| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 积层陶瓷基板的制造方法 | CN200680001419.2 | 2006-10-31 | CN101080960A | 2007-11-28 | 泽田宗之; 胜村英则; 加贺田博司 |
| 未烧结积层体具有位于第一陶瓷层的表面上的导体，覆盖导体的端部的位于第一陶瓷层的所述表面上的绝缘体，和位于导体和绝缘体上的第二陶瓷层。在第一陶瓷层烧结而第二陶瓷层不烧结的温度下烧成未烧结积层体。烧成积层体后，将第二陶瓷层从积层体除去，从而获得积层陶瓷基板。绝缘体具有10μm以上40μm以下的厚度。通过该方法，可以获得高密度的绝缘体，而可以容易地形成导体。 | ||||||
| 22 | 多层陶瓷复合物 | CN200380109361.X | 2003-11-19 | CN100337728C | 2007-09-19 | F·埃伦; O·宾克利; R·诺宁格 |
| 在一种制造多孔陶瓷复合物的方法中，向先前已经烧结的陶瓷衬底上应用未烧结层，并在500—1300℃的温度下，将其和先前已烧结的衬底一起烧结，其中，该未烧结层中专门包含有颗粒尺寸x≤100nm的陶瓷颗粒，并且该未烧结层在烧结后作为功能层所具有的层厚为s≤2.5μm。依据这种方法制得的功能层是无缺陷的，含有微细气孔，所以特别适合于用在过滤工艺中。 | ||||||
| 23 | 平面陶瓷膜组件以及氧化反应器体系 | CN200410030134.4 | 2004-03-19 | CN1550475A | 2004-12-01 | M·F·卡罗兰; P·N·德耶; M·A·威尔逊; T·R·奥赫恩; K·E·克奈德; D·彼得森; C·M·陈; K·G·拉克斯 |
| 一种平面陶瓷膜组件，其包含混合－传导多组分金属氧化物材料致密层其中，致密层具有第一面和第二面，与致密层的第一面接触的混合－传导多组分金属氧化物材料多孔层，与致密层的第二面接触的陶瓷通道载体层。本发明还涉及使用该平面陶瓷膜组件的陶瓷片组件以及陶瓷膜组件的制备方法及其用于烃氧化的方法。 | ||||||
| 24 | 氧化物陶瓷材料、陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器模块 | CN200410004014.7 | 2004-02-05 | CN1524826A | 2004-09-01 | 井上修; 原田健史; 奥山浩二郎 |
| 提供了一种氧化物陶瓷材料，其含有氧化铝作为主要组分，并且含有下面所示的A和B中的至少一种作为辅助组分：A：氧化铌和氧化铜，B：氧化铜、氧化钛和氧化银。由此可以提供一种在低温下具有可烧结性并具有高的导热率的氧化物陶瓷材料，本发明还提供了使用该氧化物陶瓷材料的陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器模块。 | ||||||
| 25 | 陶瓷加热器与陶瓷接合体 | CN02802778.7 | 2002-07-08 | CN1473452A | 2004-02-04 | 伊藤康隆 |
| 本发明的目的是提供一种陶瓷加热器，它们稳定地支承半导体晶片并均匀地加热整个半导体晶片等，不会使其产生任何弯曲。本发明的陶瓷加热器包括：盘状陶瓷基片；形成于陶瓷基片表面或里面的加热元件；和让提升销穿过陶瓷基片的通孔，其中形成的通孔数为三个或以上，而且诸通孔形成于某一区域，它与陶瓷基片中心的距离为该中心与陶瓷基片外缘距离的1/2或以上。 | ||||||
| 26 | 陶瓷弧光管组件及一种陶瓷弧光管的制造方法 | CN02105169.0 | 2002-02-25 | CN1372299A | 2002-10-02 | J·T·内尔; M·A·施托 |
| 本发明描述了一种陶瓷弧光管组件及一种制造陶瓷弧光管的方法,其通过减少在最终的烧结工序之前组装弧光管所需的操作和热处理的数量,从而简化了陶瓷弧光管的制造过程。特别是,本发明在中间的组装程序中使用过渡组装环扣,此环扣在最终的烧结工序之前可以被拆除。 | ||||||
| 27 | 绝缘陶瓷压块 | CN01122799.0 | 2001-07-20 | CN1334255A | 2002-02-06 | 近川修; 森直哉; 杉本安隆 |
| 一种包括(A)MgAl2O4、Mg3B2O6和/或Mg2B2O5的陶瓷粉末和(B)玻璃粉末的烧制混合物的绝缘陶瓷压块,玻璃粉末包含约13－50%重量的按Si2O计算的二氧化硅、约8－60%重量的按B2O3计算的氧化硼、0－约20%重量的按Al2O3计算的氧化铝和约10－55%重量的按MgO计算的氧化镁。该绝缘陶瓷压块可通过在约1000℃或更低温度下烧制获得,可以和Ag或Cu烧结制得,具有低的介电常数和高Q值,适合在高频范围使用。 | ||||||
| 28 | 制造弯曲陶瓷声衰减板的方法 | CN201480006643.5 | 2014-01-29 | CN104955643B | 2017-12-15 | S·弗凯; S·斯门尼斯; E·菲利普; E·古里安 |
| 一种制造弯曲形状的声衰减板的方法，所述方法包括如下步骤：用陶瓷前体树脂浸渍确定网格结构(150)的纤维结构；使所述陶瓷前体树脂聚合化，同时将纤维结构保持在呈现弯曲形状的工件上，所述弯曲形状对应于网格结构(150)的最终形状；将网格结构(150)与第一和第二表层对接，所述第一和第二表层各自由用陶瓷前体树脂浸渍的纤维结构(200；300)形成，各表层在所述表层的树脂聚合化之前或之后对接至所述网格结构；使由所述网格结构和第一和第二表层构成的组件热解；和·通过化学气相渗透法致密化所述组件。 | ||||||
| 29 | 金属-陶瓷-基材以及制备金属-陶瓷-基材的方法 | CN201380056024.2 | 2013-09-16 | CN104755445B | 2017-11-03 | K·施米德特; A·迈耶; A·勒加斯; M·施米勒 |
| 本发明涉及金属‑陶瓷‑基材及其制备方法，所述金属‑陶瓷‑基材包括至少一个具有第一表面侧和第二表面侧(2a、2b)的陶瓷层(2)，所述陶瓷层(2)在表面侧(2a、2b)的至少一者上设置有金属化层(3、4)，其中形成陶瓷层(2)的陶瓷材料包含氧化铝、二氧化锆以及氧化钇。特别有利地，氧化铝、二氧化锆以及氧化钇各自以其总重量计的以下比例包含在陶瓷层(2)中：二氧化锆，在2和15重量％之间；氧化钇，在0.01和1重量％之间；和氧化铝，在84和97重量％之间，其中所使用的氧化铝的平均粒径在2和8微米之间，并且氧化铝晶粒的晶界长度与所有晶界的总长度的比例大于0.6。 | ||||||
| 30 | 金属陶瓷基片以及用于制造这种基片的方法 | CN201110330450.3 | 2011-10-27 | CN102458043B | 2017-04-12 | A·梅耶尔; J·舒尔策-哈德 |
| 特别用于电路或模块的金属陶瓷基片包括至少一个第一外部金属层，该第一外部金属层形成金属陶瓷基片的第一表面侧，该金属陶瓷基片还包括至少一个第二外部金属层，该第二外部金属层形成金属陶瓷基片的第二表面侧，第一、第二外部金属层分别通过两维结合而与板形基片本体的表面侧结合。 | ||||||
| 31 | 功率模块用基板的制造方法及功率模块用基板 | CN201210118770.7 | 2012-04-20 | CN102751201B | 2016-11-16 | 大井宗太郎 |
| 本发明提供一种功率模块用基板的制造方法及功率模块用基板，该功率模块用基板能够多层层叠陶瓷基板与金属板，并使陶瓷基板两侧的金属板成为连接状态，并且难以产生陶瓷基板与金属板之间的剥离或陶瓷基板的裂纹等。在层叠陶瓷基板(2)及金属板(4A、4C、4D、5A、6)时，向陶瓷基板(2)的贯穿孔(11)内插入长于贯穿孔(11)的柱状金属部件(12)，在接合陶瓷基板及金属板时，加压金属部件(12)使其塑性变形，以在金属部件(12)与贯穿孔(11)的内周面之间形成有间隙的状态，通过金属部件(12)使陶瓷基板(2)两侧的金属板(5A、4A、4D)成为连接状态。 | ||||||
| 32 | 复合层叠陶瓷电子部件 | CN201380009293.3 | 2013-02-05 | CN104144898B | 2016-10-12 | 藤田诚司; 足立大树; 金子和广; 足立聪; 坂本祯章 |
| 本发明提供一种具备被共烧成的低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层、且在低介电常数陶瓷层以及高介电常数陶瓷层的各个层中可得到相应的特性的复合层叠陶瓷电子部件。由玻璃陶瓷构成低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)，在低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)中使玻璃等的含有比率不同，其中该玻璃陶瓷包含：由MgAl2O4和/或Mg2SiO4构成的第一陶瓷；由BaO、RE2O3(RE为稀土类元素)以及TiO2构成的第二陶瓷；分别包含44.0～69.0重量％的RO(R为碱土类金属)、14.2～30.0重量％的SiO2、10.0～20.0重量％的B2O3、0.5～4.0重量％的Al2O3、0.3～7.5重量％的Li2O、以及0.1～5.5重量％的MgO的玻璃；和MnO。 | ||||||
| 33 | 由初陶瓷的纸结构和/或纸板结构构成的陶瓷 | CN201180054062.5 | 2011-10-31 | CN103313954B | 2016-03-30 | P.博尔杜安 |
| 示出且说明了一种陶瓷，其可由至少两个外部的初陶瓷的纸结构和/或纸板结构(1,2)作为覆盖层和至少一个内部的初陶瓷的纸结构和/或纸板结构(3,4)作为用于外部的初陶瓷的纸结构和/或纸板结构(1,2)的间隔垫片和中间层的复合来获得。根据本发明设置成，内部的初陶瓷的纸结构和/或纸板结构(3,4)在复合物中在上侧和/或在下侧整面地与至少一个另外的初陶瓷的纸结构和/或纸板结构(1,2)相连接并且内部的初陶瓷的纸结构和/或纸板结构(3,4)具有大量面凹口(5,6)。 | ||||||
| 34 | 用于制造双面金属化陶瓷衬底的方法 | CN201110158831.8 | 2011-06-14 | CN102276284B | 2014-12-03 | 维尔纳·威登奥尔; 托马斯·斯潘; 海科·克诺尔 |
| 本发明涉及用于制造双面金属化陶瓷衬底的方法。根据本发明的方法使得至少一个陶瓷衬底(1)能够仅在一个工艺步骤中在顶侧和底侧分别结合到在一个例子中的金属板或箔片(2、3)。这通过使所要结合的复合物位于具有特别设计的载体(4)上而实现。根据本发明，该载体的特征在于，载体的上侧通过形成大量的接触点而构造。由于根据本发明的载体的特殊构造，在结合工艺之后，能够实现金属般和陶瓷衬底的复合物可从载体分离而无任何残留物。根据本发明的载体具有不要求额外分离层的优点。 | ||||||
| 35 | 用于对齐结构层上的覆盖物的方法以及所得到的装置 | CN201280066772.4 | 2012-11-28 | CN104159863A | 2014-11-19 | S·波尔赛 |
| 一种形成用于连续流反应器的流体模块的方法，所述方法包括：提供至少一块具有一个或多个通孔的平坦玻璃或陶瓷片，形成至少一层具有至少一个图案化表面的图案化玻璃或陶瓷层，使得所述图案化表面包括限定在具有上表面的壁之间的通道，所述上表面位于常规高度(common height)，将所述至少一块玻璃或陶瓷片与所述至少一层图案化玻璃或陶瓷层堆叠在一起，所述片与壁在常规高度接触，使得通道被封在片和图案化层之间，所述片与图案化层对齐，使得一个或多个通孔分别与图案化层的壁之间的各个空间对齐，以提供到达所述各个空间的流体可及性，以及通过将片和图案化层压制在一起同时对所述片和图案化层进行加热来将所述片和图案化层接合在一起；其中，所述图案化玻璃或陶瓷层还包括一个或多个提升的结构，所述提升的结构在常规高度上方延伸，并且所述堆叠的步骤包括将片堆叠到位于常规高度的壁的上表面上，该位置使得所述一个或多个提升的结构将片限制在所需的位置或者将片对齐到图案化层上。 | ||||||
| 36 | 复合层叠陶瓷电子部件 | CN201380009293.3 | 2013-02-05 | CN104144898A | 2014-11-12 | 藤田诚司; 足立大树; 金子和广; 足立聪; 坂本祯章 |
| 本发明提供一种具备被共烧成的低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层、且在低介电常数陶瓷层以及高介电常数陶瓷层的各个层中可得到相应的特性的复合层叠陶瓷电子部件。由玻璃陶瓷构成低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)，在低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)中使玻璃等的含有比率不同，其中该玻璃陶瓷包含：由MgAl2O4和/或Mg2SiO4构成的第一陶瓷；由BaO、RE2O3(RE为稀土类元素)以及TiO2构成的第二陶瓷；分别包含44.0～69.0重量％的RO(R为碱土类金属)、14.2～30.0重量％的SiO2、10.0～20.0重量％的B2O3、0.5～4.0重量％的Al2O3、0.3～7.5重量％的Li2O、以及0.1～5.5重量％的MgO的玻璃；和MnO。 | ||||||
| 37 | 层叠线圈部件及其制造方法 | CN201280039831.9 | 2012-08-10 | CN103733280A | 2014-04-16 | 内藤修; 小和田大树; 山本笃史 |
| 本发明提供一种层叠线圈部件，该层叠线圈部件在未导致直流电阻增大的情况下提高直流叠加特性且降低可产生于磁体内的应力。该层叠线圈部件（11）具有：磁体层层叠而形成的磁体部（2），以及将配置于磁体层间的多个导体图案层贯通磁体层而相互连接成线圈状并埋设于磁体部（2）而形成的导体部（3），其中，导体部（3）由含有银的导体形成，磁体部（2）由含有Fe2O3、NiO、ZnO、CuO的烧结铁氧体材料形成，磁体部（2）的导体部附近区域的Cu含量（换算成CuO）相对于磁体部（2）的中央区域的Cu含量（换算成CuO）的比为0.2～0.5。 | ||||||
| 38 | 玻璃陶瓷组合物 | CN201280024387.3 | 2012-02-13 | CN103547544A | 2014-01-29 | 金子和广; 坂本祯章; 足立大树; 足立聪; 藤田诚司 |
| 本发明提供一种玻璃陶瓷组合物，其绝缘可靠性高、且仅通过调整组成即可在低相对介电常数至高相对介电常数的宽范围内容易地得到所需相对介电常数的制品。本发明的玻璃陶瓷组合物，其用于例如陶瓷多层模块（1）中具备的多层陶瓷基板（2）的陶瓷层（3），所述玻璃陶瓷组合物包含：包含MgAl2O4和Mg2SiO4中的至少一方的第1陶瓷；包含BaO、RE2O3（RE为稀土类元素）和TiO2的第2陶瓷；分别包含44.0～69.0重量%的RO（R为碱土类金属）、14.2～30.0重量%的SiO2、10.0～20.0重量%的B2O3、0.5～4.0重量%的Al2O3、0.3～7.5重量%的Li2O和0.1～5.5重量%的MgO的玻璃；以及MnO。 | ||||||
| 39 | 具有弯曲性的陶瓷层叠片及其制造方法 | CN201310290609.2 | 2013-07-11 | CN103547135A | 2014-01-29 | 刘日焕; 金镇哲; 金泰庆; 李东圭; 李柔镇 |
| 本发明提供一种陶瓷层叠片，其作为包含形成有多个开裂的陶瓷片以及形成在所述陶瓷片的一面或两面上的高分子树脂层的陶瓷层叠片，所述多个开裂分别从所述陶瓷片一面贯穿到另一面，从而所述陶瓷片分割成多个碎片，在所述陶瓷片的一面及另一面上不存在用于形成所述开裂的槽。本发明的陶瓷层叠片由于不形成用于形成开裂的槽，因而能够在极大地节省工序时间及费用的同时，保有与现有同等水平以上的陶瓷材质特性。另外，陶瓷层叠片的弯曲性优秀，即使在附着工序等中的变形力或冲击下，也没有材质特性的下降，不仅能够附着于平坦的设备，还容易附着于曲面形态或柔性的设备，而且发挥优秀的陶瓷特性。 | ||||||
| 40 | 用于精炼多晶硅循环真空设备的石墨吸嘴 | CN201210567172.8 | 2012-12-25 | CN103213990A | 2013-07-24 | 孙文彬 |
| 本发明公开了一种用于精炼多晶硅循环真空设备的石墨吸嘴。该石墨吸嘴由多节石墨管堆栈组合而成，其中，每一石墨管包括一上结合部与一下结合部，上结合部位于该石墨管的上方顶面，下结合部位于该石墨管的下方底面，并与该上结合部对应，使得各石墨管的该上结合部与另一石墨管的该下接合部可相互抵接，并于各石墨管堆栈之后，经由烧结处理使各石墨管融合密接。 | ||||||
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