| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 非易失性电荷俘获存储器件和逻辑CMOS器件的集成 | CN201380016420.2 | 2013-03-18 | CN104350603B | 2017-09-15 | 克里希纳斯瓦米·库马尔; 斐德列克·杰能; 赛格·利维 |
| 描述了将非易失性存储器件集成到逻辑MOS流中的方法的实施例。一般而言，所述方法包括：在衬底的第一区域中，由覆盖衬底的表面的半导体材料形成存储器件的沟道，沟道连接存储器件的源极和漏极；在相邻于沟道的多个表面的沟道上方形成电荷俘获介质堆栈，其中，电荷俘获介质堆栈包括在隧穿层上方的电荷俘获层上的阻挡层；以及在衬底的第二区域上方形成MOS器件。 | ||||||
| 22 | 为工业过程或技术系统提供控制输入信号的装置、方法及计算机可读介质 | CN201380010037.6 | 2013-02-21 | CN104137106B | 2017-09-15 | 亚历山德罗斯·索帕萨基斯 |
| 提供了一种用于为具有一个或多个可控制元件的工业过程或技术系统提供控制输入信号的装置。还提供了一种方法和计算机可读介质。 | ||||||
| 23 | EUV范围的反射镜、制造该反射镜的方法及包含该反射镜的投射曝光设备 | CN201380013152.9 | 2013-03-06 | CN104254891B | 2017-09-12 | P.休伯; G.冯布兰肯哈根 |
| 本发明涉及一种对于0°和25°之间的至少一个入射角具有大于40％的反射率的EUV波长范围的反射镜(1)，包含：基板(S)和层布置，其中所述层布置包含至少一个非金属单独层(B,H,M)，以及其中所述非金属单独层(B,H,M)掺杂有介于10ppb至10％之间，尤其介于100ppb和0.1％之间的杂质原子，使得非金属单独层(B,H,M)获得大于6*1010cm‑3的电荷载流子密度和/或大于1*10‑3S/m的电导率，尤其是大于6*1013cm‑3的电荷载流子密度和/或大于1S/m的电导率。 | ||||||
| 24 | 共轭系聚合物、使用了该共轭系聚合物的供电子性有机材料、光伏元件用材料及光伏元件 | CN201380047818.2 | 2013-09-06 | CN104640902B | 2017-09-01 | 渡边伸博; 北泽大辅; 山本修平; 下村悟 |
| 本发明的目的在于提供光电转换效率高的光伏元件。一种供电子性有机材料，其使用了共轭系聚合物，所述共轭系聚合物具有噻吩并[3,4‑b]噻吩骨架和具有杂芳基的苯并[1,2‑b：4,5‑b’]二噻吩骨架结构，所述噻吩并[3,4‑b]噻吩骨架具有特定的烷基部分为直链烷基的烷氧基羰基或者烷基部分为直链烷基的烷酰基。 | ||||||
| 25 | 反射光学元件和用于极紫外光刻的光学系统 | CN201280024078.6 | 2012-05-15 | CN103547945B | 2017-08-29 | D.H.埃姆; P.休伯; S.米兰德; G.冯布兰肯哈根 |
| 为了减少活性氢对尤其位于EUV光刻装置内的反射光学元件的寿命的不利影响，提出了用于极紫外和软X射线波长区域的反射光学元件(50)，其包含具有多层系统(51)的反射表面，在该情况下，反射表面(60)包含具有由碳化硅或钌构成的最上层(56)的保护层系统(59)，保护层系统(59)具有在5nm和25nm之间的厚度。 | ||||||
| 26 | 纳米线的构筑方法及数据存储方法 | CN201710261469.4 | 2017-04-20 | CN107068857A | 2017-08-18 | 龙世兵; 李磊磊; 滕蛟; 刘琦; 吕杭炳; 刘明 |
| 本发明提供了一种纳米线的构筑方法及数据存储方法。该纳米线的构筑方法包括以下步骤：S1，在衬底上顺序层叠设置下电极层、绝缘层和上电极层，且上电极层或下电极层为铁磁电极层；S2，向铁磁电极层上施加正扫描电压，使下电极层与上电极层之间具有正电势差，形成纳米线。相比于现有技术中纳米线的构筑方法，本发明的上述构筑方法大大简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了工艺稳定性与制备效率，进而能够被广泛推广和应用；并且，将上述纳米线的构筑方法应用于M/I/M的存储器结构中后，能够同时实现阻变存储效应和自旋相关效应，从而在简单的结构中实现了多态操作以及多值存储，通过磁电耦合效应为多级存储器件提供了载体。 | ||||||
| 27 | 能够在极化介质中经历对称破裂分子内电荷转移的化合物和包含其的有机光伏器件 | CN201710053192.6 | 2012-08-02 | CN107039591A | 2017-08-11 | 马克·E·汤普森; 马修·T·维泰德; 纳瑞尔·M·帕特尔; 彼得·I·久罗维奇; 斯蒂芬·R·福雷斯特; 凯瑟琳·R·阿伦; 功·祯 |
| 本发明公开了能够在极化介质中经历对称破裂分子内电荷转移的化合物和包含其的有机光伏器件。本发明一般涉及发色化合物和其在有机光伏电池(OPV)和电场稳定的成双极化子对中产生自由载流子的用途，所述发色化合物将对可见光波长的光的强吸收与经历对称破裂分子内电荷转移(ICT)的能力结合。本发明还涉及这种化合物的合成、制造方法以及在光伏系统和有机激光器中的应用。 | ||||||
| 28 | 具有选择性掺杂间隔的全包围栅极碳纳米管晶体管 | CN201380063493.7 | 2013-08-16 | CN104969335B | 2017-08-11 | A·D·富兰克林; S·O·科斯瓦塔; J·T·史密斯 |
| 公开了一种制造半导体器件的方法。在衬底上形成碳纳米管。移除衬底部分以在所述碳纳米管的一段之下形成凹陷。在所述凹陷中施加掺杂的材料以制造所述半导体器件。该凹陷可位于形成在衬底上的一个或多个接触之间，该一个或多个接触由间隙分离。 | ||||||
| 29 | 场发射阴极及场发射装置 | CN201410327650.7 | 2014-07-10 | CN105448620B | 2017-08-08 | 杜秉初; 柳鹏; 周段亮; 张春海; 范守善 |
| 一种场发射阴极，包括：微通道板，该微通道板绝缘且具有多个开孔，该微通道板具有一第一表面以及一与该第一表面相对的第二表面，每个所述开孔贯穿所述第一表面和第二表面；阴极电极，该阴极电极设置于所述微通道板的第一表面；以及阴极发射体，该阴极发射体对应多个所述开孔设置且与所述阴极电极电连接；其特征在于，每个所述开孔内设置有多个所述阴极发射体，该多个阴极发射体相互连接并固定于所述开孔内壁，该多个阴极发射体包括多个碳纳米管，至少部分碳纳米管的一端悬空设置作为场发射端。 | ||||||
| 30 | 光固化物及其制造方法 | CN201380008685.8 | 2013-01-31 | CN104115256B | 2017-08-08 | 村山阳平; 伊藤俊树; 三原知惠子; 冲仲元毅 |
| 旨在提供利用光压印法制备的并具有良好的图案精度和图案缺陷改善的光固化物。本发明提供通过将与模具接触的涂布膜用光照射获得的光固化物，该光固化物含有含氟原子表面活性剂，其中在通过光固化物的基于飞行时间二次离子质谱法的表面分析获得的二次离子信号中，C2H5O+离子信号的强度高于C3H7O+离子信号的强度。 | ||||||
| 31 | 制造纳米结构的方法和装置以及互联纳米结构网和纳米结构 | CN201380057666.4 | 2013-09-04 | CN104812931B | 2017-08-01 | 王祖敏 |
| 本发明涉及一种制造纳米结构的方法，包括如下步骤：a)提供在至少一个表面上具有多晶膜的基板，其中，所述多晶膜为具有晶粒边界的膜；b)将所述多晶膜暴露于温度等于或者高于环境温度的蒸气流中，其中，所述蒸气包含的至少一种元素扩散进入所述多晶膜的所述晶粒边界，导致在所述晶粒边界处的纳米结构的生长。本发明还涉及一种互连纳米结构网，纳米结构、以及制造纳米结构和互连纳米结构网的装置。 | ||||||
| 32 | 模具、抗蚀剂积层体及其制造方法以及凹凸结构体 | CN201380014072.5 | 2013-03-11 | CN104170056B | 2017-07-21 | 古池润 |
| 抗蚀剂积层体(30)具备无机基板(21)、设置在无机基板(21)的一侧主面上的第1抗蚀剂层(22)、和设置在第1抗蚀剂层(22)上的表面设置有凹凸结构(23a)的第2抗蚀剂层(23)。凹凸结构(23a)，转印后的残膜的厚度为50nm以下，模具的微细图样的凸部顶部宽度(lcv)与凹部开口宽度(lcc)的比例(lcv/lcc)在规定范围内，模具的微细图样的凹部体积(Vcm)与第2抗蚀剂层(23)的体积(Vr2)的比例(Vr2/Vcm)在规定范围内。无机基板(21)上可以容易地形成具有薄而且均等的残膜的抗蚀剂掩模(25)。 | ||||||
| 33 | 一种自组装的天然纳米柱薄膜的形成方法 | CN201710166293.4 | 2017-03-20 | CN106920879A | 2017-07-04 | 仪明东; 徐姣姣; 黄维; 解令海; 郭丰宁 |
| 本发明公开了一种自组装的天然纳米柱薄膜的形成方法，将位阻胺材料和宽带隙半导体材料分别溶于低沸点溶剂，共混后旋涂在基片上并退火制备天然纳米柱薄膜；本申请可广泛应用于各类聚合物、可溶小分子驻极体型的纳米柱薄膜的产生，本申请通过采用纳米柱薄膜为电荷存储层，与有机活性层接触面积大大提高，使得存储容量以及电荷稳定性得到很大的提升，在有机场效应晶体管存储器中有着巨大的潜在应用前景，并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。 | ||||||
| 34 | 一种制备纳米尺度场效应晶体管的方法 | CN201410502998.5 | 2014-09-26 | CN104282575B | 2017-06-06 | 黎明; 樊捷闻; 杨远程; 宣浩然; 黄如 |
| 本发明公开了一种制备纳米尺度场效应晶体管的方法，属于大规模集成电路制造技术领域。该方法的核心是在SOI衬底上外延生长制备纳米尺度场效应晶体管，本发明利用外延工艺可以精确控制纳米尺度器件沟道的材料、形貌，进一步优化器件性能；其次，通过实现不同的沟道掺杂类型和掺杂浓度，可以灵活的调整阈值电压以适应不同IC设计的需要；且可以获得高度方向上宽度一致的栅结构，减小器件的寄生和涨落，同时又能够很好的与CMOS后栅工艺兼容，流程简单，成本较低，可应用于未来大规模半导体器件集成中。 | ||||||
| 35 | 纳米结构冲头、用于无端压印纳米结构的压印辊、装置和方法 | CN201180075341.X | 2011-12-06 | CN103959166B | 2017-06-06 | G.克赖因德尔; M.温普林格; T.格林斯纳 |
| 本发明涉及一种用于以分步重复法无缝压印压印辊的侧表面的至少一个周缘环的带有凹形弯曲的、纳米结构化的冲头面(7f)的纳米结构冲头以及一种用于无端压印带有在回转体(5)上所施加的压印层(13)的纳米结构的压印辊，压印层(13)具有带有在周向上无缝地构造的、以分步重复法压印的至少一个周缘环(15)的侧表面(13o)。此外，本发明涉及一种用于制造这样的用于无端压印纳米结构的压印辊(16)的方法和装置以及一种用于制造这样的纳米结构冲头(1)的方法和一种用于制造压印基质(18)的方法。 | ||||||
| 36 | 多异质结纳米颗粒、其制备方法以及包含该纳米颗粒的制品 | CN201410098085.1 | 2014-03-17 | CN104046359B | 2017-05-17 | M·沈; N·吴; Y·翟; S·南; K·德什潘德; J·朱 |
| 本发明公开了一种半导体纳米颗粒，其包括具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒、包含第一半导体的第一结点、以及包含第二半导体的第二结点；其中，所述第二端部与所述第一端部相反；其中所述第一结点与所述一维半导体纳米颗粒的径向表面相接触，在接触的位点处形成第一异质结；其中所述第二结点与所述一维半导体纳米颗粒的径向表面相接触，在接触的位点处形成第二异质结；其中所述第一异质结组成上不同于所述第二异质结。 | ||||||
| 37 | 混合物、纳米纤维和偏振光发射膜 | CN201580031192.5 | 2015-05-12 | CN106661444A | 2017-05-10 | 长谷川雅树; S·德庭格 |
| 本发明涉及偏振光发射膜及其制备。本发明还涉及该偏振光发射膜在光学器件中的用途。本发明进一步涉及光学器件及其制备。本发明进一步涉及包含多个无机荧光半导体量子棒的混合物，和该混合物用于制备该偏振光发射膜的用途。本发明此外涉及偏振光发射纳米纤维、其用途及其制备。 | ||||||
| 38 | 基于氮化镓纳米线的电子器件 | CN201380019885.3 | 2013-02-12 | CN104205294B | 2017-05-10 | J.奥尔松; M.比约克 |
| 使用基于GaN的纳米线来生长具有c平面顶面的高质量的分立底座元件，以制作各种半导体器件，诸如用于功率电子器件的二极管和晶体管。 | ||||||
| 39 | 超导晶格上的表层代码的频率排列 | CN201410010912.7 | 2014-01-09 | CN104050509B | 2017-05-03 | J·M·甘贝塔; J·斯莫林 |
| 本发明涉及超导晶格上的表层代码的频率排列。提供了一种器件晶格排列，包括：多个器件；多个物理连接，其用于所述多个器件，其中所述多个器件中的每个器件均耦合到所述多个物理连接中的至少两个物理连接；多个身份标签，其与所述多个器件中的个体器件关联；以及身份标签排列，使得所述多个器件中由所述多个连接中的某一数量的连接来连接的器件对具有不同的身份标签。 | ||||||
| 40 | 纳米线场效应晶体管 | CN201280065693.1 | 2012-12-13 | CN104025270B | 2017-05-03 | S·邦萨伦提普; G·科恩; A·马宗达; J·W·斯雷特 |
| 一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，所述方法包括在衬底之上形成纳米线，在所述纳米线的一部分的周围形成衬里材料，在所述衬里材料上形成盖帽层，邻近所述盖帽层的侧壁并在所述纳米线的部分的周围形成第一间隔物，在所述盖帽层和所述第一间隔物上形成硬掩模层，去除所述纳米线的暴露部分以形成部分地由栅极材料限定的第一腔，在所述第一腔中的所述纳米线的暴露截面上外延生长半导体材料，去除所述硬掩模层和所述盖帽层，在所述第一腔中的外延生长的所述半导体材料的周围形成第二盖帽层以限定沟道区，以及形成与所述沟道区相接触的源极区和漏极区。 | ||||||
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