子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 通过场发射自加热诱导纳米结构改善结晶性的方法和装置 | CN201610028921.8 | 2016-01-15 | CN105668513A | 2016-06-15 | 邓少芝; 沈岩; 许宁生; 陈军; 佘峻聪 |
| 本发明公开了一种通过场发射自加热诱导纳米结构改善结晶性的方法，其采用场发射电流产生焦耳热原位加热纳米结构材料，通过场发射电流产生过程实现纳米结构材料温度迅速升高，并促使多晶态纳米结构在微观尺度下进行重结晶，改善纳米结构材料的结晶性。本发明技术实现方法简单，不需要提供外部热能就可以对金属、半导体等纳米结构的结晶性进行改善，而材料结构结晶性的改善，能够改善材料电学、场发射等物理特性。本发明进一步提供实现上述方面的场发射装置。 | ||||||
| 2 | 铝纳米线阵列制备方法 | CN201511035709.6 | 2015-12-30 | CN105480941A | 2016-04-13 | 鹿业波; 彭文利; 顾金梅; 刘楚辉; 刘振亚 |
| 本发明公开了一种铝纳米线阵列制备方法，制备方法包括以下步骤：(1)、制作铝薄膜；(2)、采用蚀刻技术在制备好的铝薄膜上制作出阵列结构，蚀刻时，对所述的生产单元的迁移桥和连接部的材料进行保留，对迁移桥和连接部的上下两个区域的材料进行蚀刻，仅留存Si基板；(3)、在经过蚀刻制作结构后的铝薄膜表面沉积一层SiO2作为保护膜(4)、最后利用聚焦离子束蚀刻技术在所述的靠近桥的右端处的保护膜上制备出排出孔，形成实验试样；(5)、实验试样制备完成后对其进行通电和加热；(6)、随通电时间增大铝原子被析出，铝纳米线开始生长。本发明的制备方法解决了原有微纳米线制备方法的不足，具有耗时短，成本低，生产效率高，可工业化应用。 | ||||||
| 3 | 燃料电池及其制备方法 | CN201480040568.4 | 2014-10-31 | CN105377748A | 2016-03-02 | 金洸贤; 黃教贤; 金相勳; 赵俊衍 |
| 本申请涉及燃料电池及其制备方法。 | ||||||
| 4 | 制备用于烃部分氧化成合成气的以耐热合金为基底的多金属氧化物催化剂的方法 | CN201380072184.6 | 2013-12-02 | CN104994953A | 2015-10-21 | S·E·多林斯基; N·Y·尤萨克弗; A·M·普莱莎科夫 |
| 本发明催化剂可用于烃原料的部分氧化、蒸汽重整和自热重整过程以生产合成气。含包括铂、钯或铑的Ⅷ族金属和氧化促进剂(Al2O3,CeO2和ZrO2)的催化剂的制备方法的特征在于,氧化物-金属组合物是用甲烷进行预处理以形成金属和5-10％(重量)积碳。将此材料与假勃姆石和四烷氧基硅烷的混合物沉积于耐热金属合金上、于惰性气氛下焙烧并进行热蒸汽处理。 | ||||||
| 5 | 用于可再充电的锂-硫电池组的不含粘合剂的硫-碳纳米管复合材料阴极和其制造方法 | CN201280070185.2 | 2012-12-21 | CN104254938A | 2014-12-31 | 阿鲁穆加姆·曼提莱姆; 苏玉生 |
| 本发明包括一种硫-碳纳米管复合材料，其包含碳纳米管的片材和成核在所述碳纳米管上的硫，以及其合成方法。在一些实施例中，所述硫-碳复合材料可以进一步不含粘合剂并且包括碳纳米管的片材，此使粘合剂和集电器变得不必要。在本发明的其它实施例中，揭示一种阴极，其包含所述硫-碳纳米管复合材料。在本发明的附加实施例中，电池组可以包括本文中所述的阴极。那些电池组可以获得高倍率性能。 | ||||||
| 6 | 用于沉积高纵横比分子结构的方法 | CN200780008330.3 | 2007-03-07 | CN101400598B | 2012-07-18 | 埃斯科·卡宾耐; 艾伯特·纳斯布林; 大卫·布朗; 大卫·冈萨雷斯 |
| 一种用于沉积高纵横比分子结构(HARMS)的方法，所述方法包括在含有一个或多个HARM结构的气溶胶上施加力，所述力使基于一种或多种物理特征和/或性质的一个或多个HARM结构朝向一个或多个预定位置移动，用来依靠所施加的力将一个或多个HARM结构沉积在模板中。 | ||||||
| 7 | 碳纳米管绞线及其制备方法 | CN200910109047.0 | 2009-07-21 | CN101964229B | 2012-05-30 | 刘锴; 周睿风; 孙颖慧; 姜开利; 刘亮; 范守善 |
| 本发明涉及一种碳纳米管绞线的制备方法，其包括以下步骤：提供至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管，该多个碳纳米管的轴向基本沿同一方向延伸；沿碳纳米管的轴向施加两个相反外力作用于该至少一碳纳米管膜，使该至少一碳纳米管膜中至少部分的碳纳米管在该外力拉力的作用下沿碳纳米管轴向绷直；以及扭转该至少一碳纳米管膜，获得一碳纳米管绞线。本发明还涉及一碳纳米管绞线。 | ||||||
| 8 | 包括高长宽比分子结构的结构和制造方法 | CN201080005707.1 | 2010-01-27 | CN102300706A | 2011-12-28 | D·P·布朗; B·J·艾吉森; A·G·纳斯布林; E·I·考品恩 |
| 包括高长宽比分子结构(HARM结构)的结构，其中该结构包括HARM结构的基本上平面的网(2)和与网(2)接触的支撑物(3)。支撑物(3)在其中具有开口(5)，在开口(5)的边缘区域(4)处，网(2)与支撑物(3)接触，使得网(2)的中间部分不被支撑物(3)所支撑。网(2)包括基本上无规取向的HARM结构。 | ||||||
| 9 | 碳纳米管复合材料预制件及其制备方法 | CN200710076745.6 | 2007-08-31 | CN101376497B | 2011-06-22 | 郭海周; 戴风伟; 姚湲; 张长生; 刘长洪; 姜开利 |
| 本发明涉及一种碳纳米管复合材料预制件及其制备方法，该碳纳米管复合材料预制件包括一基片及一碳纳米管阵列形成于该基片，其中，该碳纳米管阵列远离基片的一端碳纳米管之间的间隙大于靠近基片的一端碳纳米管之间的间隙。该碳纳米管复合材料预制件的制备方法包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基片；将上述形成有碳纳米管阵列的基片置于一溶剂中一段时间；将上述基片取出后烘干处理，形成碳纳米管复合材料预制件。本发明所提供的碳纳米管复合材料预制件中碳纳米管之间具有较大的间隙，且制备方法工艺简单、成本低、周期短、易于实现。 | ||||||
| 10 | 直写纳米蚀刻的方法 | CN200610138990.0 | 2000-01-07 | CN101003355B | 2010-09-01 | 查德·A·米尔金; 理查德·皮纳; 升瀚·洪 |
| 一种直写纳米蚀刻方法，其包括提供一个固体基质；提供一个涂覆有墨水的针尖；以及使墨水从针尖传送到基质上，从而在固体基质上得到一个稳定的纳米结构，其中传送步骤是通过毛细作用使墨水从针尖流到基质上，其中墨水对基质具有化学亲和性。 | ||||||
| 11 | 一种制备半导体性单壁碳纳米管的方法 | CN200710178428.5 | 2007-11-30 | CN100569637C | 2009-12-16 | 张锦; 张永毅; 张依; 刘忠范 |
| 本发明公开了去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，即去除金属性单壁碳纳米管，得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在180nm～11μm内的光的总强度为30mW/cm2～300mW/cm2。相对于已有的方法，本发明方法具有操作步骤简单易控且环保、去除金属性单壁碳纳米管的效果好、适用性广、成本低廉、并能保持碳管原貌等诸多优点，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。 | ||||||
| 12 | 用于沉积高纵横比分子结构的方法 | CN200780008330.3 | 2007-03-07 | CN101400598A | 2009-04-01 | 埃斯科·卡宾耐; 艾伯特·纳斯布林; 大卫·布朗; 大卫·冈萨雷斯 |
| 一种用于沉积高纵横比分子结构(HARMS)的方法，所述方法包括在含有一个或多个HARM结构的气溶胶上施加力，所述力使基于一种或多种物理特征和/或性质的一个或多个HARM结构朝向一个或多个预定位置移动，用来依靠所施加的力将一个或多个HARM结构沉积在模板中。 | ||||||
| 13 | 利用全息光学镊子处理纳米导线的系统和方法 | CN200680002215.0 | 2006-01-11 | CN101378985A | 2009-03-04 | 大卫·G·格里尔; 里特什·阿加瓦尔; 于桂华; 查尔斯·M·利伯; 库斯塔·拉德维克; 耶尔·罗伊切曼 |
| 一种在有全息光学陷阱阵列的溶液中用于操作和处理纳米导线的系统和方法。本发明的系统和方法能够建立几百个分别受控的光学陷阱，该陷阱具有沿三维方向操作物体的能力。在单个陷阱没有可辨别影响的条件下，横截面小于20nm和长度超过20μm的各个纳米导线能够被隔离，平移，旋转和沉积到有全息光学陷阱阵列的基片上。被高度聚焦陷阱诱发的空间定域光热和光化学过程还可用于熔化局部区域到各个纳米导线上并熔合纳米导线接合点。 | ||||||
| 14 | 制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法 | CN200410036842.9 | 2004-04-21 | CN100456418C | 2009-01-28 | 柳寅儆; 郑守桓; 徐顺爱; 金仁淑 |
| 本发明公开制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法。该纳米管道阵列制造方法包括：进行第一阳极氧化，以在铝衬底上形成具有管道阵列的第一氧化铝层，管道阵列由多个孔穴形成；蚀刻第一氧化铝层到预定深度并在铝衬底上形成多个凹入部分，其中每个凹入部分对应于第一氧化铝层的每个管道的底部；以及进行第二阳极氧化，以在铝衬底上形成具有对应于多个凹入部分的多个管道的阵列的第二氧化铝层。该阵列制造方法能够获得精细排序的孔穴，并能使用孔穴形成纳米尺度的点。 | ||||||
| 15 | 采用直写纳米刻蚀印刷的固态部件的图案化 | CN02827280.3 | 2002-12-17 | CN100345059C | 2007-10-24 | 查德·A·米尔金; 维纳亚克·P·德拉维德; 苏明; 刘晓刚 |
| 本发明包括一种在衬底上制造有机/无机复合纳米结构的方法，包括：使用浸沾笔纳米刻蚀，在衬底上沉积具有嵌段共聚物和无机前驱体的溶液。该纳米结构包括具有宽度/直径小于1微米的点和/或线的阵列。本发明还包括一种器件，该器件包括有机/无机复合纳米级区域，其中该纳米级区域除了高度之外具有纳米级尺寸。 | ||||||
| 16 | 直写纳米蚀刻的方法 | CN200610138990.0 | 2000-01-07 | CN101003355A | 2007-07-25 | 查德·A·米尔金; 理查德·皮纳; 升瀚·洪 |
| 一种直写纳米蚀刻方法，其包括提供一个固体基质；提供一个涂覆有墨水的针尖；以及使墨水从针尖传送到基质上，从而在固体基质上得到一个稳定的纳米结构，其中传送步骤是通过毛细作用使墨水从针尖流到基质上，其中墨水对基质具有化学亲和性。 | ||||||
| 17 | 用于光电应用的亲和基自组装系统及其装置 | CN97181687.5 | 1997-11-26 | CN1278418C | 2006-10-04 | 麦克尔·J·海勒; 杰夫瑞·M·凯布尔; 赛迪克·C·埃塞内尔 |
| 本发明提供了用于功能化可编程核酸、核酸修饰结构及其他选择性亲和或结合部分作为结构单元的电场辅助自组装的方法和装置。本发明提供了一种制备微米级和纳米级装置的方法，包括以下步骤：在第一支承体上制备第一构成装置，从该第一支承体释放至少一个第一构成装置，将该第一构成装置传送至一种第二支承体，且将该第一部件附着至该第二支承体上。本发明也提供了一种制备2维和3维的分子级，纳米级和微米级结构的方法。 | ||||||
| 18 | 碳纳米管组装方法和碳纳米管器件 | CN200510033605.1 | 2005-03-10 | CN1830753A | 2006-09-13 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一种碳纳米管组装方法和碳纳米管器件。该碳纳米管组装方法包括：提供两个相对的导电体，使其相对的两末端共同浸入同一含碳纳米管的溶液中；对该两导电体施加一交流电压，以使至少一碳纳米管组装至该两末端之间。该方法耗时短、效率高且可控性强，避免现有技术中组装时间长且可控性差的问题。还提供有该组装方法制成的碳纳米管器件，其可用作微型传感器。 | ||||||
| 19 | 制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法 | CN200410036842.9 | 2004-04-21 | CN1540714A | 2004-10-27 | 柳寅儆; 郑守桓; 徐顺爱; 金仁淑 |
| 本发明公开制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法。该纳米管道阵列制造方法包括：进行第一阳极氧化，以在铝衬底上形成具有管道阵列的第一铝层，管道阵列由多个孔穴形成；蚀刻第一铝层到预定深度并在铝衬底上形成多个凹入部分，其中每个凹入部分对应于第一铝层的每个管道的底部；以及进行第二阳极氧化，以在铝衬底上形成具有对应于多个凹入部分的多个管道的阵列的第二铝层。该阵列制造方法能够获得精细排序的孔穴，并能使用孔穴形成纳米尺度的点。 | ||||||
| 20 | 用探针转移微粒制造纳米线结构的方法 | CN01113645.6 | 2001-05-28 | CN1139535C | 2004-02-25 | 顾宁; 廖建辉; 张海黔 |
| 用探针转移微粒制造纳米线结构的方法是一种制造纳米器件和电路的方法，制造的方法为：①基片清洁度、粗糙度的预处理；②在基片表面分子自组装双功能分子薄层，该双功能分子一端的功能基团通过化学键合与基片表面预处理后的功能基团牢固结合；③通过扫描探针显微镜微探针将其携带的纳米微粒“墨水”描画于双功能分子薄层上面，描画定义出一定的结构，如线条，使纳米微粒“墨水”与双功能分子的另一端键合；④去除表面的非“墨水”定义结构。 | ||||||
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