| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 금속 나노 구조물의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 금속 나노 구조물 | KR1020140059889 | 2014-05-19 | KR101537477B1 | 2015-07-17 | 이헌; 최학종 |
| 금속나노구조물의제조방법에따르면, 베이스상에상기베이스의상면을노출하는복수의개구부들이형성된희생막패턴을형성하고, 상기개구부들을매립하도록제1 금속으로이루어진금속시드막패턴을형성한다. 상기희생막패턴을상기베이스로부터제거한후, 상기제1 금속보다높은환원전위를갖는제2 금속의이온들이해리된용액에상기금속시드막패턴을포함하는베이스를침지하는무전해치환공정을통하여상기금속시드막패턴의표면에나노금속막패턴을형성한다. 이후, 상기금속시드막패턴을상기베이스로부터제거한다. | ||||||
| 42 | 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법 | KR1020130161605 | 2013-12-23 | KR1020150073645A | 2015-07-01 | 박형호; 허은진; 김신근; 이근우; 신현범; 성호근; 박경호; 강호관; 김희중 |
| 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위한압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계를포함하여구성되는것을특징으로하는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체의형성방법을기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다. | ||||||
| 43 | 이온 액체를 이용한 초 미세 은 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용한 투명전극 필름의 제조방법 | KR1020140005116 | 2014-01-15 | KR101532578B1 | 2015-07-01 | 김진열; 장민화; 이은종; 권시중 |
| 본발명은초 미세구조의은 나노와이어제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는이온액체를소프트템플레이트로사용함으로써, 두께방향성장이억제되어종횡비가향상되고, 좁은직경분포를가지는은 나노와이어의제조방법에관한것으로, 4차암모늄염으로구성되는이온액체및 캡핑제 (capping agent)를용매에용해시켜혼합용액을제조하는단계, 은염을상기혼합용액에첨가하여 50 ㎚이하의은 시드(seed) 입자를제조하는단계, 은시드를포함하는상기혼합용액을가열하여은 시드로부터 40 ㎚이하의초 미세은 나노와이어로성장시키는단계를포함하는것을특징으로한다. 본발명의또 다른특징은 40 ㎚이하의직경을갖는초미세은 나노선을제조하여, 이를 1차원의고분자전도체와분산또는혼성화시켜제조된은 나노선-1차원의고분자전도체하이브리드막으로 2차원필름을형성시켜투명전도필름을제조하는기술을두 번째특징으로한다. 본발명에따라제조된투명전도필름은높은광학적특성과전기적특성을얻을수 있으며, 플렉시블디스플레이, 유기전자소재, 태양전지, 및유기반도체등 다양한분야의투명전극소재로응용할수 있다. | ||||||
| 44 | 나노 구조체 제조방법 | KR1020130159761 | 2013-12-19 | KR1020150072302A | 2015-06-29 | 김준형 |
| 나노구조체의제조방법이기술된다. 본발명의일실시예에따른나노구조체제조방법은, a) 기재를준비하는단계; b) 상기기재상에링커를형성하는단계; c) 상기링커에금속이온을결합하는단계; d) 에너지를인가하여상기금속이온을금속성나노입자로형성하는단계를포함하고, e) 상기 d)단계전또는상기 d)단계중에서로다른종의복수의계면활성제유기물을공급하는단계를더 포함할수 있다. 나노입자의평균직경은 0.5nm 내지 1.2nm로제조될수 있다. | ||||||
| 45 | 플렉시블 기반 절연물 입자 지지체를 갖는 나노 구조체 제조방법 | KR1020130159755 | 2013-12-19 | KR1020150072296A | 2015-06-29 | 김준형 |
| 나노구조체제조방법이기술된다. 본발명의일실시예에따른나노구조체제조방법은, a) 플렉시블기재를준비하는단계; b) 자신의표면에링커가결합된절연물입자지지체를상기기재상에형성하는단계; c) 상기링커에금속이온을결합하는단계; d) 에너지를인가하여상기금속이온을금속성나노입자로형성하는단계; 및 e) 상기 d)단계전또는상기 d)단계중에계면활성제유기물을공급하는단계를포함할수 있다. 나노입자의평균직경은 1.3nm 내지 1.9nm일수 있다. | ||||||
| 46 | 플렉시블 기반 나노 구조체 제조방법 | KR1020130159748 | 2013-12-19 | KR1020150072289A | 2015-06-29 | 김준형 |
| 나노구조체의제조방법이기술된다. 본발명의일실시예에따른나노구조체제조방법은, a) 플렉시블기재를준비하는단계; b) 상기기재상에링커를형성하는단계; c) 상기링커에금속이온을결합하는단계; d) 에너지를인가하여상기금속이온을금속성나노입자로형성하는단계를포함하고, e) 상기 d)단계전또는상기 d)단계중에계면활성제유기물을공급하는단계를더 포함할수 있다. 나노입자의평균직경은 1.3nm 내지 1.9nm로제조될수 있다. | ||||||
| 47 | 은 나노 고리의 제조방법 및 그에 따라 제조된 은 나노 고리 | KR1020140005640 | 2014-01-16 | KR101527522B1 | 2015-06-18 | 문혜경; 김지석; 우상선; 안호진; 이재규 |
| 본발명은투명도전성필름의도전성재료로적용되는선형의은 나노와이어를곡선형(Curved)의은 나노와이어로형성한후 곡선형(Curved)의은 나노와이어를환형의은 나노고리로성장시킨다음도포하여은 나노고리들이겹쳐지는접점(Contact Point)의수를증가시킴으로써은 나노고리간의단위면적당전도성네트워크를형성할수 있는접점의수를증가시켜상대적으로적은양으로도동일한저항대를구현할수 있으며, 이로인해투명도전성필름의광 특성을향상시킬수 있는은 나노고리의제조방법및 그에따른은 나노고리를제공하기위한것으로서, 그기술적구성은, 환원성용매를가열하는단계; 상기환원성용매에캡핑제를첨가하는단계; 상기환원성용매에촉매제를첨가하는단계; 상기환원성용매에질산은을첨가하는단계; 상기환원성용매를가열하여선형의은 나노와이어를형성하는단계; 상기환원성용매를 180℃이상의온도에서 30분이상가열하여곡선형의은 나노와이어를형성하는단계; 및상기용매의반응시간을조절하여은 나노고리로성장시키는단계; 를포함하여이루어지는것을특징으로한다. | ||||||
| 48 | 양극성의 광 반응성을 갖는 단일 나노 와이어 | KR1020140013776 | 2014-02-06 | KR101526325B1 | 2015-06-12 | 제정호; 유제원 |
| 본발명은양극성의광 반응성을갖는단일나노와이어에관한기술로서, 구체적으로는빛의파장에따라신호가변하는유-무기하이브리드단일나노와이어에관한기술이다. 본발명에따른나노와이어는무기물-유기물하이브리드재료를사용하여메니스커스유도법에의하여성장시켜제조하였고, 스펙트럼식별가능하다. | ||||||
| 49 | 열플라즈마를 이용한 실리콘-탄소 나노 튜브 복합체의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 실리콘-탄소 나노 튜브 복합체 | KR1020140000570 | 2014-01-03 | KR101525957B1 | 2015-06-09 | 박동화; 라예슬; 최수석; 김태희 |
| 본발명은열플라즈마제트발생가스를공급하여열플라즈마제트를발생시키는단계(단계 1); 상기단계 1에서발생된열플라즈마제트에실리콘분말을공급하여열플라즈마장치의반응관내에서실리콘분말을용융및 기화시키는단계(단계 2); 및열플라즈마장치의반응관내로탄소나노튜브를투입하는단계(단계 3);를포함하는실리콘-탄소나노튜브복합체의제조방법을제공한다. 본발명에따른실리콘-탄소나노튜브복합체의제조방법은열플라즈마제트를이용함으로써짧은시간동안에실리콘분말에열을가하고냉각시켜나노크기의입자를형성하여탄소나노튜브에부착시킬수 있다. 이에따라, 공정시간이상대적으로짧으며, 공정조건의제어가쉽다는장점이있다. | ||||||
| 50 | 블록 공중합체의 나노 구조체 제조 방법 및 이를 통해 제조된 블록 공중합체의 나노 구조체 | KR1020130166204 | 2013-12-27 | KR101525191B1 | 2015-06-03 | 김성남; 김진곤 |
| 블록공중합체및 제1 용매를포함하는블록공중합체조성물을준비하는단계; 기판상에상기블록공중합체조성물을코팅하여마이셀(micelle) 박막을형성하는단계; 상기마이셀박막에제2 용매를투입하고 20℃내지 40℃에서온도를유지하는단계; 온도를 0℃내지 20℃미만으로조절하는단계; 및수직배향된나노구조체를수득하는단계를포함하는블록공중합체의나노구조체제조방법및 이를통해제조된블록공중합체의나노구조체에관한것이다. | ||||||
| 51 | 수직적으로 상관된 방울 애피택시에 의한 다중 적층된 나노링 자발 형성 방법 | KR1020140006928 | 2014-01-20 | KR101524275B1 | 2015-06-01 | 이지훈; 김은수 |
| 본발명의일 측면에따르면, 3 개의일분자층(monolayer)을갖는 Ga 나노방울이 AS 고갈상태에서 GaAs 기판표면샘플상에방울애피택시공정에의해증착되어 Ga 나노방울이형성되는나노방울형성단계; 상기 Ga 나노방울형성단계이후에상기 Ga 나노방울형성단계와동일한양의 Ga 나노방울이 AS 고갈상태에서 Ga 나노방울이형성된 GaAs 기판표면샘플상에방울애피택시공정에의해증착되어나노링으로결정화되는나노링형성단계; 상기나노링형성단계이후에, 상기방울애피택시공정중 As 셀셔터가닫힌상태에서, As 배경압력을감소하기위하여 10분동안성장이정지되고, 상기 3 개의일분자층(monolayer)을갖는 Ga 나노방울이수직으로증착이수행되어나노방울/나노링하이브리드구조를형성하는단계; 를포함하는것을특징으로하는수직적으로상관된방울애피택시에의한다중적층된나노링자발형성방법이제공된다. | ||||||
| 52 | 철단백질을 이용한 수용성 금속 나노입자의 합성 장치 및 이를 이용해 제조된 수용성 금속 나노입자 | KR1020150022425 | 2015-02-13 | KR101523924B1 | 2015-06-01 | 김성원; 강일모; 김경숙 |
| 본발명은철단백질을이용한수용성금속나노입자의합성장치에관한것으로서, 보다자세하게는균일하고미세한금속나노입자를생산할수 있는철단백질을이용한수용성금속나노입자의합성장치에관한것이다. 본발명에따른철단백질을이용한수용성금속나노입자의합성장치에의하면, 수초이내에아포페리틴용액에금속이온수용액을주입할수 있어균일한핵성장을유도할수 있고, 이에따라균일하고미세한금속나노입자를반응용기의부피크기에따른설정량에맞게생산할수 있어금속나노입자의대량생산이용이하다. | ||||||
| 53 | 실리카계 나노시트, 실리카계 나노시트 분산졸 및 이의 제조방법 | KR1020140092120 | 2014-07-21 | KR101516675B1 | 2015-05-06 | 김대성; 이현진; 이승호; 임형미; 이동현 |
| 본발명은실리카계나노시트, 실리카계나노시트분산졸및 이의제조방법에관한것으로, 상기실리카계나노시트는미응집된형태이며, 평균입경이 0.1 내지 10.0㎛이고, 두께가 0.5 내지 30nm인것을특징으로하며, 실리카계나노시트분산졸은층상실리케이트를박리하여나노시트를제조하여이를유기용매에분산시켜실리카졸을형성시킴으로써제조될수 있다.본발명에의한실리카계나노시트및 실리카계나노시트분산졸은기계적, 열적, 화학적특성이우수하고, 다른유기물질과하이브리드하여유-무기복합체를형성함으로써다양한분야에적용할수 있다. | ||||||
| 54 | 규소 나노입자의 광발광의 향상 방법 | KR1020157004859 | 2013-07-30 | KR1020150039796A | 2015-04-13 | 케이시제임스에이.; 잠보브루드밀엠. |
| 규소나노입자의광발광의향상방법이이로부터제조된규소나노입자조성물에대한설명과함께제공된다. 일반적으로본 방법은평균입자직경이 5 nm 이하인규소나노입자및 유체를포함하는조성물을 (i) 상승된온도, (ii) 상승된습도, (iii) 산소-함유가스에의해가해지는상승된압력, (iv) 수소플라즈마, (v) 수소가스, (vi) 자외방사선, 및 (vii) (i) 내지 (vi) 중 2가지이상의조합으로부터선택되는비-주위조건에노출시키는단계를포함한다. 선택적으로, 규소나노입자는가스상반응에의해제조될수 있다. 비-주위조건에의규소나노입자조성물의노출에의해광발광이향상된다. 특히, 노출된나노입자는증가된최대방출강도및 발광양자효율을나타낸다. 게다가, 이들향상은방출된광의더 짧은파장으로의청색이동을동반한다. | ||||||
| 55 | 표면처리된 나노 금속산화물의 제조방법 및 이에 따라 제조된 표면처리된 나노 금속산화물 | KR1020130111949 | 2013-09-17 | KR1020150032002A | 2015-03-25 | 최성호; 김수진; 이선숙; 정선호 |
| 본 발명은 전도성 물질을 이용한 표면처리된 나노 금속산화물의 제조방법, 이에 따라 제조된 표면처리된 나노 금속산화물 및 이를 포함하는 전극, 에너지저장장치 및 복합체를 제공한다.
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| 56 | 다기능성 나노입자 콜로이드 기반 유체 및 이의 제조방법 | KR1020130123470 | 2013-10-16 | KR101505423B1 | 2015-03-25 | 조진한; 김동희; 김영훈 |
| The present invention relates to a multifunctional nanoparticle colloid-based fluid and to a method for preparing the same. A large amount of multifunctional nanoparticle colloid-based fluid with high cost efficiency is produced by using the present invention to be widely used in petrochemical fields of industrial size. Provided is a multifunctional nanoparticle colloid-based fluid which has various functional nanoparticles be stacked on the surface of silica colloid in multilayer structure, and has the outermost layer coated with stable nanoparticles. | ||||||
| 57 | 탄소나노물질의 처리방법 및 폴리아미드 펠릿 | KR1020130104594 | 2013-09-02 | KR1020150026157A | 2015-03-11 | 최연식; 이수민; 최기대; 윤창훈 |
| 본 기재는 탄소나노물질의 처리방법 및 이로부터 수득된 탄소나노물질 에 관한 것으로, 본 기재에 따르면, 인장강도, 인장탄성율(tensile modulus), 전자기 차폐 효과 및 대전방지 효과 등이 뛰어난 고분자 펠릿을 제공할 수 있도록 특정 관능기가 노출된 탄소나노물질 및 그 처리방법을 제공하는 효과가 있다.
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| 58 | 주석촉매를 이용한 산화금속 나노와이어의 합성방법 및 이에 의하여 합성된 산화금속 나노와이어 구조체 | KR1020130143773 | 2013-11-25 | KR101483969B1 | 2015-01-21 | 정남조; 여정구; 송광섭 |
| 본 발명은 주석 촉매를 이용하여 알루미나, 실리카 등의 산화금속 나노와이어를 다양한 형태의 지지체 표면에 직접적으로 합성할 수 있는 방법 및 이에 의하여 합성된 산화금속 나노와이어 구조체에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 주석을 기화방식을 이용하지 않고 지지체 표면에 직접적으로 형성시키면서 이를 촉매로 하여 지지체 표면에 알루미나, 실리카 등의 산화금속 나노와이어를 직접 합성하는 방법에 관한 것으로, 이에 의하여 합성된 산화금속 나노와이어 구조체는 촉매체, 배터리 소재, 바이오 소재 등 다양한 분야에 활용될 수 있다.
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| 59 | 단일벽 탄소나노튜브의 분리방법 | KR1020130074449 | 2013-06-27 | KR1020150001354A | 2015-01-06 | 김덕종; 최광민 |
| 본 발명은 탄소나노튜브의 분리방법에 관한 것으로, 겔 여과 크로마토그래피용 담체가 포함된 슬러리 및 단일벽 탄소나노튜브 용액을 혼합하여 혼합액을 마련하는 혼합액 마련단계; 상기 슬러리에 반도체성 탄소나노튜브가 흡착되도록 상기 혼합액을 교반하는 교반단계; 상기 혼합액을 여과하는 여과단계; 상기 반도체성 탄소나노튜브가 흡착된 상기 슬러리와 계면활성제 수용액을 혼합하여 상기 반도체성 탄소나노튜브를 용출시키는 용출단계; 및 용출된 상기 반도체성 탄소나노튜브를 걸러내어 분리하는 분리단계;를 포함하여 이루어지고, 상기 용출단계에서 상기 계면활성제의 농도를 변화시키면 용출되는 상기 반도체성 탄소나노튜브의 직경도 변하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 탄소나노튜브의 분리방법에 의하면, 계면활성제의 농도를 변화시켜 탄소나노튜브를 직경별로 간단하게 분리할 수 있으며 단시간에 대량의 분리가 가능하다. |
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| 60 | 나노구조체를 가지는 메쉬형 구조물 및 이것의 제조방법 | KR1020130044588 | 2013-04-23 | KR1020140126836A | 2014-11-03 | 안명찬; 정상훈 |
| 본 발명은 나노구조체를 가지는 메쉬형 구조물 및 이것의 제조방법에 대한 것으로, 기판이 아닌 메쉬(mesh)형 지지체에 나노로드를 성장시킴으로서 유효 표면적을 증가시킬 수 있고, 상기 나노로드를 식각 용액에 침지시켜서 나노로드 표면을 개질한 후 나노가지를 성장시킴으로서 안정적이면서 표면적이 더욱 증가된 나노구조체를 제조할 수 있다.
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