序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 纳米材料简易环保生产设备 CN201720336138.8 2017-03-31 CN207091008U 2018-03-13 何子坚
本实用新型所涉及一种纳米材料简易环保生产设备,包括可短路电机,AC/DC整流器,因AC/DC整流器输出端上设置有用于生产碳纳米材料的碳纳米真空装置,利用可短路发电机产生交流,经过AC/DC整流器整流成直流电源分别使用同一方向对第一石墨棒、第二石墨棒供电,驱使第一石墨棒与第二石墨棒相交处产生高压电弧,该高压电弧将石墨棒上物质进行等离子化,使所述石墨棒中碳原子被分解,并析出碳纳米材料,该碳纳米材料经过石墨罩收集到纳米收集器内部。与现有技术同类相互比较,具有制备设备简单,成本低的优点。又因所述的整个碳纳米材料在封闭石墨罩空间内完成,无任何气体排出外界,从而达到环保的效果。另外,本实用新型的制备方式适合量产。
2 触摸屏 CN201521108751.1 2015-12-28 CN205750746U 2016-11-30 许在鹤; 姜文淑; 朴性奎; 权度烨; 金敬镇; 李圭璘; 崔光惠; 洪范善
本实用新型公开了一种触摸屏。该触摸屏包括:基板,包括限定在其中的显示区域、非显示区域以及折叠区域;在所述基板上的感测电极;电连接至所述感测电极并且设置在所述基板上的丝状电极;以及连接至所述丝状电极的印刷电路板,其中,所述感测电极包括沿第一方向延伸的第一感测电极,所述第一感测电极包括多个图案,并且在所述第一感测电极的图案之间设置作为所述折叠区域的中心的折叠线。
3 显示装置 CN201520697566.4 2015-09-10 CN205067915U 2016-03-02 曹秉辰; 李大熙; 李启薰; 张乃元
本实用新型公开了一种显示装置。显示装置包括显示面板、输出光到显示面板的背光单元以及反射或折射从背光单元输出的光并向显示面板提供光的光学构件。背光单元包括:光源,发射光;导光板,散射从光源发射的光并将散射的光辐射到导光板的前表面;反射片,将辐射到导光板的后表面的光反射到导光板;量子点片,将辐射到导光板的前表面的光转换成白光;以及光转换材料,提供在背光单元的边缘部分上以将光转换成白光。
4 半导体器件 CN201320797452.8 2013-12-04 CN203760518U 2014-08-06 J·H·张
本实用新型公开了一种半导体器件,可以包括衬底和在衬底上方的PCM存储器单元阵列。每个PCM存储器单元可以包括竖直对准的第一电极和第二电极、在第一电极与第二电极之间的第一电介质层、从第二电极并且朝着第一电极经过第一电介质层竖直延伸的纳米管以及在第一电极与至少一个碳纳米管之间的PCM本体。
5 传感器 CN200320121490.8 2003-12-01 CN2800289Y 2006-07-26 佐藤秀树
一种磁体感器,包括单个衬底,多个磁阻元件,使所述多个磁阻元件相互连接的布线部分以及控制电路部分,所过控制电路部分经由所述布线部分获取根据所述多个磁阻元件的电阻值而确定的物理量,并且对该物理量进行处理从而产生向外输出的输出信号,其中所述磁传感器还包括多个叠置在所述衬底上的层;所述磁阻元件形成在所述多个层中的一个层的上表面;所述布线部分和所述控制电路部分形成在所述衬底以及所述多个层中;并且所述磁阻元件、所达布线部分、以及所述控制电路部分都通过连接部分而在所述多个层中相互连接,所达连接部分由导电物质构成并且沿着与所述层的层表面相交的方向延伸。
6 磁感应器 CN200320116792.6 2003-10-16 CN2657206Y 2004-11-17 佐藤秀树; 相曾功吉; 涌井幸夫
磁感应器包括结合在一起以形成正方形石英衬底(2)上的GMR元件(11-14,21-24)的磁阻元件(31)和永久磁膜(32),其中所述永久磁铁膜成对并连接到所述磁阻元件的两端,以便通过相对于石英衬底的四条边适当排列GMR元件来实现X轴磁感应器和Y轴磁感应器,这里,磁阻元件的被钉扎层(PD)的磁化方向与磁阻元件的纵向方向或永久磁铁膜的磁化方向成45°的规定。因此,即使当强磁场作用时,可以可靠抑制GMR元件的桥连接的偏移变化;并且因此可以显著提高对强磁场的阻抗特性。
7 车辆发动机和车辆 CN201721103274.9 2017-08-30 CN207291833U 2018-05-01 斯图尔特·C·萨尔特; 保罗·肯尼斯·德洛克; 达拉·卡摩
本实用新型提供一种车辆发动机,包括:排气歧管排气歧管构造成发射第一发射光;隔热屏障,隔热屏障邻近排气歧管定位并且具有限定孔的屏障衬底;以及指示器,指示器定位在孔的上方并且包括:支撑衬底;以及半导体层,半导体层构造成吸收第一发射光并且发射第二发射光。本实用新型还提供一种车辆和另一种车辆发动机。本实用新型的目的在于提供一种车辆发动机,以至少地实现为车辆发动机中的部件提供重点照明和功能性照明。
8 机电系统装置、微机电系统开关及微机电系统集成电路 CN201520729763.X 2015-09-18 CN205222678U 2016-05-11 柳青; J·H·张
本公开涉及微机电系统装置、微机电系统开关及微机电系统集成电路。一种纳米级机电开关形式的集成晶体管消除了CMOS电流泄露并且提高了开关速度。纳米级机电开关以从衬底的一部分延伸到腔中的半导悬臂为特征。悬臂响应于施加到晶体管栅极的电压而弯曲,因此在栅极下方形成导电沟道。当器件关断时,悬臂回到它的静止位置。这种悬臂的移动将电路断开,在栅极下方恢复不允许电流流动的空洞,因此解决了泄露的问题。纳米机电开关的制作与现有的CMOS晶体管制作流程兼容。通过掺杂悬臂并且使用背偏置和金属悬臂末端,可以进一步改进开关的灵敏度。纳米机电开关的面积可以小至0.1x0.1μm2。
9 用于基于纳米线探测器的核酸测序的设备 CN201520202280.4 2015-04-03 CN204714802U 2015-10-21 M·A·比安凯西; F·费拉拉
本公开的各个实施例涉及用于基于纳米线探测器的核酸测序的设备。一种用于核酸测序的设备包括:在探测位置处的基探测装置,其被配置用于探测核酸链在探测位置处的部分的碱基;以及输运装置,其被配置用于延展核酸链、并且使得延展的核酸链沿着路径滑动通过探测位置。碱基探测装置包括:多个场效应纳米线探测器,沿着路径设置,并且每个场效应纳米线探测器包括相应的纳米线和核酸探针,核酸探针由相应的碱基序列限定、并且固定至相应的纳米线。
10 衬底上的硅柱阵列 CN201420171106.3 2014-04-09 CN204138341U 2015-02-04 崔波; 里彭·库马尔·戴
本实用新型涉及一种衬底上的硅柱阵列,每个硅柱在衬底上一体成型,每个硅柱包括:与衬底相距的顶点,在衬底上一体成型的基座,和延伸于顶点和基座之间的柱体,所述柱体的横截面形状在其长度范围内相同,其中,该柱体的轴纵横比大于基座的纵横比。
11 双波段焦平面阵列 CN201190001034.2 2011-12-14 CN203932063U 2014-11-05 R·E·玻恩弗洛恩德
在一种实施方式中,双波段焦平面阵列包括读出集成电路,多个光电聚合物像素(218a,218b),用于吸收可见光和/或短波红外辐射,每个光电聚合物像素电耦接至读出集成电路,以及多个微辐射热测定仪(302),用于检测长波红外辐射,每个微辐射热测定仪经由布置在相邻微辐射热测定仪之间的和相邻光电聚合物像素之间的接触腿(224a,224b,224c)电耦接至读出集成电路。
12 一种半导体器件 CN201190000071.1 2011-08-05 CN202633239U 2012-12-26 尹海洲; 骆志炯; 朱慧珑
本实用新型公开了一种半导体器件,包括:衬底,所述衬底为、体硅、掺杂或未掺杂的硅玻璃中的一种或其组合;石墨烯层或碳纳米管层,所述石墨烯层或碳纳米管层形成于所述衬底上;栅极结构,所述栅极结构形成于所述石墨烯层或碳纳米管层上,且暴露部分所述石墨烯层或碳纳米管层;金属接触层,所述金属接触层环绕所述栅极结构,且位于暴露的所述石墨烯层或碳纳米管层上。
13 含纳米颗粒层的电界面 CN201020185529.2 2010-03-18 CN202205478U 2012-04-25 X·周; A·A·埃尔莫斯; J·A·麦普克尔; J·J·本克; W·E·比蒂; R·W·米勒
一种电界面包含纳米颗粒层。电界面还包含第一导体和第二导体。纳米颗粒层与第一和第二导体电耦合在一起。该电界面能增加电接触界面的热学和电学传输性质,从而增加了电子产品包括电界面的安全性和可靠性。
14 薄膜电阻传感元件、多个传感元件的组合及与该组合耦合的电子装置 CN201120175774.X 2011-05-27 CN202083786U 2011-12-21 詹姆斯·G·迪克; 薛松生
本实用新型涉及一种薄膜电阻传感元件,用来检测垂直于其所沉积的基片平面的磁场分量,该传感元件包括自由层、参考层、位于自由层和参考层之间的隔离层,自由层材料固有的易轴被设置成垂直于其所沉积的基片平面,参考层中的磁化方向限制为平行于基片平面的方向,该参考层由与反磁层磁藕合的铁磁层构成或由比自由层矫顽高的铁磁层构成,隔离层由绝缘材料或是导电材料制成。本实用新型还提供多个前述传感元件的组合以及一种与上述传感元件组合耦合的电子装置。
15 传感器 CN02282949.0 2002-10-29 CN2600826Y 2004-01-21 铃木利尚; 佐藤秀树; 金子诚
提供一种磁传感器,设置有用来产生施加在磁电阻效应元件的偏置磁场的节省空间且耗电低的线圈。磁传感器设置有薄膜状的磁隧道效应元件(磁电阻效应元件)11。线圈21被配置在磁隧道效应元件11的下方平行于该元件的薄膜面的面内,并且是由涡旋状的第一导线部21-1和涡旋状的第二导线部21-2构成的双涡旋型的线圈。平面上看,磁隧道效应元件11被配置在第一导线部21-1的涡旋中心P1和第二导线部21-2的涡旋中心P2之间。平面上看第一导线部21-1与磁隧道效应元件11重叠的部分和同一平面上看第二导线部21-2与磁隧道效应元件11重叠的部分把第一、第二导线部21-1、21-2连接起来,以便流过同一方向的电流
16 用于获得在固体表面上的纳米结构涂层的装置 CN201490001534.X 2014-09-02 CN207430606U 2018-06-01 弗拉基米尔·杰科夫莱维奇·石里波夫; 海纳茨·康斯坦丁诺维奇·扎夫尼尔克
申请涉及用于形成表面活性化合物的单层和多层的Langmuir-Blodgett膜的仪器和设备,具体为用于获得在固体表面上的纳米结构涂层的装置,其被用在电子产品、分子电子学元件和其他装置的高科技生产中,其操作是基于量子尺寸效应。本实用新型的目的在于开发提供用于获得具有特殊物理和化学特征的功能性涂层的连续加工的装置,当产品在使用中该装置保证其长期稳定性耐磨性。该设定的目的通过使该装置配备提供用于清洁工作液体和将所清洁的工作液体供应到加工槽的连续处理的单元;单层形成系统;输送系统和提供用于由于物理吸附和化学反应而自动活化基片表面以及稳定表面上的层的附加系统。该装置的开发设计提供用于在基片的连续改良工艺中获得高质量的功能性涂层。
17 基于纳米管太阳能电池及形成其的设备 CN201090000947.8 2010-06-09 CN202839630U 2013-03-27 O·那拉玛苏; C·盖伊; V·L·普施帕拉吉; K·K·辛格; R·J·维瑟; M·A·孚德; R·霍夫曼
本实用新型涉及基于纳米管太阳能电池及形成其的设备。太阳能电池中设有碳纳米管(CNT),这些碳纳米管用于:界定太阳能电池的微米/次微米几何尺寸;及/或做为电荷传输体,以有效地从吸收层移除电荷载流子以减少吸收层中的电子空穴复合速率。太阳能电池可包含:基材;多个在该基材的该表面上的金属催化剂的区域;多个碳纳米管束状物,形成于该多个金属催化剂的区域上,每一束状物包括大略垂直于该基材的该表面而呈对准的碳纳米管;以及光活性太阳能电池层,形成于这些碳纳米管束状物及该基材的暴露表面上,其中该光活性太阳能电池层在这些碳纳米管束状物上及该基材的该暴露表面上为连续的。光活性太阳能电池层可包含非晶p/i/n薄膜;然而,本实用新型的概念亦可应用至具有微晶硅、SiGe、碳掺杂微晶硅、CIS、CIGS、CISSe以及各种p型二六族二元化合物以及三元与四元化合物的吸收层的太阳能电池。
18 一种纳米图形化系统及其磁场施加装置 CN201220138269.2 2012-04-01 CN202533709U 2012-11-14 于国强; 郭鹏; 韩秀峰; 郭朝晖; 孙晓玉; 周向前
一种纳米图形化系统及其磁场施加装置,该纳米图形化系统包括真空腔、样品台和磁场施加装置,该磁场施加装置包括电源、磁场产生装置和一对磁极,所述磁场产生装置包括线圈和导磁软芯,所述电源与所述线圈连接,所述线圈缠绕在所述导磁软铁芯上以产生磁场,所述导磁软铁芯为半闭合框形结构,所述磁极分别安装在所述半闭合框形结构的两末端,所述纳米图形化系统的真空腔内设置有样品台,所述磁极相对于所述样品台设置在所述真空腔内,所述线圈和所述导磁软铁芯设置在所述真空腔外,所述导磁软铁芯将所述线圈产生的磁场引导进入所述真空腔内,所述磁极用以对所述样品台上的样品进行定位以及局域磁场的施加。
19 单一芯片桥式磁场传感器 CN201120409449.5 2011-10-25 CN202494771U 2012-10-17 雷啸锋; 薛松生; 金英西; 詹姆斯·G·迪克; 沈卫锋; 王建国; 刘明峰
发明公开了一种单一芯片桥式磁场传感器,所述设计中GMR或MTJ磁电阻元件的磁性自由层的磁矩方向采用形状各向异性进行偏置,磁电阻元件具有使自由层磁矩方向指向其磁性易轴方向的形状,特别地形状可以是椭圆,长方形,菱形;优选地采用集成于芯片上的片状永磁体对推挽全桥电阻的自由层磁矩进行辅助偏置。采用该设计可以在同一芯片上,一次直接生产出推挽桥式传感器。所公开的单一芯片桥式磁场传感器相对传统的设计具有,输出稳定,性能更好,工艺简单,成本更低的特点。
20 传感器的偏置场生成设备 CN201120347778.1 2011-09-16 CN202421482U 2012-09-05 K.埃利安; R.赫尔曼; J.斯特林; T.韦特
描述和描绘了涉及针对磁传感器的磁偏置场的生成的实施例。本实用新型提供一种设备,其包括:偏置场生成器,用于为磁传感器提供磁偏置场,其中所述偏置场生成器被配置成在第一方向上提供使所述传感器偏置的磁场分量,其中所述偏置场生成器包括具有空腔的主体,所述主体包括磁材料或可磁化材料,所述空腔在所述第一方向和所述第一方向的横向上延伸,以使得所述空腔至少在第二方向和第三方向上横向地以所述主体的材料为界,所述第二方向正交于所述第一方向并且所述第三方向正交于所述第二方向和所述第一方向。
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