| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 121 | 一种利用宜君砂尾矿制备高硬度亚光瓷釉的方法 | CN201610255245.8 | 2016-04-22 | CN105906377A | 2016-08-31 | 王毅; 施佩; 范晶; 王伟伟; 杨晓燕 |
| 一种利用宜君砂尾矿制备高硬度亚光瓷釉的方法，将生黄土粗料在研钵中研磨均匀，装入坩埚，在高温炉中煅烧至600℃，保温60分钟后自然冷却，待冷却后进行球磨，过80目筛，制得精细煅烧黄土料；将宜君砂，生黄土，煅烧黄土，长石，磷酸钙，三聚磷酸钠，CMC混合，细磨至250目，调制釉浆比重为1.7g/cm3；将釉浆均匀地施敷在坯上，升温至1150?1210℃，保温20?35分钟，然后自然冷却即可；由于釉浆中的宜君砂含有大量的石英及少量高钙氧化物，烧成后的釉面硬度高、且耐磨性好；利用宜君砂尾矿将废弃的尾矿资源化再利用，降低固体废物排放，减少陶瓷原矿用量，节约矿产资源，所得到陶瓷产品可达到成本低、硬度高、耐磨性好的效果，具有节约资源、降耗降成本等多重优势。 | ||||||
| 122 | 一种氧化铝荧光陶瓷材料及其制备方法和应用 | CN201610253258.1 | 2016-04-22 | CN105906328A | 2016-08-31 | 王平进; 张贤军; 毛杜松; 陈志刚 |
| 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种氧化铝荧光陶瓷材料，其主要由按质量百分比计的70?99%的基料氧化铝和1?30%的钙镁硅成分添加荧光粉经流延法制坯、再经烧结而成，其中所述的钙镁硅成分是指氧化镁或滑石粉与二氧化硅及碳酸钙的混合物，所述的荧光粉添加量以氧化铝和钙镁硅成分总质量计为10?30%但不等于10%。本发明还提供了该材料的制备方法和应用。本发明的氧化铝荧光陶瓷材料，具有成本低和透光效果好，360度发光更均匀的特点。 | ||||||
| 123 | 一种锰掺杂钛铌酸铋钙锂铈基陶瓷材料及其制备方法 | CN201610206658.7 | 2016-04-05 | CN105837200A | 2016-08-10 | 朱建国; 辛德琼; 陈强; 刘洪; 肖定权 |
| 本发明公开了一种锰掺杂钛铌酸铋钙锂铈基压电陶瓷材料及其制备方法，其特点是该方法是采用传统的固相法制备锰掺杂钛铌酸铋钙锂铈基粉体材料；再通过造粒压片、排胶、烧结和被银测试等传统的电子陶瓷制备工艺制备锰掺杂钛铌酸铋钙锂铈基陶瓷。通过A位锂、铈(Li，Ce)和B位铌(Nb)复合取代降低了钛酸铋钙基(CBT)陶瓷的烧结温度，在较低的烧结温度下明显提高其压电性能并降低其介电损耗，为CBT基陶瓷材料在高温领域实用化起到重要作用。 | ||||||
| 124 | 一种免烧结致密多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法 | CN201610228465.1 | 2016-04-13 | CN105801173A | 2016-07-27 | 吴迪; 薛培龙; 高玉刚 |
| 本发明涉及一种免烧结致密多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法，属于涂层制备技术领域。本发明首先将纳米氧化钙粉末预热，煅烧后，再与无水乙醇，异丁烷等物质混合加热，抽滤，将滤饼干燥，得改性纳米氧化钙粉末，再将其与制得的溶剂胶黏剂混合，超声分散，蒸发得改性胶黏剂，最后将其与氮化硅粉末混合，分散，并用喷枪喷涂，即可制备得免烧结致密多晶硅铸锭用坩埚涂层。本发明制备的免烧结致密多晶硅铸锭用坩埚涂层稳定性好，稳定性提高15～17％；涂层具有高致密性，不易脱落。 | ||||||
| 125 | 具有工程表面以加强对高温负载下的蠕变滑动的抵抗性的二氧化硅形成制品 | CN201480059905.4 | 2014-08-19 | CN105683132A | 2016-06-15 | D.M.利普金; C.A.约翰逊; P.J.梅施特; S.森达拉姆; J.万 |
| 一种制品包括：含硅区域；上覆含硅区域的表面的至少一个外层；以及在含硅区域的表面上且在含硅区域和至少一个外层之间且接触它们的组分层，组分层由含硅区域的组分形成，且易于在制品的操作环境内蠕变，其中含硅区域限定多个通道和多个凸脊，多个凸脊在形成于含硅区域中的多个通道内联锁，以使至少一个外层与含硅区域经由组分层物理地联锁。 | ||||||
| 126 | 使用电泳沉积形成制品的方法及相关的制品 | CN201510892914.8 | 2015-12-08 | CN105671619A | 2016-06-15 | N.E.安托利诺; D.M.利普金; S.F.鲁特科夫斯基 |
| 在本技术的一个实例中，一种用于形成制品的方法包括将导电涂层设置在基底上。该方法还包括通过以下将叠层设置在导电涂层上：(i)通过电泳沉积设置第一阻隔涂层；(ii)热处理第一阻隔涂层；(iii)将导电层设置在第一阻隔涂层上；以及(iv)可选地重复步骤(i)到(iii)。该方法还包括通过电泳沉积将第二阻隔涂层设置在叠层中的最外的导电层上；以及热处理第二阻隔涂层。 | ||||||
| 127 | 一种中温(1190℃-1260℃)还原烧制陶瓷的方法 | CN201610036693.9 | 2016-01-20 | CN105669161A | 2016-06-15 | 陈和生; 盛忠旗; 李映芬; 简黎虹; 金科名 |
| 本发明涉及一种中温(1190℃-1260℃)还原烧制陶瓷的方法，将制备好的陶瓷坯料和陶瓷釉料在焦炉煤气、天然气或液化气等为燃料的梭式窑进行中温还原快烧，还原烧成温度低(最高还原烧成温度为1190℃-1260℃)，烧成周期短(≤11小时)，传统高温还原烧成温度为1340℃-1380℃，烧成周期12-15小时，故能耗可节约30%左右，综合制造成本可节约15%左右，陶瓷产品能保留高温还原慢烧传统陶瓷的特色“白里泛青”，白度在580以上，釉色表现更丰富、成本也低，解决了传统高温还原慢烧制瓷技术的高温颜色釉种类少、稳定性差的问题。 | ||||||
| 128 | 一种红瓷的生产工艺 | CN201510963274.5 | 2015-12-17 | CN105601340A | 2016-05-25 | 彭友才 |
| 一种红瓷的生产工艺，涉及陶瓷技术领域，其特征在于：包括以下步骤，制浆、制作模具、成型灌注、浸釉、烧结和印花，所述的浸釉时的按重量份由以下组分制成，釉果32份、窑渣23份、铅晶料11.5份、白玻璃11份、红盐1～2份、雄黄1.5份、酒氟硼酸亚铁1.5份、绿玻璃11份、二灰土2.5份、三合土3.5份。本发明强度高，脆性小，不容易碎裂，颜色纯正。 | ||||||
| 129 | 用于衬底表面金属化的新颖粘着促进剂 | CN201480052526.2 | 2014-09-22 | CN105579621A | 2016-05-11 | 刘志明; 付海罗; 色拉·汉格那; 卢茨·勃兰特; 塔发瓦·马格亚 |
| 本发明提供一种用于非导电衬底金属化的方法，其提供沉积金属对于衬底材料的高粘着性并且由此形成持久粘结。所述方法施用促进粘着的金属氧化物化合物与促进金属层形成的过渡金属镀敷催化剂化合物的新颖组合。 | ||||||
| 130 | 一种氮化铝陶瓷表面覆铜制作方法 | CN201610103860.7 | 2016-02-26 | CN105541417A | 2016-05-04 | 何忠亮; 丁华; 叶文; 沈洁 |
| 本发明公开了一种氮化铝陶瓷表面覆铜的制作方法，其目的是在于提供一种工艺简单，操作方便的氮化铝陶瓷表面覆铜的制作方法。本发明是通过将氮化铝陶瓷表面处理、化学镍、热处理、预镀镍层、电镀铜；从而得到氮化铝陶瓷表面覆铜板，其铜层与陶瓷结合良好，铜层致密性良好，导通孔的导通性能高，适合制作精细线路。 | ||||||
| 131 | 一种陶瓷表面仿真自然、耐磨的处理工艺 | CN201510907734.2 | 2015-12-10 | CN105503271A | 2016-04-20 | 张武彬 |
| 本发明公开了一种陶瓷表面仿真自然、耐磨的处理工艺，由以下步骤组成：配备砂浆均和搅拌机；准备陶瓷砖坯板面刮砂浆印机；将石英砂料粒和陶瓷辅助微粉混合后置入砂浆均和搅拌机中搅拌成有贴性料粒砂浆，并通过陶瓷砖坯板面刮砂浆印机将有贴性料粒砂浆均和成型在陶瓷砖坯表面，利用含有版面颜色的陶瓷喷墨机的ICC曲线中的颜色设置参数形成目标图案，再把陶瓷砖坯在窑炉中以960℃~1200℃的温度烧制成型即得。本发明使产品手感度提高；耐磨增强，色泽丰富，表面自然，版本多样，仿真度极高，特别对石材砂岩砖和仿古砖水泥砖仿真最佳。 | ||||||
| 132 | 通过物件取向控制烧成形状 | CN201210306338.0 | 2012-08-24 | CN102951907B | 2016-01-20 | D·E·麦克考雷; A·N·罗德保恩; D·R·小特里西; C·A·沃林诺 |
| 一种制备陶瓷体的方法，所述方法包括在烧成过程中，使陶瓷体相对于窑内温度梯度系统取向。陶瓷体相对于温度梯度系统取向可使测得的陶瓷体形状相对于预定目标轮廓形状的平均偏差小于陶瓷体相对于温度梯度随机取向时产生的平均偏差。 | ||||||
| 133 | 对由多孔复合材料制造的部件进行局部处理的方法 | CN201380054447.0 | 2013-10-08 | CN104955789A | 2015-09-30 | E·康内特; E·菲利普 |
| 一种对由复合材料制造的部件(100)的一部分(130)进行局部处理的方法，所述复合材料包含被基质致密化的纤维加固物，所述材料存在内孔。所述方法包括如下步骤：确定渗透组合物(10)的量与待处理的所述部件(100)的部分(130)的体积的关系，所述渗透组合物(10)至少包含硅；将确定量的渗透组合物(10)放置与部件待处理的部分(130)接触；以及在大于或等于渗透组合物的熔化温度的温度施加热处理，从而使得处理组合物浸渍了所述部分。 | ||||||
| 134 | 用于粉末形式材料的热处理装置以及对应的热处理方法 | CN201380055120.5 | 2013-10-02 | CN104755635A | 2015-07-01 | M·雷伊; P·德布瓦; C·昂; S·洛努瓦 |
| 本发明涉及一种用于粉末形式材料的热处理装置，该装置包括一个具有加热区的热处理炉(2)以及一个淬火储箱(3)。该淬火储箱(3)包括至少部分地填充有多个预冷却的固体元件的一个容器(10)，并且该热处理炉是以可移动的方式安装的以允许该热处理炉(2)的内容物被转移至该淬火储箱(3)。本发明还涉及对应的热处理方法并且涉及该方法在制造层状氧化锂锰镍镁中的应用。 | ||||||
| 135 | 用于天线罩的陶瓷材料、天线罩及其生产方法 | CN201280070311.4 | 2012-02-22 | CN104302600A | 2015-01-21 | 达尼埃拉·迪马蒂诺; 希蒂·迪莱塔; 劳拉·埃斯波西托 |
| 阐明了一种用于天线罩的陶瓷材料，其包含：-约80-95％(％wt)的Si3N4；约5-15％(wt％)的硅酸镁铝，所述硅酸镁铝包括2.5-12.5％(wt％)的SiO2，0.5-3％(wt％)的MgO和2-6％(wt％)的Al2O3；并且具有不低于2.5g/cm3的密度和不超过6.5的介电常数。还阐明了一种用于生产天线罩的方法。 | ||||||
| 136 | PDC切割器的高温高加热速率处理 | CN201310117634.0 | 2013-04-07 | CN103468912A | 2013-12-25 | F·贝林; V·钦塔曼内尼 |
| 本发明提供PDC切割器的高温高加热速率处理。一种用于降低出现在组件中的残余应力的后制备方法和设备。该组件包括衬底、耦接至衬底的聚晶结构和出现在其中的残余应力。该方法包括从组件类别获得组件，确定组件类别的组件结构上损坏的临界温度和临界时间周期，基于临界温度和临界时间周期确定热处理温度和热处理时间周期，及在热处理时间周期内将来自组件类别的一个或多个剩余组件加热至热处理温度。该设备包括限定加热腔室的加热器和位于加热腔室中的熔池。组件放置在预加热的熔池中并且在加热处理时间周期的加热至热处理温度期间与氧气隔离。 | ||||||
| 137 | 波长转换元件、其制造方法以及发光装置 | CN201310165429.1 | 2013-03-27 | CN103361058A | 2013-10-23 | 津森俊宏; 绵谷和浩 |
| 本发明涉及波长转换元件、其制备方法以及发光装置。所述波长转换元件通过如下方法制备。在多晶透光性陶瓷基板的表面涂覆活化剂并烧制涂覆了活化剂的陶瓷基板，以使活化剂从陶瓷基板表面扩散进入陶瓷基板中。 | ||||||
| 138 | 烃膜保护的耐火碳化物构件及其使用 | CN201210540580.4 | 2012-12-14 | CN103161577A | 2013-06-19 | W.P.米尼尔; R.S.班克; N.D.乔希; A.T.埃武莱特 |
| 本发明涉及烃膜保护的耐火碳化物及其使用。公开一种具有由来自高碳活度气体的烃提供的增强的耐火碳化物稳定的涡轮功率发生系统。本公开也包括一种使用高碳活度气体来使热气路径构件稳定的方法。 | ||||||
| 139 | 通过物件取向控制烧成形状 | CN201210306338.0 | 2012-08-24 | CN102951907A | 2013-03-06 | D·E·麦克考雷; A·N·罗德保恩; D·R·小特里西; C·A·沃林诺 |
| 一种制备陶瓷体的方法，所述方法包括在烧成过程中，使陶瓷体相对于窑内温度梯度系统取向。陶瓷体相对于温度梯度系统取向可使测得的陶瓷体形状相对于预定目标轮廓形状的平均偏差小于陶瓷体相对于温度梯度随机取向时产生的平均偏差。 | ||||||
| 140 | β型赛隆荧光体的制造方法 | CN201080049555.5 | 2010-11-01 | CN102596852A | 2012-07-18 | 野见山智宏; 山田铃弥; 桥本久之 |
| 本发明提供一种β型赛隆荧光体的制造方法，所述β型赛隆荧光体在β型赛隆中固溶有铕离子，所述制造方法包括混合β型塞隆荧光体的原料的混合工序；烧结混合工序后的原料形成β型赛隆荧光体的烧结工序；对烧结工序后的β型赛隆荧光体进行HIP处理的HIP处理工序；对HIP处理工序后的β型赛隆荧光体进行退火处理的退火处理工序和对退火处理工序后的β型赛隆荧光体进行酸处理的酸处理工序。根据该β型赛隆荧光体的制造方法，能够得到发光强度优异的β型赛隆荧光体。 | ||||||
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