| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 基于碳纳米管的太阳能电池及形成其的设备 | CN201090000947.8 | 2010-06-09 | CN202839630U | 2013-03-27 | O·那拉玛苏; C·盖伊; V·L·普施帕拉吉; K·K·辛格; R·J·维瑟; M·A·孚德; R·霍夫曼 |
| 本实用新型涉及基于碳纳米管的太阳能电池及形成其的设备。太阳能电池中设有碳纳米管(CNT)，这些碳纳米管用于：界定太阳能电池的微米/次微米几何尺寸；及/或做为电荷传输体，以有效地从吸收层移除电荷载流子以减少吸收层中的电子空穴复合速率。太阳能电池可包含：基材；多个在该基材的该表面上的金属催化剂的区域；多个碳纳米管束状物，形成于该多个金属催化剂的区域上，每一束状物包括大略垂直于该基材的该表面而呈对准的碳纳米管；以及光活性太阳能电池层，形成于这些碳纳米管束状物及该基材的暴露表面上，其中该光活性太阳能电池层在这些碳纳米管束状物上及该基材的该暴露表面上为连续的。光活性太阳能电池层可包含非晶硅p/i/n薄膜；然而，本实用新型的概念亦可应用至具有微晶硅、SiGe、碳掺杂微晶硅、CIS、CIGS、CISSe以及各种p型二六族二元化合物以及三元与四元化合物的吸收层的太阳能电池。 | ||||||
| 2 | 单一芯片桥式磁场传感器 | CN201120409449.5 | 2011-10-25 | CN202494771U | 2012-10-17 | 雷啸锋; 薛松生; 金英西; 詹姆斯·G·迪克; 沈卫锋; 王建国; 刘明峰 |
| 本发明公开了一种单一芯片桥式磁场传感器，所述设计中GMR或MTJ磁电阻元件的磁性自由层的磁矩方向采用形状各向异性进行偏置，磁电阻元件具有使自由层磁矩方向指向其磁性易轴方向的形状，特别地形状可以是椭圆，长方形，菱形；优选地采用集成于芯片上的片状永磁体对推挽全桥电阻的自由层磁矩进行辅助偏置。采用该设计可以在同一芯片上，一次直接生产出推挽桥式传感器。所公开的单一芯片桥式磁场传感器相对传统的设计具有，输出稳定，性能更好，工艺简单，成本更低的特点。 | ||||||
| 3 | 一种半导体器件 | CN201190000071.1 | 2011-08-05 | CN202633239U | 2012-12-26 | 尹海洲; 骆志炯; 朱慧珑 |
| 本实用新型公开了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底为碳化硅、体硅、掺杂或未掺杂的硅玻璃中的一种或其组合；石墨烯层或碳纳米管层，所述石墨烯层或碳纳米管层形成于所述衬底上；栅极结构，所述栅极结构形成于所述石墨烯层或碳纳米管层上，且暴露部分所述石墨烯层或碳纳米管层；金属接触层，所述金属接触层环绕所述栅极结构，且位于暴露的所述石墨烯层或碳纳米管层上。 | ||||||
| 4 | 含纳米颗粒层的电界面 | CN201020185529.2 | 2010-03-18 | CN202205478U | 2012-04-25 | X·周; A·A·埃尔莫斯; J·A·麦普克尔; J·J·本克; W·E·比蒂; R·W·米勒 |
| 一种电界面包含纳米颗粒层。电界面还包含第一导体和第二导体。纳米颗粒层与第一和第二导体电耦合在一起。该电界面能增加电接触界面的热学和电学传输性质，从而增加了电子产品包括电界面的安全性和可靠性。 | ||||||
| 5 | 两次扫描 | CN201510084685.7 | 2010-05-19 | CN104810232B | 2017-12-29 | T.范德皮尤特; M.J-J.维兰德 |
| 本发明涉及二次扫描，具体提出一种根据图案数据将晶片曝光的带电粒子光刻系统，该系统包括：电子光学柱，用于生成曝光晶片的多个电子小束，所述电子光学柱包括用于将所述小束接通或切断的小束阻断器阵列；将用于控制所述小束的切换的小束控制数据提供给所述小束阻断器阵列的数据路径；和晶片定位系统，用于在所述电子光学柱下方以x‑方向移动晶片，所述晶片定位系统被提供以来自所述数据路径的同步信号，以将所述晶片与来自所述电子光学柱的电子束对准；其中所述数据路径包括用于处理图案数据并生成所述小束控制数据的一个或多个处理单元和用于将所述小束控制数据传送到所述小束阻断器阵列的一条或多条传输信道。 | ||||||
| 6 | 固态驱动器的热管理 | CN201480020844.0 | 2014-04-10 | CN105264612B | 2017-12-22 | R·A·马塔亚; T·坎贝尔 |
| 一种包括印刷电路板(PCB)的电子设备，其包括导热平面和至少一个安装在所述PCB上并连接到所述导热平面的热生成部件。框架连接到所述PCB以便在所述框架的至少一部分与所述至少一个热生成部件之间定义第一导热路径。电子设备进一步包括至少一个在所述框架和所述至少一个热生成部件之间的导热层，以便在所述框架的至少一部分与所述至少一个热生成部件之间定义第二导热路径。 | ||||||
| 7 | 半导体器件及其制造方法 | CN201611040115.9 | 2016-11-21 | CN107492568A | 2017-12-19 | 冯家馨 |
| 一种半导体器件，包括设置在半导体衬底上并且在半导体衬底上的第一方向上延伸的纳米线结构。每个纳米线结构包括沿着第一方向延伸并且布置在第二方向上的多个纳米线，第二方向大致垂直于第一方向。每个纳米线与直接相邻的纳米线隔开。栅极结构在纳米线结构的第一区域上方的第三方向上延伸，第三方向大致垂直于第一方向和第二方向两者。栅极结构包括栅电极。在纳米线结构的第二区域上方设置源极/漏极区，第二区域位于栅极结构的相对侧上。栅电极包裹环绕每个纳米线。当在沿着第三方向截取的截面图中观察时，纳米线结构中的每个纳米线的形状不同于其他纳米线的形状，并且每个纳米线具有与纳米线结构中的其他纳米线大致相同的截面面积。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。 | ||||||
| 8 | 具有减小的电阻抗和电容的半导体器件 | CN201410300267.2 | 2014-06-26 | CN104465762B | 2017-12-19 | 让-皮埃尔·科林格; 江国诚; 郭大鹏; 卡洛斯·H.·迪亚兹 |
| 本发明提供了一种具有减小的电阻抗和电容的半导体器件。半导体器件包括具有第一导电类型的第一类型区域。半导体器件包括具有第二导电类型的第二类型区域。半导体器件包括在第一类型区域和第二类型区域之间延伸的沟道区。沟道区与第一类型区域的第一部分间隔开第一距离。半导体器件包括围绕沟道区的栅极区。栅极区的第一部分与第一类型区域的第一部分间隔开第二距离。第二距离大于第一距离。 | ||||||
| 9 | 具有基于锗的有源区及其释放蚀刻钝化表面的非平面半导体器件 | CN201380045066.6 | 2013-06-10 | CN104584225B | 2017-12-15 | J·S·卡治安; W·拉赫马迪; R·B·小蒂尔科特 |
| 说明了一种具有基于锗的有源区及其释放蚀刻钝化表面的非平面半导体器件。例如，一种半导体器件包括布置在衬底上的多条富锗纳米线的垂直排列。每一条纳米线都包括沟道区，所述沟道区具有硫钝化外表面。栅极叠置体布置在每一条富锗纳米线的沟道区上并完全包围所述沟道区。所述栅极叠置体包括栅极电介质层和栅极电极，所述栅极电介质层布置在所述硫钝化外表面上，并包围所述硫钝化外表面，所述栅极电极布置在所述栅极电介质层上。源极区和漏极区布置在富锗纳米线的沟道区的任一侧上。 | ||||||
| 10 | 纳米纤维纱线、带和板的制造和应用 | CN201310153933.X | 2005-11-09 | CN103276486B | 2017-12-15 | 张梅; 房少立; R·H·鲍曼; A·A·扎希多夫; K·R·阿特金森; A·E·阿利耶夫; S·利; C·威廉斯 |
| 本发明涉及一种用于生成纳米纤维带或板的工艺，所述工艺包括以下步骤（a）布置纳米纤维以提供基本平行的纳米纤维阵列，该纳米纤维阵列在该纳米纤维阵列内具有纤维间连接性；以及（b）从所述纳米纤维阵列拉伸所述纳米纤维作为带或板，而基本上不对所述带或板加捻，其中所述带或板的宽度至少约1毫米。本发明还涉及纳米纤维纱线、带和板的制造工艺、装置及其应用。 | ||||||
| 11 | 集成电路以及密码生成方法 | CN201410078450.2 | 2014-03-05 | CN104518780B | 2017-12-08 | 渡边浩志 |
| 本发明提供一种集成电路以及密码生成方法。所述集成电路包括多个场效应晶体管、多个感应放大器，以及一个处理电路。每一个场效应晶体管经配置以表示映射表中的地址且包括源极、漏极、通道以及栅极。每一个感应放大器连接到所述漏极上且经配置以感应来自所述漏极的电流并判定所述相应的场效应晶体管的阈值电压。所述处理电路经配置以将由所述相应的感应放大器判定的每一个所述阈值电压分类成第一状态和第二状态，并在所述映射表中的所述相应地址上标记每一个所述阈值电压的状态。 | ||||||
| 12 | 半导体集成电路的单片式三维集成 | CN201480011822.8 | 2014-03-05 | CN105027284B | 2017-12-05 | Y·杜 |
| 一种三维集成电路，包括形成于CMOS晶体管的底层上的顶层纳米线晶体管，其具有层间过孔、层内过孔和金属层，用以将多个CMOS晶体管和纳米线晶体管连接在一起。顶层首先开始作为第一晶片上的轻掺杂区，氧化物层形成于所述区上。氢离子注入形成分离界面。翻转第一晶片，并将其氧化物接合到具有CMOS器件的第二晶片，并且热活化分离界面，以使得一部分轻掺杂区保持接合到底层。在顶层内形成纳米线晶体管。借助在外延生长过程中进行原位掺杂来形成顶层纳米线晶体管的源极和漏极。在氧化物接合后，在低温下执行剩余的处理步骤，以免损害金属互连。 | ||||||
| 13 | 用于处理图案数据的方法 | CN201510083714.8 | 2010-05-19 | CN104795303B | 2017-12-05 | T.范德皮尤特; M.J-J.维兰德 |
| 本发明提出一种使用带电粒子光刻机器根据图案数据将晶片曝光的方法，其中该带电粒子光刻机器生成用于将所述晶片曝光的多个带电粒子小束，该方法包括：提供所述图案数据作为向量格式的剂量映射；栅格化所述图案数据，所述栅格化包括渲染向量剂量映射以生成多级灰度数据和将所述多级灰度图案数据递色以生成两级黑/白数据；将所述两级黑/白图案数据供应给所述带电粒子光刻机器；和基于所述两级黑/白数据将所述带电粒子光刻机器生成的小束接通或切断；其中所述方法包括对所述向量剂量映射和/或所述多级灰度数据和/或所述两级黑/白数据作出修正调整，以修正小束位置、尺寸、电流或其他特性的变化。 | ||||||
| 14 | 光固化性组合物和使用该光固化性组合物的图案化方法 | CN201280055066.X | 2012-10-24 | CN103930448B | 2017-11-17 | 伊藤俊树; 三原知惠子; 川端香奈江; 冲仲元毅; 川崎阳司 |
| 本发明提供需要小的脱模力的光固化性组合物。本发明还提供需要小的脱模力的UV压印法。该光固化性组合物含有聚合性单体(A)、聚合引发剂(B)和含氟表面活性剂(C)。该光固化性组合物的光固化物具有74度以下的水接触角。 | ||||||
| 15 | 包括纳米导体层的薄膜晶体管 | CN201210276177.5 | 2012-08-03 | CN102983176B | 2017-10-24 | 戈尔拉玛瑞扎·恰吉; 马丽安·莫拉迪 |
| 一种具有包括纳米导体层的沟道区的薄膜晶体管。所述纳米导体层可以是由碳形成的纳米管或纳米线的分散的单层。所述薄膜晶体管通常包括通过介电层来绝缘的栅极端子。将所述纳米导体层放置在所述介电层上，并且在所述纳米导体层上方生成一层半导体材料以形成所述薄膜晶体管的所述沟道区。然后将漏极端子和源极端子形成在所述半导体层上。在低场效应水平下，所述薄膜晶体管的操作由所述半导体层来支配，从而提供良好的泄漏电流性能。在高场效应水平下，所述沟道区的电荷转移特性通过所述纳米导体层得以增强，从而增强所述薄膜晶体管的有效迁移率。 | ||||||
| 16 | 具有富锗有源层与掺杂的过渡层的半导体器件 | CN201380059464.3 | 2013-06-14 | CN104798204B | 2017-10-17 | W·拉赫马迪; V·H·勒; R·皮拉里塞泰; J·S·卡治安; M·C·弗伦奇; A·A·布德雷维赫 |
| 本发明描述了由富Ge器件层制成的半导体器件堆叠体和器件。富Ge器件层设置在衬底上方，并且p型掺杂的Ge蚀刻抑制层(例如，p型SiGe)设置于其间，以在比器件层更富含Si的牺牲半导体层的去除期间抑制富Ge器件层的蚀刻。Ge在诸如氢氧化物水溶液化学物质的湿法蚀刻剂中的溶解速率可能随着掩埋p型掺杂半导体层被引入到半导体膜堆叠体中而显著减小，从而改进了蚀刻剂对富Ge器件层的选择性。 | ||||||
| 17 | 包含具有低带隙包覆层的沟道区的非平面半导体器件 | CN201380044179.4 | 2013-06-11 | CN104584189B | 2017-10-17 | M·拉多萨夫列维奇; G·杜威; B·舒-金; D·巴苏; S·K·加德纳; S·苏里; R·皮拉里塞泰; N·慕克吉; H·W·田; R·S·周 |
| 描述了一种包含低带隙包覆层的沟道区的非平面半导体器件。例如，半导体器件包括被设置在衬底上方的由多条纳米线构成的竖直排列。每一条纳米线包括具有第一带隙的内部区域和包围所述内部区域的外部包覆层。所述包覆层具有第二较低带隙。栅叠置体被设置在所述纳米线中的每一条纳米线的所述沟道区上并且完全包围所述纳米线中的每一条纳米线的所述沟道区。所述栅极叠置体包括被设置在所述包覆层上并且包围所述包覆层的栅极电介质层和被设置在所述栅极电介质层上的栅极电极。源极区和漏极区被设置在所述纳米线的所述沟道区的任一侧上。 | ||||||
| 18 | 有机场效应晶体管及其制造方法 | CN201280072226.1 | 2012-06-19 | CN104254929B | 2017-10-03 | 比约恩·吕塞姆; 亚历山大·扎希多夫; 汉斯·克勒曼; 卡尔·利奥 |
| 本发明涉及有机场效应晶体管，所述有机场效应晶体管包括：第一电极(1)和第二电极(2)，所述电极提供源电极和漏电极，与第一和第二电极(1，2)电接触的本征有机半导体层(3)，栅电极(6)，在栅电极(6)和本征有机半导体层(3)之间设置的栅极绝缘层(5)，和包含有机基质材料和有机掺杂剂的掺杂有机半导体层(4)，其中在栅极绝缘层(5)和本征有机半导体层(3)之间设置掺杂有机半导体层(4)，其中在掺杂有机半导体层(4)中形成第一和第二电极(1，2)之间的电荷载子沟道。此外，本发明涉及用于制造有机场效应晶体管的方法。 | ||||||
| 19 | 经由预SOF制备结构化有机膜(SOF)的方法 | CN201080010294.6 | 2010-03-03 | CN102341187B | 2017-09-29 | M.A.霍伊夫特; A.P.科特; G.M.麦圭尔; Y.加农 |
| 制备结构化有机膜(SOF)的方法，该膜包含作为共价有机框架排布的多个链段和多个连接基，其中该结构化有机膜可以是通过预SOF的反应的多链段厚的结构化有机膜。 | ||||||
| 20 | 一种纳米纸衬底薄膜晶体管及其制备方法 | CN201710447559.2 | 2017-06-14 | CN107170831A | 2017-09-15 | 宁洪龙; 曾勇; 姚日晖; 郑泽科; 章红科; 方志强; 陈港; 彭俊彪 |
| 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种纳米纸衬底薄膜晶体管及其制备方法。所述纳米纸衬底薄膜晶体管由依次层叠的硬质衬底、纳米纸衬底、缓冲层、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成。其制备方法为：在硬质衬底上旋涂纳米纤维素溶液，制备纳米纸衬底，然后依次通过射频磁控溅射室温制备缓冲层，通过直流磁控溅射室温制备栅极，通过射频磁控溅射室温制备栅极绝缘层，然后在栅极绝缘层上室温沉积制备有源层，再通过真空蒸发镀膜室温制备源/漏电极，得到所述纳米纸衬底薄膜晶体管。本发明采用纳米纸衬底并使用真空沉积技术室温下制备，制备方法简单、绿色环保。所得薄膜晶体管具有高迁移率、高稳定性的优点。 | ||||||
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