一种MEMS器件的分离方法
专利汇可以提供一种MEMS器件的分离方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种MEMS器件的分离方法。该方法通过破坏分布在MEMS器件边缘与 硅 片 框架 相连的分离连接结构，直接将预先设定形状的MEMS器件从 硅片 上摘取分离。本发明由于不涉及金属切割或 激光切割 步骤，避免了切割方法中的振动、冲击以及被高分子黏附膜的黏附时导致的可动结构失效问题，提高了器件成品率。本发明通过设计多个分离连接结构及采用 光刻 工艺，使得器件的形状可以为设计的任意图形，不再局限于切割刀可操作的形状。此外，可以保证带器件硅片的安全彻底清洗，从而保证器件表面良好的光洁度，进一步提高器件可靠性。本发明可利用在MEMS器件的批量制作，降低芯片制作的成本。，下面是一种MEMS器件的分离方法专利的具体信息内容。
1.一种MEMS器件的分离方法，其特征在于通过破坏分离连接结构（2）直接将预先设定器件形状的MEMS器件从硅片（1）上摘取分离，其中需分离的器件形状（3）通过分布在其边缘的n(n>1)个分离连接结构（2）与硅片框架相连。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件的分离方法，其中硅片（1）可为SOI硅片。
3.根据权利要求1或2所述的MEMS器件的分离方法，其中需分离的器件形状（3）为按照器件要求设计的任意形状。
4.根据权利要求1或2所述的MEMS器件的分离方法，其中器件的分离连接结构（2）的形状为中间窄两头宽的预定图形。
5.根据权利要求1所述的MEMS器件的分离方法，其中分离连接结构（2）和器件形状（3）是用光刻方法在硅片（1）上形成的。
6.根据权利要求1或2所述的MEMS器件的分离方法，其中不涉及金属切割或激光切割。
一种MEMS器件的分离方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
步骤2：在硅片材料需要制作器件结构的表面上首先采用光刻工艺将需要分离的器件形状3及分离连接结构2的图形制作出，并用DRIE工艺深反应离子刻蚀工艺刻蚀几um至几十um的浅槽。待分离的器件形状3可以在制作的掩膜版上的任意设计，如图中显示是椭圆的器件形状，但其它如圆形，方形等均可以按照器件要求设计。同时器件的分离结构2具有中间窄两头宽的预定图形，如图所示的圆锥型结构，该分离结构2分布在器件形状3的边缘，作为最终器件芯片与硅片框架间的连接结构。通过破坏该连接结构2非常容易简便的将芯片直接摘取下来，而不破坏器件可动结构；
步骤3：利用其它工艺方法制作出悬空或者不悬空的MEMS正面结构；
步骤4：采用一块衬底硅片4（辅助衬底4），涂覆一层粘结剂，将做好正面MEMS结构的硅片1贴于辅助衬底4上，并采用光刻工艺将器件硅片1的背面制作出背面释放刻蚀区域图形，利用DRIE工艺刻蚀到正面的器件分离连接结构2；
步骤5：利用去除粘结剂将带芯片的硅片1和辅助衬底4分离，清洗带器件硅片。由于器件芯片3由器件分离结构2连接在硅片框架上，因此能够比较方便的进行带芯片硅片的清洗。
步骤2：在SOI硅片的器件层上制作需要分离的器件形状3及器件分离连接结构2，并利用DRIE工艺直接刻蚀到器件的埋氧层；
步骤3，在器件区域制作MEMS器件及刻蚀结构；如果步骤2和步骤3刻蚀深度相同，则可以同步进行制作；也可在该步骤单独将器件结构释放制作出可动结构；
步骤4：器件硅片1与衬底圆片4利用粘结剂粘结，并在背面制作出释放结构图形，利用DRIE设备刻蚀SOI的背面衬底硅到埋氧层；
步骤5：利用去除粘结剂以便将衬底4与器件硅片1分离并清洗器件硅片。器件硅片1上制作好的MEMS器件3均由器件分离连接结构2连接在硅片的框架上；
步骤6：将合格的MEMS芯片通过破坏分离连接结构2的方法，直接从器件硅片1上摘取出使用。
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