1.一种制造纳米天线的方法，所述方法包括：
将多个纳米线布置在多孔膜中，其中每个纳米线具有直径；以及
将单层的纳米球放置为与所述多个纳米线电学串联，其中所述纳米球具有与所述纳米线大致相同的直径。
2.如权利要求1所述的方法，其进一步包括将聚合物层放置为与所述单层的纳米球电接触。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述聚合物层包括导电层。
4.如权利要求2所述的方法，其中放置所述聚合物层包括将所述聚合物层放置在所述单层的纳米球之上。
5.如权利要求2所述的方法，其中放置所述聚合物层包括将所述聚合物层放置为与所述单层的纳米球电学串联。
6.如权利要求2所述的方法，其中所述多孔膜、所述多个纳米线以及所述聚合物层中的每一个是视觉透明的。
7.如权利要求2所述的方法，其中所述多孔膜、所述多个纳米线以及所述聚合物层中的每一个是视觉半透明的。
8.如权利要求2所述的方法，其中所述聚合物层包括绝缘层，所述绝缘层包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、氯丁橡胶、尼龙、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚丙烯腈、硅酮及其组合中的一种或多种。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述纳米球包括介电纳米球。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述纳米球包括导电纳米球。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述纳米球包括透明聚合物。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述纳米球具有5nm至500nm的直径。
13.如权利要求1所述的方法，其中所述纳米线的纵横比为至少3:1(高度：直径)。
14.如权利要求1所述的方法，其中所述多个纳米线包括金纳米线。
15.如权利要求1所述的方法，其中所述纳米天线具有12THz至800THz的谐振频率。
16.一种纳米天线，其包括：
多孔膜；
多个纳米线，其被布置在所述多孔膜中，其中每个纳米线具有直径；以及单层的纳米球，其与所述多个纳米线电学串联，其中所述纳米球具有与所述纳米线大致相同的直径。
17.如权利要求16所述的纳米天线，其进一步包括与所述单层的纳米球电接触的聚合物层。
18.如权利要求17所述的纳米天线，其中所述聚合物层包括导电层。
19.如权利要求17所述的纳米天线，其中所述聚合物层被布置在所述单层的纳米球之上。
20.如权利要求17所述的纳米天线，其中所述聚合物层被布置为与所述单层的纳米球电学串联。
21.如权利要求17所述的纳米天线，其中所述多孔膜、所述多个纳米线以及所述聚合物层中的每一个是视觉透明的。
22.如权利要求17所述的纳米天线，其中所述多孔膜、所述多个纳米线以及所述聚合物层中的每一个是视觉半透明的。
23.如权利要求17所述的纳米天线，其中所述聚合物层包括绝缘层，所述绝缘层包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、氯丁橡胶、尼龙、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚丙烯腈、硅酮及其组合中的一种或多种。
24.如权利要求16所述的纳米天线，其中所述纳米球包括介电纳米球。
25.如权利要求24所述的纳米天线，其中所述纳米球包括导电纳米球。
26.如权利要求16所述的纳米天线，其中所述纳米球包括透明聚合物。
27.如权利要求16所述的纳米天线，其中所述纳米球具有5nm至500nm的直径。
28.如权利要求16所述的纳米天线，其中所述纳米线具有高度、直径以及至少3:1的纵横比(高度：直径)。
29.如权利要求16所述的纳米天线，其中所述多个纳米线包括金纳米线。
30.如权利要求16所述的纳米天线，其中所述纳米天线具有12THz至800THz的谐振频率。
31.一种制造可调谐着色体的方法，所述方法包括：
提供至少一个纳米天线；以及
将包括纳米球的至少一个电抗元件放置为与所述纳米天线电接触。
32.如权利要求31所述的方法，其中所述纳米天线包括：
多孔膜；
多个纳米线，所述多个纳米线被布置在所述多孔膜中，其中每个纳米线具有直径；以及单层的纳米球，其与所述多个纳米线电学串联，其中所述纳米球具有与所述纳米线大致相同的直径。
33.如权利要求31所述的方法，其中所述纳米天线具有12THz至800THz的谐振频率。
34.如权利要求31所述的方法，其中所述电抗元件包括电容器。
35.如权利要求34所述的方法，其中所述电容器包括具有正介电常数的介电纳米球。
36.如权利要求34所述的方法，其中所述电抗元件包括电感器。
37.如权利要求36所述的方法，其中所述电感器包括具有负介电常数的导电纳米球。
38.如权利要求31所述的方法，其中所述电抗元件被配置为容许所述电抗元件的电抗的调制。
39.如权利要求38所述的方法，其中所述电抗的调制通过所述纳米天线的计算机模拟确定。
40.如权利要求31所述的方法，其中所述纳米天线包括偶极天线。
41.如权利要求31所述的方法，其中所述纳米天线包括单极天线。
42.如权利要求31所述的方法，其中所述纳米天线包括缝隙天线。
43.如权利要求31所述的方法，其进一步包括添加与所述纳米天线串联的电阻元件。
44.如权利要求31所述的方法，其进一步包括添加与所述纳米天线并联的电阻元件。
45.一种可调谐着色体，其包括：
纳米天线，其包括多孔膜；多个纳米线，其被布置在所述多孔膜中，其中每个纳米线具有直径；以及单层的纳米球，其与所述多个纳米线电学串联，其中所述纳米球具有与所述纳米线大致相同的直径；以及
电阻元件，
其中所述着色体被配置为基于所述电阻元件的电阻改变颜色。
46.如权利要求45所述的可调谐着色体，其中所述电阻元件具有电阻，所述电阻被配置为通过生物方法而变化。
47.如权利要求45所述的可调谐着色体，其中所述纳米天线具有12THz至800THz的谐振频率。
48.如权利要求45所述的可调谐着色体，其中所述纳米天线具有特定的方向性或极性。
49.如权利要求45所述的可调谐着色体，其中所述纳米天线被配置为吸收谐振频率处的能量。
50.如权利要求45所述的可调谐着色体，其中所述电阻元件被配置为将能量散发为热量。