| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 121 | 受控量子点生长 | CN201080019838.5 | 2010-05-03 | CN102428561B | 2015-12-16 | 埃泽齐埃尔·克鲁格里克 |
| 本公开一般地涉及受控量子点生长技术以及量子点结构。在一些示例中，描述了一种包括以下步骤中的一项或多项的方法：提供衬底，在衬底上形成缺陷，在衬底上沉积层，以及沿缺陷形成量子点。 | ||||||
| 122 | 透明电极层积体 | CN201210433510.9 | 2012-09-27 | CN103021533B | 2015-12-09 | 内藤胜之; 堤荣史; 吉永典裕; 赤坂芳浩 |
| 根据一实施例，该透明电极层积体(10)包括透明基板(11)以及形成在透明基板上的光学透明电极层(13)。该电极层包括直径为20至200nm的金属纳米线(21)的三维网络(22)。每个金属纳米线具有在其部分表面上的组成金属纳米线的金属的反应无机产物(23)。 | ||||||
| 123 | 用于基于石墨烯和碳纳米管晶体管的集成的先多层互连集成方案 | CN201280010619.X | 2012-02-25 | CN103890576B | 2015-11-25 | Z·刘; G·G·沙希迪 |
| 提供了集成电路多层集成技术。在一个方面中，提供了一种制造集成电路的方法。该方法包括如下步骤。提供衬底。在所述衬底上形成被设置成叠层的多个互连层，每一个互连层包括一条或多条金属线，其中如果在所述叠层中在一个给定互连层上方存在互连层，则该给定互连层中的金属线大于在所述叠层中位于该给定互连层上方的互连层中的金属线，并且其中如果在所述叠层中在该给定互连层下方存在互连层，则该给定互连层中的金属线小于在所述叠层中位于该给定互连层下方的互连层中的金属线。在所述叠层的最顶层上形成至少一个晶体管。 | ||||||
| 124 | 碳纳米管发射体 | CN201110444860.0 | 2011-12-27 | CN103187217B | 2015-11-25 | 柳鹏; 范守善 |
| 一种碳纳米管发射体，包括：一基底，该基底具有一第一表面；一碳纳米管结构，该碳纳米管结构具有一个接触部和一个发射部，该接触部设置于所述第一表面，该发射部远离所述第一表面，并向远离所述第一表面的方向弯曲，该碳纳米管结构包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管沿着所述接触部到发射部的方向延伸，并且在该延伸方向上首尾相连形成一个连续的碳纳米管结构。 | ||||||
| 125 | 一种光栅的制备方法 | CN201110333523.4 | 2011-10-28 | CN103091747B | 2015-11-25 | 朱振东; 李群庆; 张立辉; 陈墨 |
| 一种光栅的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；形成一抗蚀材料薄膜于该基底的表面；纳米压印并刻蚀所述抗蚀材料薄膜，得到抗蚀层；形成一掩模层于所述基底表面，所述掩模层覆盖所述抗蚀层以及基底通过所述抗蚀层暴露的表面；剥离所述抗蚀层及抗蚀层表面的部分掩模层，使基底形成一具图形化的掩模层；采用反应离子刻蚀法刻蚀基底得到石英光栅，刻蚀过程中刻蚀气体为四氟化碳、六氟化硫以及氩气；以及去除掩膜层。该种光栅对光波的衍射性能较好。 | ||||||
| 126 | 含巯基多官能团的低倍多聚硅氧烷化合物及其组合物和压印的软模板 | CN201110332455.X | 2011-10-27 | CN103087087B | 2015-11-25 | 林宏; 姜学松; 印杰; 锻治诚 |
| 本发明提供一种通式(1)所示的含巯基多官能团的低倍多聚硅氧烷化合物及其用于制备压印的软模板的组合物以及压印工艺，(SiO1.5R1)m·(SiO1.5CH2CH2CH2SR2)n (1)其中R1为-CH2-CH2-CH2-SH，m表示3～12的整数；R2分别为无取代或者被取代基取代的烷基、无取代或者被取代基取代的烷氧基、无取代或者被取代基取代的酯基和无取代或者被取代基取代的芳香基，所述取代基为卤素，n表示1～12的整数；该组合物是一种高憎水性光刻胶，将其应用于纳米压印模板的制备中，会得到高精度的结构，提高了模板重复利用率。 | ||||||
| 127 | 光学信息记录介质及其制造方法 | CN201180034707.9 | 2011-06-27 | CN102985973B | 2015-11-25 | 北原淑行 |
| 一种光学信息记录介质10，其包括：多个记录层14，各个记录层14通过记录光的照射而发生折射率的变化；以及设置在记录层14之间的中间层15。中间层15包括第一中间层15A和第二中间层15B，所述第一中间层15A被设置为在记录光进入记录层的入射侧的相对侧与该记录层14邻接，所述第二中间层15B被设置为在记录光进入记录层的入射侧与该记录层14邻接。第一中间层15A和记录层14具有不同的折射率，而第二中间层15B和记录层14具有基本相同的折射率。第一中间层15A和第二中间层15B在它们之间的界面处相互融合，由此折射率在该界面处逐渐变化。 | ||||||
| 128 | 生产有机太阳能电池和有机光检测器用光活性层的混合物 | CN201080046165.2 | 2010-10-11 | CN102549792B | 2015-11-25 | H·赖歇尔特; F·维特内尔; H·布尔克斯图默尔; E·图亚科娃; J·H·黄; P·埃尔克; R·森斯; I·布鲁德; A·奥亚拉; J·舍恩布姆; K·米尔霍茨; V·斯坦恩曼; N·克罗恩伯格 |
| 本发明涉及混合物在生产有机太阳能电池和有机光检测器用光活性层中的用途，所述混合物包含作为组分(K1)的一种或多种选自如说明书更详细定义的通式Ia、Ib、Ic、Id、Ie、IIa和IIb化合物的起电子给体或电子受体作用的部花青以及作为组分(K2)的一种或多种相对于组分(K1)相应地起电子受体或电子给体作用的化合物。本发明进一步涉及一种生产光活性层、相应的太阳能电池和有机光检测器的方法以及包含如说明书更详细定义的组分(K1)的一种或多种通式Ia、Ib、Ic、Id、Ie、IIa和/或IIb化合物和组分(K2)的一种或多种化合物作为组分的混合物。 | ||||||
| 129 | 具有非平面卟啉的有机光敏光电子器件 | CN201210036223.4 | 2008-06-09 | CN102790175B | 2015-11-18 | 马克·E·汤普森; 玛丽亚·多洛雷斯·佩雷斯; 卡斯滕·博热克 |
| 本发明公开了具有非平面卟啉的有机光敏光电子器件。本发明的实施方案提供了包含至少一个非平面的式(I)的卟啉的有机光敏光电子器件，其中M、R和R’的含义具有本文所公开的含义。 | ||||||
| 130 | 包含芳基方酸化合物的有机光敏器件及其制造方法 | CN201510321457.7 | 2012-02-07 | CN105037246A | 2015-11-11 | 斯蒂芬·R·弗里斯特; 马克·E·汤普森; 韦国丹; 王思轶; 林肯·霍尔; 维亚切斯拉夫·V·迪夫; 肖新 |
| 本发明公开了包含芳基方酸化合物的有机光敏器件及其制造方法。在式I的方酸化合物中：每个Y1和Y2独立地选自任选被取代的氨基和任选被取代的芳基。本发明还描述了包含由一种或多种所述方酸化合物形成的供体-受体异质结的有机光电器件。本发明还公开了制造所公开的器件的方法，所述方法可以包括一个或多个用于沉积所述方酸化合物的升华步骤。 | ||||||
| 131 | 半导体集成电路的单片式三维集成 | CN201480011822.8 | 2014-03-05 | CN105027284A | 2015-11-04 | Y·杜 |
| 一种三维集成电路，包括形成于CMOS晶体管的底层上的顶层纳米线晶体管，其具有层间过孔、层内过孔和金属层，用以将多个CMOS晶体管和纳米线晶体管连接在一起。顶层首先开始作为第一晶片上的轻掺杂区，氧化物层形成于所述区上。氢离子注入形成分离界面。翻转第一晶片，并将其氧化物接合到具有CMOS器件的第二晶片，并且热活化分离界面，以使得一部分轻掺杂区保持接合到底层。在顶层内形成纳米线晶体管。借助在外延生长过程中进行原位掺杂来形成顶层纳米线晶体管的源极和漏极。在氧化物接合后，在低温下执行剩余的处理步骤，以免损害金属互连。 | ||||||
| 132 | 基于石墨烯的电极及应用 | CN201380069418.1 | 2013-11-18 | CN104995332A | 2015-10-21 | 钦吉斯·S·奥兹康; 米赫里马赫·奥兹康; 阿里·B·古文茨; 拉亚特·K·保罗; 林见; 玛茨尔·哈茨恩亚德; 米罗·佩谢夫; 郭士锐; 钟杰斌 |
| 公开了制造石墨烯膜的方法。示例性方法可以包括提供基材，在室内于约600℃至约1100℃加热所述基材，以及在约600℃至约1100℃的温度下历时约10秒至约1分钟将碳源引入所述室内。所述方法可以还包括将所述基材冷却至约室温以形成所述石墨烯膜。也提供了制造柱状石墨烯纳米结构的方法以及基于石墨烯的装置。 | ||||||
| 133 | 压印设备和使用该压印设备的物品制造方法 | CN201210387601.3 | 2012-10-15 | CN103048879B | 2015-10-21 | 林达也; 村上洋介; 长谷川敬恭; 鸟居弘稔; 田中悠辅 |
| 本发明提供一种压印设备和使用该压印设备的物品制造方法。该压印设备将形成在模具上的图案转印到衬底上的树脂。该压印设备包括：形状校正机构，被配置为向该模具施加力从而使形成在该模具上的图案区域变形；加热机构，被配置为加热形成在该衬底上的衬底侧图案区域从而使该衬底侧图案区域变形；和控制单元，被配置为获得关于形成在该模具上的图案区域和该衬底侧图案区域的形状之间的差别的信息，并且基于获得的信息控制该形状校正机构和晶片加热机构以便减小形成在该模具上的图案区域和该衬底侧图案区域的形状之间的差别。 | ||||||
| 134 | 用于模压的方法和装置 | CN201280074413.3 | 2012-09-18 | CN104981735A | 2015-10-14 | D.特赖布尔迈尔 |
| 本发明涉及一种用于在施加于衬底(1)上的模压物质(4)中模压结构的方法，所述方法具有下列方法步骤、尤其是以如下顺序：-通过模压模具(2)来模压该模压物质(4)，-硬化模压物质(4)，其特征在于，至少不时地借助微波来照射至少衬底(1)和/或模压模具(2)和/或设置在衬底(1)与模压物质(4)之间和/或模压模具(2)与模压物质(4)之间的至少一个加热层(3)，以用于硬化模压物质(4)。此外，本发明设计对应的装置。 | ||||||
| 135 | 纳米线器件及其制造方法 | CN201410145605.X | 2014-04-10 | CN104979211A | 2015-10-14 | 洪中山 |
| 本发明实施例公开了一种纳米线器件及其制造方法，其中，纳米线器件的制造方法包括：在衬底上悬置的纳米线表面形成第一绝缘层；在衬底上沉积伪栅材料并图案化伪栅材料，形成伪栅结构和被伪栅结构全包围的沟道区，其中的伪栅结构包括伪栅、和伪栅与沟道区之间的第一绝缘层；氧化伪栅，在伪栅的两侧表面形成第一氧化层；以及分别对沟道区的两侧进行纳米线外延至支撑垫，形成源区和漏区。基于本发明实施例得到的纳米线器件中，具有纳米线以上的栅极轮廓和纳米线以下的栅极轮廓一致的栅极轮廓。 | ||||||
| 136 | 具有选择性掺杂间隔的全包围栅极碳纳米管晶体管 | CN201380063493.7 | 2013-08-16 | CN104969335A | 2015-10-07 | A·D·富兰克林; S·O·科斯瓦塔; J·T·史密斯 |
| 公开了一种制造半导体器件的方法。在衬底上形成碳纳米管。移除衬底部分以在所述碳纳米管的一段之下形成凹陷。在所述凹陷中施加掺杂的材料以制造所述半导体器件。该凹陷可位于形成在衬底上的一个或多个接触之间，该一个或多个接触由间隙分离。 | ||||||
| 137 | 外延结构 | CN201410115667.6 | 2014-03-26 | CN104952989A | 2015-09-30 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一种外延结构，其包括：一基底，所述基底具有一外延生长面；一外延层，所述外延层设置于所述基底的外延生长面；以及一纳米管膜，所述纳米管膜设置于该基底与外延层之间，所述纳米管膜包括多个有序排列的纳米管相互连接形成一自支撑的膜结构，其中，所述多个纳米管间隔设置的地方定义多个开口，且所述多个纳米管相互接触的地方通过离子键结合。 | ||||||
| 138 | 改性聚合物材料表面相互作用的方法和工艺 | CN200910261311.2 | 2009-12-17 | CN101872115B | 2015-09-30 | 雅各布·尼尔松; 马蒂亚斯·凯尔; 约翰·林; 巴巴克·海达里 |
| 本发明提供了一种改性聚合物材料表面相互作用的方法和工艺。本发明提供的可固化材料含有光反应性的化合物，具体而言，是光引发剂和可聚合单-或多官能团单体如丙烯酸酯(盐)或环氧化物。这种材料也可以含有用在固化时能够以共价键键接至化学组合物的官能团完全或部分封端的氟表面活性剂。可固化组合物可以是纯丙烯酸酯(盐)基的杂混物，或可以是不同类型单体如丙烯酸酯(盐)、环氧化物或乙烯基醚的杂混物。可聚合单体可以采用不同的光引发剂如自由基光引发剂或阳离子型光引发剂进行固化，而最终形成含有不同类型的单体如丙烯酸酯(盐)和环氧化物互穿网络的杂混抗蚀剂。丙烯酸酯(盐)/环氧化物杂混体系已经表明，由于丙烯酸酯(盐)的转化率提高，收缩性降低，对于高纳米刻印光刻技术工艺方法保真度，改进了复制性能。 | ||||||
| 139 | 碳纳米管膜 | CN200810217818.3 | 2008-11-14 | CN101734645B | 2015-09-30 | 姜开利; 冯辰; 肖林; 陈卓; 刘亮; 范守善; 李群庆; 潜力; 刘锴; 魏洋 |
| 本发明涉及一种碳纳米管膜，其中，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管线并排且间隔设置，且相邻的碳纳米管线之间包括至少一个碳纳米管，该多个碳纳米管线之间的距离受力后发生变化。 | ||||||
| 140 | 多层电荷俘获区具有氘化层的非易失性电荷俘获存储器件 | CN201380045640.8 | 2013-07-01 | CN104937721A | 2015-09-23 | 赛格·利维; 斐德列克·杰能; 克里希纳斯瓦米·库马尔 |
| 改进电荷俘获存储器件和由此制造的制品。在一个实施方案中，电荷俘获器件包括：具有源极区、漏极区以及电连接源极和漏极的沟道区的衬底。隧道介电层被置于衬底上方，且盖住沟道区，并且多层电荷俘获区被置于隧道介电层上。多层电荷俘获区包括置于隧道介电层上的第一氘化层、置于第一氘化层上的第一氮化物层、以及置于第一氮化物层之上的第二氮化物层。 | ||||||
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