of forming aluminum nitride single crystals of large area and silicon carbide-aluminum nitride heterojunctions using a modified Lely method. Aluminum nitride is introduced, as a vapor phase, into a furnace containing a plate-shaped monocrystal of silicon carbide at a temperature between 1800* and 2300* C. At those temperatures, aluminum nitride recrystallizes and condenses to deposit epitaxially on the silicon carbide. If the silicon carbide is of one conductivity type, the aluminum nitride can be suitably doped to be of the opposite conductivity type whereby a heterojunction is formed.，下面是Method of manufacturing aluminium nitride crystals for semiconductor devices专利的具体信息内容。
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