技术领域
[0001] 本实用新型涉及导电布领域，特别涉及一种导电布的专用生产设备。
背景技术
[0002] 随着
电子技术的快速发展，人们生产和生活中使用的电子产品设备越来越多，而大多数的电子产品如
微波炉、电
冰箱、电热毯、计算机、手机以及无线电、雷达发射装置都会不同程度地产生电磁
辐射。虽然
电磁波传播的渗透能
力强，但是优良的导电或导磁材料可以用来屏蔽电磁波辐射，其中具有
电磁屏蔽功能的导电布就是一种新兴的电磁屏蔽材料，目前国际上最普遍使用的EMI导电布是
镀铜镀镍的导电布，其屏蔽效果达到99.999％。工业的发展特别是石油、化工、电子工业的快速发展，使静电的危害逐渐引起人们的重视，与静电同时存在的还有随着科技发展带来的电磁波对人类健康的危险，因此导电布经过长期的调研和开发其技术趋于成熟，并且在人们的生活、生产、工作、科研、军事和航空航天等领域也得到广泛使用。随着智能手机、
平板电脑等消费类电子产品的产品升级和技术升级，导电布用于消耗类电子设备中防止元件之间的相互
电磁干扰，防止外界的电磁干扰已经变得必不可缺。随着人们对健康、对产品
质量、功能的要求越来越高，导电布的使用场合变的越来越多，巨大的市场空间将使导电布产业得到飞速发展。
[0003] 现有的导电布的制备工艺中，一般包括
真空电镀、电镀铜和电镀镍几个步骤，具体过程为利用真空电镀使布表面沉积一层金属，沉积后布面导电化，然后利用电镀铜加厚，达到所需要的
导电性能，最后完成电镀一层镍进行保护。也有采用
化学镀方法先在基材上镀一层较薄的导电金属再进行
水电镀加厚镀铜、镀镍，从而达到产品技术要求。
[0004]
现有技术中导电布制作时，普遍采用涤纶布作为导电布的基材，即在涤纶布表明进行真空电镀、电镀铜和电镀镍处理，从而得到导电布。涤纶布具有强度高、弹性好、耐热性好、
耐磨性好等优点，但是涤纶布并不具有耐高温性。采用涤纶布制作的导电布并不具有阻燃、防火以及
隔热的作用。
[0005] 玻璃
纤维(英文原名为：glass fiber或fiberglass)是一种性能优异的无机非金属材料，具有绝缘性好、耐热性强、抗
腐蚀性好、机械强度高等优点，玻璃纤维通常用作
复合材料中的
增强材料、电绝缘材料和绝热保温材料，
电路基板等国民经济各个领域。玻璃纤维布是以玻璃球或废旧玻璃为原料经高温熔制、
拉丝、络纱、织布等工艺制造成的，其单丝的直径为几个微米到二十几个微米，相当于一根头发丝的1/20～1/5，每束纤维原丝都由数百根甚至上千根单丝组成。玻璃纤维布具有以下特点：1、用于低温-196℃，高温300℃之间，具有耐
气候性。2、非粘着性，不易粘附任何物质。2、耐化学腐蚀，能耐强酸、强
碱、王水及各种
有机溶剂的腐蚀。4、
摩擦系数低，是无油自润滑的最佳选择。5、透光率达6～13％。6、具有高绝缘性能、防紫外线、防静电。7、强度高，具有良好的机械特性。8、耐药剂性。玻璃纤维布在工业上主要用于：隔热、防火、阻燃。该材料在遭到火焰燃烧时吸收大量热量并能阻止火焰穿过、隔绝空气。因此若能够将玻璃纤维布应用到导电布中，将使得导电布不仅仅有电磁干扰屏蔽功能，还具有不燃的特点，使得这种类型的导电布使用更加安全，但是由于玻璃纤维布具有非粘着性的特点，即在玻璃纤维布上沉积金属导电层难度较大，这将阻碍以玻璃纤维布作为导电布基材技术的发展。而且现有的这种电镀方法中，会产生废气
废水等污染环境。实用新型内容
[0006] 本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点与不足，提供一种导电布的专用生产设备，该生产设备具有结构简单，能够实现导电布基材连续
镀膜的优点，通过该生产设备对导电布基材进行镀膜时，能够增加被镀导电层的
附着力，提高镀膜效果。解决了现有技术中导电布基材如玻璃纤维布因非粘着性而在其上沉积金属导电层难度大的问题，能够生产出更好的以玻璃纤维布为基材的不燃导电布，促进以玻璃纤维布作为导电布基材技术的发展。
[0007] 本实用新型的目的通过下述技术方案实现：一种导电布的专用生产设备，包括镀膜腔室、用于向镀膜腔室内充入气体的气体压强控制系统、用于控制镀膜腔室内
温度的温控系统、用于为镀膜腔室提供
阳极层型离子源的离子
表面处理装置以及控制镀膜腔室内真空度的真空抽气系统；镀膜腔室的其中两端分别设置有放卷装置和收卷装置，其中放卷装置和收卷装置之间设置有多排
磁控溅射靶，相邻排磁控溅射靶之间形成镀膜通道，相邻两个镀膜通道之间设置有冷却辊，放卷装置出来的导电布基材通过各镀膜通道以及绕过各冷却辊后由收卷装置进行收卷，离子表面处理装置设置在放卷装置出来的镀膜通道前端的两侧，向经过镀膜通道的导电布基材提供阳极层型离子源。
[0008] 优选的，所述每排磁控溅射靶中包括3个以上磁控溅射靶。
[0009] 优选的，离子表面处理装置包括外
阴极、内阴极、磁
铁、阳极和气体通道；其中外阴极为顶部开有口的方形结构，外阴极顶部开口处设置有内部阴极，在外阴极内底部与内阴极底部之间设置有
磁铁，阳极设置于外阴极、内阴极和磁铁围成的空间中，气体通道设置在外阴极底部，气体通过外阴极底部进入到外阴极、内阴极和磁铁围成的空间中。
[0010] 优选的，所述放卷装置包括放卷筒和第一引导辊，放卷装置出来的导电布基材通过第一引导辊后传入到镀膜通道中；所述第一引导辊的个数为一个或多个。
[0011] 优选的，所述收卷装置包括收卷筒和第二引导辊，导电布基材穿过镀膜通道后通过第二引导辊收卷入收卷筒中，所述第二引导辊的个数为一个或多个。
[0012] 优选的，所述气体压强控制系统为氩气、氮气或
氧气气体压强控制系统，即气体压强控制系统充入到镀膜腔室的气体为氩气、氮气或氧气。
[0013] 优选的，放卷装置出来的镀膜通道以及进入收卷装置的镀膜通道两侧的磁控溅射靶均为平面磁控溅射靶。
[0014] 优选的，放卷装置出来的镀膜通道和进入收卷装置的镀膜通道之间的镀膜通道两侧的磁控溅射靶为圆柱磁控溅射靶。
[0015] 优选的，导电布基材为玻璃纤维布。
[0016] 本实用新型导电布的专用生产设备的工作原理如下：导电布基材通过放卷装置投入到镀膜腔室中，放卷装置出来的导电布基材首先穿过镀膜通道，并且从镀膜通道之间的冷却绕过后进入到相邻镀膜通道，在穿过最后一个镀膜通道后收入到收卷装置。在需要镀膜时，控制镀膜腔室磁控溅射靶通电；离子表面处理装置采用阳极层型离子源对放卷装置出来的导电布基材表面进行处理，气体压强控制系统充入的气体离子在
电场作用下轰击各镀膜通道两侧的磁控溅射靶射出靶材
原子，在导电布基材经过各镀膜通道时通过各镀膜通道两侧的磁控溅射靶射出的靶材原子进行溅射镀膜。经过镀膜后的各导电布基材回收入收卷装置，实现连续的镀膜。
[0017] 本实用新型相对于现有技术具有如下的优点及效果：
[0018] (1)本实用新型导电布的专用生产设备由放卷装置将导电布基材置入镀膜腔室，通过收卷装置收入镀膜完成的导电布基材，导电布基材从放卷装置到收卷装置的过程中，经过通过各镀膜通道以及绕过各冷却辊，在经过各镀膜通道的时候由各镀膜通道两侧的磁控溅射靶实现溅射镀膜，因此本实用新型专用生产设备能够实现导电布基材的连续镀膜，另外在本实用新型导电布的专用生产设备中设置有离子表面处理装置，该离子表面处理装置采用阳极层型离子源对导电布基材表面进行处理，增加导电布基材被镀导电层的附着力，从而保证成膜质量，使得导电布在镀膜后中不产生废气、废水和废物，避免了生产导电布对环境污染的影响。解决了现有技术中导电布基材如玻璃纤维布因非粘着性而在其上沉积金属导电层难度大的问题，能够生产出更好的以玻璃纤维布为基材的不燃导电布，促进以玻璃纤维布作为导电布基材技术的发展。
[0019] (2)本实用新型导电布的专用生产设备由于由多个靶组成，每个靶能镀一定厚道的膜，多个靶沉积的膜厚度累计起来，能一次性沉积足够厚度的膜，无需再用其它方法加厚，效率高，能效高。本实用新型导电布的专用生产设备中通过气体压强控制系统充入到镀膜腔室内的气体改变镀膜腔室内的压强；同时当磁控溅射靶通电时，气体压强控制系统充入的气体在电场作用下轰击磁控溅射靶射出靶材原子，实现镀膜腔室中导电布基材的镀膜。
[0020] (3)本实用新型专用生产设备中相邻排磁控溅射靶之间形成镀膜通道，镀膜通道之间设置有冷却辊，即相邻镀膜通道之间通
过冷却辊进行衔接，导电布基材经过当前镀膜通道后通过冷却辊绕到相邻的镀膜通道，通过冷却辊不仅起到导电布基材的传动作用，而且还能够实现对导电布基材进行冷却处理，避免了导电布基材因受温过高而导致基材性能变化的情况。
[0021] (4)本实用新型当导电布基材为玻璃纤维布时，通过本实用新型导电布的专用生产设备能够生产出不燃导电布，并且采用本实用新型导电布的专业生产设备能够大大提高玻璃纤维布被镀导电层的附着力，使得生产的导电布具有
阻燃性的同时保证了其电磁干扰屏蔽效果，并且通过本
发明导电布专用生产设备使得玻璃纤维布基材的不燃导电布在生产过程中不产生废气、废水和废物，避免了生产不燃导电布对环境污染的影响。
附图说明
[0022] 图1是本实用新型导电布的专用生产设备结构示意图。
[0023] 图2是本实用新型离子表面处理装置结构示意图。
具体实施方式
[0024] 下面结合
实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。
[0025] 实施例
[0026] 如图1所示，本实施例公开了一种导电布的专用生产设备，包括镀膜腔室1、用于向镀膜腔室内充入气体的气体压强控制系统、用于控制镀膜腔室内温度的温控系统、为镀膜腔室提供离子源的离子表面处理装置3以及控制镀膜腔室内真空度的真空抽气系统；镀膜腔室的其中两端分别设置有放卷装置2和收卷装置7，其中放卷装置2和收卷装置7之间设置有多排磁控溅射靶，相邻排磁控溅射靶之间形成镀膜通道，相邻两个镀膜通道之间设置有冷却辊6，相邻镀膜通道通过冷却辊6进行衔接，放卷装置2出来的导电布基材通过各镀膜通道以及绕过各冷却辊6后由收卷装置7进行收卷，离子表面处理装置3设置放卷装置2出来的镀膜通道前端的两侧，向经过镀膜通道的导电布基材表面发射阳极层型离子源。
[0027] 本实施例中离子表面处理装置3采用阳极层型离子源对导电布基材表面进行处理，增加导电布基材被镀膜的附着力。如图2所示，本实施中离子表面处理装置3包括外阴极31、内阴极32、磁铁33、磁路(离子源壳体)、阳极34和气体通道35。其中外阴极为顶部开有口的方形结构，外阴极31顶部开口处设置有内部阴极32，在外阴极31内底部与内阴极底部之间设置有磁铁33，磁铁的N极朝上，S极朝下；阳极34设置于外阴极31、内阴极32和磁铁33围成的空间中，气体通道35设置在外阴极31底部，气体通过外阴极31底部进入到外阴极31、内阴极32和磁铁33围成的空间中。
等离子体36从外阴极31与内阴极32之间喷出。依据阳极层线性封闭漂移理论，气体在离子中的阴阳极之间通过，其阳极的正
电压与加在内外阴极端部间的强
磁场相互作用，产生等离子体，来自于等离子体中的离子受阳极电场的驱动，由离子源中产生喷出的离子束流。其中离子发射
沟道和阳极被磁路所包围。放电沟道内具有很强的磁场，将电子约束在其中，在
正交的电场和磁场的作用下，电子在沟道内进行闭环迁移并形成电子流。闭环迁移的电子与气体发生碰撞时，气体电离为离子和电子。当直流正电位施加在阳极上时，阳极表面形成电场，在此电场作用下，离子被
加速发射出放电沟道形成离子束，离子束对基材进行轰击或蚀刻。
[0028] 本实施例中每排磁控溅射靶中包括3个以上磁控溅射靶，使得本实施例中导电布基材经过镀膜通道时能够被充分的溅射镀膜，磁控溅射靶更换不同材质的靶材可以对导电布基材镀不同材质的导电层。本实施例中左侧两排和右侧两排的磁控溅射靶均为平面磁控溅射靶4，中间各排磁控溅射靶为圆柱磁控溅射靶5。即放卷装置出来的镀膜通道以及进入收卷装置的镀膜通道两侧的磁控溅射靶均为平面磁控溅射靶；放卷装置出来的镀膜通道和进入收卷装置的镀膜通道之间的镀膜通道两侧的磁控溅射靶为圆柱磁控溅射靶。
[0029] 本实施例放卷装置2包括放卷筒和第一引导辊21，放卷装置2出来的导电布基材通过第一引导辊21后传入到镀膜通道中，第一引导辊21的个数为一个或多个；收卷装置7包括收卷筒和第二引导辊71，导电布基材穿过镀膜通道后通过第二引导辊71收卷入收卷筒中，第二引导辊71的个数为一个或多个。
[0030] 本实施例中的气体压强控制系统为氩气、氮气或氧气气体压强控制系统，即气体压强控制系统充入到镀膜腔室的气体为氩气、氮气或氧气，具体根据不同的工艺要求选用相应的气体，通过气体压强控制系统将充入到镀膜腔室的气体改变镀膜腔室内部压强。同时磁控溅射靶通电时，气体压强控制系统充入的气体在电场作用下轰击磁控溅射靶射出靶材原子，实现镀膜腔室中玻璃纤维布的镀膜。
[0031] 本实施例中冷却辊6对导电布基材在镀膜时产生的高温进行冷却，避免了导电布基材因受温过高而导致基材性能变化的情况。
[0032] 本实施例中导电布的专用生产设备的工作原理如下：导电布基材通过放卷装置2投入到镀膜腔室中，放卷装置2出来的导电布基材首先穿过镀膜通道，并且从镀膜通道之间的冷却辊6绕过后进入到相邻镀膜通道，在穿过最后一个镀膜通道后收入到收卷装置7中。在需要镀膜时，控制镀膜腔室磁控溅射靶通电；离子表面处理装置3采用阳极层型离子源对放卷装置2出来的导电布基材表面进行处理，气体压强控制系统充入的气体离子在电场作用下轰击各镀膜通道两侧的磁控溅射靶射出靶材原子，在导电布基材经过各镀膜通道时通过各镀膜通道两侧的磁控溅射靶射出的靶材原子进行溅射镀膜。经过镀膜后的各导电布基材回收入收卷装置，实现连续的镀膜。
[0033] 本实施例导电布的专用生产设备由于由多个靶组成，每个靶能镀一定厚道的膜，多个靶沉积的膜厚度累计起来，能一次性沉积足够厚度的膜，无需再用其它方法加厚，效率高，能效高。
[0034] 本实施例导电布基材可以为玻璃纤维布，通过本实用新型导电布的专用生产设备能够提高玻璃纤维布被镀导电层的附着力，使得导电布具有阻燃性的同时保证了其电磁干扰屏蔽效果。本实施例导电布基材可以选用玻璃纤维布，此时通过本实施例导电布的专用生产设备生产的导电布为不燃导电布，通过本实施例专业生产设备能够大大提高玻璃纤维布被镀导电层的附着力，使得生产的导电布具有阻燃性的同时保证了其电磁干扰屏蔽效果，并且通过本实施例导电布专用生产设备使得玻璃纤维布基材的不燃导电布在生产过程中不产生废气、废水和废物，避免了生产不燃导电布对环境污染的影响。
[0035] 上述实施例为本实用新型较佳的实施方式，但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。
