| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 41 | 具有非均一电流路径的自旋力矩驱动的磁性隧道结及用于形成所述磁性隧道结的复合硬掩模架构 | CN201180008990.8 | 2011-01-14 | CN102754210B | 2017-05-03 | 陈维川; 升·H·康; 朱晓春 |
| 本发明揭示一种磁性隧道结MTJ存储元件(300)及形成所述MTJ的方法。所述磁性隧道结MTJ存储元件包括钉扎层(206、210)、势垒层(212)、自由层(214)及复合硬掩模或顶部电极(304、306)。所述复合硬掩模/顶部电极架构经配置以提供通过所述MTJ存储元件的非均一电流路径，且由并联耦合的具有不同电阻特性的电极形成。插入于所述自由层与所述顶部电极之间的任选调谐层(302)帮助降低所述自由层的阻尼常数。 | ||||||
| 42 | 用于压印光刻的无缝大面积主模板的制造 | CN201280062807.7 | 2012-12-19 | CN104221127B | 2017-04-12 | D·J·雷斯尼克; M·N·米勒; F·Y·徐 |
| 描述了形成可用于图案化包括例如线栅偏振器(WGP)的大面积光学装置的大面积模板的方法。这些方法提供这种大面积装置的无缝图案化。 | ||||||
| 43 | 制造有机场效应晶体管的方法和有机场效应晶体管 | CN201380028226.6 | 2013-03-28 | CN104396041B | 2017-04-05 | 亚历山大·扎希多夫; 比约恩·吕塞姆; 卡尔·利奥; 汉斯·克勒曼 |
| 公开一种制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：在基底上设置栅电极(1)和分配给所述栅电极(1)以电绝缘的栅极绝缘层(2)，在所述栅极绝缘层(2)上沉积第一有机半导体层(3)，在所述第一有机半导体层(3)上产生第一电极(4)和分配给所述第一电极(4)以电绝缘的电极绝缘层(5)，在所述第一有机半导体层(3)和所述电极绝缘层(5)上沉积第二有机半导体层(6)，和在所述第二有机半导体层(6)上产生第二电极(7)，其中在所述第一有机半导体层(3)上产生所述第一电极(4)和所述电极绝缘层(5)的所述步骤和在所述第二有机半导体层(6)上产生所述第二电极(7)的所述步骤中的至少一个包括分别在所述第一和第二有机半导体层(3、6)上光刻结构化的步骤。另外，提供一种有机场效应晶体管和一种电子开关装置。 | ||||||
| 44 | 掺杂碳纳米管和石墨烯用于改善电子迁移率 | CN201280057589.8 | 2012-11-16 | CN103946964B | 2017-04-05 | A·阿夫扎利-阿尔达卡尼; C·布佩施; G·S·图勒夫斯基 |
| 一种用于掺杂石墨烯或者碳纳米管薄膜场效应晶体管器件以改善电子迁移率的方法和装置。该方法包括选择性施加掺杂剂到石墨烯或者纳米管薄膜场效应晶体管器件的沟道区域以改善场效应晶体管器件的电子迁移率。 | ||||||
| 45 | 纳米线场效应晶体管器件 | CN201280054033.3 | 2012-10-16 | CN103930977B | 2017-03-15 | S·邦萨伦提普; G·M·科昂; J·W·斯雷特 |
| 一种形成场效应晶体管器件的方法包括在衬底之上形成悬置的纳米线，在所述衬底的一部分上并围绕所述纳米线的一部分形成虚设栅极叠层；去除所述纳米线的暴露部分，从所述纳米线的暴露部分外延生长纳米线扩展部分，在所述衬底的暴露部分、所述虚设栅极叠层以及所述纳米线扩展部分之上沉积半导体材料层，以及去除所述半导体材料的部分以形成邻近所述虚设栅极叠层设置并接触所述纳米线扩展部分的侧壁接触区域。 | ||||||
| 46 | 碳纳米管薄膜的垂直叠层形成的晶体管 | CN201310572051.7 | 2013-11-13 | CN103824778B | 2017-03-01 | A·D·富兰克林; J·T·史密斯; G·S·图勒夫斯基 |
| 本发明涉及碳纳米管薄膜的垂直叠层形成的晶体管。公开了一种碳纳米管场效应晶体管。该碳纳米管场效应晶体管包括：第一碳纳米管膜；耦合到所述第一碳纳米管膜的第一栅极层以及与所述第一栅极层相对并耦合到所述第一栅极层的第二碳纳米管膜。所述第一栅极层配置成影响所述第一碳纳米管膜中的电场以及影响所述第二碳纳米管膜的电场。源极接触和漏极接触中的至少一个耦合到所述第一和第二碳纳米管膜并且通过欠重叠区域与所述第一栅极层分开。 | ||||||
| 47 | 蚀刻方法和蚀刻装置 | CN201310024535.8 | 2013-01-23 | CN103219234B | 2017-03-01 | 西村荣一; 小嗣义; 山下扶美子 |
| 本发明提供一种蚀刻方法，优化通过嵌段共聚物的自组装形成的周期图案的蚀刻条件。对通过能够自组装的嵌段共聚物的第一聚合物和第二聚合物自组装而形成的周期图案进行蚀刻，该蚀刻方法的特征在于包括：向处理室内导入气体的工序；设定高频电源的频率，使得离子能量大量分布在比产生上述第一聚合物的蚀刻产额的离子能量分布小、且为产生上述第二聚合物的蚀刻产额的离子能量分布以上的范围中，从上述高频电源向上述处理室内供给高频电力的工序；和利用上述高频电力由被导入到上述处理室内的气体生成等离子体，使用所生成的等离子体蚀刻载置于载置台的被处理体上的上述周期图案的工序。 | ||||||
| 48 | 二维器件阵列 | CN201310075846.7 | 2007-09-06 | CN103213935B | 2017-03-01 | J·A·罗杰斯; M·梅尔特; 孙玉刚; 高興助; A·卡尔森; W·M·崔; M·斯托伊克维奇; H·江; Y·黄; R·G·诺奥; 李建宰; 姜晟俊; 朱正涛; E·梅纳德; 安钟贤; H-S·金; 姜达荣 |
| 本发明提供二维器件阵列。在一方面，本发明提供了可拉伸的且可选地为可印刷的组件，例如半导体或电子元件，其能够在拉伸、压缩、弯曲或变形时提供良好性能，以及制造或调节这样的可拉伸组件的相关方法。为某些应用而优选的可拉伸的半导体和电子电路为柔性，此外也是可拉伸的，且因此能够显著地沿着一个或更多个轴线延长、挠曲、弯曲或其他变形。此外，本发明的可拉伸的半导体和电子电路适于范围宽泛的器件结构，以提供完全柔性的电子和光电子器件。 | ||||||
| 49 | 电场/磁场引导的酸扩散 | CN201580022420.2 | 2015-05-12 | CN106463355A | 2017-02-22 | 谢鹏; L·戈黛; T·马; J·C·欧尔森; C·本彻 |
| 提供用于使在由光刻法形成线中的线边缘/宽度粗糙度最小化的方法和设备。在光刻工艺期间由光酸产生剂产生的随机的酸扩散对于线边缘/宽度粗糙度有所贡献。本文中公开的方法在光刻工艺期间施加电场和/或磁场。场的施加控制由光酸产生剂产生的酸沿线和间隔方向的扩散，从而防止源自随机扩散的线边缘/宽度粗糙度。本文中也公开了用于进行前述方法的设备。 | ||||||
| 50 | 纳米级柱状物林的制作方法 | CN201610977048.7 | 2016-10-28 | CN106430083A | 2017-02-22 | 卢马才 |
| 本发明提供一种纳米级柱状物林的制作方法，通过在衬底基板上依次形成第一无机物膜层与光阻层，利用惰性气体等离子体将所述第一无机物膜层上的部分无机物材料溅射转移至光阻层上，在光阻层上形成不连续的第二无机物膜层，然后利用所述不连续的第二无机物膜层作为掩膜，对所述光阻层进行等离子体刻蚀，即可在光阻层表面形成纳米级柱状物林。该方法无需微显影技术即可在光阻层上形成大面积的纳米级柱状物林，能够应用于显示面板的生产中并大幅度降低相关工艺的生产成本。 | ||||||
| 51 | 其中，在x>1时，每个Ar1可以是不同的，-y是最大电子器件和化合物 为所述芳烃骨架上化合价位点总数的非零整 | CN201280031104.8 | 2012-06-22 | CN103765621B | 2017-02-22 | 萨沙·多罗克; 乌尔里希·黑格曼; 伊纳·费尔廷; 曼努埃拉·克洛瑟; 鲁道夫·莱斯曼 |
| 数，-z是从零到所述芳烃骨架上化合价位点总数本发明涉及包含根据式1A-B(1)的化合物的 减去y的整数；以及根据式A-B的相应的化合物。电子器件，且其中-Ar1是C6-C18亚芳基，其可以是单环或多环的，并且可以任选地被一个或多个C1-C10烷基或C3-C10环烷基基团取代，-Ar2为C6-C18芳烃骨架，其任选地被供电子基团R4所取代，-B1和B2独立地选自B和Ar2，-B3独立地选自与B相同的基团，-R1、R2、R3独立地选自烷基、芳基烷基、环烷基、芳基、二烷基氨基，-x选自0、1、2和3，(56)对比文件M Pomerantz等“.NMR spectroscopy andcyclic voltammetry of N-aryl-P,P,P-triphenylphospha-.lambda.5-azenes.Substituent effects and correlation withmolecular orbital calculations”《.Journalof Organic Chemistry》.1986,第51卷(第8期),M Pomerantz等.“NMR spectroscopy andcyclic voltammetry of N-aryl-P,P,P-triphenylphospha-.lambda.5-azenes.Substituent effects and correlation withmolecular orbital calculations”《.Journalof Organic Chemistry》.1986,第51卷(第8期), | ||||||
| 52 | 非共振双光子吸收记录材料、非共振双光子吸收聚合物光学信息记录介质和记录/再现方法 | CN201280034497.8 | 2012-05-11 | CN103650044B | 2017-02-22 | 津山博昭; 牧野雅臣; 望月英宏; 佐佐木俊央; 见上龙雄 |
| 本发明通过利用包含非共振双光子吸收聚合物化合物的非共振双光子吸收记录材料，从而提供了一种具有充分的记录/再现特性和高耐湿热性的非共振双光子吸收记录材料。 | ||||||
| 53 | 半导体器件及其形成方法 | CN201310314122.3 | 2013-07-24 | CN103578955B | 2017-02-22 | 朱文娟 |
| 本发明涉及半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：形成场效应晶体管FET），以及形成包括石墨烯层并且电连接到所述FEF的熔丝。 | ||||||
| 54 | 纳米天线和用于其制备和使用的方法 | CN201280076469.2 | 2012-08-16 | CN104736471B | 2017-02-15 | 陈胜伟; C·J·罗斯福斯 |
| 描述了谐振频率在电磁频谱的光或接近红外区域中的纳米天线以及制造该天线的方法。该天线包括多孔膜；多个纳米线，其被布置在多孔膜中；以及单层的纳米球，每一个纳米球具有与纳米线的直径大致相同的直径。纳米球与纳米线电学串联。 | ||||||
| 55 | 具有碳系导体和量子点的光电晶体管 | CN201280044149.9 | 2012-07-31 | CN104024146B | 2017-02-15 | 耶拉西莫斯·康斯坦塔托斯; 弗兰克·科彭斯 |
| 本发明包含一种光电平台，其具有碳系导电层(2)和在该碳系导电层顶部作为光吸收材料的胶体量子点层(1)。所述碳系导电层可由石墨烯、被还原的氧化石墨烯或碳纳米管制成。其维持低工作电压的同时，能够获得约106的光电导增益。该平台可以用作晶体管。 | ||||||
| 56 | 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法 | CN201410262614.7 | 2014-06-13 | CN105271105B | 2017-01-25 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，包括在碳纳米管阵列的碳纳米管远离生长基底的顶端形成一包覆层；将代替基底的表面通过该包覆层与该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面结合，该代替基底的表面与该包覆层接触；以及通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底，将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出。 | ||||||
| 57 | 一种半导体结构及其形成方法 | CN201410275700.1 | 2014-06-19 | CN104037159B | 2017-01-25 | 黎明; 杨远程; 樊捷闻; 宣浩然; 张昊; 黄如 |
| 一种半导体结构，包括：一半导体衬底，多层超细硅线条，所述的多层超细硅线条的界面形状受衬底晶向和线条轴向晶向双重控制。形成方法包括：通过刻蚀工艺形成鱼鳍状硅岛Fin及其两端的源漏区；制备硅的腐蚀掩蔽层；形成多层超细硅线条。本发明的优点：最终形成的多层超细硅线条的位置与截面形状均匀、可控；对硅的各向异性腐蚀是自停止的，工艺窗口大，可在同一硅片上实现不同直径的硅线条；ICPECVD具有较强的窄槽填充能力，淀积牺牲层和腐蚀掩蔽层材料时无空洞；结合氧化技术可以制备尺寸小于10nm的线条，满足小尺寸器件关键工艺的要求；采用自上而下的加工方法，完全和体硅平面晶体管工艺兼容，工艺成本代价小。 | ||||||
| 58 | 采用半导体纳米颗粒的非易失性存储器件 | CN201310456100.0 | 2013-09-29 | CN103715199B | 2017-01-18 | 程慷果; R·H·德纳尔德; H·杰加纳森; A·卡基菲鲁兹; T·H·宁; G·G·沙希迪 |
| 本发明涉及采用半导体纳米颗粒的非易失性存储器件。在衬底的第一绝缘体层的顶面上沉积半导体纳米颗粒。在所述半导体纳米颗粒和所述第一绝缘体层之上沉积第二绝缘体层。然后将半导体层接合到所述第二绝缘体层以提供包括掩埋绝缘体层的绝缘体上半导体衬底，所述掩埋绝缘体层包括所述第一和第二绝缘体层以及嵌入其中的半导体纳米颗粒。在所述掩埋绝缘体层下方形成背栅电极，并且形成浅沟槽隔离结构以隔离所述背栅电极。采用相同的处理步骤在存储器件区域和逻辑器件区域中形成场效应晶体管。嵌入的纳米颗粒可用作非易失性存储器件的电荷存储器元件，其中在写入和擦除期间载流子隧穿通过所述第二绝缘体层而进入或离开所述半导体纳米颗粒。 | ||||||
| 59 | 制造层压纳米模具及由此得到的纳米微粒的方法和材料 | CN201410061019.7 | 2007-12-04 | CN103831914B | 2017-01-11 | J.P.罗兰; B.麦诺尔; R.L.亨 |
| 本发明涉及制造层压纳米模具及由此得到的纳米微粒的方法和材料。层压纳米模具包括限定具有预定形状空腔的全氟聚醚层和与全氟聚醚层偶联的支持层。所述层压物还包括使全氟聚醚层与支持层偶联的连接层。连接层还可包括光可固化部分和热可固化部分。空腔可具有小于500纳米的最宽尺寸。 | ||||||
| 60 | 用于高功率电子器件的可调势垒晶体管 | CN201580021338.8 | 2015-04-24 | CN106256023A | 2016-12-21 | 马克斯·G·莱迈特雷; 陈霄; 刘波; M·A·麦卡锡; A·G·林兹勒 |
| 提供了可在高功率电子器件中使用的可调势垒晶体管的各种方面。在一个例子中，除了别的以外，可调势垒晶体管还包括：无机半导电层；包括布置在无机半导电层上的纳米碳膜的源极电极；布置在纳米碳膜上的栅极介电层；以及布置在纳米碳膜的至少一部分之上的栅极介电层上的栅极电极。纳米碳膜可形成与无机半导电层的源极-沟道界面。由栅极电极产生的栅极场可调制在源极-沟道界面处的势垒高度。栅极场也可调制在源极-沟道界面处的势垒宽度。 | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈