序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
101 多层陶瓷复合材料的制造方法 CN200380110161.6 2003-11-19 CN100415352C 2008-09-03 F·埃伦; O·宾克勒; R·农宁格
在一种用于制造多层多孔的陶瓷复合材料的方法中,该陶瓷复合材料包括至少一个作为用于至少一个第二陶瓷颗粒层的载体层的第一陶瓷颗粒层,其中,第一和第二陶瓷颗粒层作为生层在800℃≤T≤1200℃的温度下共同烧结成一种复合材料,其特征在于,所述第二陶瓷颗粒层的陶瓷颗粒仅仅是颗粒大小为x≤100nm的纳米级颗粒,其中,将第二陶瓷颗粒层设置到第一陶瓷颗粒层上,并且所述第一陶瓷颗粒层和第二陶瓷颗粒层的陶瓷颗粒在其材料特性或尺寸方面是不同的。
102 电子元器件及其制造方法 CN200580040741.1 2005-11-28 CN101065842A 2007-10-31 西泽吉彦; 池田哲也
专利文献1所述,若随着混合IC等电子元器件进一步降低高度,而减薄屏蔽壳,则由于屏蔽壳是金属制的,因此难以高精度地对它进行弯折等加工,另外由于吸取时作用的外,使屏蔽壳的变形显著。在专利文献2所述的技术中,由于陶瓷制的盖罩形成为箱型形状,因此若为了电子元器件降低高度,而减薄盖罩的陶瓷厚度,则例如图18(a)、(b)所示,顶部2A产生弯曲。本发明的电子元器件10包括;具有布线图形14的布线基板11;安装在布线基板11的上表面的表面安装元器件12;以及覆盖布线基板11的盖罩13,盖罩13包括;利用平板状的陶瓷构件形成的顶部13A;以及利用具有与表面安装元器件12相同程度的高度的柱状构件而形成的脚部13B。
103 氮化接合体及其制造方法 CN200610171410.8 2006-12-26 CN1990426A 2007-07-04 服部亮誉
发明提供即使在较低接合温度下也能得到良好的接合状态,且制造工序中不需要加压的氮化接合体及其制造方法。本发明的氮化铝接合体具备:包含氮化铝的棒状安装体;包含氮化铝且上述安装体的前端部螺纹连接到支撑孔中的被安装体;以及,使上述安装体和被安装体接合的接合层。
104 过滤器和过滤器集合体 CN200580006457.2 2005-08-08 CN1925901A 2007-03-07 林正幸; 尾久和丈; 大平朗宏; 大野一茂
发明涉及过滤器和过滤器集合体,所述过滤器为蜂窝过滤器(10),该蜂窝过滤器(10)具有多个贯通孔(12),在该贯通孔(12)彼此之间的壁部(15)上形成有担载了催化剂的涂覆层。对于该过滤器(10),将壁部(15)上的气孔径为10μm以下的气孔相对于全部气孔容积所占的比例设为A(%),将该壁部(15)上的气孔径为30μm以上的气孔相对于全部气孔容积所占的比例设为B(%),将与所述贯通孔(12)垂直相交的面的开口率设为C(%)时,其满足2.5×A/B+52.5≤C≤2.5×A/B+60.2(A≤20,0<B≤20)。过滤器(10)更优选满足2.5×A/B+55.5≤C。这样,能够进一步降低压损失。或者,更优选满足C≤2.5×A/B+58.0。这样,能够进一步提高粒状物质的捕获效率。
105 化物陶瓷材料、陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器 CN200610108163.7 2004-02-05 CN1915900A 2007-02-21 井上修; 原田健史; 奥山浩二郎
提供了一种化物陶瓷材料,其含有氧化作为主要组分,并且含有下面所示的A和B中的至少一种作为辅助组分:A:氧化铌和氧化B:氧化铜、氧化和氧化。由此可以提供一种在低温下具有可烧结性并具有高的导热率的氧化物陶瓷材料,本发明还提供了使用该氧化物陶瓷材料的陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器
106 热压制陶瓷扭曲控制 CN200380110766.5 2003-12-05 CN1878670A 2006-12-13 戈文达拉简·纳塔拉简; 拉斯奇德·J·贝扎马
一种通过在烧结之前将非致密化结构(40)放置在未加工陶瓷层压板(100)中控制热压制烧结的多层陶瓷层压板(100)的烧结后扭曲的方法。将一个或多个非致密化结构(40)放置在一个或多个陶瓷印刷电路基板(10)上,然后堆叠和层压该一个或多个陶瓷印刷电路基板以形成未加工陶瓷层压板(100)。然后烧结该层压板,并且该非致密化结构(40)将控制热压制的多层陶瓷基片的尺寸。通过在烧结之前将非致密化结构(40)放置在各个产品合并之间的切口区域(30)中,该方法可以用来控制作为单个或者合并基片制造的MLC基片的烧结后尺寸。
107 绝缘陶瓷压 CN200410043458.1 2001-07-20 CN1266062C 2006-07-26 近川修; 森直哉; 杉本安隆
一种包括(A)MgAl2O4、Mg3B2O6和/或Mg2B2O5的陶瓷粉末和(B)玻璃粉末的烧制混合物的绝缘陶瓷压,玻璃粉末包含约13-50%重量的按SiO2计算的、约8-60%重量的按B2O3计算的氧化、0-约20%重量的按Al2O3计算的氧化和约10-55%重量的按MgO计算的氧化镁。该绝缘陶瓷压块可通过在约1000℃或更低温度下烧制获得,可以和Ag或Cu烧结制得,具有低的介电常数和高Q值,适合在高频范围使用。
108 绝缘操作杆及其制造方法 CN99110393.9 1999-07-14 CN1258201C 2006-05-31 伊藤武文; 河又严; 小山健一; 木村俊则; 佐藤伸治; 关谷卓; 久森洋一; 宫本圣一; 糸谷孝行; 寄田光政; 丸山稔正
发明提供了一种陶瓷及金属部件之间能良好封接的绝缘操作杆及其制造方法。所述绝缘操作杆系一种在真空密闭容器中保持绝缘并进行操纵传输,将陶瓷和金属部件封接的绝缘操作杆,在所述绝缘操作杆的陶瓷(1)与金属部件(6)之间,作为中间材料(4),设置有Fe-Ni系合金复合材料或铜及其合金。本发明中的绝缘操作杆的制造方法藉由在所述陶瓷(1)及金属部件(6)上设置一个以上的凸部及凹部,同时使用加热嵌合的热压配合法和钎焊其嵌合平面的封接法。
109 多层陶瓷复合物 CN200380109361.X 2003-11-19 CN1744941A 2006-03-08 F·埃伦; O·宾克利; R·诺宁格
在一种制造多孔陶瓷复合物的方法中,向先前已经烧结的陶瓷衬底上应用未烧结层,并在500-1300℃的温度下,将其和先前已烧结的衬底一起烧结,其中,该未烧结层中专包含有颗粒尺寸x≤100nm的陶瓷颗粒,并且该未烧结层在烧结后作为功能层所具有的层厚为s≤2.5μm。依据这种方法制得的功能层是无缺陷的,含有微细气孔,所以特别适合于用在过滤工艺中。
110 陶瓷弧光管组件及一种陶瓷弧光管的制造方法 CN02105169.0 2002-02-25 CN1241234C 2006-02-08 J·T·内尔; M·A·施托
发明描述了一种陶瓷弧光管组件及一种制造陶瓷弧光管的方法,其通过减少在最终的烧结工序之前组装弧光管所需的操作和热处理的数量,从而简化了陶瓷弧光管的制造过程。特别是,本发明在中间的组装程序中使用过渡组装环扣,此环扣在最终的烧结工序之前可以被拆除。
111 陶瓷多层基板的制造方法 CN200510051812.X 2005-03-02 CN1665377A 2005-09-07 大贺隆义; 小西正夫; 伊藤雅纪
发明提供一种陶瓷多层基板的制造方法,其包括:在基板(1)的两侧层叠片坯(2a,2b)而得到层叠体的第1层叠工序,其中所述氧化铝基板(1)是在比片坯(2a,2b)烧结温度更高的温度下进行过烧结的;在所述层叠体的最外层层叠于所述片坯的烧结温度下不会烧结的拘束用片坯(3a,3b)而得到第2层叠体的第2层叠工序;将所述第2层叠体于280℃~350℃范围的第1加热温度加热预定时间以去除所述片坯(2a,2b)中含有的粘合剂成分的脱粘合剂工序;于800℃~1000℃范围的温度对所述第2层叠体进行烧结的烧成工序;以及从所述第2层叠体去除所述拘束用片坯(3a,3b)的拘束层去除工序。通过脱粘合剂条件的最优化,在经过烧成的氧化铝基板(1)与未烧成的片坯(2a,2b)的层叠体中,即便使热膨胀系数不同的材料之间进行层叠,仍可防止经过烧成的氧化铝基板(1)与层叠的片坯(2a,2b)之间的分层(层间剥离)的发生。
112 陶瓷基板制造方法以及使用该陶瓷基板的电子元件模 CN200410098382.2 2004-12-08 CN1627884A 2005-06-15 小西正夫; 伊藤雅纪; 松崎直生
发明的一种陶瓷基板制造方法包括:在收缩抑制层上设置孔的第一工序;用厚膜材料充填孔的第二工序;将充填了厚膜材料的收缩抑制层层合在准备工序中烧结的陶瓷基板最外层上,接着进行挤压由此获得层合体的第三工序;烧结层合体的第四工序;去除收缩抑制层的第五工序。由此,能增加形成在陶瓷基板最外层上突出部的种类。
113 陶瓷加热器 CN02823814.1 2002-12-02 CN1596557A 2005-03-16 伊藤康隆
发明涉及在陶瓷基板的内部设置了加热电阻的陶瓷加热器,其特征为,所述加热电阻由导电性陶瓷构成,并且加热电阻中至少在表面存在含烧结助剂层。该加热器即使在伴有急速升温时也不产生裂纹,具有加热均匀、升温速度快的效果,并且可被用于包含静电吸盘及等离子发生装置的半导体制造-检查装置、光学装置等工业范围。
114 使用衰减相移反射掩膜在半导体晶片上形成图案的方法 CN02821361.0 2002-08-07 CN1596450A 2005-03-16 杰里米·W·伯登; 黄荣峰
使用一个衰减相移反射掩膜(100)在覆盖一个半导体晶片的一个光刻胶层中形成所需图案。这个掩膜通过顺序地淀积一个衰减相移层(30)、一个缓冲层(40)和一个可修复层(50)所形成。根据所需图案,该可修复层(50)被构图。该可修复层(55)被检查以寻找没有获得所需图案的区域。用该缓冲层(45)保护该衰减相移层(30),该可修复层(55)被修复以获得所需图案。所需图案被转移到该缓冲层(45),接着再转移到该被构图的衰减相移层(35)以形成该衰减相移反射掩膜(100)。在该衰减相移反射掩膜(100)上把射线反射到该光刻胶层,用所需图案对该光刻胶层曝光。
115 陶瓷接合体、陶瓷接合体的接合方法和陶瓷结构体 CN02814610.7 2002-07-19 CN1533370A 2004-09-29 伊藤康隆; 尾崎淳
发明的目的是提供有效地应用于具有电热板等的半导体制造-检查装置的陶瓷接合体和陶瓷结构体,本发明提供陶瓷接合体和陶瓷之间接合的方法,在陶瓷体之间接合形成的接合体中,在一个陶瓷体和另一个陶瓷体接合界面上,形成平均直径大于构成陶瓷体的陶瓷颗粒的平均颗粒直径同时小于等于2000μm的粗气孔。
116 陶瓷接合体、其制造方法以及半导体晶片用陶瓷结构体 CN02801092.2 2002-04-12 CN1460094A 2003-12-03 伊藤康隆; 杉本圭三; 尾崎淳; 杉野顺一
发明涉及陶瓷接合体和它的制造方法,以及半导体晶片用陶瓷结构体的发明,特别涉及电热板(陶瓷加热器)和静电夹头、晶片检测器等用于半导体制造装置和检测装置的陶瓷接合体材料,其基本特征是:所述陶瓷接合体是接合了2个或2个以上同种或不同种类的陶瓷体而获得的接合体,一方面在各陶瓷体的接合界面上,存在有以所述界面为中心晶粒长入到两侧陶瓷体中的陶瓷晶粒,另一方面所述接合界面没有烧结助剂浓缩层。
117 陶瓷层压器件、通信设备和制造陶瓷层压器件的方法 CN03136233.8 2003-05-19 CN1459811A 2003-12-03 前川智哉; 繁村广志; 谷口文彦
近年来,由于人们致于使高频无线设备(例如便携式电话)小型化,陶瓷层压器件成为关注的焦点。但是,对于传统陶瓷层压器件,很难在保持良好高频特性的同时保证可靠性。本发明提供了一种陶瓷层压器件,包括强化电极40,其形成在层压体1内,层压体1中层叠了多个陶瓷层4、多个内电极2和夹层通孔3,其未与内电极2和夹层通孔3电连接,但是与陶瓷层4机械相连。
118 接合体、高压放电灯用组合体及高压放电灯 CN02160517.3 2002-12-27 CN1430242A 2003-07-16 新见德一
一种接合构造,这种接合构造即使反复曝露在高温区域和室温之间的热循环中,接合部仍具有强的抗疲劳性能,不易破损。提供第一种一构件(7)和第二构件(4)的接合体。该接合体具有夹在第一构件(7)和第二构件(4)之间的接合部(6)。接合部(6)设有接合材料(14),该接合材料(14)包含由金属粉末烧结体构成、具有开气孔的多孔质骨格(15)和浸渗在多孔质骨格(15)的开气孔中的浸渗相(10)。浸渗相(10)是从氮化物和氮化物中的至少一种及金属氧化物所获得的多晶体组成。
119 多层超导电路衬底及其制备方法 CN88102545 1988-04-27 CN88102545A 1988-11-23 今中佳彦; 町敬人; 山中一典; 横山博三; 龟原伸男; 丹羽纮一
发明提供了一种多层超导电路衬底,它包括绝缘层和位于绝缘层之间的超导陶瓷材料的内连接模,借助于超导陶瓷材料通孔将超导陶瓷材料模块连通。超导陶瓷材料的模块最好用金、、铂及其合金封装。
120 GAS TURBINE ENGINE CMC AIRFOIL ASSEMBLY PCT/US2014043105 2014-06-19 WO2015047485A3 2015-06-18 ALVANOS IOANNIS
A gas turbine engine airfoil assembly includes an airfoil and an attachment structure respectively bonded to opposing sides of a platform. At least one of the airfoil, the platform and the attachment structure are constructed from a ceramic matrix composite.
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