표면 처리 동박, 캐리어가 부착된 동박, 기재, 수지 기재, 적층체, 프린트 배선판, 전자 기기 및 프린트 배선판의 제조 방법{SURFACE-TREATED COPPER FOIL, COPPER FOIL WITH CARRIER, SUBSTRATE, RESIN SUBSTRATE, LAMINATE, PRINTED CIRCUIT BOARD, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING PRINTED CIRCUIT BOARD}

본 발명은, 표면 처리 동박, 캐리어가 부착된 동박, 기재, 수지 기재, 적층체, 프린트 배선판, 전자 기기 및 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.

반도체 패키지 기판 및 프린트 배선 기판의 회로 형성 공법은 서브트랙티브 공법이 주류이다. 그러나, 최근, 반도체의 고집적화에 수반하여, 그것에 사용되는 반도체 패키지 기판, 프린트 배선 기판의 회로의 미세화가 진전되어, 서브트랙티브 공법에서의 미세 회로 형성이 곤란해지고 있다.

가일층의 미세 배선화에 대한 대응으로서, 극박 동박을 급전층으로서 패턴 구리 도금을 실시하고, 마지막에 극박 동층을 플래시 에칭에 의해 제거하여 배선 형성하는 회로 형성 공법 (1), 프리프레그나 빌드업 필름을 진공 프레스 등으로 경화시키고, 그 표면을 조면화하여, 기재면에 적절한 요철을 형성시킴으로써, 신뢰성이 있는 미세 배선을 형성하는 회로 형성 공법 (2), 동박 표면 프로파일을 기재 표면에 전사시켜, 기재 표면에 적절한 요철을 형성시킴으로써, 신뢰성이 있는 미세 배선을 형성하는 회로 형성 공법 (3) 이 주목받고 있다. 이들의 공법은 일반적으로 SAP 공법 (세미 애디티브 공법) 이라고 불린다.

동박 표면의 프로파일을 사용한 SAP 공법은, 예를 들어 특허문헌 1 에 기재되어 있다. 이와 같은 동박 표면의 프로파일을 사용한 전형적인 SAP 공법의 예로서는, 다음을 들 수 있다. 즉, 수지에 적층한 동박을 전체면 에칭하고, 에칭 기재면을 천공하고, 천공부 및 기재의 전체면 혹은 일부에 디스미어 처리를 실시하고, 천공부의 에칭면에 드라이 필름을 첩부하고, 회로를 형성하지 않는 부분의 드라이 필름을 노광·현상하고, 드라이 필름 불요부를 약액으로 제거하고, 드라이 필름의 피복되어 있지 않은 동박 표면 프로파일이 전사한 에칭 기재면에 무전해 구리 도금, 전기 구리 도금을 실시하고, 최종적으로 무전해 구리 도금층을 플래시 에칭에 의해 제거하여 미세 배선을 형성한다는 것이다.

여기서, 상기와 같이, 수지 기재에 대한 천공은, 일반적으로 레이저 가공으로 실시되고 있다. 이 때, 수지 기재에 생긴 구멍의 벽면에 수지 잔류물 (스미어) 이 생긴다. 이 스미어는, 스루홀, 블라인드 비아 내의 구리 도금 불량의 원인이 된다. 당해 구리 도금 불량은, 도통 불량의 원인이 되어, 프린트 배선판의 품질 불량을 일으킬 우려가 있다. 그래서, 스미어를 제거하기 위해, 상기와 같은 디스미어 처리를 실시하고 있다.

그러나, 상기 디스미어 처리에 의해, 수지 기재의 스루홀, 블라인드 비아 이외의 수지 부분도 침식되어 버려, 수지의 요철이 부적절한 것이 되어, 당해 수지 기재와 구리 회로의 밀착력이 저하된다는 문제가 있었다.

그래서, 본 발명은, 디스미어 처리를 실시해도 원하는 요철 형상을 가지며, 또한, 무전해 구리 도금 피막의 양호한 밀착력을 실현하는 동박 제거 후 기재면의 프로파일 형상을 부여할 수 있는 표면 처리 동박을 제공하는 것을 과제로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명자들은 예의 연구를 거듭한 결과, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합 (貼合) 하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때에, 수지 기재의 동박 제거측 표면의 흰색부 또는 흑색부가 소정의 형태가 되도록 제어함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아냈다.

본 발명은 상기 지견을 기초로 하여 완성한 것이며, 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부 평균이 0.14 ∼ 0.70 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부 평균이 0.16 ∼ 0.65 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부 최대가 0.40 ∼ 0.81 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.35 ∼ 1.0 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.36 ∼ 0.9 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부 평균이 0.13 ∼ 0.256 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부 평균이 0.14 ∼ 0.24 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부 평균이 0.15 ∼ 0.23 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부 최대가 0.42 ∼ 1.07 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부 최대가 0.5 ∼ 1.0 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.31 ∼ 0.55 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.32 ∼ 0.53 ㎛ 가 되는 표면 처리 동박이다.

본 발명의 표면 처리 동박은 일 실시형태에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부 비율이 45.5 ∼ 70 ％ 가 된다.

본 발명의 표면 처리 동박은 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면 처리층이 조화 처리층이다.

본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 조화 처리층이, 구리, 니켈, 코발트, 인, 텅스텐, 비소, 몰리브덴, 크롬 및 아연으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 단체 또는 어느 1 종 이상을 함유하는 합금으로 이루어지는 층이다.

본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 조화 처리층의 표면에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 갖는다.

본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면 처리층이, 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층이다.

본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면 처리층 상에 수지층을 구비한다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 캐리어와 중간층과 극박 동층을 이 순서로 구비한 캐리어가 부착된 동박으로서, 상기 극박 동층이 본 발명의 표면 처리 동박인 캐리어가 부착된 동박이다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어의 양면에 상기 극박 동층을 구비한다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어의 상기 극박 동층과는 반대측에 조화 처리층을 구비한다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거한 기재, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거한 기재이며, 상기 표면 처리 동박, 또는, 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써 노출된 상기 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 흰색부 평균이 0.14 ∼ 0.70 ㎛ 인 기재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거한 기재, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거한 기재이며, 상기 표면 처리 동박, 또는, 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써 노출된 상기 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 흰색부 최대가 0.40 ∼ 0.81 ㎛ 가 되는 기재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거한 기재, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거한 기재이며, 상기 표면 처리 동박, 또는, 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써 노출된 상기 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.35 ∼ 1.0 ㎛ 가 되는 기재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거한 기재, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거한 기재이며, 상기 표면 처리 동박, 또는, 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써 노출된 상기 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 흑색부 평균이 0.13 ∼ 0.256 ㎛ 가 되는 기재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거한 기재, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거한 기재이며, 상기 표면 처리 동박, 또는, 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써 노출된 상기 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 흑색부 최대가 0.42 ∼ 1.07 ㎛ 가 되는 기재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거한 기재, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거한 기재이며, 상기 표면 처리 동박, 또는, 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써 노출된 상기 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.31 ∼ 0.55 ㎛ 가 되는 기재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거한 기재, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 기재에 첩합하고, 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거한 기재이며, 상기 표면 처리 동박, 또는, 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써 노출된 상기 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 흰색부 비율이 45.5 ∼ 70 ％ 가 되는 기재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용하여 제조한 적층체이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박과 수지를 함유하는 적층체로서, 상기 표면 처리 동박 또는 상기 캐리어가 부착된 동박의 단면의 일부 또는 전부가 상기 수지에 의해 덮여 있는 적층체이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 하나의 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 상기 캐리어측 또는 상기 극박 동층측으로부터, 또 하나의 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 상기 캐리어측 또는 상기 극박 동층측에 적층된 적층체이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,

상기 표면 처리 동박을, 표면 처리층측으로부터 절연 기판에 적층하는 공정,

상기 절연 기판 상의 표면 처리 동박을 제거하는 공정,

상기 표면 처리 동박을 제거한 절연 기판의 표면에 회로를 형성하는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,

상기 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 절연 기판에 적층하는 공정,

상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정,

상기 캐리어를 벗긴 후의 절연 기판 상의 극박 동층을 제거하는 공정,

상기 극박 동층을 제거한 절연 기판의 표면에 회로를 형성하는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,

상기 표면 처리 동박을, 표면 처리층측으로부터 절연 기판에 적층하여 구리 피복 적층판을 형성하고,

그 후, 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,

상기 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 절연 기판에 적층하는 공정,

상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고,

그 후, 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리층이 형성된 측의 표면에 회로가 형성된 본 발명의 표면 처리 동박, 또는, 극박 동층측 표면에 회로가 형성된 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 준비하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 표면 처리 동박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 동박 표면에 수지층을 형성하는 공정,

상기 수지층의 표면에 회로를 형성하는 공정, 및,

상기 표면 처리 동박 또는 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면에 회로가 형성된 금속박, 또는, 표면 처리층이 형성된 측의 표면에 회로가 형성된 본 발명의 표면 처리 동박인 제 1 표면 처리 동박, 또는, 극박 금속층측 표면에 회로가 형성된 캐리어가 부착된 금속박, 또는, 극박 동층측 표면에 회로가 형성된 본 발명의 캐리어가 부착된 동박인 제 1 캐리어가 부착된 동박을 준비하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 금속박 표면 또는 상기 표면 처리 동박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 금속박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 동박 표면에 수지층을 형성하는 공정,

본 발명의 표면 처리 동박인 제 2 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박인 제 2 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정,

상기 수지층에 적층한 박이 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박인 경우는, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정,

상기 수지층 상의 표면 처리 동박, 또는, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어가 벗겨져 남은 극박 동층을 제거하는 공정,

상기 표면 처리 동박을 제거한 수지층의 표면, 또는, 극박 동층을 제거한 수지층의 표면에 회로를 형성하는 공정, 및,

상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 금속박을 제거함으로써, 또는, 상기 제 1 표면 처리 동박을 제거함으로써, 또는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 금속층을 제거함으로써, 또는, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 동층을 제거함으로써, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리층이 형성된 측의 표면에 회로가 형성된 본 발명의 표면 처리 동박, 또는, 극박 동층측 표면에 회로가 형성된 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 준비하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 표면 처리 동박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 동박 표면에 수지층을 형성하는 공정,

금속박을 상기 수지층에 적층하는 공정, 또는, 캐리어가 부착된 금속박을 극박 금속층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정,

상기 수지층에 적층한 박이 상기 캐리어가 부착된 금속박인 경우는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어를 벗기는 공정,

상기 수지층 상의 금속박, 또는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어가 벗겨져 남은 극박 금속층을 제거하는 공정,

상기 금속박을 제거한 수지층의 표면, 또는, 극박 동층을 제거한 수지층의 표면에 회로를 형성하는 공정, 및,

상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 표면 처리 동박을 제거함으로써, 또는, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 동층을 제거함으로써, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면에 회로가 형성된 금속박, 또는, 표면 처리층이 형성된 측의 표면에 회로가 형성된 본 발명의 표면 처리 동박인 제 1 표면 처리 동박, 또는, 극박 금속층측 표면에 회로가 형성된 캐리어가 부착된 금속박, 또는, 극박 동층측 표면에 회로가 형성된 본 발명의 캐리어가 부착된 동박인 제 1 캐리어가 부착된 동박을 준비하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 금속박 표면 또는 상기 표면 처리 동박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 금속박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 동박 표면에 수지층을 형성하는 공정,

본 발명의 표면 처리 동박인 제 2 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박인 제 2 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정,

상기 수지층에 적층한 박이 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박인 경우는, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정,

상기 수지층 상의 표면 처리 동박, 또는, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어가 벗겨져 남은 극박 동층을 사용하여 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정,

상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 금속박을 제거함으로써, 또는, 상기 제 1 표면 처리 동박을 제거함으로써, 또는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 금속층을 제거함으로써, 또는, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 동층을 제거함으로써, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리층이 형성된 측의 표면에 회로가 형성된 본 발명의 표면 처리 동박, 또는, 극박 동층측 표면에 회로가 형성된 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 준비하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 표면 처리 동박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 동박 표면에 수지층을 형성하는 공정,

금속박을 상기 수지층에 적층하는 공정, 또는, 캐리어가 부착된 금속박을 극박 금속층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정,

상기 수지층에 적층한 박이 상기 캐리어가 부착된 금속박인 경우는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어를 벗기는 공정,

상기 수지층 상의 금속박, 또는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어가 벗겨져 남은 극박 금속층을 사용하여 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정,

상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 표면 처리 동박을 제거함으로써, 또는, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 동층을 제거함으로써, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층하는 공정,

상기 캐리어가 부착된 동박의 수지 기판과 적층한 측과는 반대측의 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 수지층과 회로의 2 층을, 적어도 1 회 형성하는 공정, 및,

상기 수지층 및 회로의 2 층을 형성한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박으로부터 상기 캐리어 또는 상기 극박 동층을 박리시키는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 적층체의 어느 일방 또는 양방의 면에 수지층과 회로의 2 층을, 적어도 1 회 형성하는 공정, 및,

상기 수지층 및 회로의 2 층을 형성한 후에, 상기 적층체를 구성하고 있는 캐리어가 부착된 동박으로부터 상기 캐리어 또는 상기 극박 동층을 박리시키는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면의 흰색부 평균이 0.23 초과 ∼ 0.70 ㎛ 인 수지 기재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면의 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.457 초과 ∼ 1.0 ㎛ 인 수지 기재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면의 흑색부 평균이 0.20 초과 ∼ 0.256 ㎛ 인 수지 기재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면의 흑색부 최대가 0.605 초과 ∼ 1.07 ㎛ 인 수지 기재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면의 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.335 초과 ∼ 0.55 ㎛ 인 수지 기재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면의 흰색부 비율이 68 초과 ∼ 70 ％ 인 수지 기재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 이하의 (2-1) ∼ (2-6) 중의, 1 개 또는 2 개 또는 3 개 또는 4 개 또는 5 개 또는 6 개를 만족하는 수지 기재 ：

(2-1) 표면의 흰색부 평균이 0.23 초과 ∼ 0.70 ㎛ 이다,

(2-2) 표면의 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.457 초과 ∼ 1.0 ㎛ 이다,

(2-3) 표면의 흑색부 평균이 0.20 초과 ∼ 0.256 ㎛ 이다,

(2-4) 표면의 흑색부 최대가 0.605 초과 ∼ 1.07 ㎛ 이다,

(2-5) 표면의 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.335 초과 ∼ 0.55 ㎛ 이다,

(2-6) 표면의 흰색부 비율이 68 초과 ∼ 70 ％ 이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 기재를 사용하여 제조한 적층체이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 수지 기재를 사용하여 제조한 적층체이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박, 또는, 본 발명의 어느 한 항에 기재된 캐리어가 부착된 동박, 또는, 본 발명의 수지 기재를 사용하여 제조한 프린트 배선판이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 기재를 사용하여 제조한 프린트 배선판이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판을 사용한 전자 기기이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박과 수지 기재를 준비하거나, 또는, 캐리어, 중간층, 극박 동층이 이 순서로 적층되어 구성된 캐리어가 부착된 동박과, 수지 기재를 준비하는 공정,

상기 표면 처리 동박 또는 캐리어가 부착된 동박을, 표면 처리층측 또는 극박 동층측으로부터 수지 기재에 적층하는 공정,

상기 수지 기재에 적층한 박이 캐리어가 부착된 동박인 경우에는, 캐리어가 부착된 동박으로부터 캐리어를 벗기는 공정,

상기 수지 기재 상의 표면 처리 동박 또는 극박 동층을 제거하여 본 발명의 수지 기재를 얻는 공정,

상기 표면 처리 동박 또는 극박 동층을 제거한 수지 기재의 표면에 회로를 형성하는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박 또는 캐리어, 중간층, 극박 동층이 이 순서로 적층되어 구성된 캐리어가 부착된 동박을, 표면 처리층측 또는 극박 동층측으로부터 본 발명의 수지 기재에 적층하는 공정, 상기 수지 기재에 적층한 박이 캐리어가 부착된 동박인 경우에는 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 수지 기재에 적층 또는 상기 캐리어를 벗겨 형성된 구리 피복 적층판에 대해, 그 후, 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면에 회로가 형성된 금속박을 준비하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 금속박 표면에 수지 기재를 형성하는 공정,

표면 처리 동박 또는 캐리어, 중간층, 극박 동층을 이 순서로 구비한 캐리어가 부착된 동박을, 표면 처리층측 또는 극박 동층측으로부터 상기 수지 기재에 적층하는 공정,

상기 수지 기재에 적층한 박이 캐리어가 부착된 동박인 경우에는, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리하는 공정,

상기 수지 기재 상의 표면 처리 동박 또는 극박 동층을 제거하여 본 발명의 수지 기재를 얻는 공정,

상기 표면 처리 동박 또는 극박 동층을 제거한 수지 기재의 표면에 회로를 형성하는 공정, 및,

상기 금속박을 제거함으로써, 상기 금속박 표면에 형성한, 상기 수지 기재에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 캐리어, 중간층, 극박 동층이 이 순서로 적층되어 구성된 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 회로를 형성하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 수지 기재를 형성하는 공정,

캐리어, 중간층, 극박 동층이 이 순서로 적층되어 구성된 제 2 캐리어가 부착된 동박을 준비하고, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측으로부터 상기 수지 기재에 적층하는 공정,

상기 제 2 캐리어가 부착된 동박을 상기 수지 기재에 적층한 후에, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정,

상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗긴 후의 수지 기재 상의 극박 동층을 제거하여 본 발명의 수지 기재를 얻는 공정,

상기 극박 동층을 제거한 수지 기재의 표면에 회로를 형성하는 공정,

상기 수지 기재 상에 회로를 형성한 후에, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시키는 공정, 및,

상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층을 제거함으로써, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 형성한, 상기 수지 기재에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 캐리어, 중간층, 극박 동층을 이 순서로 구비한 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 회로를 형성하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 수지 기재를 형성하는 공정,

표면 처리 동박을, 표면 처리층측으로부터 상기 수지 기재에 적층하는 공정,

상기 수지 기재 상의 표면 처리 동박을 제거하여 본 발명의 수지 기재를 얻는 공정,

상기 표면 처리 동박을 제거한 수지 기재의 표면에 회로를 형성하는 공정,

상기 수지 기재 상에 회로를 형성한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시키는 공정, 및,

상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층을 제거함으로써, 상기 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 형성한, 상기 수지 기재에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 표면에 회로가 형성된 금속박을 준비하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 금속박 표면에 본 발명의 수지 기재를 형성하는 공정,

세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 상기 수지 기재 상에 회로를 형성하는 공정, 및,

상기 금속박을 제거함으로써, 상기 금속박 표면에 형성한, 상기 수지 기재에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 캐리어, 중간층, 극박 동층이 이 순서로 적층되어 구성된 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 회로를 형성하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 본 발명의 수지 기재를 형성하는 공정,

세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 상기 수지 기재 상에 회로를 형성하는 공정,

상기 수지 기재 상에 회로를 형성한 후에, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시키는 공정, 및,

상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층을 제거함으로써, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 형성한, 상기 수지 기재에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명에 의하면, 디스미어 처리를 실시해도 원하는 요철 형상을 가지며, 또한, 무전해 구리 도금 피막의 양호한 밀착력을 실현하는 동박 제거 후 기재면의 프로파일 형상을 부여할 수 있는 표면 처리 동박을 제공하고, 또는, 디스미어 처리를 실시해도 원하는 요철 형상을 가지며, 또한, 무전해 구리 도금 피막의 양호한 밀착력을 실현하는 기재를 제공할 수 있다.

도 1 은, 수지 기재 표면의 흰색부, 흑색부를 설명하기 위한 모식도를 나타낸다.
도 2 는, 동박의 프로파일을 사용한 세미 애디티브 공법의 개략예를 나타낸다.
도 3 은, 실시예 및 비교예의 데이터를 얻기 위한 샘플 제작 플로우를 나타낸다.
도 4 는, 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 실시예 1 의 화상이다.
도 5 는, 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 실시예 3 의 화상이다.
도 6 은, 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 비교예 1 의 화상이다.
도 7 은, 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 비교예 2 의 화상이다.

〔표면 처리 동박〕

본 발명에 관련된 표면 처리 동박에 있어서 사용하는 동박은, 전해 동박 혹은 압연 동박 어느 것이어도 된다. 본 발명에 있어서 사용하는 동박의 두께는 특별히 한정할 필요는 없지만, 예를 들어 1 ㎛ 이상, 2 ㎛ 이상, 3 ㎛ 이상, 5 ㎛ 이상이며, 예를 들어 3000 ㎛ 이하, 1500 ㎛ 이하, 800 ㎛ 이하, 300 ㎛ 이하, 150 ㎛ 이하, 100 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이하, 50 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이하이다.

본 발명에서 사용하는 압연 동박에는 Ag, Sn, In, Ti, Zn, Zr, Fe, P, Ni, Si, Te, Cr, Nb, V, B, Co 등의 원소를 1 종 이상 함유하는 구리 합금박도 포함된다. 상기 원소의 농도가 높아지면 (예를 들어 합계로 10 질량％ 이상), 도전율이 저하되는 경우가 있다. 압연 동박의 도전율은, 바람직하게는 50 ％ IACS 이상, 보다 바람직하게는 60 ％ IACS 이상, 더욱 바람직하게는 80 ％ IACS 이상이다. 또, 압연 동박에는 터프 피치동 (JIS H3100 C1100) 이나 무산소동 (JIS H3100 C1020) 을 사용하여 제조한 동박도 포함된다. 또한, 본 명세서에 있어서 용어 「동박」 을 단독으로 사용한 때에는 구리 합금박도 포함하는 것으로 한다.

또, 본 발명에 사용할 수 있는 전해 동박에 대해서는, 이하의 제조 조건으로 제작할 수 있다.

＜전해액 조성＞

구리 ： 90 ∼ 110 g/ℓ

황산 ： 90 ∼ 110 g/ℓ

염소 ： 50 ∼ 100 ppm

레벨링제 1 (비스(3술포프로필)디술파이드) ： 10 ∼ 30 ppm

레벨링제 2 (아민 화합물) ： 10 ∼ 30 ppm

상기의 아민 화합물에는 이하의 화학식의 아민 화합물을 사용할 수 있다.

(상기 화학식 중, R ₁ 및 R ₂ 는 하이드록시알킬기, 에테르기, 아릴기, 방향족 치환 알킬기, 불포화 탄화수소기, 알킬기로 이루어지는 1 군에서 선택되는 것이다.)

＜제조 조건＞

전류 밀도 ： 70 ∼ 100 A/d㎡

전해액 온도 ： 50 ∼ 60 ℃

전해액 선유속 ： 3 ∼ 5 m/sec

전해 시간 ： 0.5 ∼ 10 분간

본 발명에 있어서, 동박 상에 형성하는 표면 처리층은, 조화 처리층이어도 된다. 조화 처리는, 통상적으로, 동박의, 수지 기판과 접착하는 면, 즉 표면 처리측의 표면에 적층 후의 동박의 박리 강도를 향상시키는 것을 목적으로 하여, 탈지 후의 동박의 표면에 매듭상의 전착을 형성하는 처리를 말한다. 조화 처리층은, 1 차 입자층을 형성한 후, 2 차 입자층을 추가로 형성함으로써 구성한다.

상기 1 차 입자층 및 2 차 입자층은, 전기 도금층에 의해 형성한다. 이 2 차 입자의 특징은, 상기 1 차 입자 상에 성장한 1 또는 복수개의 수지상의 입자이다. 또는 상기 1 차 입자 상에 성장한 정상 도금이다. 즉, 본 명세서에 있어서 용어 「2 차 입자층」 을 사용한 경우에는, 피도금 등의 정상 도금층도 포함되는 것으로 한다. 또, 2 차 입자층은 조화 입자에 의해 형성되는 층을 1 층 이상 갖는 층이어도 되고, 정상 도금층을 1 층 이상 갖는 층이어도 되고, 조화 입자에 의해 형성되는 층과 정상 도금층을 각각 1 층 이상 갖는 층이어도 된다.

1 차 입자층은 구리를 함유해도 된다. 또, 2 차 입자층은 니켈 및 코발트로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하고, 또한 구리를 함유해도 된다. 또, 2 차 입자층이 구리, 코발트 및 니켈을 함유해도 되고, 구리, 코발트 및 니켈로 이루어지는 합금을 함유해도 된다. 1 차 입자층 및 2 차 입자층에 구리가 함유되는 경우, 회로 형성 시에, 1 차 입자층이 에칭에 의해 제거되기 쉬워지기 때문에, 프린트 배선판을 생산할 때의 생산성이 향상된다는 이점이 있다. 또, 2 차 입자층에 코발트 또는 니켈이 함유되는 경우에는, 가열 후의 수지와 동박의 필 강도가 열화되기 어려워진다는 이점이 있다.

(1 차 입자를 형성하기 위한 도금 조건)

1 차 입자의 도금 조건의 일례를 들면, 하기와 같다.

또한, 하기와 같이 전류 밀도, 쿨롬량을 제어함으로써 1 차 입자의 평균 입경을 제어할 수 있다. 제 1 단계에서는 전류 밀도를 종래보다 조금 높게 설정을 하고, 조화 입자에 의한 요철을 어느 정도 형성하고, 입자 형상이 소정의 형상이 되도록 제어하고, 그것에 의해 표면 처리 동박을 첩합한 후에 표면 처리 동박을 제거하여 얻어지는 수지 기재의 표면의 형상을 제어한다. 또, 상기 표면적비를 제어할 수 있다. 또, 1 차 입자를 형성하기 위한 도금욕으로서는 이하와 같은 구리 도금욕 이외에 은 도금욕, 금 도금욕, 니켈 도금욕, 코발트 도금욕, 아연 도금욕, 니켈 아연 합금 도금욕 등을 들 수 있고, 이들의 공지된 도금욕을 사용할 수 있다. 또, 도금액에는 여러 가지의 첨가제 (금속 이온, 무기물, 유기물) 를 첨가해도 된다. 또, 1 차 입자 형성 시의 도금액의 선유속을 종래보다 조금 높게 설정을 하고, 조화 입자에 의한 요철이 너무 커지지 않고, 입자 형상이 소정의 형상이 되도록 제어하고, 그것에 의해 표면 처리 동박을 첩합한 후에 표면 처리 동박을 제거하여 얻어지는 수지 기재의 표면의 형상을 제어한다. 또한, 1 차 입자 형성 시의 도금액의 선유속은 2.0 m/sec 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2.5 m/sec 이상이다. 1 차 입자 형성 시의 도금액의 선유속의 상한은 특별히 정할 필요는 없지만, 전형적으로는 5 m/sec 이하, 전형적으로는 4.5 m/sec 이하이다.

액 조성 ： 구리 10 ∼ 20 g/ℓ, 황산 50 ∼ 100 g/ℓ

액 온도 ： 25 ∼ 50 ℃

＜제 1 단계＞

전류 밀도 ： 54 ∼ 64 A/d㎡

쿨롬량 ： 30 ∼ 75 As/d㎡

＜제 2 단계＞

전류 밀도 ： 1 ∼ 20 A/d㎡

쿨롬량 ： 7 ∼ 120 As/d㎡

(피도금 조건)

도금액에는 여러 가지의 첨가제 (금속 이온, 무기물, 유기물) 를 첨가해도 된다.

액 조성 ： 구리 10 ∼ 20 g/ℓ, 황산 50 ∼ 100 g/ℓ

액 온도 ： 25 ∼ 35 ℃

전류 밀도 ： 15 ∼ 20 A/d㎡

쿨롬량 ： 30 ∼ 60 As/d㎡

또한, 본 명세서에 기재된 전해, 에칭, 표면 처리 또는 도금 등에 사용되는 처리액 (에칭액, 전해액) 의 잔부는 특별히 명기하지 않는 한 물이다.

(2 차 입자를 형성하기 위한 도금 조건)

2 차 입자의 도금 조건의 일례를 들면, 하기와 같다.

또한, 하기와 같이 전류 밀도, 쿨롬량을 제어함으로써 2 차 입자의 평균 입경을 제어할 수 있다. 또, 상기 표면적비를 제어할 수 있다. 또, 2 차 입자를 형성하기 위한 도금욕으로서는 이하와 같은 구리와 그 밖의 원소의 합금 도금욕 이외에, 은과 그 밖의 원소의 합금 도금욕, 금과 그 밖의 원소의 합금 도금욕, 니켈과 그 밖의 원소의 합금 도금욕, 코발트와 그 밖의 원소의 합금 도금욕, 아연과 그 밖의 원소의 합금 도금욕, 니켈 아연 합금 도금욕 등을 들 수 있고, 이들의 공지된 도금욕을 사용할 수 있다.

도금액에는 여러 가지의 첨가제 (금속 이온, 무기물, 유기물) 를 첨가해도 된다.

액 조성 ： 구리 10 ∼ 20 g/ℓ, 니켈 5 ∼ 15 g/ℓ 또는/및 코발트 5 ∼ 15 g/ℓ, 인을 함유하는 경우에는, 인 0.5 ∼ 5 g/ℓ, 텅스텐을 함유하는 경우에는 텅스텐 0.001 ∼ 5 g/ℓ, 몰리브덴을 함유하는 경우에는 몰리브덴 0.05 ∼ 10 g/ℓ

pH ： 2 ∼ 3

액 온도 ： 30 ∼ 50 ℃

전류 밀도 ： 20 ∼ 60 A/d㎡

쿨롬량 ： 10 ∼ 35 As/d㎡

상기 2 차 입자로서의 구리-코발트-니켈 합금 도금은, 전해 도금에 의해, 부착량이 10 ∼ 30 mg/d㎡ 구리 - 100 ∼ 3000 ㎍/d㎡ 코발트 - 50 ∼ 500 ㎍/d㎡ 니켈의 3 원계 합금층을 형성할 수 있다.

Co 부착량이 100 ㎍/d㎡ 미만에서는, 내열성이 나빠지고, 또 에칭성도 나빠진다. Co 부착량이 3000 ㎍/d㎡ 를 초과하면, 자성의 영향을 고려하지 않으면 안 되는 경우에는 바람직하지 않고, 에칭 얼룩이 생기고, 또, 내산성 및 내약품성의 악화가 고려될 수 있다.

Ni 부착량이 50 ㎍/d㎡ 미만이면, 내열성이 나빠진다. 한편, Ni 부착량이 500 ㎍/d㎡ 를 초과하면, 에칭성이 저하된다. 즉, 에칭 잔류물이 생기고, 또 에칭할 수 없다는 레벨은 아니지만, 파인 패턴화가 어려워진다. 바람직한 Co 부착량은 500 ∼ 2000 ㎍/d㎡ 이며, 그리고 바람직한 니켈 부착량은 50 ∼ 300 ㎍/d㎡ 이다.

이상으로부터, 구리-코발트-니켈 합금 도금의 부착량은, 10 ∼ 30 mg/d㎡ 구리 - 100 ∼ 3000 ㎍ /d㎡ 코발트 - 50 ∼ 500 ㎍/d㎡ 니켈인 것이 바람직하다고 할 수 있다. 이 3 원계 합금층의 각 부착량은 어디까지나, 바람직한 조건이며, 이 양을 초과하는 범위를 부정하는 것은 아니다.

여기서, 에칭 얼룩이란, 염화구리로 에칭했을 경우, Co 가 용해되지 않고 남아 버리는 것을 의미하고, 그리고 에칭 잔류물이란 염화암모늄으로 알칼리 에칭했을 경우, Ni 가 용해되지 않고 남아 버리는 것을 의미하는 것이다.

일반적으로, 회로를 형성하는 경우에는, 하기의 실시예 중에서 설명하는 알칼리성 에칭액 및 염화구리계 에칭액을 사용하여 실시된다. 이 에칭액 및 에칭 조건은, 범용성이 있는 것이지만, 이 조건으로 한정되는 일은 없고, 임의로 선택할 수 있다는 것은 이해될 것이다.

또, 조화 처리층의 표면에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 형성해도 된다.

또, 본 발명에 있어서 동박 상에 형성하는 표면 처리층은, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층이어도 된다.

내열층, 방청층으로서는 공지된 내열층, 방청층을 사용할 수 있다. 예를 들어, 내열층 및/또는 방청층은 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 층이어도 되고, 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소로 이루어지는 금속층 또는 합금층이어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 전술한 원소의 산화물, 질화물, 규화물을 함유해도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈-아연 합금을 함유하는 층이어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈-아연 합금층이어도 된다. 상기 니켈-아연 합금층은, 불가피 불순물을 제외하고, 니켈을 50 wt％ ∼ 99 wt％, 아연을 50 wt％ ∼ 1 wt％ 함유하는 것이어도 된다. 상기 니켈-아연 합금층의 아연 및 니켈의 합계 부착량이 5 ∼ 1000 mg/㎡, 바람직하게는 10 ∼ 500 mg/㎡, 바람직하게는 20 ∼ 100 mg/㎡ 여도 된다. 또, 상기 니켈-아연 합금을 함유하는 층 또는 상기 니켈-아연 합금층의 니켈의 부착량과 아연의 부착량의 비 (= 니켈의 부착량/아연의 부착량) 가 1.5 ∼ 10 인 것이 바람직하다. 또, 상기 니켈-아연 합금을 함유하는 층 또는 상기 니켈-아연 합금층의 니켈의 부착량은 0.5 mg/㎡ ∼ 500 mg/㎡ 인 것이 바람직하고, 1 mg/㎡ ∼ 50 mg/㎡ 인 것이 보다 바람직하다. 내열층 및/또는 방청층이 니켈-아연 합금을 함유하는 층인 경우, 스루홀이나 비아홀 등의 내벽부가 디스미어액과 접촉했을 때에 동박과 수지 기판의 계면이 디스미어액에 침식되기 어려워, 동박과 수지 기판의 밀착성이 향상된다.

예를 들어 내열층 및/또는 방청층은, 부착량이 1 mg/㎡ ∼ 100 mg/㎡, 바람직하게는 5 mg/㎡ ∼ 50 mg/㎡ 의 니켈 또는 니켈 합금층과, 부착량이 1 mg/㎡ ∼ 80 mg/㎡, 바람직하게는 5 mg/㎡ ∼ 40 mg/㎡ 의 주석층을 순차 적층한 것이어도 되고, 상기 니켈 합금층은 니켈-몰리브덴 합금, 니켈-아연, 니켈-몰리브덴-코발트 합금, 니켈-주석 합금 중 어느 1 종에 의해 구성되어도 된다. 당해 내열층 및/또는 방청층을 사용하면 표면 처리 동박이나 캐리어가 부착된 동박을 프린트 배선판에 가공하여 이후의 회로의 박리 강도, 당해 박리 강도의 내약품성 열화율 등이 양호하게 된다.

여기서 크로메이트 처리층이란 무수 크롬산, 크롬산, 2 크롬산, 크롬산염 또는 2 크롬산염을 함유하는 액으로 처리된 층을 말한다. 크로메이트 처리층은 코발트, 철, 니켈, 몰리브덴, 아연, 탄탈, 구리, 알루미늄, 인, 텅스텐, 주석, 비소 및 티탄 등의 원소 (금속, 합금, 산화물, 질화물, 황화물 등 어떠한 형태여도 된다) 를 함유해도 된다. 크로메이트 처리층의 구체예로서는, 무수 크롬산 또는 2 크롬산칼륨 수용액으로 처리한 크로메이트 처리층이나, 무수 크롬산 또는 2 크롬산칼륨 및 아연을 함유하는 처리액으로 처리한 크로메이트 처리층 등을 들 수 있다.

상기 실란 커플링 처리층은, 공지된 실란 커플링제를 사용하여 형성해도 되고, 에폭시계 실란, 아미노계 실란, 메타크릴옥시계 실란, 메르캅토계 실란, 비닐계 실란, 이미다졸계 실란, 트리아진계 실란 등의 실란 커플링제 등을 사용하여 형성해도 된다. 또한, 이와 같은 실란 커플링제는, 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다. 그 중에서도, 아미노계 실란 커플링제 또는 에폭시계 실란 커플링제를 사용하여 형성한 것인 것이 바람직하다.

실란 커플링 처리층은, 규소 원자 환산으로, 0.05 mg/㎡ ∼ 200 mg/㎡, 바람직하게는 0.15 mg/㎡ ∼ 20 mg/㎡, 바람직하게는 0.3 mg/㎡ ∼ 2.0 mg/㎡ 의 범위로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 전술한 범위의 경우, 기재와 표면 처리 동박의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.

또, 극박 동층, 조화 처리층, 내열층, 방청층, 실란 커플링 처리층 또는 크로메이트 처리층의 표면에, 국제 공개 번호 WO2008/053878, 일본 공개특허공보 2008-111169호, 특허 제5024930호, 국제 공개 번호 WO2006/028207, 특허 제4828427호, 국제 공개 번호 WO2006/134868, 특허 제5046927호, 국제 공개 번호 WO2007/105635, 특허 제5180815호, 일본 공개특허공보 2013-19056호에 기재된 표면 처리를 실시할 수 있다.

〔흰색부 평균, 흑색부 평균〕

본 발명의 표면 처리 동박은, 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부 평균이 0.14 ∼ 0.70 ㎛ 가 된다. 또, 본 발명의 표면 처리 동박은, 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부 평균이 0.13 ∼ 0.256 ㎛ 가 된다.

본 발명에 있어서, 노출된 수지 기재 표면에 실시하는 「팽윤 처리」, 「디스미어 처리」 및 「중화 처리」 는, 각각 이하의 처리를 나타낸다.

·팽윤 처리 ： 팽윤 처리액 (액 조성 ： 에틸렌글리콜 농도 500 g/ℓ, 잔부수) 에 72 ℃ 에서 10 분간 침지한다. 팽윤 처리에 의해 용제 분자가 수지의 화학 구조의 사이에 들어감으로써 수지를 구성하는 고분자의 결합을 약하게 하고, 다음의 디스미어 처리에 의한 수지의 분해 또는 결합의 절단을 촉진한다.

·디스미어 처리 ： 디스미어 처리액 (액 조성 ： 과망간산나트륨 농도 4.1 질량％, 수산화나트륨 농도 3.3 질량％, 잔부수) 에 80 ℃ 에서 25 분간 침지한다. 당해 디스미어 처리에 의해, 수지 기재 표면의 스미어를 제거할 수 있다.

·중화 처리 ： 중화 처리액 (액 조성 ： 황산하이드록실아민 농도 1.5 질량％, 황산 농도 4.9 질량％, 잔부수) 에 30 ℃ 에서 5 분간 침지한다. 당해 중화 처리에 의해, 디스미어 처리에 의해 알칼리성이 된 수지 기재 표면을 중화할 수 있다.

여기서, 도 1 에, 수지 기재 표면의 당해 흰색부, 후술하는 흑색부를 설명하기 위한 모식도를 나타낸다. 도 1 은, 수지 기재 표면의 SEM 이미지 (30 k 배) 를 얻고, 당해 SEM 이미지에 대해, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여, 백색·흑색 화상 처리를 실시하여 얻어진 도면이다. 또한, 흑색부 (흑색 영역) 는 측정 표면이 오목형, 흰색부 (백색 영역) 는 측정 표면이 볼록형이 되어 있는 것을 나타낸다. 다음으로, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 종횡으로, 각각 3 등분하는 4 개의 선 (A ∼ D 선) 을 긋고, 각 선이 상기 서술한 흰색부 (백색 영역) 를 지나는 길이의 합계를 측정하고, 그것들 A ∼ D 선의 흰색부의 길이의 합계를 구한다. 이 때, 흰색부 (백색 영역) 는, 흑색부 (흑색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성되어 있다. 다음으로, 당해 흰색부의 길이의 합계를, 그 흰색부의 선분의 수로 나눈다. 이것을 측정 대상의 수지 기재 표면의 3 시야에 대해 실시하고, 그 평균 ((흰색부의 길이의 합계를, 그 흰색부의 선분의 수로 나눔으로써 얻어진 값의 3 시야의 합계)/3) 을 흰색부 평균 (㎛) 으로 한다. 또, 4 개의 선 (A ∼ D 선) 을 긋고, 각 선이 상기 서술한 흑색부 (흑색 영역) 를 지나는 길이의 합계를 측정하고, 그것들 A ∼ D 선의 흑색부의 길이의 합계를 구한다. 이 때, 흑색부는, 흰색부로 구획되는 복수의 선분으로 구성되어 있다. 다음으로, 당해 흑색부의 길이의 합계를, 그 흑색부의 선분의 수로 나눈다. 이것을 측정 대상의 수지 기재 표면의 3 시야에 대해 실시하고, 그 평균 ((흑색부의 길이의 합계를, 그 흑색부의 선분의 수로 나눔으로써 얻어진 값의 3 시야의 합계)/3) 을 흑색부 평균 (㎛) 으로 한다.

상기 흰색부 평균이 0.14 ㎛ 미만이면, 디스미어 처리 후의 기재 표면에 있어서는 앵커 효과가 약해져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 한편, 흰색부 평균이 0.70 ㎛ 초과이면, 기재 표면의 요철이 너무 커져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 상기 흰색부 평균은, 바람직하게는 0.16 ∼ 0.65 ㎛, 보다 바람직하게는 0.165 ∼ 0.60 ㎛, 보다 더 바람직하게는 0.167 ∼ 0.50 ㎛, 보다 더 바람직하게는 0.169 ∼ 0.40 ㎛, 0.170 ∼ 0.38 ㎛ 이다.

상기 흑색부 평균이 0.13 ㎛ 미만이면, 기재 표면에 피막을 형성하기 위한 도금액이 침입하는 것이 곤란해지는 경우가 있어 피막과의 밀착성이 불량이 되는 경우가 있다. 한편, 상기 흑색부 평균이 0.256 ㎛ 초과이면, 앵커 효과가 약해져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 상기 흑색부 평균은, 바람직하게는 0.14 ∼ 0.24 ㎛, 보다 바람직하게는 0.15 ∼ 0.23 ㎛ 이다.

〔흰색부 최대, 흑색부 최대〕

본 발명의 표면 처리 동박은, 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부 최대가 0.40 ∼ 0.81 ㎛ 가 된다. 또, 본 발명의 표면 처리 동박은, 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부 최대가 0.42 ∼ 1.07 ㎛ 가 된다. 여기서, 흰색부 최대란, 각 관찰 시야에 있어서, 도 1 에서 나타내는 4 개의 선 (A ∼ D 선) 을 종합하여, 흑색부 (흑색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흰색부 중 최대 길이 (인접하는 흑색부와 흑색부 사이의 거리 중에서, 최대의 것) 를 측정하고, 3 시야에 있어서 얻어진 흑색부 (흑색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흰색부 중 각각의 최대 길이를 서로 더한 값을 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 나타낸다. 또, 흑색부 최대란, 각 관찰 시야에 있어서, 도 1 에서 나타내는 4 개의 선 (A ∼ D 선) 을 종합하여, 흰색부 (백색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흑색부 중 최대 길이 (인접하는 흰색부와 흰색부 사이의 거리 중에서, 최대의 것) 를 측정하고, 3 시야에 있어서 얻어진 흰색부 (백색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흑색부 중 각각의 최대 길이를 서로 더한 값을 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 나타낸다.

상기 흰색부 최대가 0.40 ㎛ 미만이면, 디스미어 처리 후의 기재 표면에 있어서는 앵커 효과가 약해져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 한편, 흰색부 최대가 0.81 ㎛ 초과이면, 기재 표면의 요철이 너무 커져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 상기 흰색부 최대는, 바람직하게는 0.45 ∼ 0.75 ㎛, 보다 바람직하게는 0.50 ∼ 0.70 ㎛, 보다 더 바람직하게는 0.55 ∼ 0.68 ㎛ 이다.

상기 흑색부 최대가 0.42 ㎛ 미만이면, 기재 표면에 피막을 형성하기 위한 도금액이 침입하는 것이 곤란해지는 경우가 있어, 피막과의 밀착성이 불량이 되는 경우가 있다. 한편, 상기 흑색부 최대가 1.07 ㎛ 초과이면, 디스미어 처리 후의 기재 표면에 있어서는 앵커 효과가 약해져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 상기 흑색부 최대는, 바람직하게는 0.5 ∼ 1.0 ㎛, 보다 바람직하게는 0.60 ∼ 0.95 ㎛ 이다.

〔흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균〕

본 발명의 표면 처리 동박은, 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.35 ∼ 1.0 ㎛ 가 된다. 또, 본 발명의 표면 처리 동박은, 다른 일 측면에 있어서, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.31 ∼ 0.55 ㎛ 가 된다. 여기서, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이란, 각 관찰 시야에 있어서 상기 흰색부 최대를 제일 긴 거리의 것으로 하고, 그 다음에 긴 거리의 흰색부, 다시 그 다음에 긴 거리의 흰색부로, 순서대로 10 번째까지를 합계하여 얻어진 값을 10 으로 나눈 값 A (산술 평균치) 를 구하고, 3 시야에 있어서 얻어진 당해 값 A 를 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 이다. 또, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이란, 각 관찰 시야에 있어서 상기 흑색부 최대를 제일 긴 거리의 것으로 하고, 그 다음에 긴 거리의 흑색부, 다시 그 다음에 긴 거리의 흑색부로, 순서대로 10 번째까지를 합계하여 얻어진 값을 10 으로 나눈 값 B (산술 평균치) 를 구하고, 3 시야에 있어서 얻어진 당해 값 B 를 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 이다.

상기 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.35 ㎛ 미만이면, 디스미어 처리된 기재 표면에 있어서는 앵커 효과가 약해져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 한편, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 1.0 ㎛ 초과이면, 기재 표면의 요철이 너무 커져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 상기 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균은, 바람직하게는 0.36 ∼ 0.9 ㎛, 보다 바람직하게는 0.362 ∼ 0.8 ㎛ 이다.

상기 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.31 ㎛ 미만이면, 기재 표면에 피막을 형성하기 위한 도금액이 침입하는 것이 곤란해지는 경우가 있어, 피막과의 밀착성이 불량이 되는 경우가 있다. 한편, 상기 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.55 ㎛ 초과이면, 앵커 효과가 약해져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 상기 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균은, 바람직하게는 0.32 ∼ 0.53 ㎛ 이며, 보다 바람직하게는 0.33 ∼ 0.52 ㎛ 이다.

〔흰색부 비율〕

본 발명의 표면 처리 동박은, 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면의 흰색부 비율이 45.5 ∼ 70 ％ 가 되는 것이 바람직하다. 여기서, 흰색부 비율이란, 상기 흰색부 길이의 합계와 흑색부 길이의 합계의 합계에 대한 흰색부 길이 합계의 비율을 나타낸다. 흰색부 비율이 45.5 ％ 미만이면, 디스미어 처리된 기재 표면에 있어서는 앵커 효과가 약해져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 한편, 흰색부 비율이 70 ％ 초과이면, 기재 표면의 요철이 너무 작아져, 피막과의 밀착성이 불량이 된다. 상기 흰색부 비율은, 바람직하게는 46 ∼ 65 ％, 보다 바람직하게는 46.5 ∼ 60 ％ 이다.

본 발명의 표면 처리 동박은, 당해 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 상기 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 상기 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 상기 수지 기재의 상기 동박 제거측 표면에 있어서 이하의 (1-1) ∼ (1-13) 중의, 1 개 또는 2 개 또는 3 개 또는 4 개 또는 5 개 또는 6 개 또는 7 개 또는 8 개 또는 9 개 또는 10 개 또는 11 개 또는 12 개 또는 13 개를 만족해도 된다 ：

(1-1) 흰색부 평균이 0.14 ∼ 0.70 ㎛ 가 된다,

(1-2) 흰색부 평균이 0.16 ∼ 0.65 ㎛ 가 된다,

(1-3) 흰색부 최대가 0.40 ∼ 0.81 ㎛ 가 된다,

(1-4) 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.35 ∼ 1.0 ㎛ 가 된다,

(1-5) 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.36 ∼ 0.9 ㎛ 가 된다,

(1-6) 흑색부 평균이 0.13 ∼ 0.256 ㎛ 가 된다,

(1-7) 흑색부 평균이 0.14 ∼ 0.24 ㎛ 가 된다,

(1-8) 흑색부 평균이 0.15 ∼ 0.23 ㎛ 가 된다,

(1-9) 흑색부 최대가 0.42 ∼ 1.07 ㎛ 가 된다,

(1-10) 흑색부 최대가 0.5 ∼ 1.0 ㎛ 가 된다,

(1-11) 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.31 ∼ 0.55 ㎛ 가 된다,

(1-12) 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.32 ∼ 0.53 ㎛ 가 된다,

(1-13) 흰색부 비율이 45.5 ∼ 70 ％ 가 된다.

조화 입자 형성 시 등의 도금 등의 표면 처리 시에 표면 처리의 전류 밀도와 표면 처리 (도금) 시간을 제어함으로써, 표면 처리 후의 동박의 표면 상태나 조화 입자의 형태나 형성 밀도가 정해지고, 그러한 동박을 사용함으로써 상기 기재의 흰색부, 흑색부를 제어할 수 있다.

〔캐리어가 부착된 동박〕

본 발명에 관련된 표면 처리 동박으로서는, 캐리어가 부착된 동박을 사용해도 된다. 캐리어가 부착된 동박은, 캐리어와 캐리어 상에 적층된 중간층과, 중간층 상에 적층된 극박 동층을 구비한다. 또, 캐리어가 부착된 동박은 캐리어, 중간층 및 극박 동층을 이 순서로 구비해도 된다. 캐리어가 부착된 동박은 캐리어측의 표면 및 극박 동층측의 표면의 어느 일방 또는 양방에 조화 처리층 등의 표면 처리층을 가져도 된다. 또한, 캐리어가 부착된 동박은 극박 동층의 중간층측과는 반대측의 면에 표면 처리층을 가져도 된다.

캐리어가 부착된 동박의 캐리어측의 표면에 조화 처리층을 형성한 경우, 캐리어가 부착된 동박을 당해 캐리어측의 표면측으로부터 수지 기판 등의 지지체에 적층할 때, 캐리어와 수지 기판 등의 지지체가 박리되기 어려워진다는 이점을 갖는다.

＜캐리어＞

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어는 전형적으로는 금속박 또는 수지 필름이며, 예를 들어 동박, 구리 합금박, 니켈박, 니켈 합금박, 철박, 철 합금박, 스테인리스박, 알루미늄박, 알루미늄 합금박, 절연 수지 필름 (예를 들어 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 (LCP) 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름, 폴리아미드 필름, 폴리에스테르 필름, 불소 수지 필름 등) 의 형태로 제공된다.

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어로서는 동박을 사용하는 것이 바람직하다. 동박은 전기 전도도가 높기 때문에, 그 후의 중간층, 극박 동층의 형성이 용이해지기 때문이다. 캐리어는 전형적으로는 압연 동박이나 전해 동박의 형태로 제공된다. 일반적으로는, 전해 동박은 황산구리 도금욕으로부터 티탄이나 스테인리스의 드럼 상에 구리를 전해 석출하여 제조되고, 압연 동박은 압연 롤에 의한 소성 가공과 열처리를 반복하여 제조된다. 동박의 재료로서는 터프 피치동이나 무산소동과 같은 고순도의 구리 외에, 예를 들어 Sn 함유 구리, Ag 함유 구리, Cr, Zr 또는 Mg 등을 첨가한 구리 합금, Ni 및 Si 등을 첨가한 콜슨계 구리 합금과 같은 구리 합금도 사용 가능하다.

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어의 두께에 대해서도 특별히 제한은 없지만, 캐리어로서의 역할을 다하는데 있어서 적합한 두께로 적절히 조절하면 되고, 예를 들어 12 ㎛ 이상으로 할 수 있다. 단, 너무 두꺼우면 생산 코스트가 높아지므로 일반적으로는 35 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 따라서, 캐리어의 두께는 전형적으로는 12 ∼ 70 ㎛ 이며, 보다 전형적으로는 18 ∼ 35 ㎛ 이다.

또한, 캐리어의 극박 동층을 형성하는 측의 표면과는 반대측의 표면에 조화 처리층을 형성해도 된다. 당해 조화 처리층을 공지된 방법을 사용하여 형성해도 되고, 상기 서술한 조화 처리에 의해 형성해도 된다. 캐리어의 극박 동층을 형성하는 측의 표면과는 반대측의 표면에 조화 처리층을 형성하는 것은, 캐리어를 당해 조화 처리층을 갖는 표면측으로부터 수지 기판 등의 지지체에 적층할 때, 캐리어와 수지 기판이 박리되기 어려워진다는 이점을 갖는다.

＜중간층＞

캐리어 상에는 중간층을 형성한다. 캐리어와 중간층의 사이에는 다른 층을 형성해도 된다. 본 발명에서 사용하는 중간층은, 캐리어가 부착된 동박이 절연 기판에 대한 적층 공정 전에는 캐리어로부터 극박 동층이 박리되기 어려운 한편, 절연 기판에 대한 적층 공정 후에는 캐리어로부터 극박 동층이 박리 가능해지는 구성이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 중간층은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, 이들의 합금, 이들의 수화물, 이들의 산화물, 유기물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 함유해도 된다. 또, 중간층은 복수의 층이어도 된다.

또, 예를 들어, 중간층은 캐리어측으로부터 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속 층, 혹은, Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층, 혹은 유기물층을 형성하고, 그 위에 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 원소의 수화물 또는 산화물 또는 유기물로 이루어지는 층을 형성함으로써 구성할 수 있다.

또, 예를 들어, 중간층은, 캐리어 상에, 니켈, 니켈-인 합금 또는 니켈-코발트 합금과 크롬이 이 순서로 적층되어 구성할 수 있다. 니켈과 구리의 접착력은 크롬과 구리의 접착력보다 높기 때문에, 극박 동층을 박리할 때에, 극박 동층과 크롬의 계면에서 박리되게 된다. 또, 중간층의 니켈에는 캐리어로부터 구리 성분이 극박 동층으로 확산되어 가는 것을 방지하는 배리어 효과가 기대된다. 중간층에 있어서의 니켈의 부착량은 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 40000 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 4000 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 2500 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 1000 ㎍/d㎡ 미만이며, 중간층에 있어서의 크롬의 부착량은 5 ㎍/d㎡ 이상 100 ㎍/d㎡ 이하인 것이 바람직하다. 중간층을 편면에만 형성하는 경우, 캐리어의 반대면에는 Ni 도금층 등의 방청층을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 캐리어의 양측에 중간층을 형성해도 된다.

＜극박 동층＞

중간층 상에는 극박 동층을 형성한다. 중간층과 극박 동층의 사이에 다른 층을 형성해도 된다. 당해 극박 동층은, 본 발명의 표면 처리 동박이며, 극박 동층의 중간층과는 반대측 표면에 상기 표면 처리층을 형성한다. 극박 동층의 두께는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는 캐리어보다 얇고, 예를 들어 12 ㎛ 이하이다. 전형적으로는 0.1 ∼ 12 ㎛ 이며, 보다 전형적으로는 0.5 ∼ 12 ㎛ 이며, 보다 전형적으로는 1.5 ∼ 5 ㎛ 이다. 또, 중간층 상에 극박 동층을 형성하기 전에, 극박 동층의 핀홀을 저감시키기 위해서 구리-인 합금에 의한 스트라이크 도금을 실시해도 된다. 스트라이크 도금에는 피롤린산구리 도금액 등을 들 수 있다. 캐리어의 양측에 극박 동층을 형성해도 된다.

〔표면 처리층 상의 수지층〕

본 발명의 표면 처리 동박의 표면 처리층 상에 수지층을 구비해도 된다. 상기 수지층은 절연 수지층이어도 된다.

상기 수지층은 접착제여도 되고, 접착용의 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 의 절연 수지층이어도 된다. 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 란, 그 표면에 손가락으로 접촉해도 점착감은 없어, 그 절연 수지층을 중첩하여 보관할 수 있고, 또한 가열 처리를 받으면 경화 반응이 일어나는 상태를 포함한다.

또 상기 수지층은 열경화성 수지를 함유해도 되고, 열가소성 수지여도 된다. 또, 상기 수지층은 열가소성 수지를 함유해도 된다. 상기 수지층은 공지된 수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등을 포함해도 된다. 또, 상기 수지층은 예를 들어 국제 공개 번호 WO2008/004399호, 국제 공개 번호 WO2008/053878, 국제 공개 번호 WO2009/084533, 일본 공개특허공보 평11-5828호, 일본 공개특허공보 평11-140281호, 특허 제3184485호, 국제 공개 번호 WO97/02728, 특허 제3676375호, 일본 공개특허공보 2000-43188호, 특허 제3612594호, 일본 공개특허공보 2002-179772호, 일본 공개특허공보 2002-359444호, 일본 공개특허공보 2003-304068호, 특허 제3992225, 일본 공개특허공보 2003-249739호, 특허 제4136509호, 일본 공개특허공보 2004-82687호, 특허 제4025177호, 일본 공개특허공보 2004-349654호, 특허 제4286060호, 일본 공개특허공보 2005-262506호, 특허 제4570070호, 일본 공개특허공보 2005-53218호, 특허 제3949676호, 특허 제4178415호, 국제 공개 번호 WO2004/005588, 일본 공개특허공보 2006-257153호, 일본 공개특허공보 2007-326923호, 일본 공개특허공보 2008-111169호, 특허 제5024930호, 국제 공개 번호 WO2006/028207, 특허 제4828427호, 일본 공개특허공보 2009-67029호, 국제 공개 번호 WO2006/134868, 특허 제5046927호, 일본 공개특허공보 2009-173017호, 국제 공개 번호 WO2007/105635, 특허 제5180815호, 국제 공개 번호 WO2008/114858, 국제 공개 번호 WO2009/008471, 일본 공개특허공보 2011-14727호, 국제 공개 번호 WO2009/001850, 국제 공개 번호 WO2009/145179, 국제 공개 번호 WO2011/068157, 일본 공개특허공보 2013-19056호에 기재되어 있는 물질 (수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등) 및/또는 수지층의 형성 방법, 형성 장치를 사용하여 형성해도 된다.

또, 상기 수지층은, 그 종류는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 다관능성 시안산에스테르 화합물, 말레이미드 화합물, 폴리말레이미드 화합물, 말레이미드계 수지, 방향족 말레이미드 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 우레탄 수지, 폴리에테르술폰 (폴리에테르설폰, 폴리에테르술폰이라고도 한다), 폴리에테르술폰 (폴리에테르설폰, 폴리에테르술폰이라고도 한다) 수지, 방향족 폴리아미드 수지, 방향족 폴리아미드 수지 폴리머, 고무성 수지, 폴리아민, 방향족 폴리아민, 폴리아미드이미드 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 페녹시 수지, 카르복실기 변성 아크릴로니트릴-부타디엔 수지, 폴리페닐렌옥사이드, 비스말레이미드트리아진 수지, 열경화성 폴리페닐렌옥사이드 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 카르복실산의 무수물, 다가 카르복실산의 무수물, 가교 가능한 관능기를 갖는 선상 폴리머, 폴리페닐렌에테르 수지, 2,2-비스(4-시아나토페닐)프로판, 인 함유 페놀 화합물, 나프텐산망간, 2,2-비스(4-글리시딜페닐)프로판, 폴리페닐렌에테르-시아네이트계 수지, 실록산 변성 폴리아미드이미드 수지, 시아노에스테르 수지, 포스파젠계 수지, 고무 변성 폴리아미드이미드 수지, 이소프렌, 수소 첨가형 폴리부타디엔, 폴리비닐부티랄, 페녹시, 고분자 에폭시, 방향족 폴리아미드, 액정 폴리머, 불소 수지, 비스페놀, 블록 공중합 폴리이미드 수지 및 시아노에스테르 수지의 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 수지 또는 프리프레그를 바람직한 것으로서 들 수 있다.

또 상기 에폭시 수지는, 분자 내에 2 개 이상의 에폭시기를 갖는 것으로서, 전기·전자 재료 용도로 사용할 수 있는 것이면, 특별히 문제 없이 사용할 수 있다. 또, 상기 에폭시 수지는 분자 내에 2 개 이상의 글리시딜기를 갖는 화합물을 사용하여 에폭시화한 에폭시 수지가 바람직하다. 또, 상기 에폭시 수지로서, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비스페놀 S 형 에폭시 수지, 비스페놀 AD 형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 브롬화 (취소화) 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 오르토 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 고무 변성 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트, N,N-디글리시딜아닐린 등의 글리시딜아민 화합물, 테트라하이드로프탈산디글리시딜에스테르 등의 글리시딜에스테르 화합물, 인 함유 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비페닐 노볼락형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 의 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있고, 또는 상기 에폭시 수지의 수소 첨가체나 할로겐화체를 사용할 수 있다.

상기 인 함유 에폭시 수지로서 공지된 인을 함유하는 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 또, 상기 인 함유 에폭시 수지는 예를 들어, 분자 내에 2 이상의 에폭시기를 구비하는 9,10-디하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드로부터의 유도체로서 얻어지는 에폭시 수지인 것이 바람직하다.

(수지층이 유전체 (유전체 필러) 를 함유하는 경우)

상기 수지층은 유전체 (유전체 필러) 를 함유해도 된다.

상기 어느 수지층 또는 수지 조성물에 유전체 (유전체 필러) 를 함유시키는 경우에는, 캐패시터층을 형성하는 용도로 사용하여, 캐패시터 회로의 전기 용량을 증대시킬 수 있는 것이다. 이 유전체 (유전체 필러) 에는, BaTiO ₃ , SrTiO ₃ , Pb(Zr-Ti)O ₃ (통칭 PZT), PbLaTiO ₃ ·PbLaZrO (통칭 PLZT), SrBi ₂ Ta ₂ O ₉ (통칭 SBT) 등의 페브로스카이트 구조를 가지는 복합 산화물의 유전체 분말을 사용한다.

전술한 수지층에 함유되는 수지 및/또는 수지 조성물 및/또는 화합물을 예를 들어 메틸에틸케톤 (MEK), 시클로펜타논, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 톨루엔, 메탄올, 에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 시클로헥사논, 에틸셀로솔브, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드 등의 용제에 용해하여 수지액 (수지 바니시) 으로 하고, 이것을 상기 표면 처리 동박의 표면 처리층측의 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측의 표면에, 혹은 상기 조화 처리층, 상기 내열층, 방청층, 혹은 상기 크로메이트 처리층, 혹은 상기 실란 커플링 처리층 상에, 예를 들어 롤코터법 등에 의해 도포하고, 이어서 필요에 따라 가열 건조시켜 용제를 제거하여 B 스테이지 상태로 한다. 건조에는 예를 들어 열풍 건조로를 이용하면 되고, 건조 온도는 100 ∼ 250 ℃, 바람직하게는 130 ∼ 200 ℃ 이면 된다. 상기 수지층의 조성물을, 용제를 사용하여 용해하고, 수지 고형분 3 wt％ ∼ 70 wt％, 바람직하게는, 3 wt％ ∼ 60 wt％, 바람직하게는 10 wt％ ∼ 40 wt％, 보다 바람직하게는 25 wt％ ∼ 40 wt％ 의 수지액으로 해도 된다. 또한, 메틸에틸케톤과 시클로펜타논의 혼합 용제를 사용하여 용해하는 것이, 환경적인 견지에서 현단계에서는 가장 바람직하다. 또한, 용제에는 비점이 50 ℃ ∼ 200 ℃ 의 범위인 용제를 사용하는 것이 바람직하다.

또, 상기 수지층은 MIL 규격에 있어서의 MIL-P-13949G 에 준거하여 측정했을 때의 레진 플로우가 5 ％ ∼ 35 ％ 의 범위에 있는 반경화 수지막인 것이 바람직하다.

본건 명세서에 있어서, 레진 플로우란, MIL 규격에 있어서의 MIL-P-13949G 에 준거하여, 수지 두께를 55 ㎛ 로 한 수지 부착 표면 처리 동박으로부터 가로 세로 10 cm 시료를 4 매 샘플링하고, 이 4 매의 시료를 겹친 상태 (적층체) 로 프레스 온도 171 ℃, 프레스압 14 kgf/c㎡, 프레스 시간 10 분의 조건으로 접착하고, 그 때의 수지 유출 중량을 측정한 결과로부터 하기 식에 기초하여 산출한 값이다.

상기 수지층을 구비한 표면 처리 동박 (수지 부착 표면 처리 동박) 은, 그 수지층을 기재에 중첩한 후 전체를 열압착하여 그 수지층을 열 경화시키고, 이어서 표면 처리 동박에 소정의 배선 패턴을 형성한다는 양태로 사용된다. 또, 당해 표면 처리 동박을 극박 동층으로서 사용한 캐리어가 부착된 동박에 대해, 수지층을 구비한 캐리어가 부착된 동박 (수지 부착 캐리어가 부착된 동박) 은, 그 수지층을 기재에 중첩한 후 전체를 열압착하여 그 수지층을 열 경화시키고, 이어서 캐리어를 박리하여 극박 동층을 표출시키고 (당연히 표출되는 것은 그 극박 동층의 중간층측의 표면이다), 거기에 소정의 배선 패턴을 형성한다는 양태로 사용된다.

이 수지 부착 표면 처리 동박 혹은 수지 부착 캐리어가 부착된 동박을 사용 하면, 다층 프린트 배선 기판의 제조 시에 있어서의 프리프레그재의 사용 매수를 줄일 수 있다. 게다가, 수지층의 두께를 층간 절연을 확보할 수 있는 두께로 하거나, 프리프레그재를 전혀 사용하지 않아도 구리 피복 적층판을 제조할 수 있다. 또 이 때, 기재의 표면에 절연 수지를 언더코트하여 표면의 평활성을 더욱 개선할 수도 있다.

또한, 프리프레그재를 사용하지 않는 경우에는, 프리프레그재의 재료 비용이 절약되고, 또 적층 공정도 간략해지므로 경제적으로 유리해지고, 게다가, 프리프레그재의 두께분만큼 제조되는 다층 프린트 배선 기판의 두께는 얇아져, 1 층의 두께가 100 ㎛ 이하인 극박의 다층 프린트 배선 기판을 제조할 수 있다는 이점이 있다.

이 수지층의 두께는 0.1 ∼ 500 ㎛ 인 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 300 ㎛ 인 것이 보다 바람직하고, 0.1 ∼ 200 ㎛ 인 것이 보다 바람직하고, 0.1 ∼ 120 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다.

수지층의 두께가 0.1 ㎛ 보다 얇아지면, 접착력이 저하되고, 프리프레그재를 개재시키는 일 없이 이 수지 부착 표면 처리 동박 또는 수지 부착 캐리어가 부착된 동박을 내층재를 구비한 기재에 적층했을 때에, 내층재의 회로와의 사이의 층간 절연을 확보하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 한편, 수지층의 두께를 500 ㎛ 보다 두껍게 하면, 1 회의 도포 공정으로 목적 두께의 수지층을 형성하는 것이 곤란해져, 여분의 재료비와 공수가 들기 때문에 경제적으로 불리해지는 경우가 있다.

또, 수지 부착 표면 처리 동박 혹은 수지 부착 캐리어가 부착된 동박이 극박의 다층 프린트 배선판을 제조하는 것에 사용되는 경우에는, 상기 수지층의 두께를 0.1 ㎛ ∼ 5 ㎛, 보다 바람직하게는 0.5 ㎛ ∼ 5 ㎛, 보다 바람직하게는 1 ㎛ ∼ 5 ㎛ 로 하는 것이, 다층 프린트 배선판의 두께를 작게 하기 때문에 바람직하다.

또한, 상기 수지층의 두께를 0.1 ㎛ ∼ 5 ㎛ 로 하는 경우에는, 수지층과 표면 처리 동박 또는 캐리어가 부착된 동박과의 밀착성을 향상시키기 위해, 표면 처리 동박 또는 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층 상에 조화 처리층 및/또는 내열층 및/또는 방청층 및/또는 크로메이트 처리층 및/또는 실란 커플링 처리층을 형성한 후에, 당해 조화 처리층 또는 내열층 또는 방청층 또는 크로메이트 처리층 또는 실란 커플링 처리층 상에 수지층을 형성하는 것이 바람직하다.

또한, 전술한 수지층의 두께는, 임의의 10 점에 있어서 단면 관찰에 의해 측정한 두께의 평균치를 말한다.

또한, 표면 처리 동박이 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층인 경우에 수지 부착 캐리어가 부착된 동박의 또 하나의 제품 형태로서는, 상기 극박 동층 상, 혹은 상기 조화 처리층, 상기 내열층, 상기 방청층, 혹은 상기 크로메이트 처리층, 혹은 상기 실란 커플링 처리층 상에 수지층으로 피복하고, 반경화 상태로 한 후, 이어서 캐리어를 박리하고, 캐리어가 존재하지 않는 수지 부착 동박의 형태로 제조하는 것도 가능하다.

〔수지 기재〕

본 발명에 관련된 수지 기재는, 후술하는 표면 형태가 형성 가능한 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 미츠비시 가스 화학사 제조 프리프레그 (GHPL-830MBT 등), 히타치 화성 공업사 제조 프리프레그 (679-FG 등), 스미토모 베이크라이트사 제조 프리프레그 (EI-6785TS-F 등) 로 형성할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 미츠비시 가스 화학사 제조 프리프레그 GHPL-830MBT (비스말레이미드트리아진 수지 함유 프리프레그) 를 준비했다. 적층 프레스의 온도, 압력, 시간은, 기재 메이커의 추천 조건을 사용했다.

본 발명에 관련된 수지 기재의 두께로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 750 ∼ 850 ㎛, 100 ∼ 200 ㎛, 30 ∼ 100 ㎛ 로 할 수 있고, 전형적으로는 30 ∼ 200 ㎛ (양면판의 경우) 이다.

〔흰색부 평균, 흑색부 평균〕

본 발명의 수지 기재는, 표면의 흰색부 평균이 0.23 ㎛ 초과 ∼ 0.70 ㎛ 이다. 또, 본 발명의 수지 기재는, 표면의 흑색부 평균이 0.20 ㎛ 초과 ∼ 0.256 ㎛ 인 것이 바람직하다.

수지 기재 표면의 당해 흰색부 평균 및 흑색부 평균의 측정 방법은, 상기 서술한 도 1 을 사용하여 설명한 측정 방법과 동일하다.

상기 흰색부 평균이 0.23 ㎛ 초과이면, 앵커 효과가 높아져, 피막과의 밀착성이 향상된다. 한편, 흰색부 평균이 0.70 ㎛ 초과이면, 기재 표면의 요철이 너무 커져, 피막과의 밀착성이 불량이 될 우려가 있다. 상기 흰색부 평균은, 바람직하게는 0.231 ∼ 0.70 ㎛, 보다 바람직하게는 0.25 ∼ 0.65 ㎛ 이다.

상기 흑색부 평균이 0.20 ㎛ 초과이면, 기재 표면에 피막을 형성하기 위한 도금액이 보다 침입하기 쉬워져, 피막과의 밀착성이 향상된다. 한편, 상기 흑색부 평균이 0.256 초과이면, 앵커 효과가 약해지는 경우가 있어, 피막과의 밀착성이 불량이 될 우려가 있다. 상기 흑색부 평균은, 바람직하게는 0.201 ∼ 0.256 ㎛, 보다 바람직하게는 0.21 ∼ 0.2553 ㎛ 이다.

〔흑색부 최대〕

본 발명의 수지 기재는, 표면의 흑색부 최대가 0.605 ㎛ 초과 ∼ 1.07 ㎛ 인 것이 바람직하다. 여기서, 흑색부 최대란, 상기 서술한 도 1 을 사용하여 설명한 측정 방법과 동일하다.

상기 흑색부 최대가 0.605 ㎛ 초과이면, 기재 표면에 피막을 형성하기 위한 도금액이 침입하기 쉬워져 피막과의 밀착성이 향상된다. 한편, 상기 흑색부 최대가 1.07 ㎛ 초과이면, 앵커 효과가 약해지는 경우가 있어, 피막과의 밀착성이 불량이 될 우려가 있다. 상기 흑색부 최대는, 바람직하게는 0.6051 ∼ 1.07 ㎛, 보다 바람직하게는 0.61 ∼ 0.96 ㎛ 이다.

〔흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균〕

본 발명의 수지 기재는, 표면의 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.457 ㎛ 초과 ∼ 1.0 ㎛ 인 것이 바람직하다. 또, 본 발명의 수지 기재는, 수지 기재 표면의 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.335 ㎛ 초과 ∼ 0.55 ㎛ 인 것이 바람직하다. 여기서, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이란, 상기 서술한 측정 방법과 동일하다. 또, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이란, 상기 서술한 측정 방법과 동일하다.

상기 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.457 ㎛ 초과이면, 앵커 효과가 높아져, 피막과의 밀착성이 향상된다. 한편, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 1.0 ㎛ 초과이면, 기재 표면의 요철이 너무 커지는 경우가 있어, 피막과의 밀착성이 불량이 될 우려가 있다. 상기 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균은, 바람직하게는 0.4571 ∼ 1.0 ㎛, 보다 바람직하게는 0.46 ∼ 0.95 ㎛ 이다.

상기 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.335 ㎛ 초과이면, 기재 표면에 피막을 형성하기 위한 도금액이 침입하기 쉬워져, 피막과의 밀착성이 향상된다. 한편, 상기 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.55 ㎛ 초과이면, 앵커 효과가 약해지는 경우가 있어, 피막과의 밀착성이 불량이 될 우려가 있다. 상기 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균은, 바람직하게는 0.3351 ∼ 0.55 ㎛ 이며, 보다 바람직하게는 0.34 ∼ 0.5456 ㎛ 이다.

〔흰색부 비율〕

본 발명의 수지 기재는, 표면의 흰색부 비율이 68 ％ 초과 ∼ 70 ％ 인 것이 바람직하다. 여기서, 흰색부 비율이란, 상기 흰색부 길이의 합계와 흑색부 길이의 합계의 합계에 대한 흰색부 길이의 합계의 비율을 나타낸다. 흰색부 비율이 68 ％ 초과이면, 앵커 효과가 높아져, 피막과의 밀착성이 향상된다. 한편, 흰색부 비율이 70 ％ 초과이면, 기재 표면의 요철이 너무 작아져, 피막과의 밀착성이 불량이 될 우려가 있다. 상기 흰색부 비율은, 바람직하게는 68.1 ∼ 70 ％, 보다 바람직하게는 68.2 ∼ 70 ％ 이다.

본 발명의 수지 기재는, 이하의 (2-1) ∼ (2-6) 중의, 1 개 또는 2 개 또는 3 개 또는 4 개 또는 5 개 또는 6 개를 만족해도 된다 ：

(2-1) 표면의 흰색부 평균이 0.23 초과 ∼ 0.70 ㎛ 이다,

(2-2) 표면의 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.457 초과 ∼ 1.0 ㎛ 이다,

(2-3) 표면의 흑색부 평균이 0.20 초과 ∼ 0.256 ㎛ 이다,

(2-4) 표면의 흑색부 최대가 0.605 초과 ∼ 1.07 ㎛ 이다,

(2-5) 표면의 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균이 0.335 초과 ∼ 0.55 ㎛ 이다,

(2-6) 표면의 흰색부 비율이 68 초과 ∼ 70 ％ 이다.

〔수지 기재의 표면 프로파일의 형성 방법〕

본 발명에 관련된 수지 기재의 표면의 프로파일 형상은, 수지 기재에 표면 처리 동박을 적층한 후, 당해 표면 처리 동박을 전체면 에칭 등으로 제거함으로써 형성할 수 있다. 또, 본 발명에 관련된 수지 기재의 표면의 프로파일 형상은, 수지 기재 표면을 소정의 플라즈마 처리 그리고 약액에 의해 처리함으로써 형성할 수 있다.

표면 처리 동박을 사용한 본 발명에 관련된 수지 기재의 표면 프로파일의 형성 방법으로서는, 먼저, 동박의 표면에 소정의 조건하에서 1 차 입자 및/또는 2 차 입자가 동박 표면에 형성된 상기 서술한 표면 처리 동박을 준비한다. 다음으로, 당해 표면 처리 동박의 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 표면 처리 동박을 전체면 에칭 등에 의해 제거한다. 그 후, 노출된 수지 기재 표면에 대해 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시함으로써, 표면 처리 동박 제거 후의 수지 기재의 상기 표면 프로파일이 형성된다.

플라즈마 처리 그리고 약액을 사용한 처리에 의한 본 발명에 관련된 수지 기재의 흰색부 및/또는 흑색부가 제어된 표면 프로파일의 형성 방법으로서는, 수지 기재에 이하의 플라즈마 처리 그리고 약액을 사용한 처리를 실시함으로써 형성할 수 있다.

플라즈마 처리 (1) 을 실시한 후에, 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시하고, 그 후 플라즈마 처리 (2) 를 실시한다.

상기 플라즈마 처리 (1) 은, 수소와 불화수소를 함유하는 가스를 사용하여 10 ∼ 100 초간 실시하면 된다. 이로써, 수지 기판에 요철이 형성된다. 또, 상기 디스미어 처리에서는, 디스미어액 중에 Ni 및 Cu 를 첨가함으로써, 산화 반응이 촉진되고, 구멍이 확장된다. 또한, 상기 서술한 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리에는 공지된 처리, 및/또는, 본원에 관련된 처리를 사용할 수 있다. 또, 상기 플라즈마 처리 (2) 는, 10 ∼ 100 초간 실시한다. 플라즈마 처리 (2) 는 질소, 산소 및 아르곤으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 분위기 중에서 실시하면 된다. 당해 플라즈마 처리 (2) 에 의해 디스미어 후의 수지의 표면을 조정한다. 이와 같이, 수지에 대해, 플라즈마 처리 (1) ＋ 디스미어 처리 ＋ 플라즈마 처리 (2) 를 실시함으로써, 본 발명에 관련된 구멍 형상을 갖는 수지 기재를 제조할 수 있다.

이하에, 본 발명에 관련된 표면 처리 동박 혹은 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 공정의 예를 몇 가지 나타낸다. 또, 프린트 배선판에 전자 부품류를 탑재함으로써, 프린트 회로판이 완성된다.

세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명의 표면 처리 동박과 절연 기판 (이하, 절연 기판은 본 발명의 수지 기재여도 된다) 을 준비하는 공정, 상기 표면 처리 동박을, 표면 처리층측으로부터 절연 기판에 적층하는 공정, 상기 절연 기판 상의 표면 처리 동박을 제거하는 공정, 상기 표면 처리 동박을 제거한 절연 기판의 표면에 회로를 형성하는 공정을 포함한다. 또한, 본 명세서에 있어서 수지 기재는 배선이나 회로 등을 갖는 수지 기재를 포함하는 개념이다.

도 2 에 동박의 프로파일을 사용한 세미 애디티브 공법의 개략예를 나타낸다. 당해 공법에서는, 동박의 표면 프로파일을 사용하고 있다. 구체적으로는, 먼저, 수지 기재에 본 발명의 동박을 적층시켜 적층체 (구리 피복 적층판) 를 제작한다. 다음으로, 구리 피복 적층체의 동박을 전체면 에칭한다. 다음으로, 동박 표면 프로파일이 전사한 수지 기재 (전체면 에칭 기재) 의 표면에 무전해 구리 도금을 실시한다. 그리고, 수지 기재 (전체면 에칭 기재) 의 회로를 형성하지 않는 부분을 드라이 필름 등으로 피복하고, 드라이 필름에 피복되어 있지 않은 무전해 구리 도금층의 표면에 전기 (전해) 구리 도금을 실시한다. 그 후, 드라이 필름을 제거한 후에, 회로를 형성하지 않는 부분에 형성된 무전해 구리 도금층을 제거함으로써 미세한 회로를 형성한다. 본 발명에서 형성되는 미세 회로는, 본 발명의 동박 표면 프로파일이 전사된 수지 기재 (전체면 에칭 기재) 의 에칭면과 밀착되어 있기 때문에, 그 밀착력 (필 강도) 이 양호해져 있다.

또, 동박의 프로파일을 사용한 세미 애디티브 공법의 개략예를 나타낸다. 당해 공법에서는, 수지 기재의 표면 프로파일의 형성을 위해서, 동박의 표면 프로파일을 사용하고 있다. 구체적으로는, 먼저, 수지 기재에 본 발명의 동박을 적층시켜 구리 피복 적층체를 제작한다. 다음으로, 구리 피복 적층체의 동박을 전체면 에칭한다. 다음으로, 동박 표면 프로파일이 전사한 수지 기재 (전체면 에칭 기재) 의 표면에 무전해 구리 도금을 실시한다. 그리고, 수지 기재 (전체면 에칭 기재) 의 회로를 형성하지 않는 부분을 드라이 필름 등으로 피복하고, 드라이 필름에 피복되어 있지 않은 무전해 구리 도금층의 표면에 전기 (전해) 구리 도금을 실시한다. 그 후, 드라이 필름을 제거한 후에, 회로를 형성하지 않는 부분에 형성된 무전해 구리 도금층을 제거함으로써 미세한 회로를 형성한다. 본 발명에서 형성되는 미세 회로는, 본 발명의 동박 표면 프로파일이 전사된 수지 기재 (전체면 에칭 기재) 의 에칭면과 밀착되어 있기 때문에, 그 밀착력 (필 강도) 이 양호해져 있다.

절연 기판은 내층 회로가 포함된 것으로 하는 것도 가능하다. 또, 본 발명에 있어서, 세미 애디티브법이란, 절연 기판 또는 동박 시드층 상에 얇은 무전해 도금을 실시하고, 패턴을 형성 후, 전기 도금 및 에칭을 사용하여 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.

세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 절연 기판에 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗긴 후의 절연 기판 상의 극박 동층을 제거하는 공정, 상기 극박 동층을 제거한 절연 기판의 표면에 회로를 형성하는 공정을 포함한다.

본 발명에 있어서, 세미 애디티브법이란, 절연 기판 또는 동박 시드층 상에 얇은 무전해 도금을 실시하고, 필요하면 그 후 전해 도금을 실시하고, 또한 그 후, 패턴을 형성 후, 전기 도금 및 에칭을 사용하여 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.

본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명의 표면 처리 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 표면 처리 동박을, 표면 처리층측으로부터 절연 기판에 적층하여 구리 피복 적층판을 형성하고, 그 후, 서브트랙티브법, 세미 애디티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함한다.

본 발명에 있어서, 서브트랙티브법이란, 구리 피복 적층판 상의 동박의 불요 부분을, 에칭 등에 의해, 선택적으로 제거하여, 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.

본 발명에 있어서, 파트리 애디티브법이란, 도체층을 형성하여 이루어지는 기판, 필요에 따라 스루홀이나 비아홀용의 구멍을 뚫어 이루어지는 기판 상에 촉매핵을 부여하고, 에칭하여 도체 회로를 형성하고, 필요에 따라 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성한 후에, 상기 도체 회로 상, 스루홀이나 비아홀 등에 무전해 도금 처리에 의해 두께 형성을 실시함으로써, 프린트 배선판을 제조하는 방법을 가리킨다.

본 발명에 있어서, 모디파이드 세미 애디티브법이란, 절연층 상에 금속박을 적층하고, 도금 레지스트에 의해 비회로 형성부를 보호하고, 전해 도금에 의해 회로 형성부의 구리 두께 형성을 실시한 후, 레지스트를 제거하고, 상기 회로 형성부 이외의 금속박을 (플래시) 에칭으로 제거함으로써, 절연층 상에 회로를 형성하는 방법을 가리킨다.

본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 절연 기판에 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고, 그 후, 서브트랙티브법, 세미 애디티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함한다.

세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 회로가 형성된 금속박을 준비하는 공정, 상기 회로가 매몰되도록 상기 금속박 표면에 수지층을 형성하는 공정, 본 발명의 표면 처리 동박을, 표면 처리층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정, 상기 수지층 상의 표면 처리 동박을 제거하는 공정, 상기 표면 처리 동박을 제거한 수지층의 표면에 회로를 형성하는 공정, 및, 상기 금속박을 제거함으로써, 상기 금속박 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함한다.

세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 제 1 캐리어가 부착된 동박으로 하고, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 회로를 형성하는 공정, 상기 회로가 매몰되도록 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 수지층을 형성하는 공정, 제 2 캐리어가 부착된 동박을 준비하고, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박을 상기 수지층에 적층한 후에, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗긴 후의 수지층 상의 극박 동층을 제거하는 공정, 상기 극박 동층을 제거한 수지층의 표면에 회로를 형성하는 공정, 상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시키는 공정, 및, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층을 제거함으로써, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함한다.

본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 회로가 형성된 금속박을 준비하는 공정, 상기 회로가 매몰되도록 상기 금속박 표면에 수지층을 형성하는 공정, 본 발명의 표면 처리 동박을, 표면 처리층측으로부터 수지층에 적층하고, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정, 및, 상기 금속박을 제거함으로써, 상기 금속박 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함한다.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 일 실시형태에 있어서, 표면 처리층이 형성된 측의 표면에 회로가 형성된 본 발명의 표면 처리 동박, 또는, 극박 동층측 표면에 회로가 형성된 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 준비하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 표면 처리 동박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 동박 표면에 수지층을 형성하는 공정,

상기 수지층의 표면에 회로를 형성하는 공정, 및,

상기 표면 처리 동박 또는 상기 캐리어가 부착된 동박을 제거함으로써, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정

을 포함한다.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 일 실시형태에 있어서, 표면에 회로가 형성된 금속박, 또는, 표면 처리층이 형성된 측의 표면에 회로가 형성된 본 발명의 표면 처리 동박인 제 1 표면 처리 동박, 또는, 극박 금속층측 표면에 회로가 형성된 캐리어가 부착된 금속박, 또는, 극박 동층측 표면에 회로가 형성된 본 발명의 캐리어가 부착된 동박인 제 1 캐리어가 부착된 동박을 준비하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 금속박 표면 또는 상기 표면 처리 동박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 금속박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 동박 표면에 수지층을 형성하는 공정,

본 발명의 표면 처리 동박인 제 2 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박인 제 2 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정,

상기 수지층에 적층한 박이 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박인 경우는, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정,

상기 수지층 상의 표면 처리 동박, 또는, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어가 벗겨져 남은 극박 동층을 제거하는 공정,

상기 표면 처리 동박을 제거한 수지층의 표면, 또는, 극박 동층을 제거한 수지층의 표면에 회로를 형성하는 공정, 및,

상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 금속박을 제거함으로써, 또는, 상기 제 1 표면 처리 동박을 제거함으로써, 또는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 금속층을 제거함으로써, 또는, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 동층을 제거함으로써, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정

을 포함한다.

본 발명에 있어서, 캐리어가 부착된 금속박은, 적어도 캐리어와 극박 금속 층을 이 순서로 구비하고 있다. 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어로서는, 금속박을 사용할 수 있다. 금속박으로서 동박, 구리 합금박, 니켈박, 니켈 합금박, 알루미늄박, 알루미늄 합금박, 철박, 철 합금박, 스테인리스박, 아연박, 아연 합금박을 사용할 수 있다. 금속박의 두께는 1 ∼ 10000 ㎛, 바람직하게는 2 ∼ 5000 ㎛, 바람직하게는 10 ∼ 1000 ㎛, 바람직하게는 18 ∼ 500 ㎛, 바람직하게는 35 ∼ 300 ㎛ 로 할 수 있다. 또, 캐리어로서 수지 기재나 무기 물질이나 유기 물질의 판을 사용할 수도 있다. 수지 기재나 무기 물질이나 유기 물질의 판의 두께는 전술한 금속박의 두께와 동일하게 할 수 있다.

캐리어와 금속박은, 접착제나 이형제, 중간층을 개재하여 박리 가능하게 적층해도 된다. 또 캐리어와 금속박을 용접, 용착 등으로 박리 가능하게 접합해도 된다. 캐리어와 금속박이 박리 곤란한 경우에는, 캐리어와 금속박이 접합되어 있는 지점을 절단 등에 의해 제거한 후에, 캐리어와 금속박을 박리해도 된다.

극박 금속층은, 구리, 구리 합금, 니켈, 니켈 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금, 철, 철 합금, 스테인리스, 아연, 아연 합금이어도 된다. 극박 금속층의 두께는 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층과 동일한 범위로 할 수 있다. 극박 금속층은, 회로로 했을 때의 도전성의 관점에서 극박 동층인 것이 바람직하다.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 일 실시형태에 있어서, 표면 처리층이 형성된 측의 표면에 회로가 형성된 본 발명의 표면 처리 동박, 또는, 극박 동층측 표면에 회로가 형성된 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 준비하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 표면 처리 동박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 동박 표면에 수지층을 형성하는 공정,

금속박을 상기 수지층에 적층하는 공정, 또는, 캐리어가 부착된 금속박을 극박 금속층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정,

상기 수지층에 적층한 박이 상기 캐리어가 부착된 금속박인 경우는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어를 벗기는 공정,

상기 수지층 상의 금속박, 또는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어가 벗겨져 남은 극박 금속층을 제거하는 공정,

상기 금속박을 제거한 수지층의 표면, 또는, 극박 동층을 제거한 수지층의 표면에 회로를 형성하는 공정, 및,

상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 표면 처리 동박을 제거함으로써, 또는, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 동층을 제거함으로써, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함한다.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 일 실시형태에 있어서, 표면에 회로가 형성된 금속박, 또는, 표면 처리층이 형성된 측의 표면에 회로가 형성된 본 발명의 표면 처리 동박인 제 1 표면 처리 동박, 또는, 극박 금속층측 표면에 회로가 형성된 캐리어가 부착된 금속박, 또는, 극박 동층측 표면에 회로가 형성된 본 발명의 캐리어가 부착된 동박인 제 1 캐리어가 부착된 동박을 준비하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 금속박 표면 또는 상기 표면 처리 동박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 금속박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 동박 표면에 수지층을 형성하는 공정,

본 발명의 표면 처리 동박인 제 2 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정, 또는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박인 제 2 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정,

상기 수지층에 적층한 박이 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박인 경우는, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정,

상기 수지층 상의 표면 처리 동박, 또는, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어가 벗겨져 남은 극박 동층을 사용하여 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정,

상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 금속박을 제거함으로써, 또는, 상기 제 1 표면 처리 동박을 제거함으로써, 또는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 금속층을 제거함으로써, 또는, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 동층을 제거함으로써, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함한다.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 일 실시형태에 있어서, 표면 처리층이 형성된 측의 표면에 회로가 형성된 본 발명의 표면 처리 동박, 또는, 극박 동층측 표면에 회로가 형성된 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 준비하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 표면 처리 동박 표면 또는 상기 캐리어가 부착된 동박 표면에 수지층을 형성하는 공정,

금속박을 상기 수지층에 적층하는 공정, 또는, 캐리어가 부착된 금속박을 극박 동층측으로부터 상기 수지층에 적층하는 공정,

상기 수지층에 적층한 박이 상기 캐리어가 부착된 금속박인 경우는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어를 벗기는 공정,

상기 수지층 상의 금속박, 또는, 상기 캐리어가 부착된 금속박의 캐리어가 벗겨져 남은 극박 금속층을 사용하여 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정,

상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 표면 처리 동박을 제거함으로써, 또는, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에 극박 동층을 제거함으로써, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정

을 포함한다.

본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 제 1 캐리어가 부착된 동박으로 하고, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 회로를 형성하는 공정, 상기 회로가 매몰되도록 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 수지층을 형성하는 공정, 제 2 캐리어가 부착된 동박을 준비하고, 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측으로부터 상기 수지층에 적층하여 상기 제 2 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기고, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정, 상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시키는 공정, 및, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리시킨 후에, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층을 제거함으로써, 상기 제 1 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함한다.

세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 모두 제거하는 공정, 상기 극박 동층을 에칭에 의해 제거함으로써 노출된 상기 수지에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 수지 및 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함한다.

세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 모두 제거하는 공정, 상기 극박 동층을 에칭에 의해 제거함으로써 노출된 상기 수지의 표면에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층 및 극박 동층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함한다.

모디파이드 세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층 표면에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 형성한 후에, 전해 도금에 의해 회로를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거함으로써 노출된 극박 동층을 플래시 에칭에 의해 제거하는 공정을 포함한다.

모디파이드 세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층 및 극박 동층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함한다.

파트리 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 촉매핵을 부여하는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정, 상기 극박 동층 및 상기 촉매핵을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정, 상기 극박 동층 및 상기 촉매핵을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여 노출된 상기 절연 기판 표면에, 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트가 형성되어 있지 않은 영역에 무전해 도금층을 형성하는 공정을 포함한다.

서브트랙티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층의 표면에, 전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 전해 도금층 또는/및 상기 극박 동층의 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정, 상기 극박 동층 및 상기 무전해 도금층 및 상기 전해 도금층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정을 포함한다.

서브트랙티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층의 표면에 마스크를 형성하는 공정, 마스크가 형성되어 있지 않은 상기 무전해 도금층의 표면에 전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 전해 도금층 또는/및 상기 극박 동층의 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정, 상기 극박 동층 및 상기 무전해 도금층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정을 포함한다.

스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 및 그 후의 디스미어 공정 은 실시하지 않아도 된다.

여기서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예를 상세하게 설명한다.

공정 1 ： 먼저, 표면에 조화 처리층이 형성된 극박 동층을 갖는 캐리어가 부착된 동박 (1 층째) 을 준비한다.

공정 2 ： 다음으로, 극박 동층의 조화 처리층 상에 레지스트를 도포하고, 노광·현상을 실시하여, 레지스트를 소정의 형상으로 에칭한다.

공정 3 ： 다음으로, 회로용의 도금을 형성한 후, 레지스트를 제거함으로써, 소정의 형상의 회로 도금을 형성한다.

공정 4 ： 다음으로, 회로 도금을 덮도록 (회로 도금이 매몰되도록) 극박 동층 상에 매립 수지를 형성하여 수지층을 적층하고, 계속해서 다른 캐리어가 부착된 동박 (2 층째) 을 극박 동층측으로부터 접착시킨다.

공정 5 ： 다음으로, 2 층째의 캐리어가 부착된 동박으로부터 캐리어를 벗긴다. 또한, 2 층째에는 캐리어를 갖지 않는 동박을 사용해도 된다.

공정 6 ： 다음으로, 2 층째의 극박 동층 또는 동박 및 수지층의 소정 위치에 레이저 구멍내기를 실시하고, 회로 도금을 노출시켜 블라인드 비아를 형성한다.

공정 7 ： 다음으로, 블라인드 비아에 구리를 매립하여 비아 필을 형성한다.

공정 8 ： 다음으로, 비아 필 상에, 상기 공정 2 및 3 과 같이 하여 회로 도금을 형성한다.

공정 9 ： 다음으로, 1 층째의 캐리어가 부착된 동박으로부터 캐리어를 벗긴다.

공정 10 ： 다음으로, 플래시 에칭에 의해 양 표면의 극박 동층 (2 층째에 동박을 형성한 경우에는 동박) 을 제거하고, 수지층 내의 회로 도금의 표면을 노출시킨다.

공정 11 ： 다음으로, 수지층 내의 회로 도금 상에 범프를 형성하고, 당해 땜납 상에 구리 필러를 형성한다. 이와 같이 하여 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판을 제작한다.

상기 다른 캐리어가 부착된 동박 (2 층째) 은, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용해도 되고, 종래의 캐리어가 부착된 동박을 사용해도 되고, 또한 통상적인 동박을 사용해도 된다. 또, 공정 8 에 있어서의 2 층째의 회로 상에, 추가로 회로를 1 층 혹은 복수층 형성해도 되고, 그들의 회로 형성을 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 실시해도 된다.

상기 서술한 바와 같은 프린트 배선판의 제조 방법에 의하면, 회로 도금이 수지층에 매립된 구성으로 되어 있기 때문에, 예를 들어 공정 10 과 같은 플래시 에칭에 의한 극박 동층의 제거 시에, 회로 도금이 수지층에 의해 보호되고, 그 형상이 유지되어, 이로써 미세 회로의 형성이 용이해진다. 또, 회로 도금이 수지층에 의해 보호되기 때문에, 내마이그레이션성이 향상되고, 회로의 배선의 도통이 양호하게 억제된다. 이 때문에, 미세 회로의 형성이 용이해진다. 또, 공정 10 및 공정 11 에 나타내는 바와 같이 플래시 에칭에 의해 극박 동층을 제거했을 때, 회로 도금의 노출면이 수지층으로부터 함몰된 형상이 되기 때문에, 당해 회로 도금 상에 범프가, 추가로 그 위에 구리 필러가 각각 형성되기 쉬워져, 제조 효율이 향상된다.

또한, 매립 수지 (레진) 에는 공지된 수지, 프리프레그를 사용할 수 있다. 예를 들어, BT (비스말레이미드트리아진) 레진이나 BT 레진을 함침시킨 유리 천인 프리프레그, 아지노모토 파인 테크노 주식회사 제조 ABF 필름이나 ABF 를 사용할 수 있다. 또, 상기 매립 수지 (레진) 에는 본 명세서에 기재된 수지층 및/또는 수지 및/또는 프리프레그를 사용할 수 있다.

또, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어가 부착된 동박은, 당해 캐리어가 부착된 동박의 표면에 기판 또는 수지층을 가져도 된다. 당해 기판 또는 수지층을 가짐으로써 1 층째에 사용되는 캐리어가 부착된 동박은 지지되고, 주름이 생기기 어려워지기 때문에, 생산성이 향상된다는 이점이 있다. 또한, 상기 기판 또는 수지층에는, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어가 부착된 동박을 지지하는 효과가 있는 것이면, 모든 기판 또는 수지층을 사용할 수 있다. 예를 들어 상기 기판 또는 수지층으로서 본 명세서에 기재된 캐리어, 프리프레그, 수지층이나 공지된 캐리어, 프리프레그, 수지층, 금속판, 금속박, 무기 화합물의 판, 무기 화합물의 박, 유기 화합물의 판, 유기 화합물의 박을 사용할 수 있다.

또, 본 발명에 있어서, 「기재」 는, 본 명세서에 기재된 캐리어, 프리프레그, 수지 기재나 공지된 캐리어, 프리프레그, 수지 기재, 금속판, 금속박, 무기 화합물의 판, 무기 화합물의 박, 유기 화합물의 판, 유기 화합물의 박을 사용할 수 있다.

또, 본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층하는 공정, 상기 수지 기판과 적층한 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과는 반대측의 캐리어가 부착된 동박의 표면에, 수지층과 회로의 2 층을, 적어도 1 회 형성하는 공정, 및, 상기 수지층 및 회로의 2 층을 형성한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박으로부터 상기 캐리어 또는 상기 극박 동층을 박리시키는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법 (코어레스 공법) 이어도 된다. 당해 코어레스 공법에 대해, 구체적인 예로서는, 먼저, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층측 표면 또는 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층하여 적층체를 제조한다. 그 후, 수지 기판과 적층한 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과는 반대측의 캐리어가 부착된 동박의 표면에 수지층을 형성한다. 캐리어측 표면 또는 극박 동층측 표면에 형성한 수지층에는, 추가로 다른 캐리어가 부착된 동박을 캐리어측 또는 극박 동층측으로부터 적층해도 된다. 또, 수지 기판을 중심으로 하여 당해 수지 기판의 양 표면측에, 캐리어/중간층/극박 동층의 순서 혹은 극박 동층/중간층/캐리어의 순서로 캐리어가 부착된 동박이 적층된 구성을 갖는 적층체 혹은 「캐리어/중간층/극박 동층/수지 기판/극박 동층/중간층/캐리어」 의 순서로 적층된 구성을 갖는 적층체를 상기 서술한 프린트 배선판의 제조 방법 (코어레스 공법) 에 사용해도 된다. 그리고, 당해 적층체의 양단의 극박 동층 혹은 캐리어의 노출된 표면에는, 다른 수지층을 형성하고, 추가로 동층 또는 금속층을 형성한 후, 당해 동층 또는 금속층을 가공함으로써 회로를 형성해도 된다. 또한, 다른 수지층을 당해 회로 상에, 당해 회로를 매립하도록 형성해도 된다. 또, 이와 같은 회로 및 수지층의 형성을 1 회 이상 실시해도 된다 (빌드업 공법). 그리고, 이와 같이 하여 형성한 적층체 (이하, 적층체 B 라고도 한다) 에 대해, 각각의 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층 또는 캐리어를 캐리어 또는 극박 동층으로부터 박리시켜 코어레스 기판을 제작할 수 있다. 또한, 전술한 코어레스 기판의 제작에는, 2 개의 캐리어가 부착된 동박을 사용하여, 후술하는 극박 동층/중간층/캐리어/캐리어/중간층/극박 동층의 구성을 갖는 적층체나, 캐리어/중간층/극박 동층/극박 동층/중간층/캐리어의 구성을 갖는 적층체나, 캐리어/중간층/극박 동층/캐리어/중간층/극박 동층의 구성을 갖는 적층체를 제작하여, 당해 적층체를 중심으로 사용할 수도 있다. 이들 적층체 (이하, 적층체 A 라고도 한다) 의 양측의 극박 동층 또는 캐리어의 표면에 수지층 및 회로의 2 층을 1 회 이상 형성하고, 수지층 및 회로의 2 층을 1 회 이상 형성한 후에, 각각의 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층 또는 캐리어를 캐리어 또는 극박 동층으로부터 박리시켜 코어레스 기판을 제작할 수 있다. 전술한 적층체는, 극박 동층의 표면, 캐리어의 표면, 캐리어와 캐리어의 사이, 극박 동층과 극박 동층의 사이, 극박 동층과 캐리어의 사이에는 다른 층을 가져도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서 「극박 동층의 표면」, 「극박 동층측 표면」, 「극박 동층 표면」, 「캐리어의 표면」, 「캐리어측 표면」, 「캐리어 표면」, 「적층체의 표면」, 「적층체 표면」 은, 극박 동층, 캐리어, 적층체가, 극박 동층 표면, 캐리어 표면, 적층체 표면에 다른 층을 갖는 경우에는, 당해 다른 층의 표면 (최표면) 을 포함하는 개념으로 한다. 또, 적층체는 극박 동층/중간층/캐리어/캐리어/중간층/극박 동층의 구성을 갖는 것이 바람직하다. 당해 적층체를 사용하여 코어레스 기판을 제작했을 때, 코어레스 기판측에 극박 동층이 배치되기 때문에, 모디파이드 세미 애디티브법을 사용하여 코어레스 기판 상에 회로를 형성하기 쉬워지기 때문이다. 또, 극박 동층의 두께는 얇기 때문에, 당해 극박 동층의 제거가 하기 쉽고, 극박 동층의 제거 후에 세미 애디티브법을 사용하여, 코어레스 기판 상에 회로를 형성하기 쉬워지기 때문이다.

또한, 본 명세서에 있어서, 「적층체 A」 또는 「적층체 B」 라고 특별히 기재하고 있지 않은 「적층체」 는, 적어도 적층체 A 및 적층체 B 를 포함하는 적층체를 나타낸다.

또한, 상기 서술한 코어레스 기판의 제조 방법에 있어서, 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체 (적층체 A) 의 단면의 일부 또는 전부를 수지로 덮음으로써, 빌드업 공법으로 프린트 배선판을 제조할 때에, 중간층 또는 적층체를 구성하는 1 개의 캐리어가 부착된 동박과 또 하나의 캐리어가 부착된 동박의 사이에의 약액의 스며듦을 방지할 수 있고, 약액의 스며듦에 의한 극박 동층과 캐리어의 분리나 캐리어가 부착된 동박의 부식을 방지할 수 있어, 수율을 향상시킬 수 있다. 여기서 사용하는 「캐리어가 부착된 동박의 단면의 일부 또는 전부를 덮는 수지」 또는 「적층체의 단면의 일부 또는 전부를 덮는 수지」 로서는, 수지층에 사용할 수 있는 수지를 사용할 수 있다. 또, 상기 서술한 코어레스 기판의 제조 방법에 있어서, 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체에 있어서 평면에서 보았을 때에 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체의 적층 부분 (캐리어와 극박 동층의 적층 부분, 또는, 1 개의 캐리어가 부착된 동박과 또 하나의 캐리어가 부착된 동박의 적층 부분) 의 외주의 적어도 일부가 수지 또는 프리프레그로 덮여도 된다. 또, 상기 서술한 코어레스 기판의 제조 방법으로 형성하는 적층체 (적층체 A) 는, 1 쌍의 캐리어가 부착된 동박을 서로 분리 가능하게 접촉시켜 구성되어 있어도 된다. 또, 당해 캐리어가 부착된 동박에 있어서 평면에서 보았을 때에 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체의 적층 부분 (캐리어와 극박 동층의 적층 부분, 또는, 1 개의 캐리어가 부착된 동박과 또 하나의 캐리어가 부착된 동박의 적층 부분) 의 외주의 전체에 걸쳐서 수지 또는 프리프레그로 덮여 이루어지는 것이어도 된다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체를 평면에서 보았을 때에, 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체의 적층 부분이 수지 또는 프리프레그에 의해 덮이고, 다른 부재가 이 부분의 측방향, 즉 적층 방향에 대해 옆에서의 방향으로부터 닿는 것을 방지할 수 있게 되어, 결과적으로 핸들링 중의 캐리어와 극박 동층 또는 캐리어가 부착된 동박끼리의 박리를 적게 할 수 있다. 또, 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체의 적층 부분의 외주를 노출하지 않도록 수지 또는 프리프레그로 덮음으로써, 전술한 바와 같은 약액 처리 공정에 있어서의 이 적층 부분의 계면에 대한 약액의 침입을 방지할 수 있고, 캐리어가 부착된 동박의 부식이나 침식을 방지할 수 있다. 또한, 적층체의 한 쌍의 캐리어가 부착된 동박으로부터 하나의 캐리어가 부착된 동박을 분리할 때, 또는 캐리어가 부착된 동박의 캐리어와 동박 (극박 동층) 을 분리할 때에는, 수지 또는 프리프레그로 덮여 있는 캐리어가 부착된 동박 또는 적층체의 적층 부분 (캐리어와 극박 동층의 적층 부분, 또는, 1 개의 캐리어가 부착된 동박과 또 하나의 캐리어가 부착된 동박의 적층 부분) 을 절단 등에 의해 제거할 필요가 있다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 캐리어측 또는 극박 동층측으로부터, 또 하나의 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 캐리어측 또는 극박 동층측에 적층하여 적층체를 구성해도 된다. 또, 상기 하나의 캐리어가 부착된 동박의 상기 캐리어측 표면 또는 상기 극박 동층측 표면과 상기 또 하나의 캐리어가 부착된 동박의 상기 캐리어측 표면 또는 상기 극박 동층측 표면이, 필요에 따라 접착제를 개재하여, 직접 적층시켜 얻어진 적층체여도 된다. 또, 상기 하나의 캐리어가 부착된 동박의 캐리어 또는 극박 동층과, 상기 또 하나의 캐리어가 부착된 동박의 캐리어 또는 극박 동층이 접합되어 있어도 된다. 여기서, 당해 「접합」 은, 캐리어 또는 극박 동층이 표면 처리층을 갖는 경우에는, 당해 표면 처리층을 개재하여 서로 접합되어 있는 양태도 포함한다. 또, 당해 적층체의 단면의 일부 또는 전부가 수지에 의해 덮여 있어도 된다.

캐리어끼리의 적층은, 단순히 중첩시키는 것 외에, 예를 들어 이하의 방법으로 실시할 수 있다.

(a) 야금적 접합 방법 ： 융접 (아크 용접, TIG (텅스텐·이너트·가스) 용접, MIG (메탈·이너트·가스) 용접, 저항 용접, 심 용접, 스포트 용접), 압접 (초음파 용접, 마찰 교반 용접), 납땜 ；

(b) 기계적 접합 방법 ： 코킹, 리벳에 의한 접합 (셀프 피어싱 리벳에 의한 접합, 리벳에 의한 접합), 스티쳐；

(c) 물리적 접합 방법 ： 접착제, (양면) 점착 테이프

일방의 캐리어의 일부 또는 전부와 타방의 캐리어의 일부 또는 전부를, 상기 접합 방법을 사용하여 접합함으로써, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어를 적층하고, 캐리어끼리를 분리 가능하게 접촉시켜 구성되는 적층체를 제조할 수 있다. 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 약하게 접합되어, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 적층되어 있는 경우에는, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어의 접합부를 제거하지 않아도, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어는 분리 가능하다. 또, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 강하게 접합되어 있는 경우에는, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 접합되어 있는 지점을 절단이나 화학 연마 (에칭 등), 기계 연마 등에 의해 제거함으로써, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어를 분리할 수 있다.

또, 이와 같이 구성한 적층체에 수지층과 회로의 2 층을, 적어도 1 회 형성하는 공정, 및, 상기 수지층 및 회로의 2 층을 적어도 1 회 형성한 후에, 상기 적층체의 캐리어가 부착된 동박으로부터 상기 극박 동층 또는 캐리어를 박리시키는 공정을 실시함으로써 프린트 배선판을 제작할 수 있다. 또한, 당해 적층체의 일방 또는 양방의 표면에, 수지층과 회로의 2 층을 형성해도 된다.

전술한 적층체에 사용하는 수지 기판, 수지층, 수지, 프리프레그는, 본 명세서에 기재한 수지층이어도 되고, 본 명세서에 기재한 수지층에 사용하는 수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등을 포함해도 된다. 또한, 캐리어가 부착된 동박은 평면에서 보았을 때에 수지 또는 프리프레그보다 작아도 된다.

또한, 프린트 배선판에 전자 부품류를 탑재함으로써, 프린트 회로판이 완성된다. 본 발명에 있어서, 「프린트 배선판」 에는 이와 같이 전자 부품류가 탑재된 프린트 배선판 및 프린트 회로판 및 프린트 기판도 포함되는 것으로 한다.

또, 당해 프린트 배선판을 사용하여 전자 기기를 제작해도 되고, 당해 전자 부품류가 탑재된 프린트 회로판을 사용하여 전자 기기를 제작해도 되고, 당해 전자 부품류가 탑재된 프린트 기판을 사용하여 전자 기기를 제작해도 된다.

실시예

이하에 본 발명의 실시예를 나타내지만, 이들의 실시예는 본 발명 및 그 이점을 보다 잘 이해하기 위해서 제공하는 것이며, 발명이 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.

도 3 에, 실시예 및 비교예의 데이터를 얻기 위한 샘플 제작 플로우를 나타낸다.

〔실시예 1 ∼ 3, 6, 14, 비교예 1 ∼ 3〕

캐리어로서, 두께 35 ㎛ 의 길이가 긴 전해 동박 (JX 닛코우 닛세키 금속사 제조 JTC) 을 준비했다. 이 동박의 광택면 (샤이니면) 에 대해, 이하의 조건으로 롤·투·롤형의 연속 도금 라인으로 전기 도금함으로써 8000 ㎛/d㎡ 의 부착량의 Ni 층을 형성했다.

(Ni 층)

황산니켈 ： 270 ∼ 280 g/ℓ

염화니켈 ： 35 ∼ 45 g/ℓ

아세트산니켈 ： 10 ∼ 20 g/ℓ

붕산 ： 30 ∼ 40 g/ℓ

광택제 ： 사카린, 부틴디올 등

도데실황산나트륨 ： 55 ∼ 75 ppm

pH ： 4 ∼ 6

욕 온도 ： 55 ∼ 65 ℃

전류 밀도 ： 10 A/d㎡

수세 및 산세 후, 계속해서, 롤·투·롤형의 연속 도금 라인 상에서, Ni 층 상에 11 ㎍/d㎡ 의 부착량의 Cr 층을 이하의 조건으로 전해 크로메이트 처리함으로써 부착시켰다.

(전해 크로메이트 처리)

액 조성 ： 중크롬산칼륨 1 ∼ 10 g/ℓ, 아연 0 ∼ 5 g/ℓ

pH ： 3 ∼ 4

액 온도 ： 50 ∼ 60 ℃

전류 밀도 ： 0.1 ∼ 2.6 A/d㎡

쿨롬량 ： 0.5 ∼ 30 As/d㎡

계속해서, 롤·투·롤형의 연속 도금 라인 상에서, Cr 층 상에 표에 기재된 두께의 극박 동층을, 이하의 조건으로 전기 도금함으로써 형성하여, 캐리어가 부착된 동박을 제조했다.

·극박 동층

구리 농도 ： 30 ∼ 120 g/ℓ

H ₂ SO ₄ 농도 ： 20 ∼ 120 g/ℓ

전해액 온도 ： 20 ∼ 80 ℃

아교 ： 1 ∼ 20 ppm

전류 밀도 ： 10 ∼ 100 A/d㎡

〔실시예 4〕

구리 농도 80 ∼ 120 g/ℓ, 황산 농도 80 ∼ 120 g/ℓ, 염화물 이온 농도 30 ∼ 100 ppm, 아교 농도 1 ∼ 5 ppm, 전해액 온도 57 ∼ 62 ℃ 의 황산구리 전해액을 전해 구리 도금욕으로 하고, 애노드와 캐소드 (동박용 전착용 금속제 드럼) 의 사이를 흐르는 전해액의 선유속도를 1.5 ∼ 2.5 m/초, 전류 밀도 70 A/d㎡ 로 두께 12 ㎛ (중량 두께 95 g/㎡) 의 양면 플랫 전해 생박을 제작했다.

〔실시예 5〕

원박으로서 두께 12 ㎛ 의 JX 닛코우 닛세키 금속 주식회사 제조 압연 동박을 준비했다.

전술한 실시예 및 비교예의 원박의 표면에, 하기에 나타내는 조건 범위에서, 1 차 입자층 (Cu), 2 차 입자층 (구리-코발트-니켈 합금 도금 등) 형성했다.

사용한 욕 조성 및 도금 조건은, 표 1 ∼ 3 과 같다. 표 1 의 1 차 입자 전류 조건란에 전류 조건, 쿨롬량이 2 개 기재되어 있는 예는, 왼쪽에 기재되어 있는 조건으로 도금을 실시한 후에, 오른쪽에 기재되어 있는 조건으로 다시 도금을 실시한 것을 의미한다. 예를 들어, 실시예 1 의 1 차 입자 전류 조건란에는 「(65 A/d㎡, 70 As/d㎡) ＋ (20 A/d㎡, 40 As/d㎡)」 라고 기재되어 있지만, 이것은 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 65 A/d㎡, 쿨롬량을 70 As/d㎡ 로 도금을 실시한 후에, 다시 1 차 입자를 형성하는 전류 밀도를 20 A/d㎡, 쿨롬량을 40 As/d㎡ 로 하여 도금을 실시한 것을 나타낸다. 또한, 표 1 의 실시예 6, 비교예 3 의 「1 차 입자 형성 시 도금액 선유속 (m/s)」 의 난에 기재되어 있는 값은 2 차 입자 형성 시 도금액 선유속을 의미한다. 또한, 실시예 6, 비교예 3 에서는 1 차 입자를 형성하고 있지 않기 때문에, 실시예 6, 비교예 3 의 표 1 의 「2 차 입자 형성 도금」 은 1 차 입자 형성 도금에 상당한다. 또한, 실시예 6, 비교예 3 이외의 2 차 입자 형성 시 도금액 선유속은 2.5 m/sec 로 했다.

〔배리어 (내열) 처리〕

배리어 (내열) 처리를 하기의 조건으로 실시하고, 놋쇠 도금층 또는 아연·니켈 합금 도금층을 형성했다.

실시예 1, 비교예 1 의 배리어층 (놋쇠 도금) 형성 조건 ：

구리 농도 50 ∼ 80 g/ℓ, 아연 농도 2 ∼ 10 g/ℓ, 수산화나트륨 농도 50 ∼ 80 g/ℓ, 시안화나트륨 농도 5 ∼ 30 g/ℓ, 온도 60 ∼ 90 ℃ 의 놋쇠 도금욕을 사용하여, 전류 밀도 5 ∼ 10 A/d㎡ (다단 처리) 로 도금 전기량 30 As/d㎡ 를, 조화 처리층을 형성한 M 면에 부여했다.

실시예 2, 비교예 2 의 배리어층 (아연·니켈 도금) 형성 조건 ：

Ni ： 10 g/ℓ ∼ 30 g/ℓ, Zn ： 1 g/ℓ ∼ 15 g/ℓ, 황산 (H ₂ SO ₄ ) ： 1 g/ℓ ∼ 12 g/ℓ, 염화물 이온 ： 0 g/ℓ ∼ 5 g/ℓ 를 첨가한 도금욕을 사용하여, 전류 밀도 1.3 A/d㎡ 로 도금 전기량 5.5 As/d㎡ 를, 조화 처리층을 형성한 M 면에 부여했다.

〔방청 처리〕

실시예 1, 비교예 1 에 대해, 방청 처리 (크로메이트 처리) 를 하기의 조건으로 실시하여, 방청 처리층을 형성했다.

(크로메이트 조건) CrO ₃ ： 2.5 g/ℓ, Zn ： 0.7 g/ℓ, Na ₂ SO ₄ ： 10 g/ℓ, pH 4.8, 54 ℃ 의 크로메이트욕에서 0.7 As/d㎡ 의 전기량을 부가. 또한, 크로메이트욕에서의 방청 처리 종료 직후, 액 샤워 배관을 사용하여, 동일한 크로메이트욕을 사용하여 조화 처리면 전체면을 샤워링했다.

〔실란 커플링재 도포〕

동박의 조화 처리면에, 0.2 ∼ 2 ％ 의 알콕시실란을 함유량하는 pH 7 ∼ 8 의 용액을 분무함으로써, 실란 커플링재 도포 처리를 실시했다.

실시예 6 에 대해서는, 방청 처리, 실란 커플링재 도포 후, 또한 하기의 조건으로 수지층의 형성을 실시했다.

(수지 합성예)

스테인리스제의 갈고랑이형 교반봉, 질소 도입관과 스톱 콕이 부착된 트랩 상에, 볼이 부착된 냉각관을 장착한 환류 냉각기를 장착한 2 리터의 3 구 플라스크에, 3,4,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물 117.68 g (400 mmol), 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠 87.7 g (300 mmol), γ-발레로락톤 4.0 g (40 mmol), 피리딘 4.8 g (60 mmol), N-메틸-2-피롤리돈 (이하 NMP 라고 기재한다) 300 g, 톨루엔 20 g 을 첨가하고, 180 ℃ 에서 1 시간 가열한 후 실온 부근까지 냉각시킨 후, 3,4,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물 29.42 g (100 mmol), 2,2-비스{4-(4-아미노페녹시)페닐}프로판 82.12 g (200 mmol), NMP 200 g, 톨루엔 40 g 을 첨가하고, 실온에서 1 시간 혼합 후, 180 ℃ 에서 3 시간 가열하여, 고형분 38 ％ 의 블록 공중합 폴리이미드를 얻었다. 이 블록 공중합 폴리이미드는, 하기에 나타내는 일반식 (1) ： 일반식 (2) = 3 ： 2 이며, 수평균 분자량 ： 70000, 중량 평균 분자량 ： 150000 이었다.

합성예에서 얻어진 블록 공중합 폴리이미드 용액을 NMP 로 더욱 희석하여, 고형분 10 ％ 의 블록 공중합 폴리이미드 용액으로 했다. 이 블록 공중합 폴리이미드 용액에 비스(4-말레이미드페닐)메탄 (BMI-H, 케이·아이 화성) 을 고형분 중량 비율 35, 블록 공중합 폴리이미드의 고형분 중량 비율 65 로 하여 (즉, 수지 용액에 함유되는 비스(4-말레이미드페닐)메탄 고형분 중량 ： 수지 용액에 함유되는 블록 공중합 폴리이미드 고형분 중량 = 35 ： 65) 60 ℃, 20 분간 용해 혼합하여 수지 용액으로 했다. 그 후, 실시예 28 에서는 동박의 M 면 (고광택면) 에, 실시예 8 에서는 동박의 극박동 표면에, 리버스 롤 도공기를 사용하여 상기 수지 용액을 도공하고, 질소 분위기하에서, 120 ℃ 에서 3 분간, 160 ℃ 에서 3 분간 건조 처리 후, 마지막에 300 ℃ 에서 2 분간 가열 처리를 실시하여, 수지층을 구비하는 동박을 제작했다. 또한, 수지층의 두께는 2 ㎛ 로 했다.

또한, 이하의 실시예에 대해서는, 중간층의 형성을 하기 조건에 의해 실시했다.

(실시예 7)

캐리어와 동박의 사이에, 중간층으로서 Co-Mo 합금을 형성한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 조건으로, 동층을 형성했다. 이 경우의, Co-Mo 합금 중간층은, 이하의 액 조성의 도금액 중에서 도금함으로써 제작했다.

액 조성 ： CoSO ₄ ·7H ₂ O 0.5 ∼ 100 g/ℓ, Na ₂ MoO ₄ ·2H ₂ O 0.5 ∼ 100 g/ℓ, 시트르산나트륨 2 수화물 20 ∼ 300 g/ℓ

온도 ： 10 ∼ 70 ℃

pH ： 3 ∼ 5

전류 밀도 ： 0.1 ∼ 60 A/d㎡

(실시예 8)

캐리어와 동박의 사이에, 중간층으로서 Cr 을 형성한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 조건으로, 동층을 형성했다. 이 경우의, Cr 중간층은 이하의 액 조성의 도금액 중에서 도금함으로써 제작했다.

액 조성 ： CrO ₃ 200 ∼ 400 g/ℓ, H ₂ SO ₄ 1.5 ∼ 4 g/ℓ

pH ： 1 ∼ 4

액 온도 ： 45 ∼ 60 ℃

전류 밀도 ： 10 ∼ 40 A/d㎡

(실시예 9)

캐리어와 동박의 사이에, 중간층으로서 Cr/CuP 를 형성한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 조건으로, 동층을 형성했다. 이 경우의, Cr/CuP 중간층은 이하의 액 조성의 도금액 중에서 도금함으로써 제작했다.

액 조성 1 ： CrO ₃ 200 ∼ 400 g/ℓ, H ₂ SO ₄ 1.5 ∼ 4 g/ℓ

pH ： 1 ∼ 4

액 온도 ： 45 ∼ 60 ℃

전류 밀도 ： 10 ∼ 40 A/d㎡

액 조성 2 ： Cu ₂ P ₂ O ₇ ·3H ₂ O 5 ∼ 50 g/ℓ, K ₄ P ₂ O ₇ 50 ∼ 300 g/ℓ

액 온도 ： 30 ∼ 60 ℃

pH ： 8 ∼ 10

전류 밀도 ： 0.1 ∼ 1.0 A/d㎡

(실시예 10)

캐리어와 동박의 사이에, 중간층으로서 Ni/Cr 을 형성한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 조건으로, 동층을 형성했다. 이 경우의, Ni/Cr 중간층은 이하의 액 조성의 도금액 중에서 도금함으로써 제작했다.

액 조성 1 ： NiSO ₄ ·6H ₂ O 250 ∼ 300 g/ℓ, NiCl ₂ ·6H ₂ O 35 ∼ 45 g/ℓ, 붕산 10 ∼ 50 g/ℓ

액 온도 ： 30 ∼ 70 ℃

pH ： 2 ∼ 6

전류 밀도 ： 0.1 ∼ 50 A/d㎡

액 조성 2 ： CrO ₃ 200 ∼ 400 g/ℓ, H ₂ SO ₄ 1.5 ∼ 4 g/ℓ

액 온도 ： 45 ∼ 60 ℃

pH ： 1 ∼ 4

전류 밀도 ： 10 ∼ 40 A/d㎡

(실시예 11)

캐리어와 동박의 사이에, 중간층으로서 Co/크로메이트 처리의 층을 형성한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 조건으로, 동층을 형성했다.

이 경우의, Co/크로메이트 처리의 중간층은 이하의 액 조성의 도금액 중에서 도금함으로써 제작했다.

액 조성 1 ： CoSO ₄ ·7H ₂ O 10 ∼ 100 g/ℓ, 시트르산나트륨 2 수화물 30 ∼ 200 g/ℓ

액 온도 ： 10 ∼ 70 ℃

pH ： 3 ∼ 5

전류 밀도 ： 0.1 ∼ 60 A/d㎡

액 조성 2 ： CrO ₃ 1 ∼ 10 g/ℓ

액 온도 ： 10 ∼ 70 ℃

pH ： 10 ∼ 12

전류 밀도 ： 0.1 ∼ 1.0 A/d㎡

(실시예 12)

캐리어와 동박의 사이에, 중간층으로서 유기물층을 형성한 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 조건으로, 동층을 형성했다.

이 경우의, 유기물층의 중간층은 액 온도 40 ℃, pH 5, 농도 1 ∼ 10 g/ℓ 의 카르복시벤조트리아졸 수용액을, 10 ∼ 60 초간 분무라는 조건으로 제작했다.

(실시예 13)

비스말레이미드트리아진 수지에 대해, Ar-H ₂ -HF (Ar ： H ₂ ： HF = 1 ： 1 ： 1) 혼합 가스 중에서 플라즈마 처리 (1) 을 10 초간 실시한 후, 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 이 순서로 실시하고, 또한 Ar 가스 중에서 플라즈마 처리 (2) 를 10 초간 실시했다.

·팽윤 처리 ： 팽윤 처리액 (액 조성 ： 에틸렌글리콜 농도 500 g/ℓ, 잔부수) 에 72 ℃ 에서 10 분간 침지한다.

·디스미어 처리 ： 디스미어 처리액 (액 조성 ： 과망간산나트륨 농도 4.1 질량％, 수산화나트륨 농도 3.3 질량％, Cu ²⁺ 15 g/ℓ, Ni ²⁺ 5 g/ℓ, 잔부수) 에 80 ℃ 에서 25 분간 침지한다.

·중화 처리 ： 중화 처리액 (액 조성 ： 황산하이드록실아민 농도 1.5 질량％, 황산 농도 4.9 질량％, 잔부수) 에 30 ℃ 에서 5 분간 침지한다.

상기 플라즈마 처리 (1) 은, 수소와 불화수소의 혼합 가스를 사용하여 10 ∼ 100 초간 실시했다. 이로써, 수지 기판에 요철이 형성된다. 또, 상기 디스미어 처리에서는, 디스미어액 중에 Ni 및 Cu 를 첨가함으로써, 산화 반응이 촉진되고, 구멍이 확장된다. 또, 상기 플라즈마 처리 (2) 는, 10 ∼ 100 초간 실시했다. 당해 플라즈마 처리 (2) 에 의해 디스미어 후의 수지의 표면을 조정한다. 이와 같이, 수지에 대해, 플라즈마 처리 (1) ＋ 디스미어 처리 ＋ 플라즈마 처리 (2) 를 실시함으로써, 본 발명에 관련된 구멍 형상을 갖는 수지 기재를 제조할 수 있다.

-표면 처리 동박 및 캐리어가 부착된 동박의 평가-

상기와 같이 하여 얻어진 표면 처리 동박 및 캐리어가 부착된 동박에 대해, 이하의 방법으로 각종의 평가를 실시했다. 결과를 표 4 에 나타낸다.

-기재 표면의 평가-

다음으로, 각 실시예, 비교예의 표면 처리 동박, 캐리어가 부착된 동박에 대해, 가로 세로 20 cm 사이즈의 하기의 수지 기재를 준비하고, 수지 기재와 동박을, 동박의 표면 처리층을 갖는 면을 수지 기재에 접하도록 하여 적층 프레스했다. 적층 프레스의 온도, 압력, 시간은, 기재 메이커의 추천 조건 (압력 ： 20 kg/c㎡, 온도 ： 220 ℃, 시간 ： 2 hr) 을 사용했다.

사용 수지 ： FR4

다음으로, 수지 기재 상의 표면 처리 동박을 하기의 에칭 조건으로 전체면 에칭으로 제거했다. 또, 수지 기재 상의 캐리어가 부착된 동박에 대해서는, 캐리어를 벗긴 후, 극박 동층을 하기의 에칭 조건으로 전체면 에칭으로 제거했다. 또한, 「전체면 에칭」 이란, 동박이 두께분, 모두 제거되어, 전체면에 수지가 노출될 때까지 에칭하는 것을 말한다.

(에칭 조건) 에칭액 ： 염화 제 2 구리 용액, HCl 농도 ： 3.5 mol/ℓ, 온도 ： 50 ℃, 비중 1.26 이 되도록 CuCl ₂ 농도 조절했다.

＜흰색부 평균, 흑색부 평균＞

각 실시예, 비교예의 수지 기재의 에칭측 표면에 대해, 주사형 전자 현미경 (SEM) 을 사용하여 가속 전압을 15 kV 로 하여, 사진 촬영을 실시했다. 또한, 사진 촬영 시에, 관찰 시야 전체의 구멍의 윤곽이 명확하게 보이도록, 콘트라스트와 브라이트니스를 조정했다. 사진 전체가 새하얗거나 새까맣지 않아, 구멍의 윤곽을 관찰할 수 있는 상태에서 사진 촬영을 실시했다. 그리고 촬영한 사진 (SEM 이미지 (30 k 배 (30000 배))) 에 대해, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여, 백색·흑색 화상 처리 (2 치화 처리) 를 실시했다. 또한, 백색·흑색 화상 처리 (2 치화 처리) 의 임계값은 128 로 했다. 다음으로, 얻어진 화상에 대해 도 1 에 나타내는 바와 같은 종횡을 각각 3 등분하는 4 선 (A ∼ D 선) 을 그어, 각 선이 흰색부 (백색 영역) 를 지나는 길이의 합계를 측정하고, 그것들 A ∼ D 선의 흰색부의 길이의 합계를 구했다. 이 때, 흰색부 (백색 영역) 는, 흑색부 (흑색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성되어 있다. 다음으로, 당해 흰색부의 길이의 합계를, 그 흰색부의 선분의 수로 나누었다. 이것을 측정 대상의 수지 기재 표면의 3 시야 (1 시야의 크기 ： 가로 4.2 ㎛ × 세로 3.0 ㎛ = 면적 12.6 ㎛ ² ) 에 대해 실시하고, 그 평균 ((흰색부의 길이의 합계를, 그 흰색부의 선분의 수로 나눔으로써 얻어진 값의 3 시야의 합계)/3) 을 흰색부 평균 (㎛) 으로 했다. 또, 4 개의 선 (A ∼ D 선) 이 흑색부 (흑색 영역) 를 지나는 길이의 합계를 측정하고, 그것들 A ∼ D 선의 흑색부의 길이의 합계를 구했다. 이 때, 흑색부는, 흰색부로 구획되는 복수의 선분으로 구성되어 있다. 다음으로, 당해 흑색부의 길이의 합계를, 그 흑색부의 선분의 수로 나누었다. 이것을 측정 대상의 수지 기재 표면의 3 시야 (1 시야의 크기 ： 가로 4.2 ㎛ × 세로 3.0 ㎛ = 면적 12.6 ㎛ ² ) 에 대해 실시하고, 그 평균 ((흑색부의 길이의 합계를, 그 흑색부의 선분의 수로 나눔으로써 얻어진 값의 3 시야의 합계)/3) 을 흑색부 평균 (㎛) 으로 했다.

＜흰색부 최대, 흑색부 최대＞

각 실시예, 비교예의 수지 기재의 에칭측 표면에 대해, 상기 서술한 SEM 이미지에 의해 얻어진 화상에 대해, 흰색부 최대, 흑색부 최대를 측정했다. 여기서, 흰색부 최대는, 각 관찰 시야에 있어서, 도 1 에서 나타내는 4 개의 선 (A ∼ D 선) 을 종합하여, 흑색부 (흑색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흰색부 중 최대 길이 (인접하는 흑색부와 흑색부 사이의 거리 중에서, 최대의 것) 를 측정하고, 3 시야에 있어서 얻어진 흑색부 (흑색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흰색부 중 각각의 최대 길이를 서로 더한 값을 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 으로 했다. 또, 흑색부 최대는, 각 관찰 시야에 있어서, 도 1 에서 나타내는 4 개의 선 (A ∼ D 선) 을 종합하여, 흰색부 (백색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흑색부 중 최대 길이 (인접하는 흰색부와 흰색부 사이의 거리 중에서, 최대의 것) 를 측정하고, 3 시야에 있어서 얻어진 흰색부 (백색 영역) 로 구획되는 복수의 선분으로 구성된 흑색부 중 각각의 최대 길이를 서로 더한 값을 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 으로 했다.

＜흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균＞

각 실시예, 비교예의 수지 기재의 에칭측 표면에 대해, 상기 서술한 SEM 이미지에 의해 얻어진 화상에 대해, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균을 구했다. 여기서, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균은, 각 관찰 시야에 있어서 상기 흰색부 최대를 제일 긴 거리의 것으로 하고, 그 다음에 긴 거리의 흰색부, 다시 그 다음에 긴 거리의 흰색부로, 순서대로 10 번째까지를 합계하여 얻어진 값을 10 으로 나눈 값 A (산술 평균치) 를 구하고, 3 시야에 있어서 얻어진 당해 값 A 를 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 으로 했다. 또, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균은, 각 관찰 시야에 있어서 상기 흑색부 최대를 제일 긴 거리의 것으로 하고, 그 다음에 긴 거리의 흑색부, 다시 그 다음에 긴 거리의 흑색부로, 순서대로 10 번째까지를 합계하여 얻어진 값을 10 으로 나눈 값 B (산술 평균치) 를 구하고, 3 시야에 있어서 얻어진 당해 값 B 를 3 으로 나눈 값 (산술 평균치) 으로 했다.

＜흰색부 비율＞

각 실시예, 비교예의 수지 기재의 에칭측 표면에 대해, 상기 서술한 SEM 이미지에 의해 얻어진 화상에 대해, 흰색부와 흑색부의 합계에 대한 흰색부의 비율을 구했다. 여기서, 흰색부 비율은, 상기 흰색부 길이의 합계와 흑색부 길이의 합계의 합계에 대한 흰색부 길이 합계의 비율로 했다.

＜필 강도＞

수지 기재 (전체면 에칭 기재) 의 에칭면에, 팽윤 처리, 디스미어 처리 및 중화 처리를 이 순서로 실시했다. 각 처리 조건은 이하와 같다.

·팽윤 처리 ： 팽윤 처리액 (액 조성 ： 에틸렌글리콜 농도 500 g/ℓ, 잔부수) 에 72 ℃ 에서 10 분간 침지한다.

·디스미어 처리 ： 디스미어 처리액 (액 조성 ： 과망간산나트륨 농도 4.1 질량％, 수산화나트륨 농도 3.3 질량％, 잔부수) 에 80 ℃ 에서 25 분간 침지한다.

·중화 처리 ： 중화 처리액 (액 조성 ： 황산하이드록실아민 농도 1.5 질량％, 황산 농도 4.9 질량％, 잔부수) 에 30 ℃ 에서 5 분간 침지한다.

계속해서, 상기 처리면에 무전해 구리를 석출시키기 위한 촉매 부여, 및, 칸토 화성 제조의 KAP-8 욕을 사용하여, 하기 조건으로 무전해 구리 도금을 실시했다. 얻어진 무전해 구리 도금의 두께는 0.5 ㎛ 였다.

CuSO ₄ 농도 ： 0.06 mol/ℓ, HCHO 농도 ： 0.5 mol/ℓ, EDTA 농도 ： 0.12 mol/ℓ, pH 12.5, 첨가제 ： 2,2'-디피리딜, 첨가제 농도 ： 10 mg/ℓ, 표면 활성 제 ： REG-1000, 표면 활성제 농도 ： 500 mg/ℓ

다음으로, 무전해 구리 도금 상에, 추가로 하기의 전해액을 사용하여 전해 도금을 실시했다. 구리 두께 (무전해 도금 및 전해 도금의 총 두께) 는 12 ㎛ 가 되었다.

단순 황산구리 전해액 ： Cu 농도 ： 100 g/ℓ, H ₂ SO ₄ 농도 ： 80 g/ℓ

상기 서술한 바와 같이 수지 기재 (전체면 에칭 기재) 에 무전해 구리 도금, 전해 구리 도금을 실시하여 구리층 두께를 12 ㎛ 로 한 도금 구리 부착 적층판에 대해, 폭 10 mm 의 구리 회로를 습식 에칭에 의해 제작했다. JIS-C-6481 에 준하여, 이 구리 회로를 90 도로 박리했을 때의 강도를 측정하여, 필 강도로 했다.

실시예 1 ∼ 14 는 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 당해 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 당해 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 당해 수지 기재의 동박 제거측 표면의 흰색부 평균, 흰색부 최대, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균, 흑색부 평균, 흑색부 최대, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균, 흰색부 비율이 각각 소정의 범위로 제어되어 있어, 구리 회로의 필 강도가 양호해졌다.

비교예 1 ∼ 3 은 표면 처리 동박을 표면 처리층측으로부터 수지 기재에 첩합하고, 당해 표면 처리 동박을 제거하여, 노출된 당해 수지 기재 표면에 팽윤 처리, 디스미어 처리, 중화 처리를 실시했을 때, 당해 수지 기재의 동박 제거측 표면의 흰색부 평균, 흰색부 최대, 흰색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균, 흑색부 평균, 흑색부 최대, 흑색부가 큰 쪽으로부터 10 점의 평균, 흰색부 비율이 각각 적절한 범위로부터 벗어나 있어, 구리 회로의 필 강도가 불량이 되었다.

도 4 에, 상기 측정에 있어서 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 실시예 1 의 화상을 나타낸다.

도 5 에, 상기 측정에 있어서 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 실시예 3 의 화상을 나타낸다.

도 6 에, 상기 측정에 있어서 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 비교예 1 의 화상을 나타낸다.

도 7 에, 상기 측정에 있어서 흰색부, 흑색부 평가에 사용한, Photo Shop 7.0 소프트웨어를 사용하여 얻어진 비교예 2 의 화상을 나타낸다.